用于等離子體蝕刻腔室的孔部件的制作方法

用于等離子體蝕刻腔室的孔部件的制作方法
【專利摘要】本文描述的實施例提供使用具有可移動式孔的離子蝕刻腔室來蝕刻基板的設備及方法。離子蝕刻腔室具有腔室主體，腔室主體包圍處理區域、基板支撐件、等離子體源、離子?自由基屏蔽件及可移動式孔部件。基板支撐件布置于處理區域中且具有基板接收表面。等離子體源布置于面對基板接收表面的腔室主體的壁上。離子?自由基屏蔽件布置于等離子體源與基板接收表面間。可移動式孔部件介于離子?自由基屏蔽件與基板接收表面間。可移動式孔部件通過升舉組件而致動，升舉組件包含升舉環及自升舉環至孔部件的升舉支撐件。離子?自由基屏蔽件通過經由孔部件而布置的屏蔽件支撐件而支撐。孔大小、形狀及/或中心軸位置可藉使用插入件而改變。
【專利說明】
用于等離子體蝕刻腔室的孔部件
[0001 ] 本申請是申請日為2012年4月25日、申請號為201280025684.X，題為"電感禪合等 離子體(ICP)反應器的動態離子自由基篩與離子自由基孔"的申請的分案申請。
技術領域
[0002] 本文描述的實施例是關于半導體的制造方法與設備。更特定言之是掲示了基板蝕 刻的方法與設備。
【背景技術】
[0003] 圖案蝕刻是一種主要的半導體制造方式。基板通常暴露于活性的離子(reactive ion)及中性粒子的等離子體中，W便將圖案蝕刻至基板表面上。此工藝典型地用于蝕刻圖 案至基板上，該基板繼而用于半導體基板的光刻圖案化。基板通常為玻璃或石英，且基板一 側具有一層銘及/或鋼滲雜的氮化娃。該層為抗反射涂料及感光性的抗蝕劑所覆蓋，并且該 層通過曝露至圖案化紫外光中而形成該圖案。抗蝕劑曝露的部分溶解，下面的銘層通過等 離子體蝕刻而形成圖案。
[0004] 在等離子體蝕刻中，等離子體通常形成于鄰近基板處。由等離子體來的活性的離 子及自由基與基板表面發生反應，將材料自該表面移除。在基板表面某一位置材料移除或 蝕刻的速度，與鄰近于該位置的活性物種的密度成比例。由于微負載、深寬比變異、等離子 體效應及腔室效應，跨越基板表面的活性物種的密度的一致性常會有所變化，造成了跨越 基板的蝕刻速度的變化。在許多情況下，觀察到蝕刻速度在接近基板中屯、處較高，鄰近周邊 處較低。
[0005] 解決蝕刻速度一致性的現有方法包括蝕刻速度控制的化學方法、控制前體溫度與 等離子體熱量分布的熱量方法，及W電極擺放于腔室內不同位置為特色的電磁方法。然而， 依然需要W動態且可調整的方式影響等離子體密度分布的方法及設備。

【發明內容】

[0006] 本文描述的實施例提供使用具有可移動式孔的離子蝕刻腔室W蝕刻基板的設備 及方法。該離子蝕刻腔室具有腔室主體，該腔室主體包圍處理區域、基板支撐件、等離子體 源、離子-自由基屏蔽件及可移動式孔部件。該基板支撐件布置于該處理區域且具有基板接 收表面。該等離子體源布置于面對該基板接收表面的腔室主體的壁上。該離子-自由基屏蔽 件布置于該等離子體源與該基板接收表面間。該可移動式孔部件介于該離子-自由基屏蔽 件與該基板接收表面間。該可移動式孔部件通過升舉組件而致動，該升舉組件包含升舉環 及由該升舉環至該孔部件的升舉支撐件。該離子-自由基屏蔽件通過屏蔽件支撐件而支撐， 該屏蔽件支撐件經由該孔部件而布置。該孔的大小、形狀，及/或中屯、軸位置可藉使用插入 件而改變。
[0007] 該升舉環可通過線性的致動器致動，W移動該孔部件接近或遠離布置在該基板支 撐件上的基板。本文描述的處理基板的方法包括布置孔部件于離子-自由基屏蔽件與離子 蝕刻腔室的基板接收表面間，及通過移動該孔部件接近或遠離該基板接收表面來控制鄰近 基板接收表面的活性物種的密度分布。
[0008] 在另一實施例里，當孔部件由固定部件所支撐時，升舉環可被禪接至該離子-自由 基屏蔽件，W移動該離子-自由基屏蔽件接近或遠離該孔部件。
