形成電活性層的體系的制作方法

形成電活性層的體系的制作方法
【專利摘要】本文提供了一種用于形成電活性層的電活性體系。所述體系包含：(a)第一電活性材料；(b)促進添加劑；和(c)第一液體介質。所述促進添加劑在焙燒期間以足以使得由其制成的電活性層能夠在所述電活性體系沉積并在小于350℃的溫度下焙燒預定的時間之后有效抵抗與施用于其上的第二液體介質混合的量存在。
【專利說明】
形成電活性層的體系
[0001] 要求在先申請的權益
[0002] 本申請要求2013年12月13日提交的美國臨時申請61/915,587的權益，將所述文獻 全文W引用方式并入本文。
技術領域
[0003] 本公開設及新型電活性體系。本公開還設及具有使用此類電活性體系制成的至少 一個活性層的電子器件。
【背景技術】
[0004] 在構成OLm)顯示器的有機光活性電子器件諸如有機發光二極管（"OLE護）中，一個 或多個電活性層夾于兩個電接觸層之間。在OL邸中，當在整個電接觸層上施加電壓時，有機 光活性層透過透光的電接觸層發射光。
[0005] 在發光二極管中將有機電致發光化合物用作光活性組分是熟知的。已使用簡單的 有機分子、共輛聚合物和有機金屬配合物。采用電致發光材料的器件通常包括一個或多個 添加的電活性層，所述電活性層定位在電致發光層和接觸層之間。空穴傳輸層可W位于電 致發光層與空穴注入接觸層之間。空穴注入接觸層也可稱為陽極。電子傳輸層可位于電致 發光層與電子注入接觸層之間。電子注入接觸層也可稱為陰極。
[0006] 對用于電子器件中的電活性材料W及形成所述電活性材料的方式存在持續需求。

【發明內容】

[0007] 本文提供了用于形成電活性層的電活性體系，其包括：
[000引（a)第一電活性材料；
[0009] (b)促進添加劑;和
[0010] (C)第一液體介質；
[0011] 其中所述促進添加劑在賠燒期間W足W使得由其制成的電活性層能夠在所述電 活性體系被沉積并在小于35(TC的溫度下賠燒預定的時間之后有效抵抗與施用于其上的第 二液體介質混合的量存在。
[0012] 本文還提供用于形成電子器件的方法，所述電子器件包括由所述電活性體系形成 的電活性層。
[0013] W上一般描述和下列【具體實施方式】僅是示例性和說明性的而不是對本發明進行 限制，本發明如所附權利要求中所限定。
【附圖說明】
[0014] 附圖中示出了實施方案，W增進對本文所示概念的理解。
[0015] 圖IA示出空穴傳輸材料的光致發光光譜。
[0016] 圖IB示出發光材料的光致發光光譜。
[0017] 圖2A示出得自一個光致發光測試的光致發光光譜。
[0018] 圖2B示出得自另一個光致發光測試的光致發光光譜。
[0019] 圖3示出與圖1-2的光譜的疊加圖。
[0020] 圖4包括有機電子器件的一個示例的示意圖。
[0021] 圖5包括有機電子器件的另一個示意圖。
[0022] 技術人員理解，圖中的物體是W簡潔明了的方式示出的，而不一定按比例繪制。例 如，圖中一些物體的尺寸相對于其它物體可能有所放大，W便于增進對實施方案的理解。
【具體實施方式】
[0023] 本文提供了用于形成電活性層的電活性體系，其包括：
[0024] (a)第一電活性材料；
[0025] (b)促進添加劑;和
[00%] (C)第一液體介質；
[0027] 其中所述促進添加劑在賠燒期間W足W使得由其制成的電活性層能夠在所述電 活性體系被沉積并在小于35(TC的溫度下賠燒預定的時間之后有效抵抗與施用于其上的第 二液體介質混合的量存在。
[0028] 本文還提供用于形成電子器件的方法，所述電子器件包括電活性層。
[0029] 許多方面和實施方案已描述于上文中，并且僅是示例性的和非限制性的。在閱讀 本說明書后，技術人員應認識到，在不脫離本發明范圍的情況下，其它方面和實施方案也是 可能的。
[0030] 根據W下【具體實施方式】和權利要求書，任何一個或多個實施方案的其它特征和益 處將顯而易見。【具體實施方式】首先提出了術語的定義和說明，接著是電活性體系、方法、電 子器件，最后是實施例。
[00川 1.術語的定義和解釋
[0032] 在陳述下文實施方案詳情之前，先定義或闡明一些術語。
[0033] 如本文所用，術語"烷基"包括支鏈和直鏈的飽和脂族控基。除非另外指明，該術語 也旨在包括環狀的基團。烷基基團的示例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異下基、仲下基、叔 下基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、異己基等。術語"烷基"還包括被取代和 未被取代的控基兩者。在一些實施方案中，該烷基基團可W是單取代的、二取代的和=取代 的。取代的烷基基團的一個示例是=氣甲基。其它被取代的烷基基團由本文所述的一個或 多個取代基形成。在某些實施方案中，烷基基團具有1至20個碳原子。在其它實施方案中，所 述基團具有1至6個碳原子。該術語旨在包括雜烷基基團。雜烷基基團可具有1-20個碳原子。
[0034] 術語"芳基"是指芳族碳環部分，其可W是一個環(單環)或稠合在一起或共價連接 的多個環（二環或更多）。該芳基部分的任何合適的環位置可共價地連接到限定的化學結 構。芳基部分的示例包括但不限于苯基、1-糞基、2-糞基、二氨糞基、四氨糞基、聯苯基、蔥 基、菲基、巧基、巧滿基、二亞苯基、起基、起締基等。在一些實施方案中，芳基具有6至60個碳 原子;在一些實施方案中具有6至30個碳原子。該術語旨在包括雜芳基。雜芳基基團可具有 4-50個碳原子;在一些實施方案中，具有4-30個碳原子。
[0035] 術語"烷氧基"旨在表示其中R為烷基的-OR基團。
[0036] 術語"芳氧基"旨在表示其中R為芳基-OR基團。
[0037] 除非另外指明，所有基團均可W是取代的或未取代的。示例性取代基包括D、F、燒 基、甲娃烷基、烷氧基、甲娃烷氧基、芳基、芳氧基、気代烷基、気代甲娃烷基、気代烷氧基、気 代甲娃烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、W及它們的組合。在一些實施方案中，取代基為D、F、 烷基、或気代烷基。
[003引術語"賠燒"及其動詞變體是指將材料、構件或結構暴露于加熱環境的過程。賠燒 溫度是環境溫度。材料、構件或結構可W或可W不達到賠燒溫度。
[0039] 當設及層、材料、構件、或結構時，術語"電荷傳輸"旨在表示此類層、材料、構件、或 結構促進此類電荷W相對高的效率和小的電荷損失穿過此類層、材料、構件、或結構的厚度 進行遷移。空穴傳輸材料有利于正電荷；電子傳輸材料有利于負電荷。雖然發光材料也可具 有某些電荷傳輸特性，但術語"電荷傳輸層、材料、構件或結構"并不旨在包括其主要功能為 發光的層、材料、構件或結構。
[0040] 術語"化合物"旨在表示由分子組成的不帶電物質，所述分子又由原子組成，其中 原子不能通過不破壞化學鍵的物理方法與其對應的分子分離。該術語旨在包括低聚物和聚 合物。
[0041] 術語"交聯"旨在表示形成連接兩個或更多個相鄰化合物或聚合物鏈的共價鍵。術 語"可交聯基團"或"交聯基團"旨在表示可經由熱處理或暴露于福射導致交聯的基團。在一 些實施方案中，該福射為紫外光或可見光。示例性可交聯基團包括但不限于乙締基、丙締酸 醋、全氣乙締基酸、1-苯并-3,4-環下燒、硅氧烷、氯酸醋基團、環酸(環氧化物）、環締控、W 及烘基團。
[0042] 術語"滲雜劑"旨在表示包括主體材料的層內材料，與不存在此類材料時所述層的 福射發射、接收、或過濾的一種或多種電特性或一種或多種波長相比，所述滲雜劑改變了所 述層的福射發射、接收、或過濾的一種或多種電特性或一種或多種目標波長。
[0043] 當設及層或材料時，術語"電活性"旨在表示電性促進器件運作的層或材料。電活 性材料的示例包括但不限于傳導、注入、傳輸或阻斷電荷的材料，其中電荷可為負的（電子） 或正的（空穴），或當接受福射時發射福射或表現出電子-空穴對濃度變化的材料。非活性材 料的示例包括但不限于平面化材料、絕緣材料、W及環境阻擋材料。
[0044] 前綴"氣代"旨在表示基團中的一個或多個氨被氣置換。
[0045] 前綴"雜"表示一個或多個碳原子被不同的原子置換。在一些實施方案中，雜原子 為0、N、S或它們的組合。
[0046] 術語"主體材料"旨在表示用于具有滲雜劑的光活性層中的基質材料。主體材料可 具有或可不具有發射、接收、或過濾福射的一種或多種電子特性或能力。主體材料W比光活 性層中的滲雜劑更大的濃度存在。
[0047] 術語"液體組合物"旨在表示其中材料溶解形成溶液的液體介質，其中材料分散形 成分散體的液體介質，或其中材料懸浮形成懸浮液或乳液的液體介質。
[0048] 術語"液體介質"旨在表示液體材料，其包括純液體和液體的組合。無論是存在一 種還是多種溶劑，液體介質均W單一形式存在。
[0049] 術語"光活性"旨在表示被所施加的電壓激活時發光(如在發光二極管或化學電池 中），或者相應于福射能并且在或不在所施加的偏壓下產生信號(如在光電探測器或光伏電 池中）的材料。
[0050]術語"聚合物"旨在表示具有至少一種重復單體單元的材料。該術語包括只有一種 單體單元的均聚物，W及具有兩種或更多種不同單體單元的共聚物。共聚物為聚合物的子 集。在一些實施方案中，聚合物具有至少5個重復單元;在一些實施方案中，至少10個重復單 元;在一些實施方案中，至少20個重復單元。在一些實施方案中，所述聚合物具有大于10， 000的數均分子量。在一些實施方案中，所述聚合物具有大于50,000的數均分子量。在一些 實施方案中，所述聚合物具有大于100,000的數均分子量。
[0051 ] 術語"硅氧烷"是指基團（RO)i-3(R'）2-oSi-，其中R和R'相同或不同并且為H、D、C1- 20烷基、氣代烷基、気代烷基或気代氣烷基。
[(K)對術語"甲硅烷氧堂'是指基團RsSiO-,其中R為H、D、Cl-20烷基、氣代烷基、芳基、気 代烷基、気代氣烷基、或気代芳基。在一些實施方案中，R烷基基團中的一個或多個碳被Si替 換。
[00對術語"甲娃烷基"是指基團RsSi-,其中R為H、D、Cl-20烷基、氣代烷基、芳基、気代燒 基、気代氣烷基、或気代芳基。在一些實施方案中，R烷基基團中的一個或多個碳被Si替換。 在一些實施方案中，甲娃烷基基團是（己基）2Si(Me)CH2C此Si(Me)2-和[CF3(CF2)6C此CH2] 2SiMe-〇
[0054] 術語"工件"旨在表示工序的任何特定點處的基底。注意到，基底在工序期間可能 沒有顯著的變化，而工件在工序期間顯著變化。例如，在工序開始時，基底和工件是相同的。 在基底上形成層后，基底沒有變化，但是工件現包括基底和層。
[0055] 當用于指器件中的層時，短語"鄰近"并非一定表示一層緊接另一層。另一方面，短 語"相鄰的R基團"用來指化學式中彼此緊接的R基團（即，通過鍵結合的原子上的R基團）。
[0056] 除非另外指明，全部基團可W是未取代的或被取代的。在一些實施方案中，所述取 代基選自気、面離子、烷基、烷氧基、芳基、氨基、甲娃烷基、和氯基。
[0057] 在本說明書中，除非在使用情形下另外明確指明或指出相反情況，本發明主題的 實施方案被論述或描述為包含、包括、含有、具有一些特征或要素、由一些特征或要素組成 或構成，除明確論述或描述的那些特征或要素 W外的一種或多種特征或要素也可存在于實 施方案中。所公開的本發明主題的一個可供選擇的實施方案被描述為基本上由某些特征或 要素組成，則其中將會顯著地改變操作原理或實施方案顯著特性的實施方案特征或要素不 存在于其中。本發明所述的主題的另一個另選的實施方案被描述為基本上由某些特征或要 素組成，在所述實施方案或其非實質性變型中，僅存在所具體論述或描述的特征或要素。
[0058] 此外，除非明確指明相反，"或"是指包含性的"或"而非排他性的"或"。例如，下列 任一項均滿足條件A或B:A為真實的（或存在的）且B為虛假的（或不存在的），A為虛假的（或 不存在的)且B為真實的(或存在的），W及A和B均為真實的(或存在的）。
[0059] 而且，"一個"或"一種"用于描述本文所述的成分和組分。運樣做僅是為了方便并 且對本發明的范圍提供一般性意義。此描述應被理解為包括一個或至少一個、一種或至少 一種，并且單數也包括復數，除非明顯地另指它意。
[0060] 對應于元素周期表內列的族序號的使用參見乂RC化n化ook of化emis化y and Physics"，第81版(2000-2001)中所述的"新命名法"公約。
[0061] 除非另外定義，否則本文所用的所有技術和科學術語的含義均與本發明所屬領域 的普通技術人員通常理解的一樣。盡管與本文所述的那些方法和材料的類似者或等同者均 可用于本發明實施方案的實踐或測試，但合適的方法和材料如下文所述。如發生矛盾，W本 說明書及其所包括的定義為準。此外，材料、方法和示例只是例證性的，而不是限制性的。 [0062]本文未描述的有關特定材料、加工方法和電路的許多細節均是常規的并且可W在 有機發光二極管顯示器、光電探測器、光伏和半導體構件領域的教科書和其它來源中找到。 [00創 2.電活性體系
[0064] 如本文所用，術語"電活性體系"旨在表示通過液體沉積在器件中形成電活性層所 必要的組分。
[0065] 在一些實施方案中，電活性體系包括電活性材料、促進添加劑、和第一液體介質， 其中當形成電活性層時，所述促進添加劑與電活性材料并列。所謂"并列"是指促進添加劑 足夠靠近電活性材料W影響電活性層的形成。
[0066] 在一些實施方案中，電活性體系是包含電活性材料、促進添加劑和第一液體介質 的組合物。
[0067] 在一些實施方案中，電活性體系是僅包含電活性材料、促進添加劑和第一液體介 質的組合物，其中可實質上改變組合物的功能、操作原理或區別特征的組分不存在。
