功率半導體模塊的制作方法
【專利摘要】功率半導體模塊具備冷卻器、在冷卻器上并列固定的多個功率半導體單元、以及將功率半導體單元電連接的母線單元。功率半導體單元具備依次層疊了電路板、絕緣板以及金屬板而成的層疊基板；固定于電路板的半導體元件；具有印刷電路基板和多個導電柱的布線部件；與電路板電連接且機械連接的外部端子；以及絕緣性的密封材料。母線單元具備將各功率半導體單元的外部端子相互連接的多個母線。
【專利說明】
功率半導體模塊
技術領域
[0001 ]本發明涉及適用于車載用和/或工業用等的功率半導體模塊。
【背景技術】
[0002]以往的功率半導體模塊具有開關元件為一組的一合一、開關元件為兩組的二合一、開關元件為六組的六合一等，分別具有不同的外形。另外，對于功率半導體模塊，顧客所要求的額定的電流和/或電壓也是多種多樣的。因此，基于額定的電流和/或電壓單獨地設計并制造廣品。
[0003]圖12中以剖視圖示出了以往的功率半導體模塊的一個例子。功率半導體模塊101在冷卻器110的翅片底座111上具備層置基板121。層置基板121具備在絕緣板121a的正面固定有電路板121b，在絕緣板121a的背面固定有金屬板121c的層疊結構。層疊基板121通過接合材料122、例如焊料固定于翅片底座111。半導體芯片123通過導電性的接合材料124、例如焊料而接合在電路板121b上。
[0004]在層疊基板121的周圍設置有殼體125，收納層疊基板121和半導體芯片123。在殼體125的上端設置有蓋125a。一端在殼體125的內側露出、另一端從殼體125的上端突出的外部端子126—體地安裝于殼體125。半導體芯片123彼此，以及半導體芯片123和外部端子126之間通過鍵合線127電連接。為了對層疊基板121、半導體芯片123以及鍵合線127進行絕緣，殼體125內例如通過由絕緣性樹脂構成的密封材料128密封。作為殼體125的安裝單元，在設置于殼體125的端部的貫通孔安裝金屬環129。并且，以穿通金屬環129的方式設置有螺釘130，該螺釘130與翅片底座111螺紋結合。另外，殼體125的底面和翅片底座111之間通過粘接劑131而固定。
[0005]冷卻器110具備翅片底座111、安裝于翅片底座111的翅片112、收納翅片112且在翅片底座111的周邊進行密閉的殼體113。在殼體113內形成有流路，通過在該流路中流通冷卻液，對從半導體芯片123產生且通過層疊基板121而傳導到翅片112的熱進行冷卻。
[0006]以往的功率半導體模塊由于例如根據半導體芯片的既定個數、額定電流、額定電壓單獨地設計并制造產品，所以耗時耗力。并且，功率半導體模塊在車載用等的用途中，要求薄型化、小型化。
[0007]關于功率半導體模塊的小型化，提出了具備疊層母線(Laminated Busbar)，在該疊層母線的兩面分別安裝半導體模塊和冷卻器的方法(專利文獻I)。然而，專利文獻I中記載的功率半導體模塊，為了在各半導體模塊中使用鍵合線而使制造過程耗時耗力。另外，由于在兩面分別具備半導體模塊和冷卻器，所以包含了冷卻器的外形的薄型化不充分。
[0008]現有技術文獻
[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:日本特開2007-273884號公報
【發明內容】
[0011]技術問題
[0012]本發明有利地解決了上述的問題，目的在于提供能夠減少基于既定的電路構成、額定電流、額定電壓的多種功率半導體模塊的制造過程的工夫和/或時間，迅速且低成本地進行制造，并且能夠薄型化的功率半導體模塊。
[0013]技術方案
[0014]本發明的功率半導體模塊具備冷卻器、在該冷卻器上并列固定的多個功率半導體單元、以及將該功率半導體單元電連接的母線單元。并且，該功率半導體單元具備:層疊基板，依次層疊電路板、絕緣板以及金屬板而成;半導體元件，在正面具有電極，背面固定于該電路板;布線部件，具有印刷電路基板和多個導電柱，該印刷電路基板與該半導體元件的正面和該電路板對置，該導電柱的一端與該印刷電路基板連接，該導電柱的另一端與該半導體元件的該電極或者該電路板電連接且機械連接;外部端子，與該電路板電連接且機械連接；以及絕緣性的密封材料，將該層疊基板、半導體元件、布線部件以及外部端子密封。另夕卜，該母線單元具備將各該功率半導體單元的該外部端子相互連接的多個母線。