【附圖說明】
[0009] 簡略綜述如上的本發明的更特定的描述可參照實施例而取得，該等實施例中的某 些實施例示出于附圖中。如此，本發明W上節錄的特征可被詳盡地理解。然而，必須指出，該 附圖僅示出本發明典型的實施例而不限定本發明實施例的范圍，本發明可接納其他均等效 力的實施例。
[0010] 圖1為依照一實施例的處理腔室的示意剖面側視圖。
[0011] 圖2為依照一實施例的孔組件的局部透視圖。
[0012] 圖3A至3C為展示孔組件在不同處理位置的剖面側視圖。
[OOK]圖4A為依照一實施例的孔部件的俯視圖。
[0014] 圖4B為依照另一實施例的孔部件的剖面側視圖。
[0015] 圖5為依照另一實施例的處理腔室的剖面側視圖。
[0016] 為了便于理解，相同的附圖標記，若可能，被用于指定各附圖中的相同元件。可預 期掲露于一實施例里的元件可受益地被用于其他實施例而無須特定詳述。
【具體實施方式】
[0017] 本文描述的實施例提供使用可移動式孔部件來蝕刻基板的方法及設備。圖1是依 照一實施例的處理腔室100的示意剖面側視圖。適用于本文掲示內容的合適的處理腔室包 括，例如去禪的等離子體源(DPS?)n反應器或化tra?基板蝕刻系統家族，全部皆可自加州 圣克拉拉市的應用材料公司(Applied Materials, Inc.)取得。本文提供的處理腔室100的 特定實施例乃是提供于說明之用且不應用W限制本發明的范圍。可W預期的是本發明可利 用于其他等離子體處理腔室，包括其他制造商所制造的等離子體處理腔室。
[0018] 處理腔室100通常包括處理空間106,該處理空間106通過腔室壁102及腔室蓋104 而界定。該處理腔室100包括等離子體源，該等離子體源用W在處理空間106內供應或產生 等離子體。等離子體源可包括天線110,該天線110布置在腔室蓋104上W在處理空間106內 產生電感禪合等離子體。天線110可包括一或多個同軸線圈110a、110b。天線110可經由匹配 網路114禪接至等離子體功率源112。
[0019] 支撐組件108布置于處理空間106內W支撐基板，該基板在抬高部130上被處理。抬 高部130可用作座臺，W便將基板定位于處理空間106內的所需位置。抬高部130的頂面182 用作基板接收表面。該支撐組件108可包括靜電卡盤116,該靜電卡盤116具有至少一個夾合 電極118,該夾合電極118通過電連接128連接至夾具電源126。支撐組件108可包括其他基板 保持機構，例如基座錯環、機械夾具、真空吸盤，諸如此類。該支撐組件108可包括電阻加熱 器124,該電阻加熱器124禪接至加熱器電源120與散熱器129W進行溫度控制。
[0020] 在一些實施例里，夾具電源126可為射頻產生器，如此阻抗匹配電路127便可插設 于該夾具電源126與夾合電極118間。來自夾具電源126的偏壓電力或來自等離子體功率源 112的電源電力或兩者可為脈沖性的或連續性的。該夾具電源126及/或等離子體功率源112 可用于提供脈沖射頻電力，該電力具有介于約IWlz與約IOkHz間的頻率、介于約10%與約 90%間的占空比（duty巧Cle)及約10微秒的最小脈沖持續時間。匹配電路114及/或匹配電 路127可用于W約50歐姆的負載提供穩定等離子體。
[0021] 該支撐組件108也包括轉接器134W于在抬高部130與外部轉移設備（比如外部機 器人）間移轉該基板。該轉接器134布置在靜電卡盤116上且該轉接器134可有開口 136,該開 口 136允許抬高部130經由該開口 136而延伸。轉接器134可自靜電卡盤116,通過禪接至升舉 機構138的數個升舉銷140而舉起。示例性的轉接器描述于第7，128,806號美國專利里，該專 利標題為"Mask Eltch Processing Appara1:us(掩膜蝕刻處理設備)"。
