中空型電子器件密封用片、和中空型電子器件封裝件的制造方法

中空型電子器件密封用片、和中空型電子器件封裝件的制造方法
【專利摘要】本發明的課題在于提供一種中空型電子器件密封用片，其能抑制向電子器件與被粘物之間的中空部進入的樹脂的量在每個封裝件中不均。本發明的解決手段在于，一種中空型電子器件密封用片，通過下述步驟的順序測定的進入量X1為0μm以上且50μm以下、且由進入量Y1減去進入量X1后的值為50μm以下。在將模擬芯片埋入中空型電子器件密封用片的樣品的步驟后，測定構成樣品的樹脂向模擬芯片與玻璃基板之間的中空部的進入量X1的步驟、使樣品熱固化而得到密封體樣品的步驟和測定樹脂向密封體樣品中的中空部的進入量Y1的步驟。
【專利說明】
中空型電子器件密封用片、和中空型電子器件封裝件的制造 方法
技術領域
[0001] 本發明設及中空型電子器件密封用片和中空型電子器件封裝件的制造方法。
【背景技術】
[0002] W往，在將電子器件與基板之間成為中空結構的中空型電子器件樹脂密封而制作 中空型電子器件封裝件時，有時使用片狀的樹脂作為密封樹脂(例如，參照專利文獻1)。
[0003] 現有技術文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻1:日本特開2006-19714號公報

【發明內容】

[0006] 發明要解決的課題
[0007] 作為所述封裝件的制造方法，可舉出下述方法:在配置于被粘物上的1個或多個電 子器件上配置片狀的密封樹脂，接著，向使電子器件和片狀的密封樹脂靠近的方向加壓而 將電子器件埋入片狀的密封樹脂，之后，使片狀的密封樹脂熱固化的方法。
[000引采用上述的方法時，密封樹脂的一部分進入電子器件與被粘物之間的中空部。然 而，存在其進入量的不均根據不同的封裝件較大的問題。
[0009] 本發明鑒于上述課題而實施，其目的在于，提供一種中空型電子器件密封用片，其 能抑制電子器件與被粘物之間的中空部進入的樹脂的量在每個封裝件中不均。
[0010] 另外，還在于提供一種中空型電子器件封裝件的制造方法，其能抑制向電子器件 與被粘物之間的中空部進入的樹脂的量在每個封裝件中不均。
[0011] 解決課題的方法
[0012] 為了達成如上的目的，本發明人首先對進入中空部的樹脂的量根據不同的封裝件 不均的理由進行了深入研究。其結果，查明采用上述的方法時，將電子器件埋入密封樹脂 后，樹脂沒有進入電子器件與被粘物之間的中空部。另外查明，在之后的密封樹脂的熱固化 時，首先，密封樹脂的一部分通過熱而成為低粘度等，流動而進入中空部，之后，樹脂隨著熱 固化而變為高粘度，樹脂的進入停止。而且查明，熱固化時的樹脂的流動量根據不同的封裝 件而大幅不同，難W控制。
[0013] 本申請發明人等發現通過采用下述的構成，可W解決所述的課題，從而完成了本 發明。
[0014] 旨P，本發明的中空型電子器件密封用片的特征在于，
[001引通過下述步驟A~步驟G的順序測定的進入量Xl為0皿W上且50皿W下、且由進入 量Yl減去所述進入量Xl后的值為60]imW下。
[0016]步驟A，準備將下述規格的1個模擬忍片利用樹脂凸塊安裝于玻璃基板的模擬忍片 安裝基板、
[0017] 步驟B，準備長1cm、寬1cm、厚220皿的尺寸的中空型電子器件密封用片的樣品、
[0018] 步驟C，將所述樣品配置在所述模擬忍片安裝基板的所述模擬忍片上、
[0019] 步驟D，在下述埋入條件下，將所述模擬忍片埋入所述樣品、
[0020] 步驟E，在所述步驟D后，測定構成所述樣品的樹脂向所述模擬忍片與所述玻璃基 板之間的中空部的進入量XI、
[0021 ] 步驟F，在所述步驟E后，在150°C的熱風干燥機中放置1小時，使所述樣品熱固化而 得到密封體樣品、和
[0022] 步驟G，測定所述樹脂向所述密封體樣品中的所述中空部的進入量Y1。
[0023] <模擬忍片的規格〉
[0024] 忍片尺寸為長3mm、寬3mm、厚200皿，形成有高50皿的樹脂凸塊。
[002引 < 埋入條件〉
[0026] 壓制方法:平板壓制
[0027] 溫度:75°C
[0028] 加壓力：3000k化
[0029] 真空度:1.6kPa
[0030] 壓制時間：1分鐘
[0031] 根據所述構成，由于所述進入量Xl為OwnW上且50皿W下，因此在實際的中空型電 子器件封裝件的制造中，在將電子器件埋入中空型電子器件密封用片時，可W使樹脂適度 進入電子器件與被粘物之間的中空部。
[0032] 另外，由于由所述進入量Yl減去所述進入量Xl后的值為eOwnW下，因此在實際的 中空型電子器件封裝件的制造中，可W抑制使中空型電子器件密封用片熱固化時的中空部 中的樹脂的流動。
[0033] 像運樣，根據所述構成，在實際的中空型電子器件封裝件的制造中，可W在容易控 制樹脂向中空部的進入量的埋入時使樹脂進入中空部、且可W抑制難W控制的熱固化時的 樹脂的移動量。其結果，可W抑制進入中空部的樹脂的量在每個封裝件中不均。
[0034] 所述構成中，若90°C的粘度為300k化? sW上而為較高的粘度，則可W抑制通過熱 固化時的熱而軟化、在中空部內流動。