[0015]發明效果
[0016]根據本發明的功率半導體模塊，能夠減少多種功率半導體模塊的制造過程的工夫和/或時間，迅速且低成本地進行制造，并且能夠進一步薄型化。
【附圖說明】
[0017]圖1是表示本發明的一個實施方式的功率半導體模塊的立體圖。
[0018]圖2是圖1的功率半導體模塊的分解立體圖。
[0019]圖3是功率半導體單元的剖視圖。
[0020]圖4是功率半導體單元、冷卻器以及母線單元的剖視圖。
[0021]圖5是母線單元的立體圖。
[0022]圖6是從下側向上觀察母線單元的立體圖。
[0023]圖7是從下側向上觀察功率半導體單元和母線單元的立體圖。
[0024]圖8是母線單元的例子的立體圖。
[0025]圖9是功率半導體模塊的另一實施方式的立體圖。
[0026]圖10是功率半導體模塊的另一實施方式的立體圖。
[0027]圖11是功率半導體模塊的另一實施方式的立體圖。
[0028]圖12是以往的功率半導體模塊的一個例子的剖視圖。
[0029]符號說明
[0030]1、2、3、4:功率半導體模塊
[0031]10:冷卻器
[0032]20:功率半導體單元
[0033]20a:突起
[0034]20b:槽
[0035]21:層置基板
[0036]21a:絕緣板
[0037]21b:電路板
[0038]21c:金屬板
[0039]22:半導體芯片
[0040]23:布線部件[0041 ]23a:印刷電路基板
[0042]23b:導電柱
[0043]24:外部端子
[0044]25:密封材料
[0045]30、31、32、33、34、35:母線單元
[0046]30a:端子連接部
[0047]30b:連結部
[0048]30c:端子基部
[0049]35a:電流傳感器
[0050]40:控制基板
【具體實施方式】
[0051]以下，參照附圖對本發明的功率半導體模塊的實施方式具體進行說明。應予說明，本申請中使用的“電連接且機械連接”的用語不限于對象物彼此通過直接接合而連接的情況，還包括經由焊料和/或金屬燒結件等導電性的接合材料而將對象物彼此連接的情況。
[0052](實施方式I)
[0053]圖1是本發明的一個實施方式的功率半導體模塊的立體圖，圖2是圖1的功率半導體模塊的分解立體圖。本發明的實施方式I的功率半導體模塊I具備冷卻器10、多個功率半導體單元20以及母線單元30。并且，多個功率半導體單元20以在冷卻器10上并列的方式設置，母線單元30將各功率半導體單元20電連接。
[0054]冷卻器10具備冷卻液的入口14和出口 15，連接到未圖示的冷卻系統而使冷卻液從入口 14導入到冷卻器10內，并從出口 15排出。冷卻器10的內部結構如后所述。
[0055]圖3中示出功率半導體單元20的剖視圖。功率半導體單元20是稱為所謂二合一的單元，具有將開關元件和回流二極管反向并聯而構成上臂和下臂的電路。功率半導體單元20具備層疊基板21、半導體芯片22、布線部件23、外部端子24、密封材料25。
[0056]層疊基板21由絕緣板21a、設置于絕緣板2Ia的正面的電路板2 Ib、和設置于絕緣板21a的背面的金屬板21c構成。即，電路板21b、絕緣板21a以及金屬板21c依次層疊而成。絕緣板2Ia例如由氮化鋁、氮化硅和/或氧化鋁等絕緣性陶瓷構成，電路板21b、金屬板21 c例如由銅等金屬構成。另外，電路板21b形成為預定的電路圖案。層疊基板21例如可使用DCB(Direct Copper Bonding:直接銅鍵合)基板和/或AMB(Active MetalBlazing:活性金屬奸)基板等。
[0057]半導體芯片22在正面具有未圖示的電極，背面通過未圖示的接合材料、例如焊料固定于電路板21b。在本實施例中，半導體芯片22是在正面和背面均配置有電極的縱向型的半導體芯片，背面的電極與電路板21b電連接且機械連接。另外，半導體芯片22不限于縱向型，也可以是在半導體芯片22的正面配置有多種電極的橫向型的半導體芯片。