[0022] 處理腔室100也可包括離子-自由基屏蔽件142,該離子-自由基屏蔽件142布置在 支撐組件108上。離子-自由基屏蔽件142可與腔室壁102和支撐組件108電絕緣。該離子-自 由基屏蔽件142包括實質上平坦板材146及數個屏蔽件支撐件150。該平坦板材146具有數個 通孔148,該數個屏蔽件支撐件150支撐該平坦板材146且該數個屏蔽件支撐件150定位該平 坦板材146于支撐組件108上方一段距離。該數個屏蔽件支撐件150可被布置在靜電卡盤 116、轉接器134或隔板156上。數個通孔148可被局限在平坦板材146的開放區域152里。開放 區域152控制從處理空間106的上空間154中形成的等離子體通過而至下空間144的離子量， 前述下空間144位于離子-自由基屏蔽件142與支撐組件108之間。該通孔148覆蓋的面積范 圍（areal extent)可大于頂面182的面積范圍。示例性的離子-自由基屏蔽件可于第7,909， 961號美國專利內找到，該專利標題為"Method and Apparatus for Subshate Plasma 化ching(用于基板等離子體蝕刻的方法與設備r。
[0023] 氣體面板158連接至入口 160W向該處理空間106供應一種或多種處理氣體。真空 累164經由節流閥162禪接至該處理空間106。該隔板156可被布置于節流閥162上游的支撐 組件108周圍，W使流體分布均勻及補償處理空間106里的電導不對稱。
[0024] 孔組件166包括了孔部件168,該孔部件168在離子-自由基屏蔽件142與支撐組件 108間被數個升舉支撐件170(可為支撐銷)所支撐，該升舉支撐件170禪接至升舉環172。孔 部件16則尋下空間144與處理區域145分離開，該處理區域145介于孔部件168與抬高部130的 頂面182間。致動器176,比如線性致動器(舉例而言液壓缸、氣缸或電驅動螺桿致動器），經 由軸桿174禪接至該升舉環172,該致動器176移動孔部件168使得孔部件168接近或遠離該 支撐組件108。移動該孔部件168調整了在支撐組件108上的基板附近的活性物種的分布。
[0025] 邊緣屏蔽件188可禪接至孔部件168。該邊緣屏蔽件188通常是環形部件，該環形部 件在孔部件168外具有向支撐組件108的延伸段。該邊緣屏蔽件188的延伸段防止處理氣體 自孔部件168附近流至支撐組件108與任何布置于該支撐組件108上的基板。
[0026] 孔部件168具有孔178,該孔178形成于孔部件168的中央區域。處理氣體流經孔部 件168W接觸基板。展示于圖1的孔的尺寸大于基板的對應尺寸，但某些實施例中，孔的尺寸 可小于或約略相同于基板的對應尺寸。孔的尺寸及該孔鄰近基板影響了跨越基板表面的活 性物種的分布。在一些實施例中，該孔部件168可為聚焦板材，該聚焦板材聚焦活性的物種 W于該抬高部130的頂面182達到所需的分布。
[0027] 升舉環172布置于處理空間106內，并且自支撐組件108徑向地向外展伸。該升舉環 172W實質上水平的方向安裝于軸桿174上。該軸桿174通過致動器176驅動W在處理空間 106內垂直地移動升舉環172。=個或=個W上升舉支撐件170自升舉環172向上延伸，并且 將孔部件168定位于支撐組件108上。該=個或=個W上升舉支撐件170將該孔部件168固定 地連附至升舉環172。該孔部件168隨著升舉環172在處理空間106內垂直地移動，W便孔部 件168能被定位于基板上所需的距離，及/或外部基板處理設備能進入位于孔部件168與支 撐組件108間的處理空間106 W傳遞該基板。
