具有用于改變襯底溫度的襯底托盤的預清洗腔室和借助所述襯底托盤進行的預清洗工藝的制作方法

具有用于改變襯底溫度的襯底托盤的預清洗腔室和借助所述襯底托盤進行的預清洗工藝的制作方法
【專利摘要】一種用于從襯底的表面去除氧化物材料的系統可包括用以收納所述襯底的襯底托盤，和用以收納所述襯底托盤的冷卻體。所述系統可包括：第一溫度控制元件，其被配置用來控制所述襯底托盤的溫度，和第二溫度控制元件，其被配置用來控制所述冷卻體的溫度，其中所述第一溫度控制元件和所述第二溫度控制元件可被獨立地控制。一種用于從襯底的表面去除氧化物材料的方法可包括：在具有加熱元件的襯底托盤上提供所述襯底；通過將熱從所述襯底托盤傳遞至冷卻體來冷卻所述襯底；在所述襯底在所述冷卻體上時將含有鹵素的材料沉積在所述冷卻的襯底上；以及隨后通過借助將熱從所述襯底托盤傳遞至所述襯底而加熱所述冷卻的襯底來使所述含有鹵素的材料升華。
【專利說明】
具有用于改變襯底溫度的襯底托盤的預清洗腔室和借助所述 襯底托盤進行的預清洗工藝
技術領域
[0001]本發明涉及集成電路的制造，具體地說涉及用于預清洗襯底的方法和設備。【背景技術】
[0002]集成電路的制造經常可涉及在襯底表面上形成一個或多個材料層。這些材料層可包括(例如)單晶、多晶和/或非晶材料層。材料層的形成可使用各種薄膜沉積技術來實現， 薄膜沉積技術包括各種物理(例如，物理濺射)和/或化學(例如，化學氣相沉積、原子層沉積和/或外延沉積)沉積技術。舉例來說，襯底表面上的單晶材料形成可使用外延沉積工藝來實現，諸如用于單晶半導體材料(例如，單晶硅)的形成。
[0003]襯底表面上存在介入材料(例如，原生氧化物層，諸如硅襯底上的氧化硅材料層) 可干擾期望的材料層在那個襯底表面上的形成。舉例來說，介入材料可能導致在期望的材料層結構中引入的缺陷數增多，和/或可能不利地影響期望的材料層的電性能。在一些實施方案中，因為襯底在集成電路制造工藝期間暴露于氧化物(例如，在襯底在制造系統之間轉移期間暴露于環境空氣，和/或暴露于制造系統內的殘余氧化劑)，諸如原生氧化物材料等介入材料可形成在襯底表面上。
[0004]因此，持續地需要用于在襯底表面上形成高質量層的設備和工藝。
【發明內容】

[0005]—種用于集成電路制造的系統可包括:反應腔室，其用于處理襯底;所述反應腔室內的襯底托盤，其用以收納所述襯底；以及冷卻體，其用以收納所述襯底托盤。所述系統可包括:第一溫度控制元件，其被配置用來控制所述襯底托盤的溫度，和第二溫度控制元件， 其被配置用來控制所述冷卻體的溫度，其中所述第一和第二溫度控制元件被配置用來獨立地控制所述襯底托盤和所述冷卻體的所述溫度。
[0006]—種用于集成電路制造的方法可包括從襯底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅。去除所述氧化物材料可包括:在具有加熱元件的襯底托盤上提供所述襯底;通過將熱從所述襯底托盤傳遞至冷卻體來冷卻所述襯底;在所述襯底在所述襯底托盤上時將含有鹵素的材料沉積在所述冷卻的襯底上；以及隨后通過借助將熱從所述襯底托盤傳遞至所述襯底而加熱所述冷卻的襯底來使所述含有鹵素的材料升華。
[0007]—種用于集成電路制造的方法可包括從襯底的表面去除氧化物材料。所述表面可包括硅。去除所述氧化物材料可包括將所述襯底放置在襯底托盤上，其中所述襯底托盤在冷卻體上方。所述方法可包括將含有齒素的材料沉積在所述表面上，以及通過獨立于所述冷卻體的溫度控制所述襯底托盤的溫度來使所述含有齒素的材料升華。【附圖說明】
[0008]參看某些實施方案的附圖描述本公開的各種特征、方面和優點，附圖旨在圖示某些實施方案而不是限制本發明。
[0009]圖1是根據一些實施方案的預清洗系統的示意圖。
[0010]圖2A示出根據一些實施方案的被配置用來執行預清洗工藝的反應腔室的實例的側面截面圖。
[0011]圖2B示出根據一些實施方案的襯底托盤的實例的側面截面圖。
[0012]圖3A、圖3B和圖3C示出根據一些實施方案的襯底托盤和冷卻體的側面截面圖。
[0013]圖4示出根據一些實施方案的用于預清洗襯底表面的工藝的實例。【具體實施方式】
[0014]本文中描述涉及用于從襯底的暴露表面去除氧化物材料的預清洗設備和工藝的各種實施方案。應理解，所得預清洗的表面可提供促進稍后形成高質量的材料層(諸如硅的外延生長)的表面。
[0015]在一些實施方案中，用于集成電路制造的系統可提供兩個或多個溫度之間的快速循環，其可有利地應用于通過去除不需要的材料(諸如氧化物材料)來預清洗襯底表面的工藝。系統可包括用以收納襯底的襯底托盤，和用以收納襯底托盤的冷卻體。舉例來說，襯底可容納在襯底托盤上方并與襯底托盤直接接觸，且襯底托盤可容納在冷卻體上方并任選地與冷卻體直接接觸。系統可包括:第一溫度控制元件，其被配置用來控制襯底托盤的溫度， 和第二溫度控制元件，其被配置用來控制冷卻體的溫度。第一溫度控制元件和第二溫度控制元件可被獨立地控制。舉例來說，襯底托盤的溫度可相對于冷卻體的溫度被獨立地控制。 在一些實施方案中，襯底托盤和冷卻體可具有不同的溫度設定點，其使用熱電偶和加熱元件和/或冷卻元件的單獨集合來維持，不同的集合用于襯底托盤和冷卻體中的每一者。在一些實施方案中，冷卻體包括冷卻元件，而襯底托盤不包括冷卻元件。
[0016]應了解，襯底托盤的加熱元件可加熱托盤和那個托盤上的襯底，而冷卻體提供用于從襯底托盤傳遞熱的出口，進而冷卻襯底。優選地，冷卻體的質量基本上大于襯底托盤的質量。在一些實施方案中，冷卻體的質量與襯底托盤的質量的比是約20:1或更高，包括約10:1至約50:1，或約10:1至約30:1。在一些實施方案中，冷卻體的質量與襯底托盤的質量的比可以是約19:1。襯底托盤可因為其相對低的質量而被迅速加熱，而冷卻體的相對高質量允許托盤通過在托盤與冷卻體之間進行熱接觸后將熱傳遞至冷卻體而迅速冷卻。因此，可實現托盤上的襯底的快速加熱和冷卻。溫度之間的此快速循環可提供用于預清洗襯底，以及實現針對氧化物的去除的高選擇度的優點，如本文中所論述。
[0017]在一些實施方案中，冷卻體可相對于襯底托盤移動以加熱和冷卻托盤。舉例來說， 冷卻體可移動遠離襯底托盤以加熱托盤(使得分離防止或減少從托盤到冷卻體的熱損失)。 可通過使襯底托盤與冷卻體彼此直接接觸(使得將熱從托盤傳遞至冷卻體)來實現冷卻。
[0018]在一些其它實施方案中，托盤附接至冷卻體。在此布置中，可通過向那個托盤的加熱元件提供或增加熱力來加熱托盤，而可通過停止或減少傳至托盤的加熱元件的熱力來冷卻托盤。整個過程中，冷卻體可維持在比托盤低的溫度并充當與托盤接觸的散熱器。
[0019]如本文中所論述，由襯底托盤和冷卻體提供的熱循環可有利地應用于預清洗襯底。在一些實施方案中，用于集成電路制造的工藝包括預清洗襯底表面以從表面去除氧化物材料。氧化物材料可包括形成在表面上的包括硅和/或鍺的原生氧化物材料，包括例如硅的氧化物、鍺的氧化物，和/或鍺和硅的氧化物(例如，氧化硅、氧化鍺、硅鍺氧化物)。預清洗材料的沉積和預清洗材料的隨后的揮發可有利地使氧化物材料從襯底表面去除。
[0020]在不受理論限制的情況下，相信為了形成預清洗材料，在預清洗工藝期間流入至反應腔室中的反應物質可與襯底表面上的不需要的材料以化學方式相互作用。在一些實施方案中，預清洗材料可包括從反應物質與襯底表面氧化物材料之間的化學反應和/或反應物質本身之間的化學反應產生的一種或多種成分。舉例來說，預清洗工藝可使用包括鹵素的反應氣體，使得含有鹵素的反應氣體與襯底表面氧化硅發生化學反應以形成包括鹵素和硅的含有鹵素的預清洗材料，其隨后可升華，進而去除氧化硅。在一些實施方案中，反應氣體還可包括含有氫的氣體(例如，氨氣)。在一些實施方案中，反應氣體還可包括運載氣體 (例如，惰性氣體)。[0021 ]在一些實施方案中，可應用本文中描述的一個或多個設備和工藝以在同一反應腔室中形成預清洗材料并隨后去除預清洗材料。應了解，預清洗材料可在比反應腔室的環境溫度高(例如，比室溫高)的溫度下形成。在一些實施方案中，冷卻體可以處于比環境溫度高的溫度以促進建立用于在襯底上形成預清洗材料的適當溫度。因此，可在預清洗材料的形成期間將熱施加至冷卻體，同時不將熱或僅將少量熱施加至襯底托盤。舉例來說，在預清洗材料的形成期間，可接通親合至冷卻體的加熱元件，同時將親合至襯底托盤的加熱元件設定為相對低的電平或切斷。在一些其它實施方案中，在預清洗材料的形成期間不接通耦合至冷卻體的加熱元件。在一些實施方案中，在預清洗材料的形成期間接通親合至冷卻體的加熱元件和冷卻元件兩者來調節冷卻體的溫度。
