有機電致發光二極管基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種有機電致發光二極管基板及其制備方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。本發明的有機電致發光二極管基板，包括基底，設置在所述基底上的有機電致發光單元，設置在所述有機電致發光單元上的N組薄膜組，N為大于等于2的整數，每組薄膜組包括沿背離所述有機電致發光單元方向，依次設置的無機膜層和有機膜層，在其中一層所述有機膜層中設置有多條第一凹槽；在其中另一層所述有機膜層中設置有多條第二凹槽；多條所述第一凹槽和多條所述第二凹槽在所述基底上的正投影交叉設置；在所述第一凹槽中填充有第一導線；在所述第二凹槽中填充有第二導線。本發明特別適用于柔性顯示面板。
【專利說明】
有機電致發光二極管基板及其制備方法、顯示裝置
技術領域
[0001]本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種有機電致發光二極管基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]在光電顯示技術領域，有機電致發光器件(Organic Light Emitting D1de,簡稱OLED)具有主動發光、亮度高、對比度高、超薄、功耗低、視角大以及工作溫度范圍寬等諸多優點，是一種具有廣泛應用的先進新型平板顯示裝置。
[0003]但由于有機材料固有的特性，其易吸收水氧且受水氧侵蝕后極易損耗變質，從而使器件壽命受到很大影響，所以OLED器件對封裝的要求很高。
[0004]目前對OLED器件的封裝技術也日趨成熟，包括傳統的玻璃蓋貨金屬蓋加干燥片的封裝，面封裝(Face Encapsulat1n)，恪接封裝(Frit Encapsulat1n)，薄膜封裝(TFE，Thin Film Encapsulat1n)等。其中，薄膜封裝技術在減少器件重量和厚度、減少封裝配件降低封裝成本、減小封裝邊緣寬度，消滅顯示死角以及可卷曲柔性等方面有突出的優點。
[0005]而對于具有觸控功能的OLED基板而言，通常則需要在已形成有OLED器件的基板上在制備觸控電極和感應電極，而這種基板的集成度也比較低，厚度比較厚，不利于顯示面板輕薄化。
【發明內容】
[0006]本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種整合度和附加價值高的有機電致發光二極管基板及其制備方法、顯示裝置。
[0007]解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機電致發光二極管基板，包括基底，設置在所述基底上的有機電致發光單元，設置在所述有機電致發光單元上的N組薄膜組，N為大于等于2的整數，每組薄膜組包括沿背離所述有機電致發光單元方向，依次設置的無機膜層和有機膜層，在其中一層所述有機膜層中設置有多條第一凹槽;在其中另一層所述有機膜層中設置有多條第二凹槽;多條所述第一凹槽和多條所述第二凹槽在所述基底上的正投影交叉設置；
[0008]在所述第一凹槽中填充有第一導線;在所述第二凹槽中填充有第二導線。
[0009]優選的是，所述有機電致發光單元包括設置在所述基底上的像素限定層;所述第一導線和所述第二導線所在位置與所述像素限定層的位置相對應。
[0010]優選的是，所述有機電致發光單元還包括:陽極層、發光層、陰極層;其中，
[0011]所述陽極層設置在基底上方，所述像素限定層設置在所述陽極層上方;所述發光層設置在所述像素限定層的開口區內；所述陰極層設置在所述像素限定層和所述發光層上方;或，
[0012]所述陰極層設置在基底上方，所述像素限定層設置在所述陰極層上方;所述發光層設置在所述像素限定層的開口區內；所述陽極層設置在所述像素限定層和所述發光層上方。
[0013]優選的是，多條所述第一導線和多條所述第二導線交叉設置;其中，兩相鄰的所述第二導線之間距離為100-2000μηι。
[0014]優選的是，所述第一凹槽和所述第二凹槽的寬度均為3_20μπι。
[0015]優選的是，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度均為1_5μπι。
[0016]優選的是，所述第一導線和所述第二導線的材料均包括銀、金、銅、鋁中的任意一種或多種。
[0017]優選的是，所述有機膜層的厚度為3_12μπι。
[0018]優選的是，所述無機膜層的厚度為0.2-1.Ομπι。
[0019]優選的是，所述N大于等于3，所述第一凹槽設置在第N-1層所述有機膜層上;所述第二凹槽設置在第N層所述有機膜層上。
[0020]優選的是，還包括設置在第N組薄膜組上的保護層。