[0028] 該=個或=個W上升舉支撐件170可被定位W允許基板傳遞進出處理腔室100。在 一實施例中，該=個或=個W上升舉支撐件170中的每一個可被定位接近于支撐離子-自由 基屏蔽件的該數個屏蔽件支撐件150之一，W最大化至基板的入徑(access)。
[0029] 孔部件168可為平坦的板材，具有實質上相似于腔室壁102的內部尺寸的大小，W 便該孔部件168能阻擋處理空間106里的處理氣體或等離子體向下流動。在一實施例中，腔 室壁102是圓柱體且孔部件168可為具有比腔室壁102內直徑略小的外直徑的一個圓盤。孔 178對齊靜電卡盤116的抬高部130,而且孔178可被定位成實質平行于基板。孔178向處理氣 體，或活性物種，提供一個限制的路徑W向下流動至抬高部130,從而控制基板的等離子體 曝露情況，前述基板被定位于抬高部130處。
[0030] 孔部件168的孔178具有邊緣179,該邊緣179可依輪廓成形而用W支撐第二部件， 例如插入件，參照圖5來更詳細地描述該第二部件。該輪廓的橫截面形狀可為有斜面的、彎 曲的或呈階梯狀的其中之一。邊緣179的輪廓面對該離子-自由基屏蔽件142,如此一來，可 W與孔部件168實質上平行關系地在孔178內支撐第二部件。在一實施例里，其中該邊緣179 具有斜面，該斜面可為直斜面，由機器加工成與孔部件168的平面呈高達約75°的任何角度。 在其他的實施例里，若是所需要的，斜面可W是彎曲的或呈刻面狀的（faceted)。在一些實 施例里，邊緣179可為部分有斜面的，且邊緣179具有一斜面的部分與一直的部分。舉例而 言，邊緣179的與面對該離子-自由基屏蔽件142的孔部件168的表面相接近的第一部分可W 是斜面的，邊緣179的與面對抬高部130的頂面182的孔部件168的表面相接近的第二部分可 W是直的（即，實質垂直于頂面182)。該部分有斜面的邊緣可改良與孔部件168嵌套的尺寸 調整插入件的穩定性。
[0031] 孔178可被塑形成實質相似于被處理的基板的形狀。該孔178可W略大于基板的頂 面112, W提供適合的處理窗口，用來影響跨越基板表面的活性物種的分布。例如，孔178可 大于約6英寸x6英寸。可W調整孔部件168與抬高部130的頂面182間的距離180W達成所需 的基板的等離子體曝露情況。
[0032] 通過操作升舉環172,孔部件168可移動地定位在離子-自由基屏蔽件142之下及支 撐組件108之上。孔部件168可有數個開口 184W容納該數個屏蔽件支撐件150,該數個屏蔽 件支撐件150支撐離子-自由基屏蔽件142的平坦板材146。開口 184可W是通孔、裁切、切口 或其他類型的開口，該開口 184形成W允許孔部件168自由地移動而不會影響該屏蔽件支撐 件 150。
[0033] 在處理過程中，等離子體通常于處理空間106內形成。等離子體里的物種，如自由 基及離子，穿越平坦板材146與孔部件168的孔178后到達基板。通過開創供自由基及離子自 下空間144至處理區域145的流動通路，孔部件168控制基板上表面附近的自由基及離子的 分布。孔178也可被塑型及/或定位，W便穿越孔178的物種不會到達該基板的邊緣及/或側 邊。孔178也可被塑型、定大小尺寸及/或定位W控制跨越基板的活性物種的密度。在一實施 例中，通過將孔部件168定位成更靠近離子-自由基屏蔽件142而非靠近基板，基板中央區域 附近的活性物種的密度可能減少，基板的周邊區域附近的活性物種的密度增加。
[0034] 該孔部件168可由兼容于處理的化學過程的材料而形成。在一實施例中，孔部件 168可由石英或陶瓷所形成，該陶瓷如氧化侶、氧化錠(錠的氧化物)及K140(-種京瓷公司 專有的材料），及其他材料，包括了上述材料的組合與合金。在某些實施例中，孔部件168可 被涂覆。涂覆金屬材料的陶瓷可能是有用的，舉例來說，陽極氧化侶或涂覆有一種沉積式或 噴涂式的陶瓷涂料的侶，例如氧化侶(Al2〇3 )或氧化錠(Y203 )。