[0022]在一些實施方案中，通過使預清洗材料揮發(諸如通過使材料升華)來實現去除。 在一些實施方案中，將熱施加至襯底托盤以將襯底加熱至預清洗材料的升華溫度并進而促進預清洗材料的期望的升華。舉例來說，在升華期間可接通或調高耦合至襯底托盤的加熱元件，同時將冷卻體的溫度設定點維持在比襯底托盤低的值。在一些實施方案中，冷卻體的溫度設定點可以比襯底托盤的用于升華的溫度設定點低約75°C或更多，或約100°C或更多， 或約150°C或更多，或約200°C或更多。舉例來說，可將襯底托盤加熱至一溫度，使得襯底處于高達約400°C的溫度。在一些實施方案中，襯底托盤與冷卻體在預清洗材料的升華期間彼此接觸。在此類實施方案中，一些熱可損失至冷卻體。然而，盡管如此，襯底的快速加熱可因為襯底托盤的低質量和加熱元件與襯底的接近(因為加熱元件是襯底托盤的一部分或緊鄰襯底托盤)而實現。施加至襯底托盤的熱可在期望的升華之后中斷或減少，且襯底托盤與冷卻體之間的接觸可促進襯底托盤的隨后的冷卻。
[0023]在一些實施方案中，冷卻體和襯底托盤可在預清洗材料的形成期間彼此接觸，且隨后在預清洗材料形成之后分離(例如，移動冷卻體使得冷卻體與襯底托盤隔開)。舉例來說，冷卻體和襯底托盤可在預清洗材料的升華之前彼此隔開，且接著在分離之后被加熱至升華溫度。在一些實施方案中，在期望的升華之后移動冷卻體，使得在實現期望的升華之后使冷卻體與襯底托盤接觸。
[0024]在一些實施方案中，預清洗工藝包括一個或多個循環，其中每個循環包括沉積預清洗材料和隨后去除預清洗材料。在一些實施方案中，在同一反應腔室內執行一個或多個循環而不將襯底轉移至不同腔室。在單個反應腔室中執行一個或多個循環可促進生產量增大。包括一個以上循環的預清洗工藝可有利地示范極高的選擇度。舉例來說，與預清洗工藝的單個循環的選擇度性能相比，已發現預清洗工藝的第二循環和/或其它后續循環示范從襯底表面去除氧化硅相對于從襯底表面去除另一材料(諸如氮化硅)的選擇度顯著更高。包括沉積和去除預清洗材料的多個循環的預清洗工藝可促進氧化物材料去除同時維持期望的低缺陷數，包括襯底表面上的一個或多個特征的不需要的阻塞和/或過度蝕刻。
[0025]在一些實施方案中，通過在第一反應腔室中完成預清洗工藝來提供用于稍后沉積目標材料的高質量表面，隨后將襯底轉移至第二腔室以在襯底上形成目標材料。在一些實施方案中，目標材料是導電材料。導電材料可包括而不限于含有半導體的材料(例如，含有硅的材料)、含有金屬的材料，或其組合。如本文中所使用，目標材料是被沉積以直接與預清洗的襯底表面接觸的材料。另外，去除預清洗材料可包括從襯底去除預清洗材料的一部分或全部。在一些實施方案中，被去除氧化物材料的襯底可被圖案化(例如，在其表面上具有凹入圖案，諸如溝槽)。在一些實施方案中，襯底可包括暴露的電子裝置(例如，晶體管結構)。
[0026]在一些實施方案中，第二反應腔室可以是外延沉積腔室且目標材料可以是單晶硅。舉例來說，可通過使預清洗材料在第一反應腔室中升華而將其從襯底表面去除以提供預清洗的襯底表面，且隨后可在第二反應腔室中對預清洗的襯底表面執行硅的外延生長以在襯底上形成單晶硅層。
[0027]在與隨后在清洗的襯底上形成目標材料的反應腔室不同的反應腔室中去除預清洗材料可有利地提供在沒有或基本上沒有污染物的反應空間中形成目標材料，污染物可由預清洗材料工藝產生。舉例來說，在隨后形成目標材料的同一反應腔室中去除預清洗材料可促進減少缺陷數和/或改進電性能。
[0028]現在將參看圖式，其中相似數字在所有圖式中指相似特征。
[0029]圖1示出根據一些實施方案的用于預清洗襯底的表面的預清洗系統100的示意圖。 預清洗系統100可包括反應腔室102、反應氣體源104、等離子體單元106和控制單元108。反應腔室102可被配置用來執行預清洗工藝且可包括用以收納襯底的反應空間。反應氣體源 104可被配置用來供應用于預清洗工藝的反應氣體的一種或多種成分。舉例來說，反應氣體源104可包括一個或多個容器，每個容器含有反應氣體或反應氣體的成分。等離子體單元 104可包括被配置用來激活反應氣體的一種或多種成分的等離子體產生器。在一些實施方案中，等離子體單元106包括遠程等離子體單元。反應氣體源104可與等離子體單元106流體連通，使得反應氣體的一種或多種成分可在被引入至反應腔室102中之前由等離子體單元 106激活。反應腔室102可與反應氣體源104和等離子體單元106中的任一者或兩者流體連通。反應氣體的激活的和/或未激活的成分可流入至反應腔室102中。舉例來說，激活的和未激活的反應氣體成分可同時或按順序流入至反應腔室102中。控制單元108可被配置用來控制預清洗工藝的一個或多個參數。在一些實施方案中，控制單元108可與反應腔室102、反應氣體源104和等離子體單元106中的一個或多個電通信。舉例來說，控制單元108可與等離子體單元106通信以控制等離子體單元106的操作功率，與反應氣體源104通信以控制來自反應氣體源104的反應氣體的流量，和/或與反應腔室102通信以控制一個或多個工藝條件。
[0030]在一些實施方案中，反應腔室102可通過輸送管110與遠程等離子體單元106流體連通。輸送管110可被配置用來經由反應腔室102的反應腔室氣體入口將反應氣體遞送至反應腔室102中(例如，包括含有氫的氣體、含有氟的氣體和/或運載氣體的反應氣體)。在一些實施方案中，輸送管110可包括輸送管氣體入口，其被配置用來允許將反應氣體的沒被遠程等離子體單元激活的一種或多種成分引入至反應腔室中。輸送管110氣體入口可定位成靠近反應腔室氣體入口，或在輸送管110上的另一合適位置處。在一些實施方案中，輸送管110 的至少一部分可維持在期望的溫度。舉例來說，可將輸送管110的一部分加熱(例如，至約60 °C至約115 °C的溫度，包括約80 °C至約115 °C )，包括輸送管110的鄰近和/或環繞輸送管氣體入口與反應腔室氣體入口之間的部分的部分。在一些實施方案中，輸送管110的整個長度或基本上整個長度維持在期望的溫度(例如，加熱至約30°C至約120°C的溫度)。
[0031]在一些實施方案中，可通過使用加熱器夾套(例如，用加熱器夾套覆蓋輸送管110 的外表面的至少一部分)和/或材料涂層(例如，用材料涂層，諸如包括鋁(包括熱解氧化鋁) 的材料涂層涂布輸送管110的外表面的至少一部分)來將輸送管110的至少一部分維持在期望的溫度。在一些實施方案中，可使用沿著輸送管110放置在一個或多個位置處的一個或多個熱電偶來監測輸送管110的溫度。沿著輸送管110的加熱部分的溫度可以是或可以不是均勻的。在一些實施方案中，沿著輸送管110的加熱部分的溫度可以維持在一個或基本上一個期望的溫度。在一些實施方案中，輸送管110的一個加熱部分的溫度可與輸送管110的另一加熱部分的溫度顯著不同。
[0032]在一些實施方案中，反應氣體的一種或多種成分，諸如運載氣體(例如，惰性氣體， 諸如氬氣)和含有氟的氣體(例如，三氟化氮)可通過流動通過遠程等離子體單元106而被激活。在一些實施方案中，可在遠程等離子體單元106下游的沿著輸送管110的位置處經由輸送管氣體入口引入反應氣體的沒被遠程等離子體單元106激活的一種或多種組分，包括例如含有氫的氣體，諸如氨氣。可加熱輸送管110的靠近輸送管氣體入口的部分和/或輸送管氣體入口本身，使得可在期望的溫度下將反應氣體的未激活的成分中的一個或多個(諸如未激活的氨氣)遞送至反應腔室102中。