[0021]進一步優選的是，所述保護層為無機膜層或有機膜層。
[0022]解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機電致發光二極管基板的制備方法，包括:
[0023]在基底上，形成有機電致發光單元；
[0024]形成N組薄膜組，N大于等于2;其中，形成每組所述薄膜組包括:依次形成無機膜層和有機膜層；
[0025]所述方法還包括:
[0026]在其中一層所述有機膜層中形成多條第一凹槽；
[0027]在所述第一凹槽中形成第一導線；
[0028]在其中另一層所述有機膜層中形成多條第二凹槽;多條所述第一凹槽和多條所述第二凹槽交叉設置；
[0029]在所述第二凹槽中形成第二導線。
[0030]優選的是，形成所述有機膜層包括:
[0031]通過噴墨打印的方式形成有機膜層。
[0032]優選的是，所述在其中一層所述有機膜層中形成多條第一凹槽的步驟具體包括:
[0033]對所形成的有機膜層進行預先的圖形化；
[0034]采用壓印的方式在圖形化的有機膜層表面上形成第一凹槽；
[0035]所述在其中另一層所述有機膜層中形成多條第二凹槽的步驟具體包括:
[0036]對所形成的有機膜層進行預先的圖形化；
[0037]采用壓印的方式在圖形化的有機膜層表面上形成第二凹槽。
[0038]進一步優選的是，所述印壓的過程在他或者真空環境下完成。
[0039]優選的是，所述在所述第一凹槽中形成第一導線的步驟具體包括:
[0040]通過噴墨打印方式在第一凹槽中打印納米金屬顆粒墨水；
[0041]采用光子燒結或激光脈沖燒結的方式對納米金屬顆粒進行導電化處理，形成第一導線；
[0042]所述在所述第二凹槽中形成第二導線的步驟具體包括:
[0043]通過噴墨打印方式在第二凹槽中打印納米金屬顆粒墨水；
[0044]采用光子燒結或激光脈沖燒結的方式對納米金屬顆粒進行導電化處理，形成第二導線。
[0045]解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置，其包括上述的有機電致發光二極管基板。
[0046]本發明具有如下有益效果:
[0047]本發明中的第一導線和第二導線中的一者可用作觸控電極，另一者可用作感應電極。也就是說，在本發明的有機電致發光二極管基板中，將觸控基板中的觸控電極和感應電極集成與傳統的有機電致發光二極管基板的有機膜層中，提高了有機電致發光二極管基板的整合度和附加價值；同時，將觸控電極和感應電極設置在有機膜層的凹槽中，并不會增加有機電致發光二極管基板的厚度。
【附圖說明】
[0048]圖1為本發明的實施例1的有機電致發光二極管基板的結構示意圖；
[0049]圖2為本發明的實施例1的有機電致發光二極管基板的第一凹槽的示意圖；
[0050]圖3為本發明的實施例1的有機電致發光二極管基板的第二凹槽的示意圖；
[0051]圖4為本發明的實施例1的有機電致發光二極管基板的第一導線和第二導線交叉限定出的網格圖形的示意圖；
[0052]圖5為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法的流程圖；
[0053]圖6為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟一的示意圖；
[0054]圖7為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟二的示意圖；
[0055]圖8為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟三的示意圖；
[0056]圖9為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟四的示意圖；
[0057]圖10為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟五的示意圖；
[0058]圖11為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟六的示意圖；
[0059]圖12為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟七的示意圖；
[0060]圖13為本發明的實施例2的有機電致發光二極管基板的制備方法中步驟八的示意圖。
[0061]其中附圖標記為:1、基底;2、有機電致發光單元;3、無機膜層;4、有機膜層;5、第一導線;6、第二導線;7、保護層;8、第一凹槽;9、第二凹槽;21、像素限定層;3-1、第一層無機膜層;3-2、第二層無機膜層;4-1、第一層有機膜層;4-2、第二層有機膜層;P、網格長度。
【具體實施方式】