[0058]半導體芯片例如為功率M0SFET、二極管和/或IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)。半導體芯片可以是硅半導體，也可以是碳化硅(SiC)半導體。在半導體芯片22為IGBT的情況下，背面的電極為集電極，正面的電極為發射極和柵極。在半導體芯片22為功率MOSFET的情況下，背面的電極為漏極，正面的電極為源極和柵極。由SiC構成的半導體芯片(例如SiC-MOSFET)與由硅構成的半導體芯片相比耐壓高，且能夠進行高頻率的開關。由此，最合適作為本實施方式的功率半導體模塊的半導體芯片22。然而，半導體芯片22不限于IGBT和/或功率M0SFET，只要是能夠進行開關動作的一個半導體元件或者多個半導體元件的組合即可。
[0059]布線部件23具有印刷電路基板23a和多個導電柱23b。印刷電路基板23a具有金屬層和絕緣層，且以與半導體芯片22的正面電極和層疊基板21的電路板21b對置的方式設置。導電柱23b的一端通過軟釬焊或硬釬焊與半導體芯片22的正面電極或者層疊基板21的電路板21b電連接且機械連接。并且，導電柱23b的另一端通過軟釬焊、硬釬焊或者鉚接與印刷電路基板23a的金屬層電連接且機械連接。
[0060]通過布線部件23，例如半導體芯片22的正面電極和電路板21b電連接。在本實施方式中，布線部件23不是鍵合線，而是由印刷電路基板23a和導電柱23b構成。由此，能夠制成對因半導體芯片22的重復發熱而導致的熱循環可靠性高的功率半導體單元。另外，通過使布線部件23由印刷電路基板23a和導電柱23b構成，從而與使用了鍵合線的情況相比，功率半導體單元20能夠更加薄型化。另外，導電柱23b與鍵合線相比，即使正面的電極的面積小也能夠可靠地進行連接。并且，由于與導線相比，施加到半導體芯片22的應力小，所以可靠性高，能夠使接合材料的厚度變薄，因而對導電、導熱有利。
[0061]在半導體芯片22為開關元件的情況下，印刷電路基板23a優選是與配置于其正面的柵極和源極對應地具有多層的金屬層的構成。印刷電路基板23a的金屬層和/或導電柱23b由導電性好的金屬、例如由銅構成。另外，印刷電路基板23a和/或導電柱23b可以根據需要對表面實施電鍍。印刷電路基板23a可以是絕緣層由玻璃環氧樹脂材料等構成的剛性基板，另外，可以為絕緣層由聚酰亞胺材等構成的可撓性軟性基板，進而還可以為絕緣層由陶瓷構成的基板。導電柱23b的外形可以為圓柱形、矩形等形狀，但沒有特別限制。導電柱23b的底面是比半導體芯片22的正面的電極小的大小。另外，導電柱23b的針對一個半導體芯片22的設置個數為任意數，還可以在一個正面電極接合多個導電柱23b。
[0062]在組裝功率半導體單元20時，印刷電路基板23a和導電柱23b可以預先一體化而制成布線部件23。通過使用布線部件23，從而能夠使功率半導體單元20的制造工序與使用鍵合線相比更加簡單化。
[0063]外部端子24的一端與層疊基板21的電路板21b電連接且機械連接。對于外部端子24，當是由銅板等構成的導線時可流通大電流，所以優選。電路板21b與外部端子24的連接可使用焊料等接合材料(未圖示)和/或超聲波接合等。
[0064]外部端子24的另一端以成為與功率半導體單元20的底面平行的方式被折彎。在圖3中所示的例中，作為外部端子24，設置有P端子24A、N端子24B以及U端子(或者V端子、W端子)24C。
[0065]利用由絕緣性的熱固化性樹脂構成的密封材料25，將作為功率半導體單元20的各部件的層疊基板21、半導體芯片22、布線部件23、以及外部端子24密封。應予說明，層疊基板21的金屬板21c的底面和外部端子24的另一端從密封材料25向外部露出。由熱固化性樹脂構成的密封材料由于耐熱性、耐壓性比由凝膠構成的密封材料高，所以優選用于密封材料25。密封材料25具體而言可以使用環氧樹脂。并且，為了提高散熱性，還優選在樹脂中添加導熱性好的材料的填料而成的密封材料。填料例如可應用氧化鋁和/或氮化硼等。
[0066]通過密封材料25的模塑成型，形成功率半導體單元20的外形。在本實施方式中，由密封材料25構成功率半導體單元20的殼體，不另外具備殼體。模塑成型可以使用傳遞模塑法，但并不限于傳遞模塑法。例如也可以通過樹脂的灌封而成形。另外，功率半導體單元20還可以是具備另外的殼體的構成。