[0033]圖2A示出被配置用來執行本文中描述的預清洗工藝的至少一部分的反應器200的實例的示意圖。在一些實施方案中，將預清洗材料沉積至襯底表面上并去除沉積的預清洗材料可在反應器200的反應腔室201內執行。反應腔室201可以是預清洗系統的一部分，且可對應于圖1的反應腔室102。在一些實施方案中，反應腔室201可以是多腔室處理系統的一部分，使得由反應腔室201處理的襯底可轉移至第二反應腔室而不會或基本上不會暴露于環境空氣。舉例來說，反應腔室201可以是群集工具系統的一部分。在一些其它實施方案中，反應腔室201可以是獨立腔室而不是多腔室處理系統的一部分。[〇〇34] 繼續參看圖2A，反應器200可包括反應腔室201內的襯底托盤206。襯底托盤206可被配置用來收納襯底(例如，晶片，包括300mm的晶片)。襯底托盤206可位于冷卻體208上方。 在一些實施方案中，冷卻體208是感受器。如圖2A所示，蓮蓬頭202可位于襯底托盤206上方。 冷卻體208和襯底托盤206可維持在距蓮蓬頭202期望的距離處。蓮蓬頭202(例如，氣體分布板)可在反應腔室201的反應氣體入口的下游。舉例來說，蓮蓬頭202可被配置用來促進改進氣體物質在裝載于襯底托盤206上的襯底上的分布的均勾性。[〇〇35] 參看圖2A，襯底托盤206可具有上表面216和相對的下表面218。襯底可放置在上表面216的至少一部分上方，且相對的下表面218可面向冷卻體208。襯底托盤206的上表面216 可被配置用來收納襯底，例如，具有被配置用來容納襯底的形狀(例如，圓形形狀)和橫向尺寸。舉例來說，上表面216的平面部分可被設計尺寸，使得襯底可沿著那個上表面216的至少一部分位于襯底托盤206上并與襯底托盤206直接接觸。在一些實施方案中，襯底托盤206的上表面216可以是平坦的或基本上平坦的。舉例來說，襯底托盤206的上表面216可形成而沒有任何凸起的邊緣部分。在一些實施方案中，上表面216的平面部分可具有橫向尺寸，其包括超出襯底的對應橫向尺寸的額外裕量，例如以提供襯底的可靠放置和從襯底托盤206的去除。舉例來說，平面部分可包括橫向尺寸，其包括約2mm至約5mm，包括約2mm至約3mm的裕量以提供襯底的可靠放置和從襯底托盤206的去除。在一些實施方案中，襯底可以是300毫米(mm)的晶片且上表面216的平面部分可被設計尺寸以收納300mm的晶片。舉例來說，上表面216的平面部分可具有在300_的晶片的邊緣周圍包括約2.5_的裕量的橫向尺寸(例如， 上表面216的平面部分具有約305mm的橫向尺寸以收納300mm的晶片)。[〇〇36]在一些實施方案中，襯底托盤206可具有提供一個或多個期望的特性的厚度。舉例來說，可選擇襯底托盤206的厚度以提供期望的對襯底的機械支撐、熱保持和/或用于在襯底與冷卻體208之間傳遞熱的熱傳遞性質。在一些實施方案中，襯底托盤206可具有約1mm至約5mm的厚度，包括約1mm至約4mm，包括約3mm。舉例來說，襯底托盤206的與襯底接觸的一部分的厚度可具有約3mm的厚度。[〇〇37]在一些實施方案中，襯底托盤206可具有包括被配置用來收納襯底的凹處(未示出)的上表面。舉例來說，襯底托盤206在被設計尺寸以容納襯底的凹處周圍可具有凸起的邊緣部分。在一些實施方案中，襯底可完全或部分位于凹處內。[〇〇38] 再次參看圖2A，襯底托盤206的下表面218可在冷卻體208的上表面上的凹處214之處與冷卻體208接觸。舉例來說，襯底托盤206的整個或基本上整個下表面218可位于凹處 214內并與冷卻體208的在凹處214內的對應部分直接接觸。
[0039]在一些實施方案中，上表面216是平坦的或平面的，或基本上平坦的或平面的，這可促進增大襯底托盤206與對應的平坦襯底之間的接觸的表面區域。在一些實施方案中，襯底托盤的下表面218和冷卻體的凹處214的表面可以是平坦的或基本上平坦的以促進襯底托盤206與冷卻體208之間的接觸。襯底托盤206與襯底之間的物理接觸可促進襯底托盤206 與襯底之間的期望的熱傳遞，且襯底托盤206與冷卻體208之間的物理接觸可促進襯底托盤 206與冷卻體208之間的期望的熱傳遞(例如，通過傳導進行的熱傳遞)。在一些實施方案中， 增大可在襯底與襯底托盤206之間或襯底托盤206與冷卻體208之間傳遞熱的容易度可促進襯底溫度的快速改變。
[0040]在一些實施方案中，下表面218可具有一個或多個非平面部分(未示出)，其被配置用來實現襯底托盤206與冷卻體208之間的期望的接觸以促進襯底托盤206與冷卻體208之間的期望的熱傳遞。舉例來說，下表面218可具有一個或多個凸起的或凹入的特征，其對應于冷卻體208的上表面上的一個或多個凹入的或凸起的特征以促進襯底托盤206與冷卻體 208之間的期望的表面區域接觸。
[0041]在一些實施方案中，襯底托盤206包括在用于預清洗的條件下和暴露于用于預清洗的化學物質時穩定的各種材料，如本文中所論述。舉例來說，襯底托盤可包括碳化硅。在一些實施方案中，襯底包括氮化鋁。在一些實施方案中，冷卻體(例如，冷卻體208)包括一種或多種導電材料，包括金屬材料。舉例來說，冷卻體可包括鋁。[〇〇42] 如圖2A所示，冷卻體208可包括一個或多個冷卻體溫度控制特征。冷卻體208可包括被配置用來促進冷卻體208的溫度期望地增大的一個或多個加熱元件210,和被配置用來促進冷卻體208的溫度期望地減小的一個或多個冷卻元件212。加熱元件210和冷卻元件212 中的一個或兩個可嵌入在冷卻體208的一個或多個部分內。舉例來說，多個加熱元件210和/ 或多個冷卻元件212可跨越襯底臺208的橫向尺寸分布，以便促進跨越冷卻體208的期望的溫度控制(例如，以跨越冷卻體208的橫向尺寸實現期望的溫度分布，諸如均勻的或非均勻的溫度分布)。在一些實施方案中，加熱元件210和冷卻元件212中的一個或兩個跨越冷卻體的橫向尺寸分布，以便促進多區溫度控制(例如，雙區溫度控制以促進對冷卻體208的中心部分的溫度和冷卻體208的邊緣部分的溫度的控制)。如圖2A所示，加熱元件210和冷卻元件 212兩者可嵌入在襯底臺208的邊緣部分和中心部分的各個位置處或靠近襯底臺208的邊緣部分和中心部分。
[0043]在一些實施方案中，冷卻體加熱元件210包括電阻加熱器。在一些實施方案中，冷卻元件210包括被配置用來向冷卻體208供應冷卻劑的冷卻管線。[〇〇44]如圖2A所示，被配置用來測量冷卻體208的溫度的一個或多個冷卻體熱電偶220可耦合至冷卻體208。舉例來說，一個或多個冷卻體熱電偶220可耦合至冷卻體208的外表面。 在圖2A中。冷卻體熱電偶220示出為耦合至冷卻體208的側表面。在一些實施方案中，冷卻體熱電偶220可耦合至冷卻體208的另一外表面。可選擇冷卻體熱電偶220的放置以提供期望的溫度測量。舉例來說，一個以上冷卻體熱電偶220可耦合在冷卻體208之上或之中的不同位置，使得可在冷卻體208上的各個位置處進行溫度測量(例如，以促進多區溫度測量)。在一些實施方案中，一個或多個冷卻體熱電偶220可嵌入(未示出)在冷卻體208內。舉例來說， 一個或多個冷卻體熱電偶220可嵌入在冷卻體208內各個位置處以促進從冷卻體208內進行期望的溫度測量(例如，以促進多區溫度測量)。[〇〇45]在一些實施方案中，襯底托盤206可包括被配置用來控制襯底托盤206的溫度的一個或多個襯底托盤溫度控制特征。如圖2A所示，一個或多個襯底托盤熱電偶222可耦合至襯底托盤206的表面。圖2A示出耦合至襯底托盤206的側表面的襯底托盤熱電偶222。在一些實施方案中，襯底托盤熱電偶222可親合至襯底托盤206的另一外表面。舉例來說，一個以上襯底托盤熱電偶222可耦合在沿著襯底托盤206的一個或多個外表面的不同位置處，使得可在襯底托盤206上的各個位置處進行溫度測量(例如，以促進多區溫度測量)。在一些實施方案中，一個或多個襯底托盤熱電偶222可嵌入(未不出)在襯底托盤206內。舉例來說，一個或多個襯底托盤熱電偶222可嵌入在襯底托盤206內各個位置處以促進從襯底托盤206內進行期望的溫度測量(例如，以促進多區溫度測量)。[〇〇46]圖2B是襯底托盤206的實例的示意圖。襯底托盤206可包括側面外表面上的熱電偶 222。如圖2B所示，在一些實施方案中，襯底托盤206還可包括一個或多個加熱元件230。 [〇〇47]在一些實施方案中，一個或多個襯底托盤加熱元件230可附接至襯底托盤206的一個或多個外表面。舉例來說，一個或多個加熱元件230可層壓(例如，結合，和/或物理地緊固)至襯底托盤206的與面向襯底的表面相對的外表面，諸如襯底托盤206的下表面218。一個或多個加熱元件230可層壓至襯底托盤的面向冷卻體的表面。如圖2B所示，在一些實施方案中，一個或多個加熱元件230可層壓至襯底托盤下表面218的各部分上以促進跨越襯底托盤206的橫向尺寸的期望的溫度控制。在一些實施方案中，加熱元件230可跨越襯底托盤206 的下表面218以一圖案分布以促進跨越襯底托盤206的橫向尺寸的期望的溫度分布(例如， 以實現多區溫度控制)。