[0035] 孔部件168可與腔室電絕緣，或孔部件168可帶電W根據需要提供偏壓，或移除由 曝露至等離子體處理時累積的電壓。電連接181可配備有接地路徑，譬如接至腔室壁102, W 移除累積的電壓。可W提供如開關(未示出）的控制元件。通過將電源禪合至該電連接181， 偏壓可適用于孔部件168。射頻信號源177展示于圖1，該射頻信號源177具有濾波電路183， 該濾波電路183可W是阻抗匹配電路或者可W包括阻抗匹配電路。關于施偏壓于孔部件 168,若孔部件168是涂覆有陶瓷的金屬部件，則該電連接181通常禪接至孔部件168的導電 部分，譬如金屬部分。
[0036] 圖2是依照一實施例的孔組件266的局部透視圖，其中腔室蓋104、腔室壁102與支 撐組件108被移除。
[0037] 該數個升舉支撐件170貫穿隔板156W于隔板156與平坦板材146間定位該孔部件 168。數個通孔184容納屏蔽件支撐件150,該等屏蔽件支撐件150支撐平坦板材146于隔板 156上。屏蔽件支撐件150與升舉支撐件170交錯排列W允許孔部件168獨立于隔板156與平 坦板材146而移動。
[0038] 孔部件168通過升舉環172垂直地移動。該升舉環172可包括具有側延伸部202的環 形主體204。環形主體204有內開口 206，該內開口 206大到足W圍繞該支撐組件108(圖1)。側 延伸部202位于自環形主體204徑向向外處。該側延伸部202允許該升舉環172由側邊連接至 致動器。該側邊驅動的布局使升舉環172與孔部件168能有與隔板156和離子-自由基屏蔽件 142的平坦板材146分開的驅動機構，從而改良處理腔室100的處理靈活性。
[0039] 該孔部件168可被定位在支撐組件108(圖1)上方不同距離處，藉W控制跨越基板 表面的活性物種的分布及/或使基板及其他腔室元件能夠移動。
[0040] 圖3A為展示孔部件168位于下處理位置的剖面側視圖。下表面306被定位在支撐組 件108的抬高部130上方一距離302處。在該下處理位置，距離302短于約1.0英寸，比如介于 約0.4英寸與約0.6英寸間，舉例而言約0.42英寸，將孔部件168置于靠近該被處理的基板。 在該下處理位置，孔部件168限制流過孔178的自由基及離子橫向傳播，造成了跨越該基板 的活性物種的相對均勻的密度。
[0041] 圖3B為展示該孔部件168于上處理位置的剖面側視圖。下表面306被定位在支撐組 件108的抬高部130上方一距離304處。在該上處理位置，孔部件168允許流過孔178的自由基 及離子在接觸該基板前橫向散播。當該自由基及離子橫向散播時，基板的周邊部分附近的 活性物種的密度變得較基板中央部分附近的活性物種的密度來得低。因此，調整孔部件168 與基板間的距離可控制基板附近活性物種的密度分布。在該上處理位置，距離302可W是最 小約1.5英寸，比如介于約1.6英寸與約2.2英寸間，舉例而言約2.1英寸。
[0042] 圖3C為一剖面側視圖，該剖面側視圖展示該孔部件168在移轉位置，W便該基板能 被傳遞至支撐組件108或者自支撐組件108傳遞。升舉環172與孔部件168被舉起W便在孔部 件168與抬高部130間產生空間用W移轉基板。
[0043] 此外，在連續基板的處理過程中或者在處理過程之間，可W動態地調整孔部件168 與抬高部130間的距離W達成每一基板的最佳活性物種一致性。當孔部件168與抬高部130 間的距離最大時，中屯、蝕刻速度與周邊蝕刻速度之差將最大，而當該距離是最小時，蝕刻速 度之差將變為最小。該特征可被用W補償蝕刻速度一致性的圖案效應。