[0035] 另外，本發明的中空型電子器件封裝件的制造方法的特征在于包括：
[0036] 準備利用凸塊將電子器件固定在被粘物上的層疊體的工序、
[0037] 準備中空型電子器件密封用片的工序、
[0038] 將所述中空型電子器件密封用片配置在所述層疊體的所述電子器件上的工序、
[0039] 通過熱壓，將所述電子器件埋入所述中空型電子器件密封用片的工序、和
[0040] 在所述埋入工序后，使所述中空型電子器件密封用片熱固化而得到密封體的工 序，
[0041] 將在所述埋入工序后、且得到所述密封體的工序前的狀態時的構成所述中空型電 子器件密封用片的樹脂向所述電子器件與所述被粘物之間的中空部的進入量設為X2,將得 到所述密封體的工序后的狀態時的所述樹脂向所述中空部的進入量設為Y2時，所述進入量 X為Own W上且SOwiiW下、且由所述進入量Y2減去所述進入量X2后的值為60WI1W下
[0042] 根據所述構成，所述進入量X2為OwnW上且SOwiiW下，將電子器件埋入中空型電子 器件密封用片時，使樹脂適度進入電子器件與被粘物之間的中空部。
[0043] 另外，由所述進入量Y減去所述進入量X后的值為60wiiW下，抑制了使中空型電子 器件密封用片熱固化時的中空部中的樹脂的流動。
[0044] 像運樣，根據所述構成，在容易控制樹脂向中空部的進入量的埋入時使樹脂進入 中空部、且抑制了難W控制的熱固化時的樹脂的移動量。其結果，可W抑制進入中空部的樹 脂的量在每個封裝件中不均。
【附圖說明】
[0045] 圖1是本實施方式的中空型電子器件密封用片的截面示意圖。
[0046] 圖2是用于說明測定進入量Xl和進入量Yl的順序的截面示意圖。
[0047] 圖3是用于說明測定進入量Xl和進入量Yl的順序的截面示意圖。
[0048] 圖4是用于說明測定進入量Xl和進入量Yl的順序的截面示意圖。
[0049] 圖5是用于說明測定進入量Xl和進入量Yl的順序的截面示意圖。
[0050] 圖6是圖5的局部放大圖。
[0051] 圖7是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法的截面示意圖。
[0052] 圖8是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法的截面示意圖。
[0053] 圖9是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法的截面示意圖。
[0054] 圖10是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法的截面示意圖。
[0055] 圖11是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法的截面示意圖。
【具體實施方式】
[0056] W下，對本發明的實施方式邊參照附圖邊進行說明。其中，本發明不僅限于運些實 施方式。
[0057] (中空型電子器件密封用片）
[0058] 圖1是本實施方式的中空型電子器件密封用片的截面示意圖。如圖1所示，中空型 電子器件密封用片IUW下，也稱為"密封用片11")代表性地W層疊于聚對苯二甲酸乙二醇 醋（PET)膜等隔片Ila上的狀態提供。此外，為了容易進行密封用片11的剝離，可W對隔片 Ila實施脫模處理。
[0059] 此外，本實施方式中，對僅在中空型電子器件密封用片的一個面層疊隔片的情況 進行說明，但本發明不限于該例，也可W在中空型電子器件密封用片的兩面層疊隔片。此 時，可W在要使用前剝離一個隔片來使用。另外，本發明中，中空型電子器件密封用片可W 不層疊于隔片而W中空型電子器件密封用片的單體提供。另外，在不違反本發明的主旨的 范圍內，也可W在中空型電子器件密封用片上層疊其他層。
[0060] (中空型電子器件密封用片）
[0061 ] 密封用片11通過下述步驟A~步驟G的順序測定的進入量Xl為化mW上且50miW 下、且由進入量Yl減去進入量Xl后的值(Yl-Xl)為60皿W下。
[0062] 所述進入量Xl優選為0皿W上且20皿W下。
[0063] 另外，所述(Yl-Xl)優選為30曲iW下，更優選為10曲iW下。
[0064] 步驟A，準備將下述規格的1個模擬忍片利用樹脂凸塊安裝于玻璃基板的模擬忍片 安裝基板，
[0065] 步驟B，準備長1cm、寬1cm、厚220皿的尺寸的中空型電子器件密封用片的樣品，
[0066] 步驟C，將所述樣品配置在所述模擬忍片安裝基板的所述模擬忍片上，
[0067] 步驟D，在下述埋入條件下，將所述模擬忍片埋入所述樣品，
[0068] 步驟E，在所述步驟D后，測定構成所述樣品的樹脂向所述模擬忍片與所述玻璃基 板之間的中空部的進入量XI，
[0069 ] 步驟F，在所述步驟E后，在150°C的熱風干燥機中放置1小時，使所述樣品熱固化而 得到密封體樣品、和
[0070] 步驟G，測定所述樹脂向所述密封體樣品中的所述中空部的進入量Y1。