[0068] 在一些實施方案中，電活性材料存在于第一液體介質中，并且促進添加劑作為單 獨層存在。
[0069] 在一些實施方案中，電活性材料存在于第一液體介質中，并且促進添加劑W蒸氣 狀態存在。
[0070] 在一些實施方案中，所述電活性材料為聚合物。
[0071 ]在一些實施方案中，所述電活性材料為低聚物。
[0072] 在一些實施方案中，所述電活性材料為小分子。
[0073] 在一些實施方案中，所述電活性材料為具有至少一個可交聯基團的小分子。
[0074] 在一些實施方案中，所述電活性材料包括空穴傳輸材料。
[0075] 在一些實施方案中，所述電活性材料包括光活性材料。
[0076] 在一些實施方案中，其中所述電活性材料包含至少一種光活性材料和至少一種主 體材料。
[0077] (a)空穴傳輸材料
[0078] 在一些實施方案中，所述第一電活性材料包括空穴傳輸材料。
[0079] 具有空穴傳輸特性的任何材料均可用于空穴傳輸體系中。
[0080] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料為小分子。在一些實施方案中，小分子具有小于 1000的分子量。
[0081] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料是具有2-5個重復單元的低聚物。
[0082] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料是空穴傳輸聚合物，其可W為均聚物或共聚物。
[0083] 在一些實施方案中，空穴傳輸聚合物具有可交聯基團。
[0084] 在一些實施方案中，空穴傳輸聚合物不具有可交聯基團。
[0085] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料是気代的。術語"気代"旨在表示至少一個H已被 D置換。術語"気代類似物"是指其中一個或多個可獲得的氨已被気置換的材料或基團的結 構類似物。在気代材料或気代類似物中，気W天然豐度的至少100倍存在。在一些實施方案 中，材料是至少10%気代的。"気代％"或"気化％"是指気核與質子加気核的總和的比率，W 百分比表示。在一些實施方案中，所述材料為至少20%気代的；在一些實施方案中為至少 30 %気代的;在一些實施方案中為至少40 %気代的;在一些實施方案中為至少50 %気代的； 在一些實施方案中為至少60%気代的；在一些實施方案中為至少70%気代的；在一些實施 方案中為至少80 %気代的；在一些實施方案中為至少90%気代的；在一些實施方案中為 100%気代的。在空穴傳輸低聚物或聚合物中，気代可在整個低聚物或聚合物中在主鏈上或 取代基上存在。
[0086] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料具有選自芳氨基、巧挫和它們的組合的一個或 多個基團。在空穴傳輸低聚物或聚合物中，基團可作為主鏈的部分或作為側鏈存在。
[0087] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料是具有多個芳氨基基團和多個巧基團的低聚物 或聚合物。
[0088] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料是一個或多個芳氨基單體和一個或多個巧單體 的共聚物。
[0089] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料具有式I
[0090]
()
[0091] 其中：
[0092] Ar在每次出現時相同或不同并且為芳基或気代芳基基團；
[0093] X在每次出現時相同或不同并且選自單鍵、芳基基團、W及気代芳基基團；
[0094] n為大于0的整數;并且
[00M] *表示附接點、H、D、面離子、芳基或気代芳基；
[0096] 前提條件是當n = l時，X =芳基或気代芳基。
[0097] 示例性芳基基團包括苯基、糞基、蔥基、共價連接在一起的此類基團的組合、W及 它們的気代類似物。
[009引在一些實施方案中，空穴傳輸材料具有式II
[0099] 印）
[0100] 其中：
[0101] L在每次出現時相同或不同，并且選自芳基、（CR'2)。、金剛烷基、二環環己基、具有 通過單個原子連接的脂族環的二環基團、W及它們的気代類似物；
[0102] R'在每次出現時相同或不同并且選自H、D、烷基、氣代烷基、芳基、気代烷基、気代 氣烷基和気気代芳基；
[0103] C 為 1-5;
[0104] m為0、1或2;并且
[01化]A;r、X、n和*如上定義。
[0106] 在一些實施方案中，L選自多環芳族基團、由單鍵連接的兩個或更多個多環芳族基 團、它們的取代類似物、它們的気代類似物、W及它們的取代的気代類似物。
[0107] 在一些實施方案中，L選自苯基、糞基、蔥基、聯苯基、聯糞基、蔥基、聯蔥基、它們的 取代的類似物、它們的気代類似物、它們的取代的気代類似物、W及通過單鍵連接在一起的 兩個或更多個此類基團。
[0108] 在一些實施方案中，L選自苯基、糞基、蔥基、聯苯基、聯糞基、蔥基、聯蔥基、它們的 取代的類似物、它們的気代類似物、W及它們的取代的気代類似物。
[01091 立一此立施古安出航冰巧亦i去輸W料為具有式HI的共聚物 (III)
[0110：
[01川其中：
[0112] M在每次出現時相同或不同，并且為芳族單體單元或気代的芳族單體單元，
[0113] a和b為相對摩爾分數，使得a+b = 1，并且
[0114] Ar、X和*如上定義。
[0115] 在一些實施方案中，M選自巧、螺二巧、=芳基胺、巧挫、共價連接在一起的一個或 多個碳環基團，其中所述碳環基團選自苯基、糞基、蔥基、它們的気代類似物、W及它們的組 合。
[0116] 在一些實施方案中，所述空穴傳輸材料為具有式IV的共聚物
[0117]
[011 引
[0119]
[0120] (V)
[0121] 其中：
[0122] Ari在每次出現時相同或不同，并且選自亞苯基、被取代的亞苯基、亞糞基、被取代 的亞糞基、W及它們的気代類似物；
[0123] Ar2在每次出現時相同或不同并且為芳基基團或気代芳基基團；
[0124] M在每次出現時相同或不同，并且為共輛部分或気代的共輛部分；
[0125] Tl和T2在每次出現時獨立地相同或不同并且為W非平面構型連接的共輛部分或其 気代類似物；
[01%] a在每次出現時相同或不同，并且為1至6的整數；
[0127] e在每次出現時相同或不同，并且為1至6的整數；
[01巧]n為大于0的整數;并且
[0129] *表示附接點、H、D、面離子、芳基或気代芳基。
[0130] 在一些實施方案中，空穴傳輸聚合物具有式VI
[01 別]
(VI)
[0132] 其中：
[0133] M在每次出現時相同或不同，并且為共輛部分或気代的共輛部分；
[0134] b、C和d為摩爾分數，使得b+c+d = 1.0，前提條件是C不為零，并且b和d中至少一個 不為零，并且當b為零時，M包含至少兩個=芳基胺單元；
[013引 4八4'2、1'1^2、日、6和*如上定義。
[0136] 在式V或式VI的一些實施方案中，[Ti-T2]為取代的亞聯苯基基團、或它們的気代類 似物。術語"亞聯苯基"旨在表示對化合物主鏈具有兩個附接點的聯苯基。術語"聯苯基"旨 在表示具有兩個由單鍵連接的苯基單元的基團。亞聯苯基可附接2位、3位、4位或5位中的一 個，W及2'位、3'位、4'位或5'位中的一個。取代的亞聯苯基在2位上具有至少一個取代基。 在一些實施方案中，亞聯苯基至少在2位和2 '位上具有取代基。在一些實施方案中，取代基 為烷基基團、芳基基團、或它們的気代類似物。
[0137] 在一些實施方案中，[Ti-T2]為二亞糞基基團、或気代二亞糞基基團。術語"二亞糞 基"旨在表示對化合物主鏈具有2個附接點的二糞基。術語"聯糞基"旨在表示具有兩個由單 鍵連接的糞單元的基團。在一些實施方案中，二亞糞基為l，r-二亞糞基，其W3位、4位、5 位、6位或7位中的一個W及3'位、4'位、5'位、6'位或7'位中的一個附接到化合物主鏈上。其 示于下文中，其中虛線表示可能的附接點。
[0
[0139]在一些實施方案中，二亞糞基為在8位或9'位具有至少一個取代基的I，2'-二亞糞 基，并且其W3位、4位、5位、6位或7位中的一個W及4'位、5'位、6'位、7'位或8'位中的一個 附接到化合物主鏈上。其示于下文中，其中虛線表示可能的附接點，并且至少一個R代表取 代基。
[014C
[0141] 在一些實施方案中，二亞糞基為在8位或9'位具有至少一個取代基的2,2'-二亞糞 基，并且其W4位、5位、6位、7位或8位中的一個W及4'位、5'位、6'位、7'位或8'位中的一個 附接到化合物主鏈上。其示于下文中，其中虛線表示可能的附接點，并且至少一個R代表取
代基。
[0142]
[0143] 1丄^乂/皿/J^下，Lll」パ^/+、巧^'承巧巧凹、巧<vlVl、^/+、巧^糞基基團。在 一些實施方案中，[Ti-T2]為亞苯基-1-亞糞基基團，其W亞苯基3位、4位或5位中的一個W及 亞糞基3位、4位或5位中的一個附接到化合物主鏈上。在一些實施方案中，[Ti-T2]為亞苯基- 2-亞糞基基團，其W亞苯基3位、4位或5位中的一個W及亞糞基4位、5位、6位、7位或8位中的 一個附接到化合物主鏈上。
[0144] 在一些實施方案中，亞聯苯基、二亞糞基和亞苯基-亞糞基基團在一個或多個位置 上被取代的。
[0145] 在一些實施方案中，[Ti-T2]選自下列之一：
[0146]
[0147]
[0148] 其中R相同或不同，并且選自烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氣代烷基、氣代芳基、氣 代芳氧基、氣代烷氧基、氧烷基、締基基團、甲娃烷基、硅氧烷、W及它們的気代類似物。上述 任何基團也均可W是気代的。
[0149] 在一些實施方案中，空穴傳輸材料具有式VII
[0150]
[0151] 其中；
[0152] Ari和Ar2相同或不同并且為芳基基團或気代芳基基團；
[0153] Ri至R5在每次出現時獨立地相同或不同并且選自D、F、烷基、芳基、烷氧基、甲硅烷 基、可交聯的基團、気代烷基、気代芳基、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及它們的気代可交 聯基團；
[0154] R6在每次出現時相同或不同并且選自H、D和面素；
[01W] k在每次出現時相同或不同并且為0至4的整數；
[0156] f 為1或2;
[0157] g為0、1 或2;
[0158] h為1或2;并且
[0159] n為大于0的整數。
[0160] 空穴傳輸聚合物的上述實施方案中的任一項可與其它實施方案中的一個或多個 組合，只要它們不是互相排斥的。例如，其中空穴傳輸材料為聚合物的實施方案可與其中空 穴傳輸材料是気代的實施方案W及其中空穴傳輸材料具有式I并且Ar為苯基的實施方案組 合。對于上文所論述的其它非相互排斥的實施方案而言同樣適用。技術人員將理解哪些實 施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本申請中的空穴傳輸聚合物所預期的實施方 案的組合。
[0161] (b)光活性材料
[0162] 在一些實施方案中，所述第一電活性材料包括光活性材料。
[0163] 在一些實施方案中，第一電活性材料僅包含光活性材料，其中可實質上改變材料 的功能、操作原理或區別特征的組分不存在。
[0164] 在一些實施方案中，第一電活性材料為包括下列的組合物：（a)主體化合物和(b) 能夠電致發光的光活性滲雜劑，所述滲雜劑具有介于380和750nm之間的發射最大值。在一 些實施方案中，組合物僅包含(a)主體化合物和(b)具有介于380和750nm之間的發射最大值 的能夠電致發光的光活性滲雜劑，其中可實質上改變組合物的操作原理或區別特征的組分 不存在。
[0165] 在一些實施方案中，第一電活性材料為包括下列的組合物：（a)第一主體化合物， (b)具有介于380和750nm之間的發射最大值的能夠電致發光的光活性滲雜劑，W及(C)第二 主體材料。在一些實施方案中，組合物僅包含(a)第一主體化合物，（b)具有介于380和750nm 之間的發射最大值的能夠電致發光的光活性滲雜劑，W及(C)第二主體材料，其中可實質上 改變組合物的操作原理或區別特征的組分不存在。
[0166] 組合物中存在的光活性滲雜劑的量基于所述組合物的總重量計一般在3-20重 量％范圍內；在一些實施方案中，5-15重量％。當存在第二主體時，第一主體與第二主體的 比率一般在1:20至20:1范圍內；在一些實施方案中在5:15至15:5范圍內。
[0167] 可用作光活性滲雜劑的電致發光rEL")材料包括但不限于小分子有機發光化合 物、發光金屬絡合物、共輛聚合物、W及它們的混合物。小分子發光有機化合物的示例包括 但不限于竊、巧、巧類、紅巧締、香豆素、蔥、嚷二挫、苯并巧、它們的衍生物、它們的気代類似 物、W及它們的混合物。金屬絡合物的示例包括但不限于金屬馨合的8-徑基哇嘟酬化合物， 金屬諸如銀和銷的環金屬化絡合物，W及它們的気代類似物。共輛聚合物的示例包括但不 限于聚(苯撐乙締）、聚巧、聚(螺二巧）、聚嚷吩、聚(對-亞苯基）、它們的共聚物、它們的気代 類似物、W及它們的混合物。
[0168] 發紅光的材料的示例包括但不限于具有苯基哇嘟或苯基異哇嘟配體的Ir的配合 物、二巧并巧、巧蔥和二糞嵌苯。發射紅光的材料已公開于例如美國專利6,875,524和公布 的美國專利申請2005-0158577中。