[0044] 圖4A圖是孔部件168的俯視圖。圖4B是孔部件168的剖面側視圖。孔部件168具有平 坦的圓盤形主體402。該平坦的圓盤形主體402可為圓形的，供使用于具有圓柱形側壁的處 理腔室。該孔178穿越該平坦的圓盤形主體402的中央區域而形成。孔178可為方形的而用W 處理方形基板。通常孔跟隨著要在等離子體腔室內處理的基板的形狀而被塑形。孔178被內 壁404限定，該內壁404在本文描述的實施例中是有斜面的，但該內壁404在其他實施例里可 W是實質地垂直的。在一實施例中，孔178的大小可W稍微大于基板的大小，如此基板經由 圖4A的孔178可W被看到。舉例而言，孔178的尺寸可W略大于約6英寸x6英寸。在處理過程 中，孔178被配置W同軸對齊基板，W提供基板的均勻處理。應當注意到，若是所需的話，該 孔178可偏離基板的中屯、軸，W達成不對稱基板中屯、的密度分布。
[0045] 在一實施例里，S個或S個W上通孔184沿著該平坦的圓盤形主體402的周邊形 成。該通孔184配置W容納用于該離子-自由基屏蔽件142的屏蔽件支撐件150。支撐特征結 構，比如升舉支撐件170,可連附于位于位置406的平坦的圓盤形主體402。或者，位置406可 W是適于容納支撐部件（比如升舉支撐件170)的凹陷部。位置406可被定位靠近該通孔184 W便基板可經過介于相鄰的升舉支撐件170間的空間而轉移。
[0046] 應當注意到，該孔部件168與孔178根據腔室形狀與基板形狀，可各自具有不同的 形狀。
[0047] 參考圖4B，一個或多個環形插入件408可與孔部件168-同使用。該插入件408具有 略大于孔178的尺寸的外尺寸，且具有一外邊緣，該外邊緣依輪廓成形W匹配孔178的輪廓 成形壁179,如此一來當插入件408與孔部件168在平行配對方向時，插入件408無法通過該 孔178。插入件408靠在孔178的輪廓成形邊緣179,減少該孔178的尺寸并潛在改變孔178的 形狀及/或中屯、軸位置。
[0048] 不同的插入件408可具有不同尺寸的孔，且在所需的情形下可W使用多個插入件 408來改變孔的尺寸、形狀及/或中屯、軸位置。舉例而言，第一插入件可具有第一孔，該第一 孔的尺寸介于約1/8英寸與約1/4英寸間，小于孔部件168的孔178的尺寸。第二插入件可具 有第二孔，該第二孔的尺寸介于約1/8英寸與約1/4英寸間，小于第一孔的尺寸，且該第二孔 可嵌套于該第一孔內。若是所需的，孔部件178的孔168中可W嵌套多達約五個插入件W便 使孔的尺寸減少多達約3英寸。藉使用一或多個插入件變換孔的開口面積增加一種控制方 法。該控制方法可被用于針對不同的基板與腔室調整孔部件168的性能，而無須停止腔室的 運作W更換主要腔室元件。
[0049] 圖5為依照另一實施例的處理腔室500的示意剖面側視圖。圖5的實施例通常類似 圖1的實施例，但圖5的孔部件568具有小于基板的孔578,且圖1的升舉支撐件170與屏蔽件 支撐件184在圖5交換為升舉支撐件570與孔支撐件584。升舉支撐件570將離子-自由基屏蔽 件146禪接至升舉環172,而孔支撐件584由轉接器134處支撐孔部件568。在圖5的實施例里， 當孔部件568相對于基板而言保持固定時，該離子-自由基屏蔽件146可被移動接近或遠離 基板。
[0050] 圖5的實施例結合控制跨越基板表面的活性物種的分布的另一種方法。當離子-自 由基屏蔽件142相對于孔部件568移動時，穿越孔578的活性物種的密度分布改變，造成基板 上密度分布改變。應當注意到，設想該孔部件568與離子-自由基屏蔽件146兩者可W致動的 實施例。
[0051] 雖然上述內容指示本發明的實施例，但其他及更進一步的本發明的實施例也可在 不偏離上述基本范圍下設計實施。
【主權項】