[0071] <模擬忍片的規格〉
[0072] 忍片尺寸為長3mm、寬3mm、厚200皿，形成有高50皿的樹脂凸塊。
[0073] <埋入條件〉
[0074] 壓制方法:平板壓制
[0075] 溫度:75°C
[0076] 加壓力：3000k化
[0077] 真空度:1.6kPa [007引壓制時間：1分鐘
[0079] W下，對求出進入量Xl和由進入量Yl減去進入量Xl后的值的方法進行說明。
[0080] 圖2~圖5是用于說明測定進入量Xl和進入量Yl的順序的截面示意圖。圖6是圖5的 局部放大圖。
[00川（步驟A)
[0082] 步驟A中，如圖2所示，準備1個模擬忍片113利用樹脂凸塊113a安裝于玻璃基板112 的模擬忍片安裝基板115。模擬忍片113的規格如下。模擬忍片安裝基板115更具體地通過實 施例記載的方法準備。
[0083] <模擬忍片113的規格〉
[0084] 忍片尺寸為長3mm、寬3mm、厚200皿，形成有高50皿的樹脂凸塊113a。
[0085] (步驟 B)
[0086] 步驟B中，如圖3所示，準備長1 cm、寬1 cm、厚220皿的尺寸的樣品111。樣品111使用 與密封用片11相同的材料，制成長1cm、寬1cm、厚220皿的尺寸。本實施方式中，對樣品111層 疊于隔片Illa上的情況進行說明。可W例如首先制成長IOcmW上、寬IOcmW上、厚220WI1的 密封用片11，之后，切成長1cm、寬1cm、厚220皿的尺寸，由此制成樣品111。此夕h密封用片11 本身無需為長1cm、寬1cm、厚220曲1的尺寸。
[0087] (步驟 C)
[0088] 步驟C中，如圖4所示，將樣品111配置在模擬忍片安裝基板115的模擬忍片113上。 例如，在下側加熱板122上，將固定有模擬忍片113的面朝上地配置模擬忍片安裝基板115， 并同時在模擬忍片113面上配置樣品111。該步驟中，可W首先在下側加熱板122上配置模擬 忍片安裝基板115,之后，在模擬忍片安裝基板115上配置樣品111，也可W先在模擬忍片安 裝基板115上層疊樣品111，之后，在下側加熱板122上配置模擬忍片安裝基板115和樣品111 層疊而成的層疊物。
[0089] (步驟 D)
[0090] 步驟C之后，在步驟D中，如圖5所示，在下述埋入條件下，在樣品111中埋入模擬忍 片113。具體地，在下述埋入條件下，通過平板壓制所具備的下側加熱板122和上側加熱板 124進行熱壓，將模擬忍片113埋入樣品111。之后，在大氣壓、常溫(25°C)放置。放置時間設 置為24小時W內。
[0091 ] <埋入條件〉
[0092] 壓制方法:平板壓制
[0093] 溫度:75°C
[0094] 加壓力：3000k化
[0095] 真空度:1.6kPa
[0096] 壓制時間：1分鐘
[0097] (步驟 E)
[009引步驟D之后，步驟E中，測定構成樣品111的樹脂向模擬忍片113與玻璃基板112之間 的中空部114的進入量X1 (參照圖6)。進入量X1為從模擬忍片113的端部向中空部114進入的 樹脂的最大到達距離。
[0099] (步驟 F)
[0100] 在所述步驟E后，將模擬忍片113埋入樣品111的結構物在150°C的熱風干燥機中放 置1小時，使樣品111熱固化而得到密封體樣品。
[0101] (步驟 G)
[0102] 所述步驟F之后，測定所述樹脂向所述密封體樣品中的中空部114的進入量Y1。進 入量Yl為從模擬忍片113的端部向中空部114進入的樹脂的最大到達距離。
[0103] 之后，求出由進入量Yl減去進入量Xl后的值。
[0104] 通過W上，對求出進入量Xl和由進入量Yl減去進入量Xl后的值的方法進行說明。
[0105] 密封用片11如上所述，通過步驟A~步驟G的順序測定的進入量Xl為OwiiW上且50y m W下、且由進入量Yl減去所述進入量Xl后的值為60]im W下。
[0106] 由于所述進入量Xl為OwnW上且SOwiiW下，因此在實際的中空型電子器件封裝件 的制造中，將電子器件埋入密封用片11時，可W使樹脂適度進入電子器件與被粘物之間的 中空部。
[0107] 另外，由于由所述進入量Yl減去所述進入量Xl后的值為60皿W下，因此在實際的 中空型電子器件封裝件的制造中，可W抑制使密封用片11熱固化時的中空部中的樹脂的流 動。
[0108] 像運樣，利用密封用片11，在實際的中空型電子器件封裝件的制造中，可W在容易 控制樹脂向中空部的進入量的埋入時使樹脂進入中空部、且可W抑制難W控制的熱固化時 的樹脂的移動量。其結果，可W抑制進入中空部的樹脂的量在每個封裝件中不均。
[0109] 此外，使用進入量Xl和由進入量Yl減去所述進入量Xl后的值來評價密封用片11的 物性，是為了在設定實際的中空型電子器件封裝件的制造的條件下進行評價。其中，運些評 價中的條件有時當然與實際的中空型電子器件封裝件的制造中的條件不同。