[0067]圖4中示出了功率半導體單元20、冷卻器10以及母線單元30的剖視圖。功率半導體單元20內的金屬板21c通過未圖示的焊料等接合材料固定于冷卻器10的翅片底座11。另外，功率半導體單元20的密封材料25的底面部分通過未圖示的粘接劑與冷卻器10的翅片底座11固定在一起。應予說明，功率半導體單元20和冷卻器10的固定并不限于上述的接合材料和粘接劑。例如，可以在金屬板21c與翅片底座11之間涂布導熱膏等散熱材料，將螺釘插通到另外設置于功率半導體單元的貫通孔，將功率半導體單元與翅片底座11螺紋固定連接。從散熱性的觀點出發，優選通過接合材料和粘接劑而固定，從制造成本的觀點出發，優選通過螺紋連接而固定。
[0068]冷卻器10具備翅片底座11、一體地安裝于翅片底座11的翅片12、以及收納翅片12且配置于翅片底座11的周邊的殼體13。在殼體13內構成流路，且通過在該流路流通冷卻液，從而對由半導體芯片22產生并通過層疊基板21傳導到翅片12的熱進行散熱。由于功率半導體模塊I具備冷卻器10，因此即使功率半導體單元20薄型化也能夠充分地冷卻半導體芯片
22。即，能夠使功率半導體單元20薄型化。因此，例如對于配置的空間不充裕的車載用途來說，增加了設置功率半導體模塊的位置的自由度。另外，本發明的功率半導體模塊I既可以橫向設置也可以縱向設置。
[0069]作為外部端子24的P端子24A和N端子24B在功率半導體單元20的上側露出。P端子24A和N端子24B與母線單元30的母線電連接。為了容易地設置母線單元30，在功率半導體單元20的上側，設置有突起20a和槽20b。
[0070]母線單元30是分別與多個功率半導體單元20的P端子24A和N端子24B電連接并構成有共用的P端子和N端子的單元。圖5中示出母線單元30的立體圖。圖5的母線單元30可以將三個二合一的功率半導體單元20相互電連接，構成六合一的功率半導體模塊I。
[0071]母線單元30內置2個母線，所述2個母線與各功率半導體單元20的P端子24A或N端子24B連接并延伸至共用的P端子或共用的N端子。并且，利用絕緣性樹脂進行模塑成型而成為圖示的外形。通過用樹脂覆蓋母線進行模塑成型，從而在兩個母線之間保持規定的間隔，并且確保彼此之間的絕緣。進而防止母線的腐蝕。
[0072]母線單元30—體形成，具有端子連接部30a、連結部30b以及端子基部30c。端子連接部30a與各功率半導體單元20的P端子24A和N端子24B連接。連結部30b連結各端子連接部。在端子基部30c，設置有功率半導體模塊I的共用端子。
[0073]在端子連接部30a中，母線單元30內的母線與功率半導體單元20的P端子24A或者N端子24B通過螺紋結合、螺栓結合、焊料接合或者激光焊接等方法而固定。并且，母線單元30內的母線與功率半導體單元20的P端子24A或者N端子24B電連接。為了與功率半導體單元20的端子電連接，內置的母線在母線單元30的端子連接部30a的背面露出。另外，在使用螺紋結合、螺栓結合或者激光焊接的情況下，可以在端子連接部30a的正面形成開口，使母線露出。
[0074]母線單元30如圖5所示，與端子連接部30a的寬度Wl相比，連結部30b的寬度W2窄。因此，在相鄰的端子連接部30a之間形成有空間。可以將該空間形成為用于配置組裝于控制基板(參照圖11)的部件，控制基板以層疊在功率半導體模塊I上的方式設置。因此，能夠降低控制基板層疊在功率半導體模塊I上時的高度。因此，即使在功率半導體模塊I需要控制基板的情況下，也能夠使整個功率半導體模塊薄型化。
[0075]母線單元30的上表面是平坦的。這是為了在母線單元30上需要控制基板的情況下，盡可能地不與控制基板和/或安裝在其上的電子部件發生物理上的干擾。這有助于使安裝有控制基板的整個功率半導體模塊薄型化。在母線單元30中，連結部30b的厚度T2比端子連接部30a的厚度Tl更大。這是由于在端子連接部30a中內置有一個母線，而在連結部30b中重疊地內置有兩個母線。在連結部30b中，通過重疊地內置極性不同的兩個母線，能夠使母線的布線的電感低。
[0076]圖6中示出了從下側向上觀察母線單元30的立體圖。母線單元30的連結部30b向下側突出。連結部30b與設置于功率半導體單元20的上側的槽20b嵌合。另外，端子連接部30a與設置于功率半導體單元20的上側的突起20a嵌合。因此，通過將母線單元30的連結部30b與功率半導體單元20的槽20b配合，另外將端子連接部30a與突起20a配合，從而能夠將母線單元30容易地設置于功率半導體單元20。