[0169] 發綠光的材料的示例包括但不限于具有苯基化晚配體的Ir的配合物、雙(二芳基 氨基）蔥和聚對苯撐乙締聚合物。發射綠光的材料已公開于例如公布的PCT專利申請WO 2007/021117 中。
[0170] 發藍光的材料的示例包括但不限于具有苯基化晚或苯基咪挫配體的Ir的配合物、 二芳基蔥、二氨基鑛、二氨基巧和聚巧聚合物。發射藍光的材料已公開于例如美國專利6， 875，524和公布的美國專利申請2007-0292713和2007-0063638中。
[0171] 在一些實施方案中，光活性滲雜劑為有機金屬配合物。在一些實施方案中，有機金 屬配合物是環金屬化的。所謂"環金屬化的"是指配合物包含至少一個配體，其在至少兩個 點處鍵合到金屬，從而形成至少一個5元或6元環，所述環具有至少一個碳-金屬鍵。在一些 實施方案中，所述金屬為銀或銷。在一些實施方案中，有機金屬絡合物為電中性的并且為具 有式IrLs的=環金屬銀絡合物，或具有式IrLsY的雙環金屬銀絡合物。在一些實施方案中，L 為通過碳原子和氮原子配位的單陰離子二齒環金屬配體。在一些實施方案中，L為芳基N-雜 環，其中芳基為苯基或糞基，并且N-雜環為化晚、哇嘟、異哇嘟、二嗦、化咯、化挫或咪挫。在 一些實施方案中，Y為單陰離子二齒配體。在一些實施方案中，L為苯基化晚、苯基哇嘟、或苯 基異哇嘟。在一些實施方案中，Y為0-二締醇、酬亞胺、甲化晚、或N-烷氧基化挫。所述配體可 W是未取代的或被F、D、烷基、全氣烷基、烷氧基、燒氨基、芳氨基、CN、甲娃烷基、氣烷氧基或 芳基取代的。
[0172] 在一些實施方案中，光活性滲雜劑為銀或銷的環金屬化絡合物。此類材料已公開 于例如美國專利6,670,645和公布的PCT申請WO 03/063555、W0 2004/016710和WO 03/ 040257 中。
[0173] 在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑為具有式lHLl)a(L2)b化3)。的絡合物;其 中
[0174] Ll為通過碳和氮配位的單陰離子二齒環金屬配體；
[0175] L2為不通過碳配位的單陰離子二齒配體；
[0176] L3為單齒配體；
[0177] a 為 1-3;
[0178] b和C獨立地為0-2;并且
[0179] 選擇a、b和C，使得銀為六配位并且所述絡合物是電中性的。
[0180] 式的一些示例包括但不限于Ir化1)3、^化1)2化2)、和^化1)2化3)化3'），其中13 為陰離子，并且L3'為非離子。
[0181] L1配體的示例包括但不限于苯基化晚、苯基哇嘟、苯基喀晚、苯基化挫、嚷吩化晚、 嚷吩哇嘟和嚷吩喀晚。如本文所用，除非另外指明，術語"哇嘟"包括"異哇嘟"。氣化衍生物 可具有一個或多個氣取代基。在一些實施方案中，配體非氮環上存在1-3個氣取代基。
[0182] 單陰離子二齒配體L2是金屬配位化學領域所熟知的。一般來講，運些配體具有N、 〇、P或S作為配位原子，并且當與銀配位時形成5元或6元環。適宜的配位基團包括氨基、亞氨 基、酷胺基、醇鹽、簇酸醋、麟基、硫醇鹽等。適用于運些配體的母體化合物的示例包括e-二 簇基(e-締醇配體）、W及它們的N和S類似物;氨基簇酸(氨基簇酸鹽配體）；化晚簇酸(亞氨 基簇酸鹽配體）；水楊酸衍生物(水楊酸鹽配體）；徑哇嘟(徑基哇嘟配體）W及它們的S類似 物;和麟基燒醇(麟基燒氧化物配體）。
[0183] 單齒配體L3可為陰離子或非離子。陰離子配體包括但不限于H-r氨化物"）W及具 有C、0或S作為配位原子的配體。配位基團包括但不限于醇鹽、簇酸醋、硫代簇酸醋、二硫代 簇酸醋、橫酸醋、硫醇醋、氨基甲酸醋、二硫代氨基甲酸醋、硫卡己腺陰離子、橫酷胺陰離子 等。在一些情況下，上文列為L2的配體如0-締醇根和麟燒氧根可用作單齒配體。單齒配體也 可為配位陰離子，如面離子、氯根、異氯根、硝酸根、硫酸根、六面錬酸根等。運些配體一般是 可商購獲得的。
[0184] 單齒L3配體還可為非離子配體如CO或單齒麟配體。
[0185] 在一些實施方案中，一種或更多種配體具有至少一個取代基，所述取代基選自F和 氣化烷基。可采用例如美國專利6,670,645中所述的標準合成技術，來制備銀絡合物滲雜 劑。
[0186] 在一些實施方案中，光活性滲雜劑為小分子有機發光化合物。在一些實施方案中， 所述光活性滲雜劑選自非聚合的螺二巧化合物和巧蔥化合物。
[0187] 在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑為具有芳胺基團的化合物。在一些實施方 案中，所述光活性滲雜劑選自下式：
[01
[01
[0190] 其中；
[0191] A在每種情況下相同或不同并且為具有3-60個碳原子的芳族基團；
[0192] Q'為單鍵或具有3-60個碳原子的芳基；
[0193] P和q獨立地為1-6的整數。
[0194] 在上式的一些實施方案中，每個式中至少一個A和Q'具有至少=個縮合環。在一些 實施方案中，P和q等于1。
[01巧]在一些實施方案中，Q'為苯乙締基或苯乙締基苯基。
[0196] 在一些實施方案中，Q'為具有至少兩個縮合環的芳基。在一些實施方案中，Q選自 糞、蔥、藉、嵌二糞、并四苯、氧雜蔥、巧、香豆素、玫瑰精、哇叮晚酬和紅巧締。
[0197] 在一些實施方案中，A選自苯基、聯苯基、甲苯基、糞基、糞基苯基和蔥基。
[0198] 在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑具有下式：
[0199；
[0200]其中：
[0201 ] Y在每次出現時相同或不同并且為具有3-60個碳原子的芳族基團；
[0202] Q"為芳族基團、二價=苯胺殘基或單鍵。
[0203] 在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑為芳基并苯。在一些實施方案中，所述光活 性滲雜劑為非對稱的芳基并苯。
[0204] 在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑為藻巧生物。術語"蘿，，旨在表示1，2-苯 并菲。在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑為具有芳基取代基的.藻。在一些實施方案中， 所述光活性滲雜劑為具有芳氨基取代基的蘿。在一些實施方案中，所述光活性滲雜劑為具 有兩種不同芳氨基取代基的.藻。在一些實施方案中，所述灑衍生物發射深藍色的光。
[0205] 在一些實施方案中，所述主體材料為小分子。
[0206] 在一些實施方案中，主體化合物選自嗎I噪并巧挫、.竊、菲、=亞苯、菲咯嘟、=嗦、 糞、蔥、哇嘟、異哇嘟、哇喔嘟、苯基化晚、苯并二巧喃、金屬哇嘟酸鹽絡合物、它們的気代類 似物、W及它們的組合。
[0207] 在一些實施方案中，主體材料選自蔥、藻、巧、菲、苯并菲、菲咯嘟、糞、S嗦、哇嘟、 異哇嘟、哇喔嘟、苯基化晚、苯并二巧喃、金屬哇嘟配合物、嗎I噪并巧挫、它們的気代類似物、 W及它們的組合。
[0208] 在一些實施方案中，主體材料為9,10-二芳基蔥化合物或其気代類似物。
[0209] 在一些實施方案中，主體材料為具有一個或兩個二芳基氨基取代基的藩衍生物或 其気代類似物。
[0210] (C)促進添加劑
[0211] 促進添加劑有助于電活性層的形成。電活性層通過W下方法形成:在第一液體介 質中液相沉積電活性材料，之后在小于350°C的預定溫度下賠燒預定的時間。促進添加劑在 電活性層的賠燒期間W足W增加由此形成的電活性層的耐溶劑性的量存在。
[0212] 在一些實施方案中，所述促進添加劑為小分子。在一些實施方案中，小分子具有小 于2000的分子量;在一些實施方案中，小于1000;在一些實施方案中，小于750。
[0213] 在一些實施方案中，所述促進添加劑為低聚物。在一些實施方案中，低聚物具有介 于2000和10,000之間的數均分子量;在一些實施方案中，介于2000和4000之間。
[0214] 在一些實施方案中，所述促進添加劑為聚合物。
[0215] 在一些實施方案中，所述促進添加劑不具有可交聯基團。
[0216] 在一些實施方案中，所述促進添加劑具有150°C或更高的沸點；在一些實施方案 中，具有20(TC或更高的沸點；在一些實施方案中，具有25(TC或更高的沸點；在一些實施方 案中，具有300°C或更高的沸點;在一些實施方案中，具有350°C或更高的沸點。
[0217]在一些實施方案中，促進添加劑在200°C下具有在IO-3Pa至40化;在一些實施方案 中，1〇-申a至20化;在一些實施方案中，0.1化至1.0化范圍內的蒸氣壓。
[021引在一些實施方案中，促進添加劑在225°C下具有在IO-3Pa至40化;在一些實施方案 中，10-2化至20化;在一些實施方案中，0.1化至1. OPa;在一些實施方案中，0.1化至0.8化范 圍內的蒸氣壓。
[0219] 在一些實施方案中，促進添加劑為通過光致發光測試（"PLT")的材料，如實施例中 所詳述的。在化T中，光致發光的變化用作層之間混合的指示。
[0220] 在化T中，第一材料從液體組合物沉積到基底上，并且在預定溫度下賠燒預定的時 間W形成第一層。然后將包括第二材料的第二液體組合物沉積在第一層上并且賠燒W形成 第二層。第一材料和第二材料兩者均在給定波長下光致發光。
[0221] 第二材料在較高能量下光致發光，并且其發射足夠明顯W在與第二材料的發射組 合存在時被識別。當第一材料的分子鄰近第二材料的分子時（如在均質混合物中），第二材 料的激發導致能量傳遞到第一材料使得僅可檢測到來自第一材料的發射。此類能量傳遞被 稱為澤滅。類似地，當第二材料的分子不緊密相鄰，而是與第一層的分子間隔開例如一些惰 性緩沖液材料的數納米距離時，第二材料的發射部分澤滅。假設第一材料和第二材料均勻 地激發，則在此類情況下所得的發射由兩種組分構成，并且第二材料發射的相對量是層之 間的距離和混合層中第一材料的濃度的函數。通常，不考慮第一材料的濃度，5-lOnm的最大 相隔距離足W確信澤滅可忽略不計。考慮第一材料和第二材料的兩個層之間不具有任何附 加緩沖液的實際情況，僅距第一層(或混合區域)比該距離遠的第二材料的部分可W是完全 未澤滅的。在該測試的實際具體實施中，合適的是選擇大于該距離的第二層的標稱厚度。在 運種情況下，其遵循第二材料的顯著光致發光的觀察結果指示大部分第二材料層未混合。 與之相比，缺少第二材料的顯著光致發光指示所述層的顯著混合。
[0222] PLT示于圖1-3中。液體組合物中的光致發光空穴傳輸材料A沉積在基底上，并且暴 露于預定溫度并持續預定的時間。當被具有M的波長的光激發時，僅材料A的光致發光光譜 示于圖IA中。然后通過光致發光光活性材料B的溶液的液相沉積在空穴傳輸層上方形成光 活性層。當被具有波長M的光激發時，僅材料B的光致發光光譜示于圖IB中。由此可見，光譜 是可區分的并且材料A的光譜在較長波長下具有最大值并且因此具有較低能量。然后將運 些層包封。然后包封的復合材料被具有波長M的光激發。如果空穴傳輸層對光活性材料的 液體介質不具有抵抗性，則兩個層將混合并且所得的光譜將非常類似于單獨的材料A的光 譜。得自材料B的較高能量光致發光將被材料A澤滅。運示于圖2A中。如果空穴傳輸材料對光 活性材料的液體介質具有抗性，則將形成兩個離散的層并且所得的光譜將具有兩種材料的 峰的組合或共混的形狀。運示于圖2B中。圖3示出得自前四個圖的所有四個光譜的疊加圖。 顯然表示較少混合的光譜是材料A和材料B的單獨光譜的復合。顯然當混合完全時，僅看見 較低能量材料A的光譜。
[0223] 通過化T的材料是當W預定量加入空穴傳輸層中時，產生具有為材料A和材料B兩 者的光譜的共混物的光致發光光譜的復合材料的材料。
[0224] 應當理解一些材料可在較高溫度而不是在較低溫度下通過化T。一些材料可在較 高濃度而不是在較低濃度下通過化T。
[0225] 在一些實施方案中，促進添加劑為通過旋涂OL抓測試rs〇)L邸r)的材料，如示例 中所詳述的。
[0226] 在SC化抓T中，形成發光二極管，其中兩個或更多個電活性層經由旋轉誘注沉積。 不通過旋轉誘注形成的發光二極管中的層可通過各種物理氣相沉積技術形成(瓣射、熱蒸 發等）。促進添加劑可W或可W不在兩個旋轉誘注層中第一個的賠燒期間存在。
[0227] 在第一層的賠燒期間采用促進添加劑的器件的器件性能(效率、穩定性、電壓和顏 色)相當于在不具有促進添加劑情況下形成的器件的性能，其中第一層在相同條件下(溫度 和時間）或在最佳賠燒條件(通常為較高溫度)下賠燒。促進添加劑的效果通過使用促進添 加劑的測試器件的性能超過不具有促進添加劑的在相同條件下賠燒的器件性能的程度來 確定。就一些促進添加劑而言，測試器件性能將甚至更匹配(或超過)最佳器件的性能。
[0228] 在一些實施方案中，采用促進添加劑的層為空穴傳輸層化化)并且后續層為發光 層化肥)。
[0229] 在一些實施方案中，促進添加劑為通過噴嘴印刷化邸測試（"NPOLEDr )的材料，如 下所述。
[0230] 在NP化抓T中，形成發光二極管，其中兩個或更多個電活性層從溶液中沉積，至少 一個經由噴嘴印刷形成。噴嘴印刷是用于圖案化用于顯示器應用的OL邸的商業上可行的方 法。不從溶液中沉積的發光二極管中的層可通過多種物理氣相沉積技術(瓣射、熱蒸發等） 形成。促進添加劑可W或可W不在兩個溶液沉積層中第一個的賠燒期間存在。
[0231] 在第一層的賠燒期間采用促進添加劑的器件的器件性能(效率、穩定性、電壓和顏 色)相當于在不具有促進添加劑情況下形成的器件的性能，其中第一層在相同條件下(溫度 和時間）或在最佳賠燒條件(通常為較高溫度)下賠燒。促進添加劑的效果通過使用促進添 加劑的測試器件的性能超過不具有促進添加劑的在相同條件下賠燒的器件性能的程度來 確定。就一些促進添加劑而言，測試器件性能將甚至更匹配(或超過)最佳器件的性能。