[0110] 另外，所述進入量Yl優選為llOwnW下，更優選為gOwnW下。在中空型電子器件封 裝件中，凸塊、形成于電子器件的能動面多設置于距離電子器件的端部在中空部方向llOwn W上的內側。因此，若將所述進入量Yl設置為110皿W下，則變得能可靠地作為中空型電子 器件封裝件發揮作用。
[0111] 密封用片11的90°C時的粘度優選為300k化? SW上，更優選為350k化? SW上，進 一步優選為400k化? sW上。若密封用片11的90°C的粘度為300k化? sW上而為較高的粘 度，則可W抑制通過熱固化時的熱而軟化、在中空部內流動。
[0112] 另外，密封用片11的90°C的粘度優選為600k化? SW下，更優選為500k化? SW下。 若密封用片11的90°C的粘度為600k化? sW下，則可W將電子器件適當地埋入密封用片11。 此外，規定9(TC的粘度是為了設定在熱固化時成為最低烙融粘度的附近的溫度，運是因為 若在太高的溫度下進行測定，則密封用片11的熱固化開始，從而值會不均。
[0113] 作為密封用片11的9(TC的粘度的控制的方法，可舉出下述的方法等：調整下述熱 塑性樹脂的種類或含量、無機填充劑的含量等的方法、或通過制成用于形成密封用片11的 清漆或混煉物時的攬拌條件進行調整的方法。
[0114] 密封用片11優選含有環氧樹脂和酪醒樹脂。由此，能夠得到良好的熱固化性。
[0115] 作為環氧樹脂，沒有特別限定。例如可W使用苯甲燒型環氧樹脂、甲酪線性酪 醒型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改性雙酪A型環氧樹脂、雙酪A型環氧樹脂、雙酪F型環氧樹 月旨、改性雙酪F型環氧樹脂、二環戊二締型環氧樹脂、苯酪線性酪醒型環氧樹脂、苯氧基樹脂 等各種環氧樹脂。運些環氧樹脂可W單獨使用，也可W兩種W上并用。
[0116] 從確保環氧樹脂固化后的初性和環氧樹脂反應性的觀點出發，優選環氧當量為 150~250、軟化點或烙點為50~130°C的在常溫下為固形的樹脂，其中，從成型性和可靠性 的觀點出發，更優選雙酪F型環氧樹脂、雙酪A型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。
[0117] 酪醒樹脂只要是能與環氧樹脂之間發生固化反應的樹脂就沒有特別限定。例如可 W使用:苯酪線性酪醒樹脂、苯酪芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、二環戊二締型酪醒樹脂、甲 酪線性酪醒樹脂、甲階樹脂等。運些酪醒樹脂可W單獨使用，也可W兩種W上并用。
[0118] 作為酪醒樹脂，從與環氧樹脂的反應性的觀點出發，優選使用徑基當量為70~ 250、軟化點為50~Iior的樹脂，其中，從固化反應性高且價格便宜的觀點出發，可W適宜 使用苯酪線性酪醒樹脂。此外，從可靠性的觀點出發，還可W適當地使用苯酪芳烷基樹脂、 聯苯芳烷基樹脂運樣的低吸濕性酪醒樹脂。
[0119] 環氧樹脂與酪醒樹脂的配合比例，從固化反應性的觀點出發，相對于環氧樹脂中 的環氧基1當量，優選使酪醒樹脂中的徑基合計為0.7~1.5當量進行配合，更優選為0.9~ 1.2當量。
[0120] 密封用片11中的環氧樹脂和酪醒樹脂的總含量下限優選為5.0重量％ ^上，更優 選為7.0重量％^上。如果為5.0重量％^上，則能夠良好地獲得對電子器件、基板等的粘接 力。另一方面，所述總含量的上限優選為25重量％^下，更優選為20重量％ ^下。如果為25 重量％^下，則能夠降低密封用片的吸濕性。
[0121] 密封用片11優選含有熱塑性樹脂。由此，能夠使得到的密封用片的耐熱性、曉性、 強度得到提高。
[0122] 作為熱塑性樹脂，可W列舉:天然橡膠、下基橡膠、異戊二締橡膠、氯下橡膠、乙締- 乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締樹脂、聚碳酸醋 樹脂、熱塑性聚酷亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚酷胺樹脂、苯氧基樹脂、丙締酸系樹脂、 陽T或PBT等飽和聚醋樹脂、聚酷胺酷亞胺樹脂、氣樹脂、苯乙締-異下締-苯乙締嵌段共聚物 等。運些熱塑性樹脂可W單獨使用，或者兩種W上并用。其中，從容易得到曉性、與環氧樹脂 的分散性良好的觀點出發，優選丙締酸系樹脂。
[0123] 作為所述丙締酸系樹脂，沒有特別限定，可W舉出W-種或兩種W上的丙締酸或 甲基丙締酸的醋為成分的聚合物(丙締酸系共聚物)等，其中，丙締酸或甲基丙締酸的醋是 具有碳原子數30W下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙締酸或甲基丙締酸的 醋。作為所述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正下基、叔下基、異下基、戊基、異 戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一燒 基、月桂基、十=烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