舉例來說，如圖2B所示，多個加熱元件230可附接在下表面218的邊緣部分和中心部分或靠近下表面218的邊緣部分和中心部分以促進襯底托盤206的邊緣部分和中心部分的期望的加熱。在一些實施方案中，跨越襯底托盤206的橫向尺寸在不同位置層壓至襯底托盤206的加熱元件230可被獨立地控制以促進跨越襯底托盤206的橫向尺寸實現期望的溫度分布(例如，施加至襯底托盤的一個部分的熱與施加至襯底托盤的另一部分的熱可不同)。[〇〇48]再次參看圖2B，在一些實施方案中，一個或多個襯底托盤加熱元件230可嵌入在襯底托盤206內。舉例來說，一個或多個加熱元件230可分布在襯底托盤206內各位置處以促進對襯底托盤206的多區溫度控制。舉例來說，多個加熱元件230可嵌入在下表面218的邊緣部分和中心部分處或靠近下表面218的邊緣部分和中心部分以促進襯底托盤206的邊緣部分和中心部分的期望的加熱。在一些實施方案中，跨越襯底托盤206的橫向尺寸嵌入在不同位置的加熱元件230可被獨立地控制以促進跨越襯底托盤206的橫向尺寸實現期望的溫度分布。在一些實施方案中，襯底托盤206可具有嵌入的加熱元件230或在外表面上的加熱元件 230,但不是兩者都有。在一些其它實施方案中，襯底托盤206可包括嵌入的和外部附接的加熱元件230兩者。
[0049]在一些實施方案中，襯底托盤加熱元件230可以是電阻加熱器。在一些實施方案中，襯底托盤加熱元件230包括導電材料，其可以期望的速率加熱至目標溫度同時提供期望的熱穩定性。在一些實施方案中，襯底托盤加熱元件230包括鎢。在一些實施方案中，襯底托盤加熱元件230包括石墨。舉例來說，包括鎢和/或石墨的一個或多個加熱元件230可層壓至襯底托盤的下表面，諸如跨越下表面的各位置處以促進多區溫度控制。在一些實施方案中， 包括鎢和/或石墨的加熱元件230可嵌入在襯底托盤206內。
[0050]在一些實施方案中，襯底托盤206可加熱至升華溫度以促進預清洗材料從襯底表面的期望的升華。舉例來說，襯底托盤206可加熱至約100°C至約500°C的溫度，包括約100°C 至約150°C，約350°C至約500°C和約350°C至約400°C。舉例來說，襯底托盤206可加熱至約 120°C或約380°C的溫度。如上述溫度中明顯的，在一些實施方案中，襯底托盤206可被加熱并在不同時間維持在不同的溫度設定點，以實現預清洗材料的更徹底的升華。舉例來說，托盤206可首先維持在較低溫度設定點且接著被進一步加熱并維持在第二較高的溫度設定點。[0051 ]可獨立于襯底托盤206的溫度控制特征控制冷卻體208的溫度和溫度控制特征。舉例來說，可接通、調高、調低或切斷襯底托盤206的溫度控制特征而不接通、調高、調低或切斷冷卻體208的溫度控制特征。舉例來說，可在預清洗工藝期間獨立于冷卻體208的加熱元件210接通和/或切斷襯底托盤206的一個或多個加熱元件230。在一些實施方案中，可在預清洗工藝期間獨立于與冷卻體208相關聯的任何溫度控制特征(例如，冷卻體208的一個或多個加熱元件210和/或冷卻元件212)的控制而接通襯底托盤206的一個或多個加熱元件 230以促進沉積在襯底表面上的預清洗材料的升華。在一些實施方案中，也可切斷或調低一個或多個加熱元件230,使得襯底可維持在較低溫度以用于預清洗材料的形成。[〇〇52]如本文中所描述，襯底托盤206可與冷卻體208直接接觸。在一些實施方案中，襯底托盤206在預清洗工藝的至少一部分期間(例如，在預清洗材料的沉積期間)保持與冷卻體 208直接接觸。舉例來說，襯底托盤206和冷卻體208在此沉積期間可保持為固定的(例如，彼此直接接觸)。在一些實施方案中，襯底托盤206與冷卻體208在整個預清洗工藝中(包括預清洗材料的沉積和預清洗材料的隨后的升華期間)可保持為固定的并彼此接觸。舉例來說， 耦合至襯底托盤206的一個或多個加熱元件230可在預清洗工藝期間的期望的時段接通，而冷卻體208的一個或多個加熱元件210可能不接通或可提供較低熱度，使得冷卻體208保持相對較冷。在一些實施方案中，襯底托盤206的一個或多個加熱元件230可在預清洗材料的升華期間被激活且隨后可在期望的升華實現后切斷。隨后，襯底托盤206可通過與冷卻體 208接觸，例如因為襯底托盤206與冷卻體208之間的熱傳遞而冷卻。此冷卻通過建立襯底或襯底托盤206的適當的沉積溫度而使襯底或襯底托盤206準備好用于預清洗材料的隨后的沉積。在一些實施方案中，襯底可接著經受預清洗材料的沉積和那個預清洗材料的升華的另一循環。在一些其它實施方案中，可將襯底從反應腔室去除且將另一襯底裝載至反應腔室中以用于另一襯底的預清洗工藝。[〇〇53]應了解，維持固定的襯底托盤206和冷卻體208可有利地促進生產量增大，和/或制造成本降低。舉例來說，在不必移動襯底托盤206和冷卻體208的情況下執行預清洗工藝可促進較短處理時間(例如，包括用于包括多個循環的預清洗工藝)、簡化的反應腔室硬件組件，和/或降低的設備維護成本。[〇〇54]在一些實施方案中，襯底托盤206和冷卻體208中的一個或兩個可相對于彼此移動。在一些實施方案中，襯底托盤206保持固定，而冷卻體208相對于襯底托盤206移動。舉例來說，冷卻體208可移動遠離襯底托盤206以用于預清洗材料的升華且隨后可與襯底托盤 206接觸以在期望的升華實現之后冷卻襯底。在加熱襯底托盤206的同時使冷卻體208與襯底托盤206隔開可促進襯底托盤206的快速加熱(例如，因為使用通過襯底托盤206的加熱元件產生的熱來加熱襯底托盤206而不加熱冷卻體208)，而冷卻體208可維持在顯著較冷的溫度。襯底托盤206與顯著較冷的冷卻體208之間的隨后的接觸可通過將熱從襯底托盤206傳遞至冷卻體208而促進襯底托盤206的快速冷卻。[〇〇55]在一些實施方案中，冷卻體208可具有顯著高于襯底托盤206的質量的質量。在不受任何特定理論或操作模式限制的情況下，此冷卻體208可促進襯底托盤206的快速加熱和冷卻。舉例來說，具有足夠大的質量的冷卻體208可促進在襯底托盤206的加熱期間，包括在冷卻體208與加熱的襯底托盤206接觸時將冷卻體208的溫度維持在足夠冷的溫度。加熱的襯底托盤206與維持在期望的低溫的冷卻體208的直接接觸可例如在襯底托盤206的一個或多個加熱元件230切斷之后促進襯底托盤206隨后以期望的速率冷卻。[〇〇56]在一些實施方案中，冷卻體208的質量相對于襯底托盤206的質量足夠大以促進將冷卻體208的溫度維持在用于沉積預清洗材料的溫度。優選地，冷卻體208的溫度在襯底托盤206的加熱期間，包括冷卻體與加熱的襯底托盤206接觸時不展現顯著改變。舉例來說，與襯底托盤206直接接觸的冷卻體208的大塊溫度在襯底托盤206的加熱期間和/或在襯底托盤206的加熱停止之后可保持不變或基本上不變。在一些實施方案中，冷卻體208可維持在約10 °C至約50°C的溫度，包括約15°C至約30°C，約25°C至約30°C。舉例來說，當加熱襯底托盤206時，冷卻體208可維持在約10 °C至約15 °C的溫度。[〇〇57]在一些實施方案中，冷卻體208的質量與襯底托盤206的質量的比可以在約10:1至約60:1之間，包括約10:1至約40:1，約15:1至約30:1，或約15:1至約25:1。舉例來說，襯底托盤206與冷卻體208的質量的比可以是約1:20。[〇〇58]圖3A至圖3C示出冷卻體208相對于襯底托盤206的移動的實例。圖3A示出包括襯底302在襯底托盤206上方且襯底托盤206在冷卻體208上方的配置350。如圖3A所示，襯底302 可在襯底托盤206上并與襯底托盤206直接接觸，且襯底托盤206可在冷卻體208上并與冷卻體208直接接觸。根據圖3A，襯底托盤206在上表面可包括被配置用來收納襯底302的凹處 310。襯底302可沿著襯底托盤206的上表面在凹處310內的一部分與襯底托盤206直接接觸。 如本文中所描述，在一些實施方案中，襯底托盤206在上表面可能沒有用來收納襯底的凹處。舉例來說，襯底托盤206可包括平坦的上表面，襯底302可放置在平坦的上表面上。在一些實施方案中，襯底302與襯底托盤206之間的直接接觸可促進其之間的熱傳遞，并進而促進對襯底302的期望的溫度控制。[〇〇59]如圖3A所示，冷卻體208在上表面可具有用來收納襯底托盤206的凹處214。凹處 214可被設計形狀和/或尺寸使得襯底托盤206與冷卻體208的上表面在凹處214內的一部分直接接觸。襯底托盤206與冷卻體208之間的直接接觸可促進其之間的熱傳遞，并進而促進對襯底托盤206的期望的溫度控制。