[0232] 在一些實施方案中，采用促進添加劑的層為空穴傳輸層化化)并且后續層為發光 層化肥)。
[0233] 在一些實施方案中，促進添加劑為通過噴墨印刷化抓測試riJPOLEDT")的材料， 如下所述。
[0234] 在UPOL邸T中，形成發光二極管，其中兩個或更多個電活性層從溶液中沉積，至少 一個經由噴墨印刷形成。噴墨印刷是用于圖案化用于顯示器應用的OL邸的商業上可行的方 法。不從溶液中沉積的發光二極管中的層可通過多種物理氣相沉積技術(瓣射、熱蒸發等） 形成。促進添加劑可W或可W不在兩個溶液沉積層中第一個的賠燒期間存在。
[0235] 在第一層的賠燒期間采用促進添加劑的器件的器件性能(效率、穩定性、電壓和顏 色)相當于在不具有促進添加劑情況下形成的器件的性能，其中第一層在相同條件下(溫度 和時間）或在最佳賠燒條件(通常為較高溫度)下賠燒。促進添加劑的效果通過使用促進添 加劑的測試器件的性能超過不具有促進添加劑的在相同條件下賠燒的器件性能的程度來 確定。就一些促進添加劑而言，測試器件性能將甚至更匹配(或超過)最佳器件的性能。
[0236] 在一些實施方案中，采用促進添加劑的層為空穴傳輸層化化)并且后續層為發光 層化肥)。
[0237] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是気代的。在一些實施方案中，促進添加劑是 至少10%気代的；在一些實施方案中是至少20%気代的；在一些實施方案中是至少30%気 代的;在一些實施方案中是至少40%気代的;在一些實施方案中是至少50%気代的；在一些 實施方案中是至少60%気代的；在一些實施方案中是至少70%気代的；在一些實施方案中 是至少80%気代的;在一些實施方案中是至少90%気代的;在一些實施方案中是100%気代 的。
[0238] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是脂族化合物或気代脂族化合物。
[0239] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有10-50個碳的直鏈燒控，或它們的気代 類似物。
[0240] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有10-50個碳的支鏈燒控，或它們的気代 類似物。
[0241 ]在一些實施方案中，所述促進添加劑是芳族化合物或気代芳族化合物。
[0242]在一些實施方案中，促進添加劑具有式VIII
[02 創（VIII)
[0244] 其中；
[0245] Ar在每次出現時相同或不同并且為具有3-60個環碳的芳基基團或気代芳基基團；
[0246] Y在每次出現時相同或不同并且選自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、簇酸醋、甲娃 烷基、硅氧烷、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代簇酸醋、気 代甲娃烷基、気代硅氧烷、気代氨基、和気代巧挫基，其中相鄰碳上的Y基團可連接在一起W 形成稠合的5元或6元脂族環；
[0247] n為大于0的整數；
[0248] P為大于0的整數;并且
[0249] *表示附接點、H、D、面離子、芳基或気代芳基。
[0250] 在式VIII的一些實施方案中，Ar為不具有雜原子的芳族基團。在一些實施方案中， Ar具有6-30個環碳。在一些實施方案中，Ar選自苯基、糞基、蔥基、菲基、它們的取代衍生物、 和它們的気代類似物。
[0251] 在式VIII的一些實施方案中，Ar被一個或多個基團取代，所述基團選自烷基、燒氧 基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、芳氨基、W及它們的気代類似物。
[0252] 在式VIII的一些實施方案中，Ar為雜芳族基團。在一些實施方案中，Ar為雜芳族基 團，其具有3-20個環碳。
[0253] 在式VIII的一些實施方案中，Ar為具有至少一個氮雜原子的雜芳族基團。在一些 實施方案中，Ar選自化咯、化晚、=嗦、哇喔嘟、苯并咪挫、巧挫、嗎I噪巧挫、它們的取代衍生 物、W及它們的気代類似物。
[0254] 在式VIII的一些實施方案中，Ar為具有至少一個硫雜原子的雜芳族基團。在一些 實施方案中，Ar選自嚷吩、苯并嚷吩、二苯并嚷吩、thieneothio地ene、它們的取代衍生物、 和它們的気代類似物。
[02W]在式VIII的一些實施方案中，Ar為具有至少一個氧雜原子的雜芳族基團。在一些 實施方案中，Ar選自巧喃、苯并巧喃、二苯并巧喃、化喃、苯并化喃、二苯并化喃、它們的取代 衍生物、和它們的気代類似物。
[0256] 在式VIII的一些實施方案中，Ar為具有兩個或更多個不同雜原子的雜芳族基團， 所述雜原子選自N、0和S。在一些實施方案中，Ar選自嗯挫、嗯嗦、酪嗯挫、嚷挫、嚷嗦、它們的 取代衍生物、W及它們的気代類似物。
[0257] 在式VIII的一些實施方案中，Y選自D、烷基、芳基、甲娃烷基、気代烷基、気代芳基 和気代甲娃烷基。
[0258] 在式VIII的一些實施方案中，Y選自D、芳基和気代芳基。芳基或気代芳基可具有一 個或多個選自烷基、甲娃烷基、和它們的気代類似物的取代基。
[0259] 在式VIII的一些實施方案中，存在至少一個芳氨基基團、巧挫基基團或它們的気 代類似物。
[0260] 在式VIII的一些實施方案中，不存在氨基或巧挫基基團。
[0%1] 在式VIII的一些實施方案中，n為1或2。
[0262]在一些實施方案中，促進添加劑具有式IX
[0%3] (IX)
[0264] 其中；
[0265] R6在每次出現時相同或不同并且選自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、甲娃烷基、娃 氧燒、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代甲娃烷基、気代娃 氧燒、気代氨基、和気代巧挫基，其中相鄰碳上的R6基團可連接在一起W形成稠合的5元或6 元脂族環；
[0266] q在每次出現時相同或不同并且為0-4的整數；
[0267] r在每次出現時相同或不同并且為0-5的整數;并且 [0%引 S為0至5的整數。
[0269] 在式IX的一些實施方案中，R6選自D、烷基、芳基、甲娃烷基、気代烷基、気代芳基和 気代甲娃烷基。
[0270] 在式IX的一些實施方案中，R6選自D、烷基、甲娃烷基、気代烷基、和気代甲娃烷基。 在式IX的一些實施方案中，存在至少一個芳氨基基團。
[0271] 在式IX的一些實施方案中，不存在氨基或巧挫基基團。
[0272] #一化出施古寶由-化徘添巾n賽Il且右井TY-a
[0273] (IX a)
[0274] 其中R6、q、r和S如上文對于式IX所定義的。
[0275] 在式IX-a的一些實施方案中，R6選自D、烷基、芳基、甲娃烷基、気代烷基、気代芳基 和気代甲娃烷基。
[0276] 在式IX-a的一些實施方案中，R6選自D、烷基、甲娃烷基、気代烷基、和気代甲硅烷 基。
[0277] 在式IX-a的一些實施方案中，存在至少一個芳氨基基團。
[027引在式IX-a的一些實施方案中，不存在氨基或巧挫基基團。
[0279] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是脂族化合物并且不具有芳族環。
[0280] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有5-75個碳的支鏈或直鏈燒控或它們的 気代類似物，其可W是被取代或未取代的。在一些實施方案中，所述燒控具有10-60個碳;在 一些實施方案中具有15-40個碳。
[0%1]在一些實施方案中，所述促進添加劑為被取代的燒控。在一些實施方案中，取代基 選自D、面離子、CN、OH、烷氧基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及気 代甲娃烷基酸。
[0282] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有10-60個碳的燒控或它們的気代類似 物的混合物。
[0283] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有一個或多個不飽和鍵的脂族控。
[0284] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有10-60個碳和一個或多個雙鍵的燒控， 或它們的気代類似物。
[0285] 在一些實施方案中，所述促進添加劑為被取代的締控。在一些實施方案中，取代基 選自D、面離子、CN、OH、烷氧基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及気 代甲娃烷基酸。
[0286] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是具有10-60個碳和一個或多個=鍵的烘控， 或它們的気代類似物。
[0287] 在一些實施方案中，所述促進添加劑為被取代的烘控。在一些實施方案中，取代基 選自D、面離子、CN、OH、烷氧基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及気 代甲娃烷基酸。
[0288] 在一些實施方案中，所述促進添加劑是聚亞烷基氧低聚物，或它們的気代類似物。
[0289] 促進添加劑的上述實施方案中的任一項可與其它實施方案中的一個或多個組合， 只要它們不是互相排斥的。例如，其中促進添加劑是気代的實施方案可與其中促進添加劑 是脂族化合物的實施方案組合。對于上文所論述的其它非相互排斥的實施方案而言同樣適 用。技術人員將理解哪些實施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本申請中的促進 添加劑所預期的實施方案的組合。
[0290]促進添加劑的一些示例包括但不限于十屯燒、S十六燒、礦物油、茵香酸、苯甲酸 甲醋。
[02'
[0292
[0293] 一般來講，促進添加劑可商購獲得或可使用將形成C-C或C-N鍵的任何技術來制 得。已知多種此類技術，如Suzuki、Yamamoto、Sti lie、W及Pd或Ni催化的C-N偶聯。
[0294] 通過使用気代前體材料W類似的方式，或更一般地通過在路易斯酸H/D交換催化 劑諸如S氯化侶或乙基氯化侶，或酸諸如CF3C00D、DC1等的存在下用気代溶劑諸如d6-苯處 理未気代的化合物來制備気代類似物化合物。気化反應還在公開的PCT申請W02011/053334 中有所描述。
[0巧引 (d)液體介質
[0296] 電活性體系的液體介質是其中電活性材料可W期望的含量溶解或分散，并且由此 可形成膜的液體介質。本領域技術人員能夠易于確定適用于具體電活性材料的液體介質。
[0297] 在一些實施方案中，所述液體介質為極性非水性溶劑。極性溶劑的示例包括但不 限于C適C20醇、酸、W及酸性醋。
[0298] 在一些實施方案中，所述液體介質為相對非極性溶劑。非極性溶劑的示例包括但 不限于C適Ci2燒控、芳族化合物諸如甲苯、二甲苯、S氣甲苯等。
[0299] 在一些實施方案中，液體介質為兩種或更多種溶劑的混合物。
[0300] 在一些實施方案中，液體介質選自氯化控(諸如(如二氯甲燒、氯仿、氯苯），芳族控 (諸如被取代或未取代的甲苯或二甲苯，包括S氣甲苯），極性溶劑饋如四氨巧喃(THF)、N- 甲基化咯燒酬(NMP))，醋(諸如乙酸乙醋、苯甲酸甲醋、或鄰苯二甲酸二乙醋），酸(諸如茵香 酸或二甲氧基苯），醇(諸如異丙醇），酬(諸如環戊酬），W及它們的任何混合物。
[0301]用于電致發光材料的合適溶劑已描述于例如公布的PCT申請W02007/145979中。 [030。 4.方法
[030；3] (a)方法 1
[0304] 在一些實施方案中，所述方法包括W下步驟：
[0305] (i)將第一電活性組合物沉積到工件上W形成沉積層，其中所述第一電活性組合 物包含第一電活性材料、促進添加劑和第一液體介質；
[0306] (ii)將所述沉積層在小于350°C的溫度下賠燒預定的時間；W及
[0307] (iii)在所述第一電活性層上沉積第二電活性組合物，所述第二電活性組合物包 含處于第二液體介質中的第二電活性材料；
[0308] 其中所述促進添加劑W足W使得所述第一電活性層能夠有效抵抗與所述第二液 體介質混合的量存在。
[0309] 在一些實施方案中，第一電活性組合物僅包含第一電活性材料、促進添加劑和第 一液體介質，其中可實質上改變組合物的功能、操作原理或區別特征的組分不存在。
[0310] 在一些實施方案中，第一電活性組合物還包含附加的材料，其促進材料的功能。
[0311] 在一些實施方案中，所述第一電活性材料包括空穴傳輸材料，如上所述。
[0312] 在一些實施方案中，所述第一電活性材料包括光活性材料，如上所述。
[0313] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括至少一種光活性材料和至少一種主體材 料，如上所述。
[0314] 在一些實施方案中，第一電活性組合物中的電活性材料與促進添加劑的重量比在 19:1至1:1范圍內；在一些實施方案中在10:1至1.5:1的范圍內。
[0315] 在第一電活性組合物的一些實施方案中，總固體在1-10重量％范圍內；在一些實 施方案中，在2-5重量％范圍內。