[0124] 所述丙締酸系樹脂的玻璃化轉變溫度(Tg)優選為50°C W下，更優選為-70~20°C， 進一步優選為-50~0°C。通過設定為50°C W下，可W使片材具有曉性。
[0125] 所述丙締酸系樹脂之中，優選重均分子量為5萬W上的樹脂，更優選為10萬~200 萬的樹脂，進一步優選為30萬~160萬的樹脂。如果在所述數值范圍內，則能夠進一步提高 密封用片11的粘度和曉性。需要說明的是，重均分子量是利用GPC(凝膠滲透色譜)法測定并 通過聚苯乙締換算而得到的值。
[0126] 另外，作為形成所述聚合物的其他單體，沒有特別限定，例如可列舉:丙締酸、甲基 丙締酸、丙締酸簇乙醋、丙締酸簇戊醋、衣康酸、馬來酸、富馬酸或己豆酸等運樣的含簇基單 體、馬來酸酢或衣康酸酢等運樣的酸酢單體、（甲基)丙締酸2-徑基乙醋、（甲基)丙締酸2-徑 基丙醋、（甲基)丙締酸4-徑基下醋、（甲基）丙締酸6-徑基己醋、（甲基)丙締酸8-徑基辛醋、 (甲基)丙締酸10-徑基癸醋、（甲基)丙締酸12-徑基月桂醋或丙締酸(4-徑甲基環己基）甲醋 等運樣的含徑基單體、苯乙締橫酸、締丙基橫酸、2-(甲基)丙締酷胺-2-甲基丙橫酸、（甲基） 丙締酷胺丙橫酸、（甲基）丙締酸橫丙醋或（甲基）丙締酷氧基糞橫酸等運樣的含橫酸基單 體、或者2-徑乙基丙締酷基憐酸醋等運樣的含憐酸基單體。其中，從與環氧樹脂反應而能夠 提高密封用片11粘度的觀點出發，優選含有含簇基單體、含縮水甘油基(環氧基)單體、含徑 基單體中的至少一種。
[0127] 密封用片11中熱塑性樹脂的含量優選為0.5重量％ ^上，更優選為1.0重量％ W 上。如果所述含量為0.5重量％^上，則能得到密封用片的柔軟性、曉性。密封用片11中熱塑 性樹脂的含量優選為10重量％ ^下，更優選為5重量％ ^下。如果為10重量％ ^下，則密封 用片對于電子器件、基板的粘接性良好。
[0128] 密封用片11優選含有無機填充劑。
[0129] 所述無機填充劑沒有特別限定，可W使用現有公知的各種填充劑，例如可列舉:石 英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃、結晶性二氧化娃等）、氧化侶、氮化侶、氮化娃、氮化 棚的粉末。它們可W單獨使用，也可W兩種W上并用。其中，從能夠良好地降低線性膨脹系 數的理由出發，優選二氧化娃、氧化侶，更優選二氧化娃。
[0130] 作為二氧化娃，優選二氧化娃粉末，更優選烙融二氧化娃粉末。作為烙融二氧化娃 粉末，可W列舉:球狀烙融二氧化娃粉末、破碎烙融二氧化娃粉末，從流動性的觀點出發，優 選球狀烙融二氧化娃粉末。
[0131] 密封用片11優選在69~86體積％的范圍內含有無機填充劑。所述含量更優選為75 體積％ ^上，進一步優選為78體積％ ^上。如果在69~86體積％的范圍內含有無機填充劑， 則可W使熱膨脹系數接近SAW忍片13。其結果，能夠抑制封裝件的翅曲。進一步，如果在69~ 86體積％的范圍內含有無機填充劑，則可W降低吸水率。
[0132] 所述無機填充劑是二氧化娃時，所述無機填充劑的含量也可WW"重量％"為單位 來說明。密封用片11中二氧化娃的含量優選為80~92重量％，更優選為85~92重量％。
[0133] 優選使用平均粒徑在20wiiW下范圍的無機填充劑，更優選使用0.1~15WI1范圍的 無機填充劑，特別優選使用0.5~IOmi范圍的無機填充劑。
[0134] 另外，作為所述無機填充劑，也可W使用兩種W上平均粒徑不同的無機填充劑。使 用兩種W上平均粒徑不同的無機填充劑時，所述的"無機填充劑的平均粒徑為20皿W下"是 指無機填充劑整體的平均粒徑為20WI1W下。
[0135] 所述無機填充劑的形狀沒有特別限定，可W是球狀(包括楠球體狀）、多面體狀、多 棱柱狀、扁平狀、不定形狀等任意形狀，但從實現中空結構附近的高填充狀態、適度的流動 性的觀點出發，優選球狀。
[0136] 密封用片11中含有的所述無機填充劑優選在利用激光衍射散射法測定的粒度分 布中具有兩個峰。例如可W通過混合兩種平均粒徑不同的無機填充劑得到運樣的無機填充 劑。如果使用粒度分布中具有兩個峰的無機填充劑，則可高密度填充無機填充劑。其結果， 能夠更加提高無機填充劑的含量。
[0137] 所述兩個峰沒有特別限定，優選粒徑較大一側的峰在3~30WI1的范圍內，粒徑較小 一側的峰在0.1~Iwii的范圍內。如果所述兩個峰在所述數值范圍內，則能夠更加提高無機 填充劑的含量。
[0138] 具體而言，所述粒度分布可W通過下面的方法得到。
[0139] (a)將密封用片11投入相鍋，在大氣氣氛下，700°C下灼燒2小時使其灰化。
[0140] (b)使得到的灰分分散至純水中，超聲波處理10分鐘，利用激光衍射散射式粒度分 布測量裝置（貝克曼庫爾特公司制、"LS 13 320";濕式法)求出粒度分布(體積基準）。
[0141] 需要說明的是，作為密封用片11的組成，除了無機填充劑之外為有機成分，通過所 述的灼燒處理實際上全部的有機成分已被燒掉，因此將得到的灰分視為無機填充劑進行測 量。需要說明的是，平均粒徑的計算與粒度分布也可W同時進行。