[0060]參看圖3A，多個支撐元件308可用以支撐襯底托盤206。支撐元件308可沿著襯底托盤206的下表面設置在跨越下表面的位置處(例如，耦合至襯底托盤206的下表面)以促進將襯底托盤206維持在期望的位置。舉例來說，支撐元件308可將襯底托盤206維持在期望的位置，而冷卻體208相對于襯底托盤206移動。在一些實施方案中，襯底托盤206可親合至比圖示的更少或更多的支撐元件308(例如，三個或四個支撐元件308)。在一些實施方案中，與一個或多個襯底托盤加熱元件230的連接可延伸穿過一個或多個支撐元件308。[〇〇61 ] 圖3B示出包括冷卻體208與襯底托盤206相距一距離使得襯底托盤206與冷卻體 208彼此不直接接觸的配置360。舉例來說，冷卻體208可相對于襯底托盤206下降以將冷卻體208與襯底托盤206分離。在一些實施方案中，一個或多個定位元件(未示出)可耦合至冷卻體208和/或襯底托盤206且被配置用來使冷卻體208和/或襯底托盤206移動。舉例來說， 一個或多個定位元件可耦合至冷卻體208且可被配置用來響應于從控制單元108 (圖1)接收一個或多個控制信號而使冷卻體208下降。在一些實施方案中，將冷卻體208與襯底托盤206 分離可促進對襯底托盤206的期望的加熱。[〇〇62]在一些實施方案中，冷卻體208可在激活襯底托盤206的一個或多個加熱元件230 之前(例如，緊鄰其之前)、之時和/或之后(例如，緊接其之后)移動遠離襯底托盤206,進而允許相對迅速地將襯底托盤206加熱至較高溫度。在一些實施方案中，冷卻體208可在預清洗材料沉積至襯底表面上期間與襯底托盤206直接接觸，且冷卻體208可隨后在預清洗材料的沉積完成之后下降并與襯底托盤206分離。舉例來說，冷卻體208可緊鄰在起始用于使預清洗材料從襯底表面升華的工藝之前(例如，緊鄰其之前)、在所述工藝期間和/或之后(例如，緊接其之后)下降。在一些實施方案中，冷卻體208在用于使預清洗材料升華的整個或基本上整個工藝期間可在與襯底托盤206相距一距離處且不與襯底托盤206直接接觸。在一些實施方案中，冷卻體加熱元件210在預清洗材料的升華期間不接通。舉例來說，可獨立于冷卻體208的溫度控制襯底托盤206的溫度。[〇〇63] 參看圖3C，配置370示出冷卻體208與襯底托盤206接觸。在襯底托盤206下方一距離處的冷卻體208可上升以使冷卻體208與襯底托盤206接觸，進而冷卻襯底托盤。舉例來說，在下降之后，冷卻體208可上升使得冷卻體208再次與襯底托盤206直接接觸。在一些實施方案中，親合至冷卻體208的一個或多個定位元件可被配置用來響應于從控制單元接收一個或多個控制信號而使冷卻體208上升。[〇〇64]如本文中所描述，冷卻體208在預清洗材料的升華期間可位于遠離襯底托盤206的一距離處。在一些實施方案中，冷卻體208可隨后在期望的升華實現之后上升。舉例來說，一個或多個襯底托盤加熱元件230可在期望的升華完成之后切斷，且冷卻體208可在一個或多個襯底托盤加熱元件230切斷之前(例如，緊鄰其之前)、期間或之后(例如，緊接其之后)上升而與襯底托盤206接觸。在一些實施方案中，冷卻體208維持在比襯底托盤206的溫度低的溫度。在一些實施方案中，在升華工藝期間，冷卻體208可維持在顯著低于襯底托盤206的溫度的溫度。舉例來說，在升華工藝期間，冷卻體208可維持在約20 °C至約30 °C的溫度，包括約 20°C至約25°C。在一些實施方案中，在升華工藝期間，可將襯底托盤206加熱至約100°C至約 150°C，或約350°C至約400°C的溫度。使相對較冷的冷卻體208與襯底托盤206接觸可促進襯底托盤206與冷卻體208之間的熱傳遞，從而促進襯底托盤206的期望的冷卻。[〇〇65]在一些實施方案中，襯底托盤206和/或冷卻體208的移動和/或移動時序可由控制單元(例如，如參看圖1描述的控制單元108)控制。舉例來說，控制單元可與反應腔室(例如， 耦合至反應腔室內的冷卻體的一個或多個定位元件，諸如參看圖1描述的反應腔室102)通信且可被配置(例如，被編程)以起始傳達至反應腔室的一個或多個控制信號，其用于控制冷卻體208何時和如何移動(例如，上升還是下降)。在一些實施方案中，控制單元可起始傳達至反應腔室的一個或多個控制信號，其用于控制襯底托盤206的溫度控制元件中的一個或多個和/或冷卻體208的溫度控制元件中的一個或多個。
[0066]在一些實施方案中，可應用圖2和圖3的設備以執行包括多個循環的預清洗工藝， 預清洗工藝的每個循環包括將預清洗材料沉積在襯底表面上和沉積的預清洗材料的升華。 舉例來說，包括多個循環的預清洗工藝可用以實現期望的氧化物材料去除，而不是包括單個循環的預清洗工藝用以實現期望的氧化物材料去除。舉例來說，多個循環中的每個循環可被配置用來去除表面氧化物材料的僅期望的一部分。在一些實施方案中，可在同一反應腔室(例如，圖2A的反應腔室201)中執行多個循環。在一些實施方案中，預清洗工藝的循環的一個或多個參數可與預清洗工藝的另一循環的參數不同。在一些實施方案中，預清洗工藝可包括多個循環，其中多個循環中的每一者包括類似的或相同的參數。在一些實施方案中，預清洗工藝可包括約2個至約20個循環，包括約2個至約5個循環。在一些其它實施方案中，預清洗工藝包括單個循環。[〇〇67]在一些實施方案中，多個循環中的至少一個循環可包括冷卻體208的移動。舉例來說，冷卻體208可與襯底托盤206接觸。在一些實施方案中，冷卻體208在多個循環中的每個循環期間下降和上升。在一些實施方案中，冷卻體208在整個預清洗工藝中是固定的。舉例來說，冷卻體208在多個循環中的所有每一者中是固定的且與襯底托盤206保持直接接觸。 在一些實施方案中，襯底托盤206和冷卻體208在預清洗工藝期間都不移動。
[0068]在一些實施方案中，襯底表面可包括將通過預清洗工藝去除的氮化硅材料(例如， 用于在襯底表面上形成各種電子裝置的氮化硅材料，包括用于電子裝置的間隔物特征)和氧化物材料(例如，氧化硅、氧化鍺、硅鍺氧化物)。在一些實施方案中，可選擇性地將氧化物材料相對于襯底表面上的氮化硅材料以大于約7:1的選擇度去除。在一些實施方案中，用于將氧化物相對于氮化硅去除的預清洗工藝的選擇度可以是約6:1至約150:1。舉例來說，選擇度可以是約6:1至約60:1，或約7:1至約15:1，包括約8:1至約15:1或約8:1至約12:1。
[0069]已發現預清洗工藝的第一循環的選擇度可顯著不同于預清洗工藝的隨后循環的選擇度(例如，將襯底表面氧化物，諸如包括硅和/或鍺的表面氧化物相對于襯底表面上的另一材料，諸如氮化硅材料去除的選擇度)。在一些實施方案中，預清洗工藝的隨后的循環可有利地示范與預清洗工藝的第一循環相比顯著較高的選擇度。在一些實施方案中，預清洗工藝的第二循環可示范選擇性地將襯底表面氧化物材料相對于襯底表面上的氮化硅以約30:1至約150:1，約60:1至約150:1，或約60:1至約100:1的選擇度去除。包括較大循環數目的預清洗工藝可促進甚至更高的選擇度性能。
[0070]在一些實施方案中，包括多個循環的預清洗工藝可促進表面氧化物材料的期望的去除，同時維持期望的低缺陷數。在不受任何特定理論或操作模式限制的情況下，隨著特征大小繼續縮小，預清洗材料在襯底表面上的形成可促成特征的阻塞(例如，溝槽特征的阻塞)，進而阻礙預清洗材料的隨后的升華和/或從阻塞的特征內去除氧化物材料。另外，在不受任何特定理論或操作模式限制的情況下，隨著特征大小繼續縮小且縱橫比增大，特征上表面可在預清洗工藝期間經歷過度暴露于預清洗化學品以實現特征內(例如，在溝槽底部部分)的期望的氧化物去除。通過執行包括沉積和升華預清洗材料的多個循環(例如，每個循環具有較短持續時間)的預清洗工藝而去除氧化物材料可促進氧化物材料的期望的去除，同時減少襯底表面特征的阻塞和/或減少特征上表面對預清洗化學品的過度暴露(例如，與包括單個較長循環的預清洗工藝相比)。