[0077]在母線單元30的端子基部30c，設置有與外部連接的P端子和N端子。在圖5、圖6中所示的例子中，在一個母線單元30，分別設置有兩個端子基部30c。這是為了避免電流集中在一個端子基部30c。通過設置有兩個端子基部30c，在端子基部30c的P端子或者N端子流通的電流分流為兩支。其中，端子基部30c的個數可以為一個，也可以為三個以上。
[0078]圖7中示出了從下側向上觀察將功率半導體單元20和母線單元30組合的構成的立體圖。如圖7所示，母線單元30的端子基部30c優選設置成位于相鄰的功率半導體單元20之間。由此，能夠將端子基部30c配置在較低的位置，由此能夠使功率半導體模塊I薄型化。
[0079]圖8(a)?(C)中示出了兩個端子基部30c的間隔不同的母線單元31?33的例子的立體圖。圖8(a)示出了基準間隔的母線單元31，圖8(b)示出了間隔比基準間隔寬的母線單元32，圖8(c)示出了間隔比基準間隔窄的母線單元33。如此地，母線單元中的端子基部30c的形狀、位置、個數等為任意值。由此，功率半導體模塊I的P端子和N端子在僅改變母線單元30的情況下就可以靈活地變更。
[0080]本實施方式的功率半導體模塊I是將相同形狀、相同規格的二合一的三個功率半導體單元20并列配置在冷卻器10上，通過在母線單元30電連接而構成的六合一功率半導體模塊。因此，與單獨設計并制造二合一的功率半導體模塊和六合一的功率半導體模塊的情況下相比，設計、制造都不耗時也不耗力。因此，能夠迅速且低成本地制造多種功率半導體豐旲塊。
[0081]上述的六合一的功率半導體模塊是本發明的例示。作為其他的例子，通過使用將三個功率半導體單元20電并聯的母線單元30，能夠制造三個并列的二合一的功率半導體模塊。這樣即使在組合了三個功率半導體單元20和冷卻器10的情況下，僅變更母線單元30，就能夠制造不同的功率半導體模塊。
[0082](實施方式2)
[0083]圖9中示出了本發明的另一實施方式的功率半導體模塊2的立體圖。應予說明，在以下的實施方式中，與實施方式I的功率半導體模塊I相同的部件標記了相同的符號。因此，在以下的說明中省略對各部件的重復的說明。
[0084]功率半導體模塊2是在冷卻器10上設置六個相同的功率半導體單元20，并通過母線單元34電連接這些功率半導體單元20而成的半導體模塊。母線單元34是將六個功率半導體單元20電并聯的母線單元。使用上述的二合一的功率半導體單元20，將母線單元變更為具有與功率半導體單元20的個數對應的長度的母線單元34，僅改變冷卻器10的長度，構成六個并列的二合一的功率半導體模塊。
[0085]由圖1和圖9可以理解，根據本發明的實施方式，通過變更功率半導體單元20的個數和母線單元30的構成，從而能夠制造多種功率半導體模塊。還可以迅速且低成本地制造基于顧客的需求的可撓性功率半導體模塊。
[0086](實施方式3)
[0087]對功率半導體模塊的另一的實施方式進行說明。
[0088]在本實施方式中，母線單元30在端子基部30c或者其他位置內置有電容器等電子部件。在制造母線單元30時，電子部件與母線一起被絕緣性樹脂覆蓋。
[0089]通過將電子部件內置于母線單元30，從而能夠將以往安裝于控制基板的電子部件的一部分或者全部設置于母線單元30。由此能夠使功率半導體模塊I兼備控制基板所具備的功能的一部分或者全部。
[0090](實施方式4)
[0091]圖10是功率半導體模塊的另一實施方式的立體圖。
[0092]圖10所示的功率半導體模塊3的母線單元35具備傳感器。更具體而言，在母線單元35的端子基部30c安裝有電流傳感器35a。即，通過將功率半導體模塊3的母線單元變更為母線單元35，僅利用功率半導體模塊3就能夠測定電流。這樣，通過本實施方式，能夠對功率半導體模塊賦予新功能。
[0093]不限于圖10所示的電流傳感器35a，可以作為傳感器而將例如溫度傳感器、例如熱敏電阻安裝于母線單元30。安裝溫度傳感器的位置可以任意，例如可以是與電流傳感器35a相同的位置。
[0094](實施方式5)
[0095]圖11示出了功率半導體模塊的另一實施方式的立體圖。