[0316] 在一些實施方案中，所述工件包括其上具有電極的基底。在一些實施方案中，所述 電極為陽極。
[0317] 在一些實施方案中，所述工件包括在其上具有電極和一個或多個有機電活性層的 基底。
[0318] 在一些實施方案中，所述工件包括TFT后板，其包括電子組件、電路和/或導電構 件。
[0319] 在一些實施方案中，所述工件包括TFT后板和其上的一個或多個有機電活性層。
[0320] 通過任何液相沉積方法將第一電活性組合物沉積到工件上W形成沉積層。液相沉 積技術包括但不限于旋涂、凹版涂布、幕涂、浸涂、槽模涂布、噴涂、連續噴涂、噴墨印刷、凹 版印刷和絲網印刷。
[0321] 在一些實施方案中，第一電活性組合物通過連續噴涂或噴墨印刷來沉積。
[0322] 然后將沉積層賠燒W形成第一電活性層。
[0323] 在小于350°C的溫度下賠燒沉積層。在一些實施方案中，賠燒溫度小于或等于325 °C ;在一些實施方案中，小于或等于300°C ;在一些實施方案中，小于或等于275°C ;在一些實 施方案中，小于或等于250°C ;在一些實施方案中，小于或等于225°C ;在一些實施方案中，小 于或等于200°C;在一些實施方案中，小于或等于175°C。一般來講，賠燒溫度為至少100°C。
[0324] 在一些實施方案中，賠燒步驟包括在不同溫度下的兩個或更多個不同賠燒階段。 當使用兩個或更多個賠燒階段時，最高的賠燒溫度小于35(TC。在一些實施方案中，最高賠 燒溫度小于或等于325°C ;在一些實施方案中，小于或等于300°C ;在一些實施方案中，小于 或等于275°C ;在一些實施方案中，小于或等于250°C ;在一些實施方案中，小于或等于225 °C ;在一些實施方案中，小于或等于200°C ;在一些實施方案中，小于或等于175°C。一般來 講，最高賠燒溫度為至少100 °C。
[0325] 在一些實施方案中，沉積層用完全或部分封裝件來封裝用于賠燒步驟。該封裝件 增加添加劑的局部蒸氣壓力，從而減小其離開電活性層的速率。運可例如通過在賠燒步驟 期間將玻璃蓋置于沉積層上來實現。任何材料均可用于封裝，只要其不與電活性材料相互 作用或有害地影響電活性材料即可。
[0326] 在一些實施方案中，賠燒步驟在大氣壓下進行。
[0327] 在一些實施方案中，賠燒步驟在小于大氣壓的壓力下進行。在一些實施方案中，壓 力小于90kPa;在一些實施方案中，小于50kPa。一般來講，壓力為至少IkPa。
[0328] 用于沉積層的預定賠燒時間取決于賠燒溫度。當使用兩個或更多個賠燒階段時， 如上所述，每個階段將具有預定賠燒時間。總預定賠燒時間是每個階段的賠燒時間的總和。
[0329] 在一些實施方案中，賠燒時間為在所選的賠燒溫度下除去基本上所有第一液體介 質所需的時間。所謂移除"基本上所有"是指沒有可檢測的液體介質保留在沉積層中。在一 些實施方案中，預定的時間為30分鐘或更少;在一些實施方案中，為20分鐘或更少;在一些 實施方案中，為10分鐘或更少。一般來講，賠燒時間為至少5分鐘。
[0330] 在一些實施方案中，促進添加劑仍然存在于第一電活性層中。
[0331] 在一些實施方案中，促進添加劑在賠燒步驟中至少部分地被移除并且僅部分保留 在第一電活性層中。
[0332] 在一些實施方案中，促進添加劑在賠燒步驟中基本上完全被移除。在一些實施方 案中，在第一電活性層中不存在可檢測含量的促進添加劑。
[0333] 然后將第二電活性組合物沉積在由此形成的第一電活性層上方。第二電活性組合 物包括在第二液體介質中的第二電活性材料。
[0334] 第二電活性材料可為單一化合物或兩種或更多種化合物的組合。
[0335] 在一些實施方案中，所述第二電活性材料包括空穴傳輸材料，如上所述。
[0336] 在一些實施方案中，所述第二電活性材料包括光活性材料，如上所述。
[0337] 在一些實施方案中，第二電活性材料包括至少一種光活性材料和至少一種主體材 料，如上所述。
[0338] 在一些實施方案中，所述第二電活性材料包括電子傳輸材料，如下所述。
[0339] 第二液體介質是其中第二電活性材料可W期望的含量溶解或分散，并且由此可形 成膜的液體介質。本領域技術人員能夠易于確定適用于具體電活性材料的液體介質。示例 性液體介質如上所述。
[0340] 在一些實施方案中，第二液體介質選自氯化控(諸如(如二氯甲燒、氯仿、氯苯），芳 族控（諸如被取代或未取代的甲苯或二甲苯，包括=氣甲苯），極性溶劑（諸如四氨巧喃 (THF)、N-甲基化咯燒酬(NMP))，醋(諸如乙酸乙醋、苯甲酸甲醋、或鄰苯二甲酸二乙醋），酸 (諸如茵香酸或二甲氧基苯），醇(諸如異丙醇），酬(諸如環戊酬），W及它們的任何混合物。
[0341] 在上述方法中形成的第一電活性層有效抵抗與第二液體介質混合。運是指基本上 不存在將沉積的電活性材料混入空穴傳輸層的整體中。在一些實施方案中，運是指材料和 條件導致通過化T，如上所述。在一些實施方案中，運是指材料和條件導致通過S(X)L抓T，如 上所述。在一些實施方案中，運是指材料和條件導致通過NP化邸T，如上所述。在一些實施方 案中，運是指材料和條件導致通過UP0LEDT，如上所述。
[0342] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括第一空穴傳輸材料并且第二電活性材料 包括第二空穴傳輸材料。
[0343] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括空穴傳輸材料并且第二電活性材料包括 光活性材料。
[0344] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括光活性材料并且第二電活性材料包括電 子傳輸材料。
[0345] (b)方法 2
[0346] 在一些實施方案中，所述方法包括W下步驟：
[0347] (i)將第一電活性組合物沉積到工件上W形成沉積層，其中所述第一電活性組合 物包含第一電活性材料和第一液體介質；
[0348] (ii)在促進添加劑的存在下賠燒所述沉積層，其中所述賠燒在小于350°C的溫度 下進行預定的時間；W及
[0349] (iii)在所述第一電活性層上沉積第二電活性組合物，所述第二電活性組合物包 含處于第二液體介質中的第二電活性材料；
[0350] 其中所述促進添加劑W足W使得所述第一電活性層能夠有效抵抗與所述第二液 體介質混合的量存在。
[0351] 在一些實施方案中，第一電活性組合物僅包含第一電活性材料和第一液體介質， 其中可實質上改變組合物的功能、操作原理或區別特征的組分不存在。
[0352] 在一些實施方案中，第一電活性組合物還包含附加的材料，其促進材料的功能。
[0353] 在一些實施方案中，所述第一電活性材料包括空穴傳輸材料，如上所述。
[0354] 在一些實施方案中，所述第一電活性材料包括光活性材料，如上所述。
[03W]在一些實施方案中，第一電活性材料包括至少一種光活性材料和至少一種主體材 料，如上所述。
[0356] 在第一電活性組合物的一些實施方案中，總固體在1-10重量％范圍內；在一些實 施方案中，在2-5重量％范圍內。
[0357] 所述工件如上文對于方法1所述。
[0358] 通過任何液相沉積方法將第一電活性組合物沉積到工件上W形成沉積層。
[0359] 在一些實施方案中，第一電活性組合物通過連續噴涂或噴墨印刷來沉積。
[0360] 然后在促進添加劑的存在下將沉積層賠燒W形成第一電活性層。運是指促進添加 劑靠近沉積層。
[0361] 在一些實施方案中，促進添加劑W層的形式存在于獨立的惰性基底上，所述惰性 基底在賠燒期間定位在沉積層上方。在一些實施方案中，所述惰性基底為玻璃。在一些實施 方案中，所述惰性基底為不受賠燒溫度影響的塑料。
[0362] 在一些實施方案中，促進添加劑W涂層的形式存在于惰性基底的腔中。基底形成 蓋的形式，其在賠燒步驟期間置于沉積層上方，其中涂覆的腔面向沉積層。
[0363] 在一些實施方案中，促進添加劑W蒸氣的形式存在于封閉或部分封閉的賠燒裝置 中。
[0364] 在一些實施方案中，在賠燒步驟之前，促進添加劑作為沉積在第一電活性材料的 沉積層上方的獨立層存在。促進添加劑可從促進添加劑可溶解或分散于其中并且可由其形 成膜的任何液體介質中沉積。可由液相沉積方法形成所述層。
[0365] 促進添加劑一般相對于第一電活性材料顯著過量存在。
[0366] 然后在小于350°C的溫度下在促進添加劑的存在下賠燒沉積層。在一些實施方案 中，賠燒溫度小于或等于325°C ;在一些實施方案中，小于或等于300°C ;在一些實施方案中， 小于或等于275°C ;在一些實施方案中，小于或等于250°C ;在一些實施方案中，小于或等于 225°C ;在一些實施方案中，小于或等于200°C ;在一些實施方案中，小于或等于175°C。一般 來講，賠燒溫度為至少l〇〇°C。
[0367] 在一些實施方案中，賠燒步驟包括在不同溫度下的兩個或更多個不同賠燒階段。 當使用兩個或更多個賠燒階段時，最高的賠燒溫度小于35(TC。在一些實施方案中，最高賠 燒溫度小于或等于325°C ;在一些實施方案中，小于或等于300°C ;在一些實施方案中，小于 或等于275°C ;在一些實施方案中，小于或等于250°C ;在一些實施方案中，小于或等于225 °C ;在一些實施方案中，小于或等于200°C ;在一些實施方案中，小于或等于175°C。一般來 講，最高賠燒溫度為至少100 °C。
[0368] 在一些實施方案中，賠燒步驟在大氣壓下進行。
[0369] 在一些實施方案中，賠燒步驟在小于大氣壓的壓力下進行。在一些實施方案中，壓 力小于90kPa;在一些實施方案中，小于50kPa。一般來講，壓力為至少IkPa。
[0370] 用于沉積層的預定賠燒時間取決于賠燒溫度。當使用兩個或更多個賠燒階段時， 如上所述，每個階段將具有預定賠燒時間。總預定賠燒時間是每個階段的賠燒時間的總和。
[0371] 在一些實施方案中，賠燒時間為在所選的賠燒溫度下除去基本上所有第一液體介 質所需的時間。所謂移除"基本上所有"是指沒有可檢測的液體介質保留在沉積層中。在一 些實施方案中，總預定的時間為30分鐘或更少;在一些實施方案中，為20分鐘或更少;在一 些實施方案中，為10分鐘或更少。一般來講，賠燒時間為至少5分鐘。
[0372] 在一些實施方案中，一些促進添加劑保留在第一電活性層上方。
[0373] 在一些實施方案中，一些促進添加劑擴散入第一電活性層并且保留在所述層中。
[0374] 在一些實施方案中，在賠燒步驟之后不存在保留在第一電活性層上方或在第一電 活性層中的促進添加劑。在一些實施方案中，在第一電活性層中不存在可檢測含量的促進 添加劑。
[0375] 然后將第二電活性組合物沉積在由此形成的第一電活性層上方。第二電活性組合 物包括在第二液體介質中的第二電活性材料。
[0376] 第二電活性材料可為單一化合物或兩種或更多種化合物的組合。
[0377] 在一些實施方案中，所述第二電活性材料包括空穴傳輸材料，如上所述。
[0378] 在一些實施方案中，所述第二電活性材料包括光活性材料，如上所述。
[0379] 在一些實施方案中，第二電活性材料包括至少一種光活性材料和至少一種主體材 料，如上所述。
[0380] 在一些實施方案中，所述第二電活性材料包括電子傳輸材料，如下所述。
[0381] 第二液體介質是其中第二電活性材料可W期望的含量溶解或分散，并且由此可形 成膜的液體介質。本領域技術人員能夠易于確定適用于具體電活性材料的液體介質。示例 性液體介質如上所述。
[0382] 在上述方法中形成的第一電活性層有效抵抗與第二液體介質混合。運是指在介于 空穴傳輸層和沉積的電活性材料之間的界面處基本上不存在混合。在一些實施方案中，運 是指材料和條件導致通過化T，如上所述。
[0383] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括第一空穴傳輸材料并且第二電活性材料 包括第二空穴傳輸材料。
[0384] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括空穴傳輸材料并且第二電活性材料包括 光活性材料。
[0385] 在一些實施方案中，第一電活性材料包括光活性材料并且第二電活性材料包括電 子傳輸材料。
[038引 3.電子器件
[0387] 可得益于如本文所述的空穴傳輸體系的有機電子器件包括但不限于，（1)將電能 轉化成福射的器件(例如，發光二極管、發光二極管顯示器、照明器件、燈具、或二極管激光 器），（2)通過電子方法檢測信號的器件(例如，光電探測器、光導電池、光活性電阻、光電開 關、光電晶體管、光電管、IR探測器、生物傳感器），（3)將福射轉化成電能的器件(例如，光伏 器件或太陽能電池），和(4)包括一個或多個電子組件的器件，所述電子組件包括一個或多 個有機半導體層(例如，晶體管或二極管）。
[0388] 有機電子器件結構的一個例示示于圖4中。器件100具有第一電接觸層（即陽極層 110)和第二電接觸層（即陰極層160)、W及介于所述第一電接觸層和所述第二電接觸層之 間的光活性層140。可任選存在附加層。鄰近陽極的可為空穴注入層120,有時稱為緩沖層。 與空穴注入層鄰近的可為包含空穴傳輸材料的空穴傳輸層130。鄰近陰極的可W是包含電 子傳輸材料的電子傳輸層150。作為選擇，該器件可W使用一個或多個緊鄰陽極110的附加 的空穴注入層或空穴傳輸層(未示出），和/或一個或多個緊鄰陰極160的附加的電子注入層 或電子傳輸層(未示出）。層120至層150單獨或統稱為活性層。