[0071]圖4示出用于預清洗襯底表面的工藝400的實例。在一些實施方案中，可在單個反應腔室(例如，如參看圖2A描述的反應器200)中執行工藝400。在方框402中，將襯底放置在位于冷卻體上方的襯底托盤上。舉例來說，可將襯底放置成與襯底托盤直接接觸。在方框 404中，可將預清洗材料(諸如含有鹵素的材料)沉積至襯底表面上。在一些實施方案中，可通過將襯底表面上的氧化物暴露于預清洗工藝的反應氣體來形成含有鹵素的材料。舉例來說，含有鹵素的材料可包括從反應氣體與氧化物材料之間的相互作用產生的一個或多個產物，包括氧化物材料，其包括硅和/或鍺。應了解，在方框404處，將襯底的溫度維持在相對低的水平。舉例來說，襯底所位于的襯底托盤可與冷卻體直接接觸，且襯底托盤的加熱元件可切斷或僅在低電平下提供熱，如本文中所論述。[〇〇72]在方框406中，可通過獨立于冷卻體的溫度控制襯底托盤的溫度來使預清洗材料升華。可加熱襯底托盤以促進襯底的加熱，同時將冷卻體的溫度維持在較低水平。舉例來說，可接通耦合至襯底托盤的一個或多個加熱元件而不類似地向冷卻體的加熱元件增大電力。在一些實施方案中，如本文中所論述，可使襯底托盤與冷卻體分離以進一步促進那個托盤的加熱。
[0073]繼續參看圖4,預清洗材料的升華可促進襯底表面上的氧化物材料的去除。可隨后在預清洗的襯底表面上形成目標材料。在一些實施方案中，在第二反應腔室中在預清洗的表面上形成目標材料。在一些實施方案中，目標材料可以是外延層，諸如外延娃層。在一些實施方案中，將目標材料沉積在與用于預清洗的反應腔室不同的反應腔室中。[〇〇74]如圖4所示，在一些實施方案中，預清洗工藝400可包括多個循環408,其中每個循環408包括方框404和406。舉例來說，預清洗工藝400可包括重復方框404和406期望的次數以實現氧化物從襯底表面的期望的去除。在一些實施方案中，包括方框404隨后是方框406 的每個循環408僅去除氧化物材料的一部分，多個循環被配置用來去除或基本上去除氧化物材料。
[0075]可如本文中所描述執行預清洗工藝400的多個循環408中的一個或多個。舉例來說，可如本文中所描述選擇循環的反應氣體(例如，反應氣體的各種組分的濃度、反應氣體的一種或多種組分的激活和/或預加熱)，和/或一個或多個工藝參數(例如，預清洗材料的形成和/或升華期間的襯底溫度)。在一些實施方案中，預清洗工藝中的循環的反應氣體和/ 或一個或多個工藝參數可與另一循環的反應氣體和/或工藝參數相同或不同。
[0076]用于形成預清洗工藝的含有鹵素的材料的反應氣體的組成可包括一種或多種運載氣體。合適的運載氣體可包括任何數目種惰性氣體。在一些實施方案中，運載氣體可包括氬氣(Ar)。在一些實施方案中，反應氣體還可包括含有鹵素的氣體。舉例來說，含有鹵素的氣體可以是含有氟的氣體。合適的含有氟的氣體可包括而不限于三氟化氮(NF3)、氟化氫 (HF)和/或雙原子氟(F2)。在一些實施方案中，反應氣體還可包括含有氫的氣體。合適的含有氫的氣體可包括例如氨氣(NH3)。
[0077]如本文中所描述，預清洗材料可包括由反應氣體與襯底表面氧化物(包括氧化硅和氧化鍺)的反應形成的一種或多種成分。舉例來說，包括氨氣的反應氣體和一個或多個含有氟的化合物可與氧化硅發生化學反應以產生水蒸汽，以及包括氮氣、氫氣和硅的預清洗材料。在一些實施方案中，氨氣和三氟化氮、氟化氫和/或氟可與氧化硅反應以提供包括六氟硅酸銨((NH4)2SiF6)的預清洗材料。在一些實施方案中，預清洗材料可包括例如氟化銨 (NH4F)和/或氟化氫銨(NH4HF2)。
[0078]在不受任何特定理論或操作模式限制的情況下，相信可在來自反應氣體的含有鹵素的組分(例如，NF3、HF和/或F2)的氟(F)原子與氨氣(服3)反應以形成氟化氫(HF)時形成氟化銨(NH4F)，氟化氫(HF)可與氨氣(NH3)結合以形成氟化銨(NH4F)。在一些實施方案中，氟化銨可通過分解并與氧化硅反應以形成四氟化硅(SiF4)和水蒸汽(H20)來去除氧化硅，且四氟化硅(SiF4)可與NH4F結合以形成六氟硅酸銨((NH4)2SiF6)，六氟硅酸銨((NH4)2SiF6)在襯底表面上形成薄膜層。舉例來說，氟化銨的電負性氟(F)可被吸引至氧化硅的相對更電正性的硅(Si )，而銨(NH4+)可被吸引至氧化硅的氧(0)。在一些實施方案中，可通過加熱襯底來使包括六氟硅酸銨((NH4)2SiF6)的預清洗材料分解和/或揮發，例如分解以形成四氟化物 (SiF4)、氨氣(NH3)和/或氟化氫(HF)。在一些實施方案中，表面氧化物包括氧化鍺且預清洗材料包括六氟鍺酸銨((NH4)2GeF6)，使得通過加熱襯底來使六氟鍺酸銨揮發和/或分解。
[0079]在一些實施方案中，在預清洗材料的形成期間，包括例如當襯底表面暴露于預清洗工藝的反應氣體時，襯底可維持在期望的溫度。在一些實施方案中，在預清洗材料的形成期間，襯底可維持在反應氣體的冷凝溫度以上的溫度。舉例來說，襯底可維持在比約15°C 大，或在一些實施方案中比約20°C大的溫度。在一些實施方案中，襯底可維持在約15°C至約 50°C的溫度，包括約15°C至約30°C，約25°C至約30°C。舉例來說，襯底可維持在約22°C至約 28°C的溫度，這可促進將襯底表面上的氧化硅和/或氧化鍺相對于氮化硅材料去除的高選擇度。
[0080]可使用各種技術去除(例如，分解和/或揮發)預清洗材料。在一些實施方案中，可通過將襯底加熱至預清洗材料的成分的升華溫度附近、之處或以上的溫度來去除預清洗材料。舉例來說，可在促進預清洗材料的升華的條件下將襯底加熱至約80°C至約500°C的溫度，包括約80 °C至約150 °C，約300 °C至約500 °C，和約300 °C至約400 °C。舉例來說，可將襯底加熱至約120°C或約380°C的溫度以導致六氟硅酸銨((NH4)2SiF6)和/或六氟鍺酸銨((NH4) 2GeF6)的升華。
[0081]應了解，可通過加熱襯底所位于的襯底托盤，和冷卻那個襯底托盤或從那個襯底托盤傳遞熱來調節襯底的溫度。還應了解，可通過用于向襯底提供能量的其它方法來加強襯底的加熱。舉例來說，預清洗材料可暴露于由遠程等離子體源激活的氣體物質。在一些實施方案中，由遠程等離子體源激活的物質可與預清洗材料的一種或多種成分相互作用以形成揮發性物質，其可例如從襯底表面去除。在一些實施方案中，氣體物質可以是惰性氣體物質(例如，Ar、N2、He等)。
[0082]在一些實施方案中，含有鹵素的預清洗材料可暴露于加熱的氣體(例如，加熱的惰性氣體)以促進預清洗材料的去除。可將氣體加熱至足以將預清洗材料加熱至導致預清洗材料的至少一部分進入汽相的溫度的溫度。舉例來說，溫度可大于約80 °C，約100°C，約120 。(:，或約150°C。在一些實施方案中，溫度可大于約300°C，約350°C，約400°C和約450°C。
[0083]在一些實施方案中，預清洗材料可暴露于紫外線(UV)和/或紅外線(IR)輻射以促進預清洗材料的去除。舉例來說，UV和/或IR輻射可提供導致預清洗材料的至少一部分進入汽相的能量。
[0084]在一些實施方案中，使預清洗材料暴露于由遠程等離子體源激活的氣體物質、加熱的反應氣體和/或紫外線輻射可降低反應腔室的水分含量。有利地，降低水分含量可促進預清洗材料的升華，這是因為升華可產生h2〇。
[0085]在一些實施方案中，可在將襯底從第一反應腔室(例如，形成預清洗材料的反應腔室)轉移至第二不同的反應腔室(例如，執行后續處理，諸如在襯底上形成目標材料的反應腔室)期間執行預清洗材料的去除。舉例來說，可在將預清洗材料從第一反應腔室轉移至第二反應腔室時將其暴露于紫外線輻射和/或紅外線輻射。
[0086]可通過等離子體源激活預清洗工藝反應氣體的一種或多種組分。舉例來說，可通過遠程等離子體源(例如，遠程等離子體單元，或RPU)來激活反應氣體的一種或多種組分， 諸如通過使一種或多種組分流動通過遠程等離子體源以產生一個或多個激活的反應物質 (例如，產生帶電離子，和/或中性原子和/或原子團)。在一些實施方案中，反應氣體的組分中的至少一者不通過等離子體源激活。
[0087]在一些實施方案中，襯底表面預清洗工藝可包括運載氣體(例如，氬氣)、含有鹵素的氣體，和/或含有氫的氣體(例如，以提供包括含有氬、含有鹵素和/或含有氫的帶電離子、 原子和/或原子團的反應物質)，其中至少一者是等離子體激活的。舉例來說，可通過遠程等離子體源激活包括氬氣(Ar)的反應氣體，諸如使氬氣流動通過遠程等離子體單元。在一些實施方案中，可通過在將含有氟的氣體引入至反應腔室中之前使其流動通過遠程等離子體單元來激活含有氟的氣體。在一些實施方案中，可通過使含有氫的氣體流動通過遠程等離子體單元來激活含有氫的氣體(例如，氨氣)。