[0062]為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細描述。
[0063]實施例1:
[0064]結合圖1-3所示，本實施例提供一種有機電致發光二極管基板，包括基底1，設置在所述基底I上的有機電致發光單元2，設置在所述有機電致發光單元2上的N組薄膜組，N為大于等于2的整數，每組薄膜組包括沿背離所述有機電致發光單元2方向，依次設置的無機膜層3和有機膜層4。其中，無機膜層3為阻擋層，用于阻擋水、氧等污染有機電致發光單元2，而有機膜層4為平坦層，用以提供平坦表面。特別的是，選用本實施例的多層有機膜層4中的任意兩層，在其中一層中設置多條第一凹槽8，另一層中設置多條第二凹槽9，且多條第一凹槽8和多條第二凹槽9在所述基底I上的正投影交叉設置;并在第一凹槽8中填充有第一導線5;在第二凹槽9中填充有第二導線6。
[0065]可以理解的是，第一導線5和第二導線6中的一者可用作觸控電極，另一者可用作感應電極。也就是說，在本實施例的有機電致發光二極管基板中，將觸控基板中的觸控電極和感應電極集成與傳統的有機電致發光二極管基板的有機膜層4中，提高了有機電致發光二極管基板的整合度和附加價值；同時，將觸控電極和感應電極設置在有機膜層4的凹槽中，并不會增加有機電致發光二極管基板的厚度。
[0066]其中，上述的第一凹槽8和第二凹槽9優選為條狀結構，當然，也可以采用脈沖、正弦波、鋸齒波等其他形狀。
[0067]需要說明的是，在本實施例中，均是以第一凹槽8的延長線處于行方向、第二凹槽9的延長線處于列方向為例對本實施例中的有機電致發光二極管基板基進行說明的，但并構成對本實施例的限定，只要保證第一凹槽8和第二凹槽9在基底I上的正投影是交叉設置的即可。
[0068]其中，本領域技術員可以理解的是，頂發射型的有機電致發光單元2通常包括依次設置(按照制備順序)在基底I上的陽極層、像素限定層21、發光層(設置在像素限定層21的開口中)、陰極層。而底發射型的有機電致發光單元2通常包括依次設置(按照制備順序)在基底I上的陰極層、像素限定層21、發光層(設置在像素限定層21的開口中)、陽極層。在本實施例中優選的將第一導線5和第二導線6設置在與像素限定層21相對應的位置。
[0069]之所以如此設置是因為，像素限定層21也即擋墻，用于限定發光層所在位置，而發光層也就是用于顯示的像素位置，因此將將第一導線5和第二導線6設置在與像素限定層21相對應的位置不會遮擋發光層，也就不會影響像素的開口率。
[0070]優選的，如圖4所示，本實施例中的多條第一導線5和多條第二導線6交叉設置，(限定出網格圖形)；其中，任意兩相鄰的第二導線6之間的距離P為100-2000μπι。進一步優選的，P為300-1000μπι。另外，該距離值還可以為其下有機電致發光單元2的整數倍。可以理解的是第一導線5的寬度受第一凹槽8的寬度的控制;第二導線6的寬度受第二凹槽9的控制。
[0071 ]其中，有機膜層4的厚度大于3μηι，優選范圍在3-12μηι，進一步優選范圍在4-8μηι。無機膜層3較有機膜層4要薄一些，優選厚度為0.2-1.Ομπι。
[0072]其中，第一凹槽8和第二凹槽9的寬度均優選為3-20μηι，進一步優選為3-10μηι;第一凹槽8和第二凹槽9的深度均優選為1-5μηι，進一步優選為2-4μηι。
[0073]其中，第一導線5和第二導線6的材料均優選包括銀、金、銅、鋁中的任意一種或多種，特別優選的為銀。當然了，只要保證第一導線5和第二導線6的材料為導電金屬即可。
[0074]其中，在實施例的中還包括設置在第N組薄膜組上的保護層7。優選的，所述保護層7為無機膜層3，用于阻擋外界水、氧等污染物污染有機電致發光單元2;或者該保護層7為有機膜層4，用于提供平坦表面。
[0075]作為本實施例中一種優選的實施方式，當有機電致發光二極管基板包括N組薄膜組，N為大于等于3的整數時，此時，第一凹槽8設置在第N-1層有機膜層4上;第二凹槽9設置在第N層有機膜層4上。以N = 3為例，此時，第一凹槽8設置在第2層有機膜層4上;第二凹槽9設置在第3層有機膜層4上。
[0076]之所以如此設置是因為，在第一凹槽8和第二凹槽9中要填充導電金屬(分別為第一導線5和第二導線6)，若導電金屬與有機電致發光單元2離得太緊，勢必在導電金屬上輸入信號時，影響有機電致發光單元2的顯示，因此，選擇將凹槽設置在原理有機電致發光單元2的有機膜層4中。同時，選取第N-1層有機膜層4設置第一凹槽8，第N層有機膜層4設置第二凹槽9還可以保證第一導線5和第二導線6之間的距離最近，從而使得這兩者之間所形成的電容值大，進而使得有機電致發光二極管基板的觸控靈敏度高。
[0077]實施例2:
[0078]結合圖5-13所示，本實施例提供一種有機電致發光二極管基板的制備方法，其中，有機電致發光二極管基板可以為實施例1中的有機電致發光二極管基板。本實施例中的以N=2為例，對本實施例中的制備方法進行說明，該方法具體包括如下步驟:
[0079]步驟一、在基底I上，形成有機電致發光單元2(以頂發射型的有機電致發光單元為例進行描述)，如圖6所示。
[0080]具體的，步驟一可以包括:I)在基底I上采用濺射陽極導電薄膜，并通過構圖工藝形成包括陽極層的圖形；2)在形成有陽極層I的基底I上，通過構圖工藝形成包括像素限定層21的圖形;3)在形成有像素限定層21的基底I上，采用真空蒸鍍工藝，在像素限定層21的開口中形成發光層;4)在形成發光層基底I上，采用真空蒸鍍工藝形成陰極層。至此完成本實施例的有機電致發光單元2的制備。當然，制備有機電致發光單元2還可以包括制備空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等功能膜層的步驟，在此不詳細說明。
[0081]步驟二、在完成步驟一的基底I上形成第一層無機膜層3-1，如圖7所示。
[0082]具體的，步驟二可以包括:采用反應濺射的方法，在真空環境下，在氧氬混合氣氛圍下濺射，形成第一層無機膜層3-1，該第一層無機膜層3-1將有機電致發光單元2覆蓋，防止水、氧等對有機電致發光單元2侵入，影響有機電致發光單元2的使用壽命。
[0083]步驟三、在完成步驟二的基底I上形成第一層有機膜層4-1，并在第一層有機膜層4-1表面形成第一凹槽8，如圖8所示。
[0084]具體的，步驟三可以包括:首先，通過噴墨打印(IJP)的方式形成第一層有機膜層4-1;接下來，對所形成的有機膜層4進行預先的圖形化;最后，采用壓印的方式在圖形化的有機膜層4表面上形成第一凹槽8;其中，對第一層有機膜層4-1表面印壓的過程優選的在N2或者真空環境下完成，進一步優選的在他環境中完成壓印過程。
[0085]步驟四、在第一凹槽8中形成第一導線5，如圖9所示。
[0086]具體的，步驟四可以包括:首先，通過噴墨打印方式在第一凹槽8中打印納米金屬顆粒墨水(特別優選為納米銀顆粒墨水)；之后，采用光子燒結或激光脈沖燒結的方式對納米金屬顆粒進行導電化處理，形成第一導線5。需要說明的是，采用燒結方式僅在第一凹槽8內對納米金屬顆粒墨水進行燒結高溫化，并不會對該膜層下方的有機電致發光單元2造成工藝影響。
[0087]步驟五、與步驟二方式相同，在完成步驟四的基底I上形成第二層無機膜層3-2，如圖1O所示。
[0088]步驟六、與步驟四方式相同，在完成步驟五的基底I上形成第二層有機膜層4-2，并在第二層有機膜層4-2中形成第二凹槽9。其中，所形成第二凹槽9的方法與第一凹槽8相同，只是所形成的第二凹槽9延長線所在方向與第一凹槽8延長線所在方向不同，二者交叉設置，如圖11所示。
[0089]步驟七、在第二凹槽9中形成第二導線6。其中，在該步驟中形成第二導線6的方法與形成第一導線5的方法相同，在此不再重復描述，如圖12所示。
[0090]當然，在步驟七之后還可以根據有機電致發光二極管基板設計需要，在形成第二導線6的基底I上形成保護層7(步驟八)，如圖13所示。其中，該保護層7可以為第三層無機膜層3，用于阻擋外界水、氧等污染物污染;或者該保護層7為第三層有機膜層4，用于對該基板進行平坦化處理。
[0091]至此完成了對本實施例中的有機電致發光二極管基板的制備。上述描述中僅僅是以有機電致發光二極管基板中包括2組薄膜組為例進行說明的。同理，當N取大于等于3的整數時，也即有機電致發光二極管基板中包括3組以上的薄膜組，此時制備方法與上述方法大致相同，可以選擇任意其中一層有機膜層4形成第一凹槽8，并在第一凹槽8中形成第一導線5;另一層有機膜層4形成第二凹槽9，并在第二凹槽9中形成第二導線6。其中，形成第一凹槽8的有機膜層4優選為第N-1層有機膜層，形成第二凹槽9的有機膜層4優選為第N層有機膜層。
[0092]實施例3:
[0093]本實施例提供一種顯示裝置，其包括實施例1中所述的有機電致發光二極管基板，故本實施例的顯示裝置的集成度高，附加價值高，而且可以應用至柔性顯示中。
[0094]該顯示裝置可以為:電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0095]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種有機電致發光二極管基板，包括基底，設置在所述基底上的有機電致發光單元，設置在所述有機電致發光單元上的N組薄膜組，N為大于等于2的整數，每組薄膜組包括沿背離所述有機電致發光單元方向，依次設置的無機膜層和有機膜層，其特征在于，在其中一層所述有機膜層中設置有多條第一凹槽;在其中另一層所述有機膜層中設置有多條第二凹槽;多條所述第一凹槽和多條所述第二凹槽在所述基底上的正投影交叉設置； 在所述第一凹槽中填充有第一導線;在所述第二凹槽中填充有第二導線。2.