[0389] 在一些實施方案中，為了獲得全彩，將發光層像素化，每種不同顏色各有次像素單 元。像素化器件的示例示于圖5中。器件200具有陽極210、空穴注入層220、空穴傳輸層230、 光活性層240、電子傳輸層250和陰極260。電致發光層分成次像素241、242、243，它們在所述 層中重復。在一些實施方案中，次像素代表發出紅色、藍色和綠色的光。雖然圖5中描述了 = 種不同的次像素單元，但是也可使用兩種或=種W上的次像素單元。
[0390] 本文將參照圖4進一步說明不同的層。然而，描述也適用于圖5W及其它構型。
[0391] 在一些實施方案中，不同的層具有下列厚度范圍：陽極110,5QO-50Q:〇A，在一個實 施方案中為1000-2000A;空穴注入層120,50-2㈱0人，在一個實施方案中為200-1000A; 空穴傳輸層130，50-2000A，在一個實施方案中為200-1OOOA;光活性層140為1 〇-20獻)在， 在一個實施方案中為lOO-lOOOA;電子傳輸層150為50-2000A，在一個實施方案中為 100-1000A;陰極160為200-10000A，在一個實施方案中為沸O-SOOOA。層厚度的期望比 率將取決于所用材料的確切性質。
[0392] 陽極110為用于注入正電荷載體的尤其有效的電極。它可由例如包含金屬、混合金 屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物的材料制成，或它可為導電聚合物，或它們的混合 物。適宜的金屬包括第11族金屬，第4、5和6族的金屬，W及第8-10族過渡金屬。如果使陽極 具有透光性，則一般使用12族、13族和14族金屬的混合金屬氧化物，例如氧化銅錫（"IT爐）。 陽極還可包含有機材料如聚苯胺，如在"由可溶解的導電聚合物制成的柔性發光二極管，" 性質第357卷，第477 479頁（1992年6月11日）中描述的材料。期望陽極和陰極中的至少一個 為至少部分透明的，W使產生的光線能夠被觀察到。
[0393] 任選的空穴注入層120包含空穴注入材料。術語"空穴注入層"或"空穴注入材料" 旨在表示導電或半導電材料，并且在有機電子器件中可具有一種或多種功能，包括但不限 于下層平面化、電荷傳輸和/或電荷注入特性、雜質諸如氧或金屬離子的清除、W及有利于 或改善有機電子器件性能的其它方面。空穴注入材料可W是聚合物、低聚物、或小分子，并 且可W是溶液、分散體、懸浮液、乳液、膠態混合物、或其它組合物形式。
[0394] 空穴注入層可由聚合物材料所形成，諸如聚苯胺（PANI)或聚乙締二氧嚷吩 (P抓OT)，所述聚合材料通常滲有質子酸。質子酸可為例如聚(苯乙締橫酸）、聚(2-丙締酷胺 基-2-甲基-1-丙橫酸)等。空穴注入層120可W包含電荷轉移化合物等，如銅獻菁和四硫富 瓦締-四氯基苯釀二甲燒體系（TTF-TCNQ)。在一些實施方案中，空穴注入層120由導電聚合 物和成膠聚合酸的分散體制成。此類材料在例如已公布的美國專利申請2004-0102577、 2004-0127637 和 2005-0205860 中有所描述。
[03M]層130包括空穴傳輸材料。上文已經討論了合適的空穴傳輸材料。
[0396] 在一些實施方案中，空穴傳輸層是根據方法1制備的第一電活性層。
[0397] 在一些實施方案中，空穴傳輸層是根據方法2制備的第一電活性層。
[0398] 根據器件的應用，光活性層140可W是通過施加的電壓激活的發光層(例如在發光 二極管或發光電化學電池中），其為響應于福射能并且在施加偏壓或不施加偏壓的情況下 產生信號(例如在光電探測器中）的材料層。上文已經討論了合適的光活性材料。
[0399] 在一些實施方案中，光活性層140包括電致發光材料和一種或多種主體材料，如上 所述。
[0400] 任選層150既可起到促進電子傳輸的作用，也可充當電子注入層或限制層W防止 激子在層界面處澤滅。優選地，該層促進電子移動性并且減少激子的澤滅。可用于任選電子 傳輸層中的電子傳輸材料150的示例包括金屬馨合的8-徑基哇嘟酬化合物，包括金屬哇嘟 衍生物諸如=(8-徑基哇嘟)侶(A1Q)、雙(2-甲基-8-徑基哇嘟）（對苯基酪氧基)侶(BAlq)、 四（8-徑基哇嘟)給化fQ)和四（8-徑基哇嘟)錯(ZrQ); W及挫化合物，諸如2-(4-聯苯基)-5- (4-叔下基苯基)-1,3,4-嗯二挫(P抓）、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔下基苯基)-1,2,4- S挫（TAZ)和1，3，5-S(苯基-2-苯并咪挫）苯(TPBI);哇喔嘟衍生物，諸如2，3-雙(4-氣苯 基)哇喔嘟;菲咯嘟，諸如4,7-二苯基-1,10-菲咯嘟化PA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10- 菲咯嘟(DDPA); S嗦;富勒締；W及它們的混合物。在一些實施方案中，所述電子傳輸材料選 自金屬哇嘟和菲咯嘟衍生物。在一些實施方案中，所述電子傳輸層還包括n型滲雜劑。N型滲 雜劑材料為人們所熟知。n型滲雜劑包括但不限于第I族和第2族金屬；第I族和第2族金屬 鹽，諸如LiFXsF和Cs2〇)3;第1族和第2族金屬有機化合物，諸如裡哇嘟；W及分子n型滲雜 劑，諸如無色染料、金屬配合物，諸如化化PP)4(其中h卵=l，3,4,6,7,8-六氨-2H-喀晚并- [l，2-a]-喀晚）和二茂鉆、四硫雜糞并糞、雙(亞乙基二硫基）四硫富瓦締、雜環基團或二價 基團、W及雜環基團或二價基團的二聚體、低聚物、聚合物、二螺化合物和多環化物。
[0401] 陰極160是用于注入電子或負電荷載體的尤其高效的電極。陰極可為具有功函低 于陽極的任何金屬或非金屬。用于陰極的材料可選自第1族的堿金屬（例如Li、Cs)、第2族 (堿±)金屬、第12族金屬，包括稀±元素和銅系元素、W及澗系元素。可使用諸如侶、銅、巧、 領、衫和儀、W及其組合的材料。含Li的有機金屬化合物LiF、Li2〇,含Cs的有機金屬化合物 CsF、CS2〇和CS2〇)3也可沉積在有機層和陰極層之間W降低操作電壓。該層稱為電子注入層。
[0402] 已知在有機電子器件中存在其它層。例如，在陽極110和空穴注入層120之間存在 層(未示出），W控制注入的正電荷量和/或提供層的帶隙匹配，或用作保護層。可使用本領 域已知的層，如銅獻菁、氮氧化娃、碳氣化合物、硅烷或超薄金屬層如PU另選地，陽極層 110、活性層120、130、140和150或陰極層160中的一些或所有可被表面處理，W增加電荷負 載傳輸效率。優選通過平衡發射極層中的正電荷和負電荷來確定每個組件層的材料的選擇 W提供具有高電致發光效率的器件。
[0403] 應當理解，每個功能層可由多于一層構成。
[0404] 在一些實施方案中，每個功能層110-160為單個層。
[0405] 器件層可通過任何沉積技術或技術的組合形成，運些技術包括氣相沉積、液相沉 積和熱轉移。可使用基底諸如玻璃、塑料、W及金屬。可使用常規的氣相沉積技術例如熱蒸 發、化學氣相沉積等。可使用常規的涂布或印刷技術，包括但不限于旋涂、浸涂、漉到漉技 術、噴墨印刷、連續噴印、絲網印刷、凹版印刷等，由適宜溶劑中的溶液或分散體來施加有機 層。
[0406] 在一些實施方案中，所述器件依次具有下列結構：陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、 電活性層、電子傳輸層、電子注入層、陰極。
[0407] 盡管可使用與本文所述那些相同或相當的方法和材料來實施或測試本發明，但合 適的方法和材料將在下面進行描述。此外，材料、方法和示例只是例證性的，而不是限制性 的。
[040引實施例
[0409] 本文所描述的概念將在W下實施例中進一步描述，所述實施例不限制權利要求中 描述的本發明的范圍。
[0410] 合成例1
[0411] 該實施例示出空穴傳輸材料HT-I的合成，如下所示。
[0412：
[0413：
[0414；
[041 引在 l00°C 下，將 4-漠 -3-甲基苯胺（llg，59.12mmol)和（Boc)20(12.9g，59.12mmol) 的反應混合物與在氮氣下攬拌40h。在減壓下將反應混合物濃縮之后，通過柱層析(5-10% 乙酸乙醋的己燒溶液)獲得15.9g(94%收率）的boc-NH-4-漠 -3-甲基苯胺，1，其為白色固 體。[041 f ^ ,戶而,"
[0417
[041引在手套箱中，在油浴中，在80°C下將boc-NH-4-漠-3-甲基苯胺，1,(20.77g， 72.58mmol)、二棚頻哪醇醋（22.12旨，87.0911111101)，1，1'-雙-(二苯基麟基）二茂鐵二氯化鈕 (1.43g，1.96mmo 1)，W及乙酸鐘(21.37g，217.7mmo 1)在干燥的脫氣DMF(300血）中的混合物 攬拌16小時。使混合物冷卻至室溫并且減壓濃縮。將DCM(IOOmL)加入通過娃藻±墊過濾的 混合物中。將濾液濃縮成鐵誘色的油，所述油在硅膠色譜柱上純化(5-10%化OAc/己燒）W 提供產物，3，（18.57邑，77%收率），其為白色固體。
[0419] 擊驢 3，
[0420]
[0421]在干燥箱中，制備棚酸頻哪醇醋，3，（ 5.6g，16.82mmol)、I，4-二漠-2，5-二己基苯 (3.4旨，8.4111111〇1)，季錠氯化物336(0.8旨）和？(1。？113)4(0.486旨，0.421111111〇1)在脫氣甲苯 (IOOmU中的混合物。在干燥箱外側，在氮氣下將脫氣Na2〇)3(2.67g，25.23mmol，在50mL水 中）溶液加入前述混合物中，并且然后在90°C下將所得混合物攬拌42小時。分離出有機層， 并且用乙酸乙醋萃取水層。在無水MgS化上干燥合并的有機層。過濾、濾液濃縮，并且然后娃 膠柱層析(0-3%乙酸乙醋的己燒溶液)提供期望的產物(2. llg，38%收率），其為粘性液體。 該雙叔下氧幾基保護材料通過與TFA溶液(5mL TFA在50mL DCM中的溶液)在室溫下反應過 夜來脫保護。反應混合物濃縮，之后用飽和化肥化中和，然后硅膠柱層析(30%乙酸乙醋的 己燒溶液)提供期望的二胺材料7 (1.16g，80 %收率），其為粘性液體。
[04剖步驟4:
[0423]
[0424] 在氮氣下，向二胺7(1.06g，2.32mmol)和4-漠-4 ' -丙基-聯苯（1.28g，4.65mmol)的 甲苯（20mL)溶液中加入pd2化日3 (128mg，0.139mmo 1)和P(t-Bu) 3 (57mg，0.278mmo 1)的甲苯 (lOmL)溶液，之后添加Na〇tBu(0.45g，4.65mmol)。將所得的混合物在室溫下攬拌過夜。通過 短的二氧化娃床過濾混合物并減壓濃縮濾液。通過柱層析（10-30%乙酸乙醋的己燒溶液） 獲得1.35g產物10,其為固體(69%收率)。
[04巧]步驟5:
[04%]
[0427]在氮氣下，向二胺 10(1.25g，1.48mmol)和4-漠-4 ' -艦代聯苯(1.59g，4.44mmol)的 甲苯(30mL)溶液中加入pcWba3 (37mg，0.04mmo 1)和DPPF (43mg，0.078mmo 1)的甲苯（1 OmL)溶 液，之后添加化〇tBu(0.355g，3.70mmol)。將所得混合物在95°C下攬拌16小時。通過短的二 氧化娃床過濾混合物并減壓濃縮濾液。通過柱層析(0-12%甲苯的己燒溶液)獲得1. IOg產 物，化合物M，其為固體(57%收率）。
[042引步驟6:
[0429] 將化合物M聚合W形成聚合物HT-I。
[0430] 將化合物M(0.50mmo I)加入閃爍小瓶中并溶解在16mL甲苯中。向干凈的50mL干燥 施蘭克管中加入雙（1,5-環辛二締)合儀(0)(1. OlOmmol)。將2,2'-聯化晚（1. OlOmmolWPl, 5-環辛二締（1.OlOmmol)稱量入閃爍小瓶中，并且溶于4mL N，N'-二甲基甲酯胺中。將溶液 加入施蘭克管中。將施蘭克管加熱至6(TC的內部溫度。將催化體系保持在6(TC下并持續30 分鐘并且然后上升至7(TC。將單體的甲苯溶液加入施蘭克管中并且將所述管密封。在7(TC 下將聚合混合物攬拌1她。冷卻后，將內容物傾注到濃HCl/Me0H(1.5體積/體積％濃肥1)的 溶液中。攬拌化后，通過真空過濾收集聚合物，并且在高真空下干燥。聚合物通過從甲苯中 連續沉淀到肥l/MeOH( 1體積/體積％濃肥1)、MeOH、甲苯(CMOS級）和乙酸乙醋中來純化。NMR 分析確證聚合物的HT-I結構。
[0431] 合成例2
[043)1 巧帝渝佑||*^^^山專;壬化材'財.口-1於1合成如了醉*^^^
[04；
[04；
[04；
[0436] 向 500ml 圓底燒瓶中加入4,4'-二漠-l，r-聯糞(4.12邑，1〇111111〇1)、3-(糞-1-基）苯 棚酸巧.21 g，mmo 1)、碳酸鋼（2M，30mL，60mmo 1)、甲苯（120血)和季錠氯化物336 (0.5g)。在氮 氣下將混合物體系攬拌20分鐘。此后，添加四苯基麟）（462mg，0.4mmol)并且在氮氣下將 混合物攬拌另外15分鐘。反應在氮氣下于95°C下在油浴中攬拌并回流18小時。冷卻至常溫 后，可見一些固體形成，并通過過濾對其收集。分離該有機相，使用水(60mL)、稀HCK10%， 60mL)和飽和鹽水(60mL)洗涂并WMgSCk進行干燥。通過硅膠濾塞過濾該溶液，并通過旋轉 蒸發除去溶劑。使用己燒研磨先前收集的固體，將其過濾并且與液體部分的存留物混合。將 所述物質重溶于DCM/己燒中并且通過硅膠柱，WDCM/己燒洗脫。收集包含產物的級分，并且 通過旋轉蒸發除去溶劑。通過甲苯/Et地對所述產物進行兩次結晶W產生白色結晶物質。收 率為2.60g(39.52% ) eNMR譜與結構相一致。
[0437] 步驟 2.