[0088]在一些實施方案中，運載氣體、含有鹵素的氣體，和含有氫的氣體中的一個或多個可以不是等離子體激活的。舉例來說，在將襯底表面暴露于反應腔室中的未激活的反應氣體之前，未激活的反應氣體可能不流動通過遠程等離子體源。在一些實施方案中，運載氣體可通過遠程等離子體源激活，而含有齒素的氣體和含有氫的氣體可以不通過遠程等離子體源激活。舉例來說，可將含有氟的氣體和含有氫的氣體引入至反應腔室中而不使氣體流動通過等離子體源。在一些實施方案中，通過遠程等離子體源激活反應氣體的所有組分，包括例如運載氣體、含有鹵素的氣體和含有氫的氣體。
[0089]在一些實施方案中，可將襯底表面同時或基本上同時暴露于激活的反應物質和未激活的反應物質，例如在遞送至反應腔室中之前結合激活的反應物質和未激活的反應物質。在一些實施方案中，可將襯底表面按順序暴露于激活的反應物質和/或未激活的反應物質。舉例來說，可將襯底表面首先暴露于反應氣體的一種或多種組分的激活的反應物質(例如，通過遠程等離子體單元激活)，隨后暴露于反應氣體的一種或多種組分中的另一者的第二激活或未激活的反應物質(例如，未通過遠程等離子體單元激活)。在一些實施方案中，可將襯底表面首先暴露于未激活的反應物質，隨后暴露于激活的反應物質。可選擇暴露順序以提供期望的預清洗工藝性能。舉例來說，可將襯底表面首先暴露于通過遠程等離子體單元激活的運載氣體和含有氟的氣體，隨后暴露于未激活的含有氫的氣體(例如，氨氣)和含有氟的氣體的組合，或首先暴露于未激活的含有氫的氣體且接著暴露于含有氟的氣體。
[0090]在一些實施方案中，未激活的反應氣體在被引入至反應腔室中之前可與通過等離子體源激活的一種或多種反應氣體結合。舉例來說，未激活的反應氣體在被引入至反應腔室中之前可與通過在上述遠程等離子體源下游的遠程等離子體源激活的反應氣體結合。在一些實施方案中，可將反應氣體的組分按順序引入至反應腔室中。舉例來說，可將襯底首先暴露于反應氣體的一種或多種激活的組分，隨后暴露于反應氣體的一種或多種未激活的成分，或反過來也一樣。在一些實施方案中，可將反應氣體的激活的組分和/或未激活的組分本身按順序引入至反應腔室中(例如，首先是反應氣體的激活的組分，隨后是反應氣體的第二激活的組分)。[0091 ]在一些實施方案中，在將激活的運載氣體和未激活的含有鹵素的氣體和未激活的含有氫的氣體引入至反應腔室中之前，通過遠程等離子體源激活的運載氣體(例如，氬氣) 可與在遠程等離子體源下游的位置處的未激活的含有鹵素的氣體(例如，氟化氫、雙原子氟和/或三氟化氮)和未激活的含有氫的氣體(例如，氨氣)結合。在一些實施方案中，在將激活的運載氣體、激活的含有鹵素的氣體和未激活的含有氫的氣體引入至反應腔室中之前，運載氣體(例如，氬氣)與含有鹵素的氣體(例如，氟化氫、雙原子氟和/或三氟化氮)結合且通過遠程等離子體源激活，接著與在遠程等離子體源下游的位置處的未激活的含有氫的氣體 (例如，氨氣)結合。在一些實施方案中，運載氣體(例如，氬氣)、含有鹵素的氣體(例如，氟化氫、雙原子氟和/或三氟化氮)和含有氫的氣體(例如，氨氣)都通過遠程等離子體源激活。舉例來說，可在使運載氣體、含有齒素的氣體和含有氫的氣體流動通過遠程等離子體源之前使這些氣體結合。
[0092]在一些實施方案中，預清洗材料的形成可包括首先將運載氣體(例如，氬氣)和通過遠程等離子體源激活的含有鹵素的氣體(例如，氟化氫、雙原子氟和/或三氟化氮)的組合引入至反應腔室中，隨后將未激活的含有鹵素的氣體(例如，氟化氫)和含有氫的氣體(例如，氨氣)的組合引入至反應腔室中。在一些實施方案中，預清洗材料的形成可包括首先將運載氣體和通過遠程等離子體源激活的含有鹵素的氣體的組合引入至反應腔室中，接著將未激活的含有鹵素的氣體，隨后將未激活的含有氫的氣體的順序流引入至反應腔室中。
[0093]在一些實施方案中，一種或多種工藝可用于從反應腔室去除氣體(例如，可包括過量反應氣體和/或氣態反應副產品的現有反應腔室大氣的去除)。在一些實施方案中，可在反應氣體的組分流入至反應腔室之間使用一種或多種氣體去除工藝。舉例來說，可排空和/ 或清除反應腔室。可在清除工藝中使用各種惰性氣體，包括例如氮氣(N2)、氦氣(He)和/或氬氣(Ar)。在一些實施方案中，可在清除工藝中使用未激活的惰性氣體(例如，未激活的N2、 He 和/或 Ar)。
[0094]預清洗工藝中的氣流順序可包括例如首先將運載氣體(例如，氬氣)和通過遠程等離子體源激活的含有鹵素的氣體(例如，氟化氫、雙原子氟和/或三氟化氮)的組合引入至反應腔室中，隨后是氣體去除工藝，且接著隨后使未激活的含有鹵素的氣體(例如，氟化氫)和含有氫的氣體(例如，氨氣)的組合流入至反應腔室中。
[0095]在一些實施方案中，可在反應氣體開始流入至反應腔室中之前和/或反應氣體停止流入至反應腔室中之后使用氣體去除工藝。在一些實施方案中，可在反應氣體開始流入至反應腔室中之前和/或反應氣體停止流入至反應腔室中之后執行一個或多個清除工藝。 舉例來說，可在反應氣體開始流入至反應腔室中之前，和在一些實施方案中在反應氣體停止流入至反應腔室中之后使一種或多種惰性氣體(例如氬氣，包括未激活的氬氣)流入至反應腔室中。氣流的順序的實例可包括例如執行第一反應腔室清除工藝，其包括使一種或多種惰性氣體流入至反應腔室中，接著將反應氣體的組分引入至反應腔室中。在反應氣體的組分停止流動之后，可執行第二清除工藝，其中第二清除工藝包括使一種或多種惰性氣體流入至反應腔室中以用于清除反應腔室中的反應氣體的過量組分和/或氣態反應副產品。
[0096]在一些實施方案中，清除工藝的一種或多種惰性氣體可在被引入至反應腔室中之前流動通過遠程等離子體單元。清除工藝的一種或多種惰性氣體可以不在遠程等離子體單元內被等離子體激活(例如，一種或多種惰性氣體流動通過遠程等離子體單元可在等離子體不在遠程等離子體單元內點火時發生)。舉例來說，一種或多種惰性氣體可用以清除遠程等離子體單元和/或用于隨后對遠程等離子體單元中的等離子體點火。舉例來說，在不對等離子體點火時使惰性氣體流動通過遠程等離子體單元持續期望的持續時間之后，惰性氣體流動通過遠程等離子體單元可繼續，使得遠程等離子體單元內的等離子體可用流動通過遠程等離子體單元的惰性氣體點火。
[0097]在一些實施方案中，反應氣體的一種或多種組分在被引入至反應腔室中時可維持在期望的溫度。舉例來說，可在將運載氣體、含有鹵素的氣體和含有氫的氣體中的一個或多個引入至反應腔室中以用于形成預清洗材料之前對其加熱。在一些實施方案中，加熱含有氫的氣體。舉例來說，可將含有氫的氣體加熱至約30°C至約120°C的溫度，包括約80°C至約 115°C，約70°C至約110°C，約70°C至約105°C和約70°C至約100°C。預加熱可有利地促進改進的預清洗工藝性能，例如促進預清洗材料的形成。在一些實施方案中，襯底表面預清洗工藝可包括預加熱的氨氣，氨氣被加熱至約80 °C至約115°C的溫度。也可預加熱反應氣體的一種或多種其它組分。[〇〇98]已發現預清洗工藝中的各種反應氣體的比可影響將氧化硅材料相對于氮化硅去除的選擇度。在一些實施方案中，用于預清洗工藝的反應氣體可具有的含有鹵素的氣體與含有氫的氣體的摩爾比為約3:1至約10:1。在一些實施方案中，摩爾比可以是約4:1至約10: 1，包括約5:1至約10:1。舉例來說，用于預清洗工藝的反應氣體可具有的氨氣與三氟化氮、 氟化氫和/或氟氣的摩爾比為約4.5:1。在一些實施方案中，通過遠程等離子體源激活的氨氣與在其輸送管中預加熱的未激活的三氟化氮的摩爾比可以是約3:1。有利地，這些比可提供用于將表面氧化物相對于氮化硅去除的高選擇程度。