[0142] 密封用片11的無機填充劑優選預先用硅烷偶聯劑進行表面處理。
[0143] 作為所述硅烷偶聯劑，只要是具有甲基丙締酷氧基或丙締酷氧基且能夠進行無機 填充劑表面處理的物質，就沒有特別限定。作為所述硅烷偶聯劑的具體例子，可列舉:3-甲 基丙締酷氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=甲氧基硅烷、3-甲基丙締 酷氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=乙氧基硅烷、甲基丙締酷氧基辛 基=甲氧基硅烷、甲基丙締酷氧基辛基=乙氧基硅烷。其中，從反應性和成本的觀點出發， 優選3-甲基丙締酷氧基丙基=甲氧基硅烷。
[0144] 用硅烷偶聯劑處理無機填充劑的表面時，會產生逸出氣體(例如，甲醇）。因此，在 制作密封用片11的前階段就預先用硅烷偶聯劑對無機填充劑進行表面處理的話，就可在此 階段中排除一定程度的逸出氣體。其結果，在制作密封用片11時能夠抑制封閉在片材內的 逸出氣體的量，可W減少空隙的產生。
[0145] 密封用片11含有預先被作為硅烷偶聯劑的具有甲基丙締酷氧基或丙締酷氧基的 化合物進行了表面處理的無機填充劑時，相對于無機填充劑100重量份，所述無機填充劑優 選預先用0.5~2重量份的硅烷偶聯劑進行表面處理。
[0146] 如果用硅烷偶聯劑對無機填充劑進行表面處理的話，可W抑制密封用片11的粘度 變得過大，但如果硅烷偶聯劑的量多，則逸出氣體的產生量也增加。因此，即使對無機填充 劑預先進行了表面處理，在制作密封用片11時產生的逸出氣體也會導致密封用片11的性能 下降。另一方面，如果硅烷偶聯劑的量少，則有時粘度變得過大。因此，相對于無機填充劑 100重量份，如果用0.5~2重量份的硅烷偶聯劑對無機填充劑預先進行表面處理的話，則在 能夠適當降低粘度的同時，還能夠抑制逸出氣體導致的性能下降。
[0147] 密封用片11含有預先被作為硅烷偶聯劑的具有甲基丙締酷氧基或丙締酷氧基的 化合物進行了表面處理的無機填充劑、并且使用混合有兩種平均粒徑不同的無機填充劑的 物質作為所述無機填充劑時，優選至少預先用硅烷偶聯劑對平均粒徑較小的無機填充劑進 行表面處理。平均粒徑較小的無機填充劑比表面積更大，因此更能抑制粘度的上升。
[0148] 另外，使用混合有兩種平均粒徑不同的無機填充劑的物質作為所述無機填充劑 時，更優選預先用硅烷偶聯劑對平均粒徑較小的無機填充劑與較大的無機填充劑兩者進行 表面處理。在此情況下，更能進一步抑制粘度的上升。
[0149] 密封用片11優選含有固化促進劑。
[0150] 作為固化促進劑，只要是能使環氧樹脂與酪醒樹脂的固化進行的物質就沒有特別 限定，例如，可列舉:S苯基麟、四苯基鱗四苯基棚酸鹽等有機憐系化合物;2-苯基-4,5-二 徑基甲基咪挫、2-苯基-4-甲基-5-徑基甲基咪挫等咪挫系化合物;等。其中，從反應性良好 且固化物的Tg容易升高的理由出發，優選咪挫系化合物。咪挫系化合物中，在可W加快熱固 化時的粘度上升方面，優選2-苯基-4-甲基-5-徑基甲基咪挫。
[0151] 相對于環氧樹脂和酪醒樹脂的總量100重量份，固化促進劑的含量優選為0.1~5 重量份。
[0152] 根據需要，密封用片11也可W含有阻燃劑成分。由此，能夠減小因部件短路、發熱 等而起火時的燃燒擴大。作為阻燃劑組分，例如可W使用:氨氧化侶、氨氧化儀、氨氧化鐵、 氨氧化巧、氨氧化錫、復合化金屬氨氧化物等各種金屬氨氧化物;憐臘系阻燃劑等。
[0153] 密封用片11優選含有顏料。作為顏料，沒有特別限定，可W列舉出炭黑等。
[0154] 密封用片11中顏料的含量優選為0.1~2重量％。如果為0.1重量％ ^上，則能夠獲 得良好的標記性。如果為2重量％^下，則能夠確保固化后密封用片的強度。
[0155] 需要說明的是，在樹脂組合物中，除了所述各成分W外，還可W根據需要適當配合 其它添加劑。
[0156] 密封用片11的厚度沒有特別限定，例如為100~2000WI1。如果在所述范圍內，則能 夠良好地密封電子器件。
[0157] 密封用片11可W是單層結構，也可W是兩個W上密封用片層疊而成的多層結構。
[0158] [中空型電子器件密封用片的制造方法]
[0159] 密封用片11可由W下方法形成:在適當溶劑中將用于形成密封用片11的樹脂等溶 解、分散，制備清漆，W規定厚度在隔片Ila上涂布該清漆而形成涂膜后，在規定條件下干燥 該涂膜。涂布方法沒有特別限定，例如可列舉:漉涂、絲網涂布、凹版涂布等。此外，作為干燥 條件，例如在干燥溫度70~160°C、干燥時間1~30分鐘的范圍內實施。
[0160] 另外，作為其他方法，在支承體上涂布所述清漆形成涂膜后，也可W在所述干燥條 件下干燥涂膜形成密封用片11。隨后，將密封用片11與支承體一起粘貼到隔片Ila上。特別 是密封用片11含有熱塑性樹脂(丙締酸系樹脂）、環氧樹脂、酪醒樹脂時，將運些全部溶解至 溶劑之后，再進行涂布、干燥。作為溶劑，可舉出甲乙酬、乙酸乙醋、甲苯等。