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述有機電致發光單元包括設置在所述基底上的像素限定層;所述第一導線和所述第二導線所在位置與所述像素限定層的位置相對應。3.根據權利要求2所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述有機電致發光單元還包括:陽極層、發光層、陰極層;其中， 所述陽極層設置在基底上方，所述像素限定層設置在所述陽極層上方;所述發光層設置在所述像素限定層的開口區內；所述陰極層設置在所述像素限定層和所述發光層上方；或， 所述陰極層設置在基底上方，所述像素限定層設置在所述陰極層上方;所述發光層設置在所述像素限定層的開口區內；所述陽極層設置在所述像素限定層和所述發光層上方。4.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，多條所述第一導線和多條所述第二導線交叉設置;其中，兩相鄰的所述第二導線之間距離為100-2000μπι。5.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的寬度均為3_20μπι。6.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度均為1-5μπι。7.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述第一導線和所述第二導線的材料均包括銀、金、銅、鋁中的任意一種或多種。8.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述有機膜層的厚度為 3-12μηι09.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述無機膜層的厚度為0.2-1.0ym010.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述N大于等于3，所述第一凹槽設置在第N-1層所述有機膜層上;所述第二凹槽設置在第N層所述有機膜層上。11.根據權利要求1所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，還包括設置在第N組薄膜組上的保護層。12.根據權利要求11所述的有機電致發光二極管基板，其特征在于，所述保護層為無機膜層或有機膜層。13.—種如權利要求1-12中任一項所述的有機電致發光二極管基板的制備方法，包括: 在基底上，形成有機電致發光單元； 形成N組薄膜組，N大于等于2;其中，形成每組所述薄膜組包括:依次形成無機膜層和有機膜層； 其特征在于，所述方法還包括: 在其中一層所述有機膜層中形成多條第一凹槽； 在所述第一凹槽中形成第一導線； 在其中另一層所述有機膜層中形成多條第二凹槽;多條所述第一凹槽和多條所述第二凹槽交叉設置； 在所述第二凹槽中形成第二導線。14.根據權利要求13所述的有機電致發光二極管基板的制備方法，其特征在于，形成所述有機膜層包括: 通過噴墨打印的方式形成有機膜層。15.根據權利要求13所述的有機電致發光二極管基板的制備方法，其特征在于，所述在其中一層所述有機膜層中形成多條第一凹槽的步驟具體包括: 對所形成的有機膜層進行預先的圖形化； 采用壓印的方式在圖形化的有機膜層表面上形成第一凹槽； 所述在其中另一層所述有機膜層中形成多條第二凹槽的步驟具體包括: 對所形成的有機膜層進行預先的圖形化； 采用壓印的方式在圖形化的有機膜層表面上形成第二凹槽。16.根據權利要求15所述的有機電致發光二極管基板的制備方法，其特征在于，所述印壓的過程在N2或者真空環境下完成。17.根據權利要求13所述的有機電致發光二極管基板的制備方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽中形成第一導線的步驟具體包括: 通過噴墨打印方式在第一凹槽中打印納米金屬顆粒墨水； 采用光子燒結或激光脈沖燒結的方式對納米金屬顆粒進行導電化處理，形成第一導線； 所述在所述第二凹槽中形成第二導線的步驟具體包括: 通過噴墨打印方式在第二凹槽中打印納米金屬顆粒墨水； 采用光子燒結或激光脈沖燒結的方式對納米金屬顆粒進行導電化處理，形成第二導線。18.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-12中任一項所述的有機電致發光二極管基板。
【文檔編號】H01L21/77GK105977279SQ201610532406
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月7日
【發明人】黃維
【申請人】京東方科技集團股份有限公司