[0099]預清洗工藝的實例順序可包括將具有將要清洗的表面的襯底提供至第一反應腔室(例如，反應腔室201)中。襯底在第一反應腔室內可維持在約15 °C至約30 °C的溫度。舉例來說，襯底可維持在約17°C至約29°C的溫度。可在反應氣體開始流入至第一反應腔室中之前執行第一清除工藝。舉例來說，在將襯底提供在第一反應腔室內之后，且在反應氣體開始流動之前，可使未激活的氬氣流入至第一反應腔室中。可在將未激活的氬氣引入至第一反應腔室中之前使未激活的氬氣流動通過遠程等離子體單元。舉例來說，可在不在遠程等離子體單元中對等離子體點火時使未激活的氬氣流動通過遠程等離子體單元。一旦第一反應腔室的期望的清除完成，就可將未激活的含有氫的氣體(例如，未激活的氨氣(NH3))引入至第一反應腔室中。在將未激活的含有氫的氣體引入至第一反應腔室中之前可不對其預加熱 (例如，可不預加熱被引入至第一反應腔室中的未激活的NH3)。隨后，可用流動通過遠程等離子體單元且流入至第一反應腔室中的氬氣來對那個單元內的等離子體點火。隨后可通過使含有鹵素的氣體(諸如三氟化氮(NF3))流動通過遠程等離子體單元并流入至反應腔室中來通過遠程等離子體單元激活含有齒素的氣體。在襯底表面預清洗材料期望地形成之后， 可停止反應氣體的流動且可切斷遠程等離子體單元中的等離子體。可在反應氣體的流動停止之后執行第二清除工藝。舉例來說，未激活的氬氣可在第二清除工藝中流動至反應腔室中。可在將未激活的氬氣引入至第一反應腔室中之前使未激活的氬氣在第二清除工藝期間流動通過遠程等離子體單元。可隨后在第一反應腔室中去除襯底表面預清洗材料。如本文中所描述，襯底表面預清洗材料的去除可包括通過將襯底表面預清洗材料加熱至大于約80 °C的溫度，包括約120 °C和約380 °C來進行襯底表面預清洗材料的升華。
[0100]可隨后從第一反應腔室去除具有預清洗的表面的襯底并將其轉移至第二不同的腔室。在一些實施方案中，可在第二反應腔室中在預清洗的襯底表面上形成目標材料，包括形成外延材料層。在一些實施方案中，具有此順序的預清洗工藝可有利地促進實現高選擇度(例如，將襯底表面氧化硅相對于襯底表面上的另一材料，諸如氮化硅材料去除的選擇度)，包括約14:1的選擇度。在一些實施方案中，具有此順序的預清洗工藝可有利地促進實現如本文中所描述的改進的選擇度。
[0101]盡管已在某些實施方案和實例的上下文中提供本公開，但本領域技術人員應理解，本公開延伸超出具體描述的實施方案至實施方案的其它替代實施方案和/或用途以及其明顯的修改和等效物。另外，盡管已示出并詳細描述本公開的實施方案的若干變化，但本領域技術人員基于本公開將易于明白在本公開的范圍內的其它修改。還預期可進行實施方案的特定特征和方面的各種組合或子組合且其仍落在本公開的范圍內。應理解，公開的實施方案的各種特征和方面可彼此組合或取代以便形成本公開的實施方案的變化的模式。因此，希望本公開的范圍不應受上述特定實施方案限制。
【主權項】
1.一種用于集成電路制造的系統，所述系統包括:反應腔室，其用于處理襯底；襯底托盤，其用以收納所述反應腔室內的所述襯底；冷卻體，其用以收納所述襯底托盤；以及第一溫度控制元件，其被配置用來控制所述襯底托盤的溫度，和第二溫度控制元件，其 被配置用來控制所述冷卻體的溫度，其中所述第一和第二溫度控制元件被配置用來獨立地 控制所述襯底托盤和所述冷卻體的所述溫度。2.如權利要求1所述的系統，其中所述第一溫度控制元件包括耦合至所述襯底托盤的 外表面的至少一個加熱元件。3.如權利要求1所述的系統，其中所述第一溫度控制元件包括嵌入于所述襯底托盤中 的至少一個加熱元件。4.如權利要求1所述的系統，其中所述襯底托盤包括碳化硅和氮化鋁中的至少一者。5.如權利要求1所述的系統，其中所述襯底托盤附接至所述冷卻體。6.如權利要求1所述的系統，其進一步包括被配置用來使所述冷卻體和所述襯底托盤 中的一個或兩個相對于彼此移動的定位元件。7.如權利要求6所述的系統，其進一步包括被編程用來執行以下操作的控制單元:提供控制信號以使所述襯底托盤和所述冷卻體中的一個或兩個相對于彼此移動，使得 所述襯底托盤與所述冷卻體直接接觸；以及提供控制信號以使所述襯底托盤和所述冷卻體中的一個或兩個相對于彼此移動，使得 所述襯底托盤與所述冷卻體不直接接觸。8.如權利要求1所述的系統，其進一步包括與所述反應腔室氣體連通的含有鹵素的成 分和含有氫的成分的來源。9.如權利要求8所述的系統，其進一步包括用于激活所述含有鹵素的成分和所述含有 氫的成分中的至少一者的遠程等離子體產生器。10.如權利要求1所述的系統，其中所述冷卻體是感受器。11.一種用于集成電路制造的方法，其包括:從襯底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅，且其中去除所述氧化物材料包 括:在包括加熱元件的襯底托盤上提供所述襯底；通過將熱從所述襯底托盤傳遞至冷卻體來冷卻所述襯底；在所述襯底在所述襯底托盤上時將含有齒素的材料沉積在所述冷卻的襯底上；以及隨后通過借助將熱從所述襯底托盤傳遞至所述襯底而加熱所述冷卻的襯底來使所述 含有鹵素的材料升華。12.如權利要求11所述的方法，其中在所述冷卻體與所述襯底托盤直接接觸時執行冷 卻所述襯底、沉積所述含有鹵素的材料和隨后使所述含有鹵素的材料升華。13.如權利要求12所述的方法，其中冷卻所述襯底包括減少或停止傳至所述襯底托盤 的所述加熱元件的熱力，且其中加熱所述襯底包括向所述襯底托盤的所述加熱元件增加或 提供熱力。14.如權利要求11所述的方法，其中所述冷卻體包括:加熱元件；以及冷卻系統，其中所述加熱元件和冷卻系統被配置用來在沉積所述含有鹵素的材料期間和在隨后 使所述含有齒素的材料升華期間積極地將所述冷卻體的溫度維持在所述襯底托盤的溫度 以下。15.如權利要求11所述的方法，其中在沉積所述含有鹵素的材料期間所述襯底托盤與 所述冷卻體直接接觸，所述方法進一步包括:在使所述含有齒素的材料升華之前將所述襯底托盤與所述冷卻體分離，其中在使所述含有鹵素的材料升華期間所述冷卻體與所述襯底托盤不直接接觸。16.如權利要求15所述的方法，其進一步包括在使所述含有鹵素的材料升華之后冷卻 所述襯底托盤，其中冷卻所述襯底托盤包括在使所述含有齒素的材料升華之后使所述冷卻 體與所述襯底托盤彼此直接接觸。17.如權利要求11所述的方法，其中所述襯底表面進一步包括鍺。18.如權利要求11所述的方法，其中所述襯底表面進一步包括氮化硅，且其中去除所述 氧化物材料包括選擇性地將所述氧化物材料相對于所述氮化硅以7:1至20:1的選擇度去 除。19.如權利要求11所述的方法，其中在同一反應腔室中執行沉積所述含有鹵素的材料 和隨后使所述含有鹵素的材料升華。20.如權利要求11所述的方法，其中使所述含有鹵素的材料升華包括加熱所述襯底托 盤以實現在80 °C與150 °C之間的襯底溫度。21.如權利要求11所述的方法，其中沉積所述含有鹵素的材料包括將襯底溫度維持在 22°C與28°C之間。22.如權利要求11所述的方法，其中沉積所述含有鹵素的材料包括將所述襯底的所述 表面暴露于含有氟的氣體和含有氫的氣體。23.如權利要求22所述的方法，其中所述含有鹵素的材料包括六氟硅酸銨。24.如權利要求11所述的方法，其進一步包括在去除所述氧化物材料之后在所述襯底 上沉積外延層。25.—種用于集成電路制造的方法，其包括:將襯底放置在襯底托盤上，其中所述襯底托盤在冷卻體上方；以及通過在同一反應腔室中執行多個氧化物去除循環來從所述襯底的表面去除氧化物材 料，所述氧化物去除循環中的每一者包括:在所述襯底表面上沉積含有鹵素的材料；以及通過獨立于所述冷卻體的溫度控制所述襯底托盤的溫度來使所述含有齒素的材料升 華。26.如權利要求25所述的方法，其中所述表面包括硅和鍺中的至少一者。27.如權利要求26所述的方法，其中所述表面進一步包括氮化硅，且其中去除第二氧化 物材料包括選擇性地將所述第二氧化物材料相對于所述氮化硅以40:1至100:1的選擇度去除。28.如權利要求25所述的方法，其中控制所述襯底托盤的溫度包括加熱所述襯底托盤。29.如權利要求28所述的方法，其中加熱所述襯底托盤包括在所述襯底托盤與所述冷 卻體直接接觸時加熱所述襯底托盤，其中所述冷卻體具有比所述襯底托盤的溫度設定點低 的溫度設定點。30.如權利要求25所述的方法，其進一步包括:通過使所述襯底托盤與所述冷卻體接觸來冷卻所述襯底托盤，其中在所述襯底托盤與所述冷卻體接觸時執行沉積所述含有鹵素的材料。31.如權利要求30所述的方法，其進一步包括:將所述冷卻體與所述襯底托盤間隔開；以及在所述冷卻體與所述襯底托盤間隔開時加熱所述襯底托盤，其中在所述冷卻體與所述襯底托盤被間隔開時執行使所述含有鹵素的材料升華。
【文檔編號】H01L21/67GK105977134SQ201610133338
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月9日
【發明人】J·托爾, E·R·希爾
【申請人】Asm Ip控股有限公司