[0161] 另外，密封用片11可W通過混煉擠出來制造。作為通過混煉擠出來制造的方法，可 舉出例如:通過用混合漉、加壓式捏合機、擠出機等公知的混煉機將用于形成密封用片11的 各成分烙融混煉，由此制備混煉物，將得到的混煉物進行增塑加工而形成為片狀的方法等。
[0162] 具體地，不將烙融混煉后的混煉物冷卻而直接在高溫狀態下進行擠出成形，由此 可W形成密封用片。作為運樣的擠出方法，沒有特別限制，可舉出T模頭擠出法、漉社制法、 漉混煉法、共擠出法、壓延成形法等。作為擠出溫度，優選所述的各成分的軟化點W上，若考 慮環氧樹脂的熱固化性和成形性，則例如為40~150°C，優選為50~140°C，進一步優選為70 ~120°C。通過W上，可W形成密封用片11。
[0163] [中空型電子器件封裝件的制造方法]
[0164] 本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法至少包括：
[0165] 準備利用凸塊將電子器件固定在被粘物上的層疊體的工序、
[0166] 準備中空型電子器件密封用片的工序、
[0167] 將所述中空型電子器件密封用片配置在所述層疊體的所述電子器件上的工序、
[0168] 通過熱壓，將所述電子器件埋入所述中空型電子器件密封用片的工序、和
[0169] 在所述埋入工序后，使所述中空型電子器件密封用片熱固化而得到密封體的工 序，
[0170] 將在所述埋入工序后、且得到所述密封體的工序前的狀態時的構成所述中空型電 子器件密封用片的樹脂向所述電子器件與所述被粘物之間的中空部的進入量設為X2,將得 到所述密封體的工序后的狀態時的所述樹脂向所述中空部的進入量設為Y2時，所述進入量 X2為OwiiW上且SOwiiW下、且由所述進入量Y2減去所述進入量X2后的值為eOwiiW下。
[0171] 作為所述被粘物，沒有特別限定，例如，可舉出印刷電路基板、陶瓷基板、娃基板、 金屬基板等。本實施方式中，通過密封用片11對搭載在印刷電路基板12上的SAW忍片13進行 中空密封，制作中空封裝件。需要說明的是，SAW忍片13是指具有SAW(Surface Acoustic Wave)濾波器的忍片。即，本實施方式中對本發明的電子器件具有SAW(Surface Acoustic Wave)濾波器的忍片的情形進行說明。
[0172] 圖7~圖11是用于說明本實施方式的中空型電子器件封裝件的制造方法的截面示 意圖。
[0173] (準備層疊體的工序）
[0174] 本實施方式的中空封裝件的制造方法中，首先，準備在印刷電路基板12上搭載有 多個SAW忍片13 (SAW濾波器13)的層疊體15 (參照圖7)。SAW忍片13可W通過利用公知方法對 形成有規定梳狀電極的壓電晶體進行切割使其單片化而形成。在SAW忍片13搭載到印刷電 路基板12中，可W使用倒裝忍片接合機、忍片接合機等公知的裝置。SAW忍片13與印刷電路 基板12經由凸點13a進行電連接。此外，SAW忍片13與印刷電路基板12之間保持有中空部14， 使得不會阻礙SAW濾波器表面的表面彈性波的傳播。可W適當設定SAW忍片13與印刷電路基 板12之間的距離（中空部的寬度），通常為10~IOOwii左右。
[0175] (準備中空型電子器件密封用片的工序）
[0176] 另外，本實施方式的中空封裝件的制造方法中，準備密封用片11(參照圖1)。
[0177] (配置中空型電子器件密封用片的工序）
[0178] 接著，如圖8所示，在下側加熱板22上，將固定有SAW忍片13的面朝上而配置層疊體 15,并同時在SAW忍片13面上配置密封用片11。該工序中，可W在下側加熱板22上首先配置 層疊體15,然后在層疊體15上配置密封用片11，也可W在層疊體15上先層疊密封用片11，然 后將層疊有層疊體15和密封用片11的層疊物配置在下側加熱板22上。
[0179] (將電子器件埋入中空型電子器件密封用片的工序）
[0180] 接著，如圖9所示，通過下側加熱板22和上側加熱板24進行熱壓，將SAW忍片13埋入 密封用片11。下側加熱板22和上側加熱板24可W是平板壓制所具備的構件。密封用片11作 為用于保護SAW忍片13和附屬于其的要素免受外部環境影響的密封樹脂起作用。
[0181] 該埋入工序W構成密封用片11的樹脂向SAW濾波器13與印刷布線基板12之間的中 空部14的進入量X2為OwnW上且SOwiiW下的方式進行。所述進入量X2優選為OwnW上且30曲1 W下，更優選為OwnW上且20WI1W下。作為將所述進入量X2設置為OwnW上且SOwiiW下的方 法，可W通過調整密封用片11的粘度、或調整熱壓條件來達成。更具體地，可舉出例如將壓 力和溫度設定得較高的方法。
[0182] 此外，若將密封用片11的粘度設定得較高，則需要將壓力和溫度設定得更高，但若 將密封用片11的粘度設定得較高，則此后的熱固化工序中可W減少構成密封用片11的樹脂 的流動。