[0438] 通過將上述化合物溶于d6-苯并且緩慢添加d-S氣甲橫酸來制備気代化合物E-1。 將溶液在干燥箱中攬拌過夜。然后溶液用lost%碳酸鋼的D20溶液澤滅。分離有機層，用硫 酸儀干燥，并通過柱層析，然后通過沉淀來純化。
[0441]
[0439] 合成例3[0440] 該實施例示出下示促進添加劑FA-I的制備。
[0442] .I丄…、丹、I ,WVU/八…1、………，3 一糾關苯（10g，32.05mmol)置于烘箱干燥 的SOOmL=頸圓底燒瓶中，所述圓底燒瓶配備有磁力攬拌棒和加料漏斗。將反應混合物在干 冰/丙酬浴中冷卻至-76°C。將n-BuLi (44ml，1.6M的己燒溶液，270.5mmol)經由插管裝入加 料漏斗中并滴加到反應混合物中，將溫度保持在-74°C至-76°C。所述添加需要30分鐘。用 THF(IOml)沖洗加料漏斗，并且反應在-74°C下攬拌一小時W上，得到具有白色沉淀的灰白 色溶液。同時，將S甲基氯硅烷(20. Sg，70.5mmol)裝入烘箱干燥的200血圓底燒瓶中并在化 氣氛下溶于IOOmL的干THF中。用插管將硅烷溶液轉移到加料漏斗中。然后在-74°C經過90分 鐘將其滴加到反應混合物中。添加完成后，用干燥的THF(IOmL)洗涂加料漏斗。反應混合物 靜置升至室溫，并且攬拌過夜。第二天在反應燒瓶中可見白色析出物。將甲醇（IOml)加入反 應混合物中W澤滅任何殘余的裡化物質。在旋轉蒸發儀上移除揮發物。固體殘余物吸收在 乙酸（300ml)、乙酸乙醋（100mL)和水（200ml)中。分離有機相并用水洗涂兩次W上（每次 200ml)。有機層用固體填充。通過真空過濾將收集的固體懸浮在有機層中。將分離的固體重 新溶于4升二氯甲燒中并用水(3X 1L)和鹽水（IL)洗涂。有機相在MgS〇4上干燥并且然后濃 縮W產生18.5g(86%)的白色固體。Ih NMR與目標分子一致。
[04創光致發光測試（"PLT")
[0444] 如上所述，PLT是促進添加劑的效果的測試。
[0445] 所用的材料為具有約100,000至300,000的重均分子量的空穴傳輸材料HT-I和光 活性材料E-I。
[0446] HT-I和E-I兩者可通過300nm光激發。HT-I的光致發光（"PL")光譜示于圖IA中，作 為材料A。E-1的化光譜示于圖1B中，作為材料B。相比于HT-1的化譜，E-1的化譜處于較高能 量下。
[0447] 測試塊由HT-I的第一層制成，其具有或不具有促進添加劑，通過E-I的第二層的溶 液沉積包覆。通過將HT-I的測試溶液旋涂到ITO/玻璃的基底上將第一層沉積至20nm的厚 度。巧聯溶液包含0.44重量％HT-1的甲苯溶液，其具有不同含量的不同促進添加劑。對照測 試溶液不具有促進添加劑。旋涂后，在各種溫度下賠燒沉積材料并持續不同時間。此后，通 過在第一層上方旋涂至60nm的厚度沉積4.0重量％E-1的苯甲酸甲醋溶液。隨后在熱板上在 135°C下將基底賠燒15分鐘。然后用玻璃蓋包封兩個層的復合材料。將兩個層的包封復合材 料暴露于30化m光并且使用正面幾何結構在光譜色度計Florolog-3中獲得化譜。如果第一 層有效抵抗與第二層的溶劑混合，則將存在不超過少量的層的混合，并且HT-I和E-I譜兩者 均可被觀察到。如果第一層不有效抵抗與第二層的溶劑混合，則將存在兩種材料的顯著混 合。較高能量E-I的化將通過HT-I的存在澤滅并且將僅觀察到HT-I的化譜。
[0448] 在化T類型1中，將待測試的促進添加劑加入HT-I的溶液中并與HT-I-起沉積到 口 0/玻璃基底上。
[0449] 在化T類型2中，將待測試的促進添加劑加入HT-I的溶液中并與HT-I-起沉積到 ITO/玻璃基底上。此外，在賠燒步驟期間用蓋將沉積層封端。除去蓋，并且將第二層旋涂在 第一層上方。
[0450] 在化T類型3中，在賠燒步驟之前，通過烙融多個促進添加劑片材，在測試塊的第一 層上方形成促進添加劑的層。
[0451] 在化T類型4中，將促進添加劑的層置于玻璃蓋的中間腔上。在賠燒步驟期間，將蓋 置于第一層上方，其中腔體面向第一層。
[0452] 根據W下分數評價化T的結果：
[0453] 5 =觀察到HT-I和E-I譜兩者，指示如果有任何混合的話，所述混合是很少的。
[0454] 3 =觀察到E-I譜，指示一些混合。
[0455] 1=光譜幾乎完全是HT-I譜，指示顯著混合。
[0456] OL邸器件
[0457] (1)材料
[0458] HIJ-I為滲雜有聚合物氣化橫酸的導電聚合物。
[0459] HT-I如上所述。
[0460] HT-2為
[0462] 其中a:b為約8:2:1.2;11〉10;]\1*〉100,000。在一些實施方案中，比率曰:6介于約7.5: 2.5和約 10.0:0(b = 0)之間，例如，8.0:2.0、9.2:0.8，并且介于9.5:0.5和 10.0:0之間（b = 0)〇
[0463] HT-3為
[0464；
[04 化 J 其中 n〉10;Mw〉100,000。
[0466] 主體-I為気代二芳基蔥化合物。
[0467] E-2為雙(二芳基氨基）灑。
[046引E-3為気代雙(二芳基氨基）遽。
[0469] ET-I為哇嘟化合物。
[0470] ET-2為二芳基巧蔥化合物。
[0471] EIJ-I為金屬氣化物鹽。
[0472] EIJ-2為金屬哇嘟化合物。
[0473] 器件在玻璃基底上具有W下結構：
[0474] 陽極= ]；T0(50nm)
[0475] 空穴注入層=HIJ-I (IOOnm)
[0476] 空穴傳輸層=如下所述
[0477] 光活性層，如下所述(40nm)。
[0478] 電子傳輸層，如下所述(20nm)
[0479] 電子注入層rEIL")/陰極，如下所述(3.5/lOOnm)
[0480] (2)器件制造(SCOLEDT)
[0481] 通過溶液處理和熱蒸發技術的組合來制造OLED器件。使用得自Thin Film Devices, Inc的圖案化氧化銅錫（ITO)鍛膜玻璃基底。運些ITO基底基于涂覆有ITO的 Corning 1737玻璃，其具有30歐/平方的膜電阻和80%的透光率。
[0482] 對圖案化ITO基底進行清潔并用空穴注入材料化IJ-1)的含水分散體進行旋涂。空 穴傳輸層通過將空穴傳輸材料在液體介質中的溶液旋涂來形成。在一些實施例中，促進添 加劑存在于空穴傳輸溶液中。如所指示的賠燒空穴傳輸層。然后用所述光活性層材料的苯 甲酸甲醋溶液旋涂所述工件，并且加熱W去除溶劑。將所述工件用掩模遮蓋并放置于真空 室中。通過熱蒸發沉積電子傳輸材料層化T-1)，然后沉積電子注入材料層化IJ-1)。然后真 空變換掩模，并且通過熱蒸發來沉積Al層。將室排氣，并使用玻璃封蓋、干燥劑和可紫外固 化環氧化物來封裝所述器件。
[0483] (3)器件表征
[0484] 通過測量它們的（1)電流-電壓(I-V)曲線，（2)相對于電壓的電致發光亮度，和(3) 相對于電壓的電致發光光譜，來表征化抓樣本。所有S個測試均在同時進行并且通過計算 機控制。通過將Lm)的電致發光亮度除W運行器件所需的電流密度來確定某一電壓下器件 的電流效率。單位為cd/A。使用Minolta CS-IOO色度計或化otoresearch PR-705色度計確 定顏色坐標。
[0485] 通過對電壓、效率和壽命的影響來評價促進添加劑的效果。如下對促進添加劑進 行評級：
[0486] 5 =最有效，幾乎沒有層的混合
[0487] 4 =有效;層的極少混合
[0488] 3 =中等有效;層的一些混合
[0489] 2 =略有效;層的大量混合
[0490] 1=無效;層混合 [04川促進添加劑 [0492] FA-I
[0493
[0494
[04巧
[0496
[0497]
[0498]
[0499]
[0如0]
[0如 1 ]
[0如 2]
[0如 3]
[0如4]
[0如5]
[0如 6]
[0如 7]
[0 如引 r/\-3
[05(
[OS'
[OS'
[OS'
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[化'
[OS'
[OS'
[化'
[化.
[化.