[0096]在本實施方式的功率半導體模塊4的母線單元30上設置有控制基板40。安裝于該控制基板40的電子部件如以上所述可以配置于母線單元30的相鄰的端子連接部30a之間的空間。因此，對整個功率半導體模塊的薄型化來說優選。
[0097]控制基板40的種類、用途不限。例如，可以將控制基板40和功率半導體單元20的控制端子(未圖示)電連接而使功率半導體模塊4為智能功率模塊(IPM)。由此，能夠進行更為高級的控制。
[0098](實施方式6)
[0099]作為功率半導體模塊的另一實施方式，還可以是在冷卻器10的兩面分別固定功率半導體單元20和母線單元30的構成。由于本發明的功率半導體模塊為薄型，所以即使在冷卻器10的兩面分別固定功率半導體單元20和母線單元30，也具有充分薄的外形。
[0100]以上，雖然使用附圖和實施方式具體說明了本發明的功率半導體模塊，但本發明的功率半導體模塊并不限于實施方式和附圖中的記載，在不脫離本發明的主旨的范圍內，能夠進行多種變形。
【主權項】
1.一種功率半導體模塊，其特征在于，具備冷卻器、在所述冷卻器上并列固定的多個功率半導體單元、以及將所述功率半導體單元電連接的母線單元， 所述功率半導體單元具備: 層疊基板，依次層疊電路板、絕緣板以及金屬板而成； 半導體元件，在正面具有電極，背面固定于所述電路板； 布線部件，具有印刷電路基板和多個導電柱，所述印刷電路基板與所述半導體元件的正面和所述電路板對置，所述導電柱的一端與所述印刷電路基板連接，所述導電柱的另一端與所述半導體元件的所述電極或者所述電路板電連接且機械連接； 外部端子，與所述電路板電連接且機械連接；以及 絕緣性的密封材料，將所述層疊基板、所述半導體元件、所述布線部件以及所述外部端子密封， 所述母線單元具備將各所述功率半導體單元的所述外部端子相互連接的多個母線。2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述母線單元具備與所述功率半導體單元的所述外部端子連接的端子連接部，將各所述端子連接部連結的連結部，以及設置有共用端子的端子基部， 所述連結部的寬度比所述端子連接部的寬度窄。3.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其中， 在所述母線單元上，進一步設置有控制基板。4.根據權利要求2所述的功率半導體模塊，其中， 所述母線單元的上表面是平坦的，所述連結部向下側突出， 所述功率半導體單元在上側具有嵌合于所述連結部的槽。5.根據權利要求2所述的功率半導體模塊，其中， 所述母線單元的所述端子基部位于相鄰的所述功率半導體單元之間。6.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述母線單元具有與所述功率半導體單元的個數對應的長度。7.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述母線單元具備傳感器。8.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述母線單元內置有電子部件。9.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述功率半導體單元的所述外部端子由導線構成。10.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述功率半導體單元的所述外部端子和所述母線單元通過選自螺紋結合、螺栓結合、焊接以及接合材料中的一種方法而固定。11.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述功率半導體單元的所述金屬板和所述冷卻器通過接合材料而固定。12.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中， 所述半導體元件由SiC半導體構成。
【文檔編號】H01L23/473GK105981168SQ201580008212
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2015年7月27日
【發明人】崛元人, 高橋良和, 望月英司, 西村芳孝, 池田良成
【申請人】富士電機株式會社