1. 一種用于等離子體蝕刻腔室的孔部件，所述孔部件包含圓盤且具有孔，所述圓盤具 有至少約6英寸的外直徑，所述孔形成為通過所述圓盤的中央部分，所述孔具有長方形狀以 及支撐第二部件的輪廓成形內壁，所述第二部件與所述孔部件有基本上平行的關系。2. 如權利要求1所述的孔部件，其中所述圓盤包含石英或陶瓷，包括上述材料的組合和 合金。3. 如權利要求1所述的孔部件，所述輪廓成形內壁具有斜面的、彎曲的或呈階梯狀的其 中之一的橫截面形狀。4. 如權利要求1所述的孔部件，進一步包含具有輪廓成形外邊緣的插入件，所述輪廓成 形外邊緣匹配所述孔的輪廓成形內壁，所述插入件具有通過所述插入件的中央部分的第二 孔。5. 如權利要求1所述的孔部件，進一步包含在所述圓盤的周邊部分的數個凹陷部，所述 數個凹陷部與支撐部件配對。6. 如權利要求1所述的孔部件，進一步包含形成于所述圓盤的周邊部分的數個開口。7. -種用于在等離子體蝕刻腔室中處理基板的可移動式孔部件，包含： 圓盤，所述圓盤具有形成于所述圓盤的中央區域的孔，所述孔具有輪廓成形邊緣以支 撐所述輪廓成形邊緣中的插入件，所述插入件與所述孔部件有基本上平行的關系，其中所 述輪廓成形邊緣是斜面的、彎曲的或呈階梯狀的其中之一。8. 如權利要求7所述的孔部件，進一步包含具有輪廓成形外邊緣的插入件，所述輪廓成 形外邊緣匹配所述孔的輪廓成形邊緣，所述插入件具有通過所述插入件的中央部分的第二 孔。9. 如權利要求7所述的可移動式孔部件，其中所述輪廓成形邊緣具有斜面，并且其中所 述斜面是直斜面，由機器加工成與所述孔部件的平面呈高達約75°的角度。10. 如權利要求7所述的可移動式孔部件，其中所述輪廓成形邊緣具有斜面，并且其中 所述斜面是彎曲的或呈刻面狀的。11. 如權利要求7所述的可移動式孔部件，其中所述孔部件包含石英或陶瓷，包括上述 材料的組合和合金。12. 如權利要求7所述的可移動式孔部件，其中所述孔部件被涂覆有陶瓷金屬材料、陽 極氧化鋁或涂覆有沉積式或噴涂式的陶瓷涂料的鋁。13. 如權利要求7所述的可移動式孔部件，其中所述孔是平坦的板材。14. 如權利要求7所述的孔部件，其中所述圓盤具有至少約六英寸的外直徑。15. -種用于等離子體蝕刻腔室的孔部件，包含： 圓盤，所述圓盤具有形成在所述圓盤中的孔，所述孔具有輪廓成形邊緣以支撐所述輪 廓成形邊緣中的插入件，其中所述輪廓成形邊緣是斜面的、彎曲的或呈階梯狀的其中之一； 以及 數個嵌套孔插入件，其中每一個嵌套孔插入件具有不同的孔尺寸，并且其中每一個嵌 套孔插入件包含輪廓成形外邊緣，所述輪廓成形外邊緣與所述孔的輪廓成形邊緣配對。16. 如權利要求15所述的孔部件，其中所述數個嵌套孔插入件是約五個或更少的嵌套 孔插入件。17. 如權利要求16所述的孔部件，其中第一嵌套孔插入件具有第一孔，所述第一孔介于 約1/8英寸與約1/4英寸間且小于所述孔部件的孔并且嵌套在所述孔內，并且第二嵌套孔插 入件具有第二孔，所述第二孔介于約1/8英寸與約1/4英寸間且小于所述第一孔并且嵌套在 所述第一孔內。18. 如權利要求15所述的孔部件，其中所述數個嵌套孔插入件使所述孔部件的孔減小 多達約3英寸。19. 如權利要求15所述的孔部件，其中所述輪廓成形邊緣具有斜面，并且其中所述斜面 是直斜面，由機器加工成與所述孔部件的平面呈高達約75°的角度。20. 如權利要求15所述的孔部件，其中所述輪廓成形邊緣具有斜面，并且其中所述斜面 是彎曲的或呈刻面狀的。
【文檔編號】H01J37/32GK105977126SQ201610576148
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2012年4月25日
【發明人】S·辛格, G·J·斯科特, A·庫瑪
【申請人】應用材料公司