[0520] fa-15
[0521
[0522
[0523
[0524
[0525
[0526
[0527
[0528
[0529
[0530
[0531
[0532
[0533
[化34 [0535 [化36
[0537
[化38
[0539
[0540
[0541
[05創實施例1-10和比較例A和B
[0543] 運些實施例示出使用化T，類型IW測定當在液體介質中利用空穴傳輸沉積W形成 第一層時不同促進添加劑的效果。
[0544] 用于空穴傳輸材料HT-I和添加劑的液體介質為甲苯。HT-I與添加劑的重量比、賠 燒時間、賠燒溫度和結果在表1中給出。
[0545] 表1:化T結果
[0546]
[054引比率為HT-I與促進添加劑的重量比
[0549] 實施例11-12和比較例C
[0550] 運些實施例示出使用四十燒作為促進添加劑。
[0551] 在實施例11中，四十燒根據化T，類型2測試。
[0巧2] 在實施例12中，四十燒根據化T，類型4測試。
[0553]在比較例C中，四十燒根據化T，類型1測試。
[0巧4] 結果在下表2中給出。
[化巧]表2:化T結果 [化 561
[0巧7]比率為HT-I與促進添加劑的重量比
[化則 實施例13-25
[0559] 運些實施例示出使用化T，類型4。就液體材料而言，將化1的促進添加劑置于具有 玻璃蓋的腔中。將烙點接近室溫的材料烙融并且然后將化1的促進添加劑置于具有玻璃蓋 的腔中。使用綴子將具有較高烙點的固體材料W固體形式直接加到腔體蓋上(約2-lOmg)， 并且然后短暫加熱至烙融并分散在腔體的表面上。結果給出在表3中。
[0560] 表3:化T結果
[0561]
[
[05創 實施例26-27
[0564] 運些實施例示出使用=十六燒作為促進添加劑。
[0565] 在實施例26中，S十六燒根據化T，類型3測試。
[0566] 在實施例27中，S十六燒根據化T，類型4測試。
[化67] 結果在下表4中給出。
[0日68] 圭/1-口T T知^里
[0569]
[化70] 實施例28-42和比較例D和E
[0571] 運些實施例示出使用S(X)L邸TW測定當在液體介質中利用空穴傳輸沉積W形成第 一層時不同促進添加劑的效果。
[0572] 如上所述制備器件，其中當沉積空穴傳輸材料時，促進添加劑與空穴傳輸材料一 起存在。
[0573] 在實施例28和比較例D中，空穴傳輸層具有20nm的最終厚度;光活性層為主體-I: E-2;電子傳輸材料為ET-I;電子注入材料為EIJ-I。
[0574] 在實施例29-42和比較例E中，空穴傳輸層具有IOOnm的最終厚度;光活性層為主 體-1: E-3;電子傳輸材料為ET-2;電子注入材料為EIJ-2。
[0575] 材料、量、時間、溫度和結果在下表5中給出。
[化 76]表5: SCOLEDT 結果
[0577]
[0578] HTM =空穴傳輸材料;比率=空穴傳輸材料與促進添加劑的重量比。
[0巧9] 實施例43-50和比較例F-H
[0580] 運些實施例示出使用促進添加劑，其中所述添加劑在賠燒步驟期間，鄰近空穴傳 輸層存在，其使用SCOLEDT。
[0581] 空穴傳輸材料為HT-I并且空穴傳輸層具有IOOnm的最終厚度;光活性層為主體-1: E-3;電子傳輸材料為ET-2;電子注入材料為EIJ-2。
[0582] 如上所述制備器件，其中空穴傳輸層中不具有促進添加劑。將促進添加劑置于具 有玻璃蓋的中間空腔中并且置于沉積的空穴傳輸材料上方用于賠燒步驟，使得具有促進添 加劑的空腔側面面向空穴傳輸材料。
[0583] 促進添加劑、量、時間、溫度和結果在下表6中給出。
[0584] 表6: SCOLEDT結果 「化 851
[0587] 實施例51-54和比較例I-J
[0588] 運些實施例示出使用促進添加劑與可交聯的空穴傳輸材料HT-3。
[0589] 當在空穴傳輸層中使用可交聯材料時，可通過研究當暴露于在不交聯時通常可溶 解整個層的溶劑時的膜保留來衡量對被后續層溶解的抵抗性。在該研究中，在玻璃/ITO基 底上旋轉誘注具有和不具有促進添加劑FA-2的可交聯空穴傳輸聚合物HT-3的膜。然后，將 膜賠燒，并且然后使用KLA-Tencor P15輪廓曲線儀測量厚度。在輪廓測定之后，使每個樣品 經受苯甲酸漂洗。苯甲酸漂洗的方法如下:將基底置于旋轉涂布機中，其中將1毫升苯甲酸 涂在基底表面上并持續30s，然后在2000rpm下旋轉樣品同時經過60s的過程將40ml的苯甲 酸分配到基底上，然后使所述樣品旋轉至干燥。在苯甲酸漂洗自后，用輪廓曲線儀再次測量 膜厚度。保留數為按初始膜厚度的百分比計的最終膜厚度的比較結果。可見促進添加劑的 存在導致在多個溫度下空穴傳輸膜的大量保留，如表7中所示。
[0巧0] 表7:結果
[0591]
[0592] 本申請包括用于形成電活性層的電活性體系，其包含(a)第一電活性材料；（b)促 進添加劑;和(C)第一液體介質；
[0593] 其中所述促進添加劑在賠燒期間W足W使得由其制成的電活性層能夠在所述電 活性體系沉積在工件上并在小于350°C的溫度下賠燒預定的時間之后有效抵抗與施用于其 上的第二液體介質混合的量存在。
[化94]在一些實施方案中，其中所述電活性材料包含至少一種光活性材料和至少一種主 體材料。在一些實施方案中，所述電活性材料包含空穴傳輸材料。在一些實施方案中，所述 促進添加劑具有150°C或更高的沸點。在一些實施方案中，其中所述促進添加劑在225°C下 具有在1〇-中a至40化范圍內的蒸氣壓。在一些實施方案中，促進添加劑為具有小于2000的分 子量的小分子。
[05M]在一些實施方案中，促進添加劑具有式VIII
[0596]
(VlII)
[0597] 其中；
[0598] Ar在每次出現時相同或不同并且為具有3-60個環碳的芳基基團或気代芳基基團；
[0599] Y在每次出現時相同或不同并且選自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、簇酸醋、甲娃 烷基、硅氧烷、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代簇酸醋、気 代甲娃烷基、気代硅氧烷、気代氨基、和気代巧挫基，其中相鄰碳上的Y基團可連接在一起W 形成稠合的5元或6元脂族環；
[0600] n為大于0的整數；
[0601] P為大于0的整數;并且
[0602] *表示附接點、H、D、面離子、芳基或気代芳基。
[0603] 本申請包括用于形成電活性層的方法，所述方法包括（i)將第一電活性組合物沉 積到工件上W形成沉積層，其中所述第一電活性組合物包含第一電活性材料、促進添加劑 和第一液體介質；（ii)在小于350°C的溫度下將沉積層賠燒預定的時間；W及（iii)在第一 電活性層的上方沉積第二電活性組合物，所述第二電活性組合物包含處于第二液體介質中 的第二電活性材料;其中所述促進添加劑W足W使得第一電活性層有效抵抗與第二液體介 質混合的量存在。
[0604] 在一些實施方案中，預定的時間足W蒸發基本上所有所述第一液體介質。在一些 實施方案中，所述促進添加劑具有150°C或更高的沸點。在一些實施方案中，所述促進添加 劑在225°C下具有在1〇-中a至40化范圍內的蒸氣壓。在一些實施方案中，其中促進添加劑為 具有小于2000的分子量的小分子。在一些實施方案中，其中所述電活性材料包含至少一種 光活性材料和至少一種主體材料。在一些實施方案中，所述電活性材料包含空穴傳輸材料。
[0605] 本申請包括用于形成電活性層的方法，所述方法包括（i)將第一電活性組合物沉 積到工件上W形成沉積層，其中所述第一電活性組合物包含第一電活性材料和第一液體介 質；（ii)在促進添加劑的存在下賠燒沉積層，其中所述賠燒在小于350°C的溫度下進行預定 的時間；W及(iii)在第一電活性層的上方沉積第二電活性組合物，所述第二電活性組合物 包含處于第二液體介質中的第二電活性材料;其中所述促進添加劑W足W使得第一電活性 層有效抵抗與第二液體介質混合的量存在。
[0606] 在一些實施方案中，預定的時間足W蒸發基本上所有所述第一液體介質。在一些 實施方案中，所述促進添加劑具有150°C或更高的沸點。在一些實施方案中，所述促進添加 劑在225°C下具有在1〇-中a至40化范圍內的蒸氣壓。在一些實施方案中，其中促進添加劑為 具有小于2000的分子量的小分子。在一些實施方案中，其中所述電活性材料包含至少一種 光活性材料和至少一種主體材料。在一些實施方案中，所述電活性材料包含空穴傳輸材料。
[0607] 應注意到的是，并不是所有的上文一般性描述或實施例中所描述的活動都是必需 的，一部分特定活動不是必需的，并且除了所描述的那些W外，還可實施一個或多個其它活 動。此外，所列活動的順序不必是它們實施的順序。
[0608] 在上述說明書中，已參考具體的實施方案描述了多個概念。然而，本領域的普通技 術人員認識到在不脫離W下權利要求中所示出的本發明范圍的情況下可W作出多種變型 和改變。因此，說明書和附圖應被認為是示例性的而非限制性的，并且所有此類修改均旨在 包括于本發明的范圍內。
[0609] W上已針對具體的實施方案描述了有益效果、其它優點W及問題的解決方案。然 而，有益效果、優點、問題的解決方案、W及可致使任何有益效果、優點或解決方案產生或變 得更顯著的任何特征不可解釋為是任何或全部權利要求的關鍵、必需或基本特征。
[0610] 應當認識到，為清楚起見，本文不同實施方案的上下文中所描述的某些特征也可 在單個實施方案中W組合方式提供。反之，為簡明起見，在單個實施方案的上下文中所描述 的多個特征也可單獨或W任何子組合的方式提供。本文指定的各種范圍中使用的數值規定 為近似值，就像是在規定范圍內的最小值和最大值前均有"約"字。運樣，在所述范圍之上及 之下的微小變化值均可用于獲得與運些范圍內的值基本上相同的結果。運些范圍的公開還 旨在作為包括介于最小和最大平均值之間的每個值的連續范圍，當一個值的某些組分與不 同值的那些混合時其包括可產生結果的部分值。此外，當公開更寬的和更窄的范圍時，在本 發明的期望內，使來自一個范圍的最小值與來自另一個范圍的最大值匹配，反之亦然。
【主權項】
1. 一種用于形成電活性層的電活性體系，包含： (a) 第一電活性材料； (b) 促進添加劑;和 (C)第一液體介質； 其中所述促進添加劑在賠燒期間W足W使得由其制成的電活性層能夠在所述電活性 體系沉積到工件上并在小于350°C的溫度下賠燒預定的時間之后有效抵抗與施用于其上的 第二液體介質混合的量存在。2. -種用于形成電活性層的方法，包括： (ii)將第一電活性組合物沉積到工件上W形成沉積層，其中所述第一電活性組合物包 含第一電活性材料、促進添加劑和第一液體介質； (ii) 將所述沉積層在小于350°C的溫度下賠燒預定的時間；W及 (iii) 在所述第一電活性層上沉積第二電活性組合物，所述第二電活性組合物包含處 于第二液體介質中的第二電活性材料； 其中所述促進添加劑W足W使得所述第一電活性層能夠有效抵抗與所述第二液體介 質混合的量存在。3. -種用于形成電活性層的方法，包括： (i) 將第一電活性組合物沉積到工件上W形成沉積層，其中所述第一電活性組合物包 含第一電活性材料和第一液體介質； (ii) 在促進添加劑的存在下賠燒所述沉積層，其中所述賠燒在小于350°C的溫度下進 行預定的時間；W及 (iii) 在所述第一電活性層上沉積第二電活性組合物，所述第二電活性組合物包含處 于第二液體介質中的第二電活性材料； 其中所述促進添加劑W足W使得所述第一電活性層能夠有效抵抗與所述第二液體介 質混合的量存在。4. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述預定的時間足W使基本上所有所 述第一液體介質蒸發。5. 根據權利要求1所述的體系，其中所述電活性材料包含至少一種光活性材料和至少 一種主體材料。6. 根據權利要求1所述的體系，其中所述電活性材料包含空穴傳輸材料。7. 根據權利要求1、權利要求5或權利要求6所述的體系，其中所述促進添加劑為具有小 于2000的分子量的小分子。8. 根據權利要求1、權利要求5或權利要求6所述的體系，其中所述促進添加劑具有150 °(：或更高的沸點。9. 根據權利要求1、權利要求5或權利要求6所述的體系，其中所述促進添加劑在225°C 下具有在1〇-3化至40化范圍內的蒸氣壓。10. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述電活性材料包含至少一種光活 性材料和至少一種主體材料。11. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述電活性材料包含空穴傳輸材料。12. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述促進添加劑為具有小于2000的 分子量的小分子。13. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述促進添加劑具有15(TC或更高的 沸點。14. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述促進添加劑在225Γ下具有在10 一3化至40化范圍內的蒸氣壓。15. 根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述促進添加劑具有式VIII其中： Ar在每次出現時相同或不同并且為具有3-60個環碳的芳基基團或気代芳基基團； Y在每次出現時相同或不同并且選自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、簇酸醋、甲娃烷基、 硅氧烷、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代簇酸醋、気代甲 娃烷基、気代硅氧烷、気代氨基和気代巧挫基，其中相鄰碳上的Y基團可連接在一起W形成 稠合的5元或6元脂族環； η為大于0的整數； Ρ為大于0的整數;并且 *表示附接點、H、D、面離子、芳基或気代芳基。
【文檔編號】C09K11/06GK105981192SQ201480075194
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2014年12月11日
【發明人】A·費尼莫爾, D·Y·康達考弗, N·S·拉杜
【申請人】E.I.內穆爾杜邦公司