[0183] 因此，優選在能將進入量X2設置為OwiiW上且SOwiiW下的程度內，提高密封用片11 的粘度，同時將壓力和溫度設定得更高的方法。
[0184] 具體地，作為將SAW忍片13埋入密封用片11時的熱壓條件，根據密封用片11的粘度 等而不同，但溫度優選為40~150°C，更優選為60~120°C，壓力例如為0.1~lOMPa，優選為 0.2~SMPa，時間例如為0.3~10分鐘，優選為0.5~5分鐘。作為熱壓方法，可舉出平行平板 壓制、漉壓制。其中，優選平行平板壓制。通過將熱壓條件設置在所述數值范圍內，變得容易 將進入量X2設置在所述數值范圍內。
[0185] 另外，若考慮密封用片11對SAW忍片13和印刷布線基板12的密合性和追隨性的提 高，則優選在減壓條件下進行壓制。
[0186] 作為所述減壓條件，壓力例如為0.1~化化，優選為0.1~IOOPa，減壓保持時間（從 減壓開始到壓制開始的時間）例如為5~600秒，優選為10~300秒。
[0187] (隔片剝離工序）
[0188] 接著，像本實施方式那樣，在單面帶有隔片的狀態下使用密封用片11時，剝離隔片 lla(參照圖10)。
[0189] (進行熱固化而得到密封體的工序）
[0190] 接著，使密封用片11熱固化而得到密封體25。
[0191] 將得到密封體25的工序后的狀態時的所述樹脂向中空部14的進入量設為Y2時，W 由所述進入量Y2減去所述進入量X2后的值為60]imW下的方式進行得到該密封體的工序。由 所述進入量Y2減去所述進入量X2后的值優選為30皿W下，更優選為10皿W下。作為將由所 述進入量Y2減去所述進入量X2后的值設置為60WI1W下的方法，可W通過調整密封用片11的 固化前的粘度、或W加熱時的固化速度變快的方式調整密封用片11的構成材料來達成。更 具體地，若將密封用片11的粘度設定得更高，則通過熱固化時的熱，可W抑制直到熱固化的 期間樹脂流動的量。另外，若W加熱時的固化速度變快的方式調整密封用片11的構成材料， 則可W縮短流動時間，可W抑制流動的量。
[0192] 具體地，作為熱固化處理的條件，根據密封用片11的粘度、構成材料等而不同，但 加熱溫度優選為l〇〇°CW上，更優選為120°CW上。另一方面，加熱溫度的上限優選為200°C W下，更優選為180°C W下。加熱時間優選為10分鐘W上，更優選為30分鐘W上。另一方面， 加熱時間的上限優選為180分鐘W下，更優選為120分鐘W下。此外，根據需要可W加壓，優 選為0.1 MPa W上，更優選為0.5MPa W上。另一方面，上限優選為IOMPa W下，更優選為SMPa W 下。
[0193] 通過將熱固化處理的條件設置在所述數值范圍內，容易將從埋入工序后到熱固化 工序后的期間的樹脂的流動距離、即將由進入量Y2減去所述進入量X2后的值設置為60wiiW 下。
[0194] 僅密封1個作為電子器件的SAW濾波器13時，可W將密封體25制成1個中空型電子 器件封裝件。另外，將多個SAW濾波器13-起密封時，通過將SAW濾波器分別分割，可W分別 制成1個中空型電子器件封裝件。即，像本實施方式那樣，在將多個SAW濾波器13-起密封 時，進一步，可W進行下述的構成。
[0195] (切割工序）
[0196] 熱固化工序后，可W切割密封體25(參照圖6)。由此，可W得至化AW忍片13單元的中 空封裝件18(中空型電子器件封裝件）。
[0197] (基板安裝工序）
[0198] 可W根據需要，進行如下工序:對中空封裝件18形成凸點，再將其安裝在另外的基 板(沒有圖示）的基板安裝工序。在將中空封裝件18向基板的安裝中，可W使用倒裝忍片接 合機、忍片接合機等公知的裝置。
[0199] 上述的實施方式中，對本發明的中空型電子器件是作為具有可動部的半導體忍片 的SAW忍片13的情況進行了說明。但是，只要本發明的中空型電子器件在被粘物與電子器件 之間具有中空部，則不限定于該例。例如，也可W是作為可動部具有壓力傳感器、振動傳感 器等MEMS(MicrC) Electro Mechanical Systems)的半導體忍片。
[0200] 另外，上述的本實施方式中，對使用中空型電子器件密封用片、通過平行平板壓制 埋入電子器件的情況進行了說明，但本發明不限于該例，也可W在真空狀態的真空腔室內， 用脫模膜將電子器件與中空型電子器件密封用片的層疊物密閉后，在腔室內導入大氣壓W 上的氣體，將電子器件埋入中空型電子器件密封用片的熱固化性密封用片。具體地，也可W 通過在日本特開2013-52424號公報中記載的方法，將電子器件埋入中空型電子器件密封用 片的熱固化性密封用片。
[0201] 另外，上述的實施方式中，對使用了密封用片11的中空型電子器件封裝件的制造 方法進行了說明，但只要所述進入量X2為Own W上且SOwiiW下、且由所述進入量Y2減去所述 進入量X2后的值為60皿W下即可，可使用任意中空型電子器件密封用片。例如，使用W往公 知的中空型電子器件密封用片，通過控制埋入工序中的熱壓條件、熱固化而得到密封體的 工序中的熱固化處理的條件，可W達成所述進入量X2為0皿W上且50皿W下、且由所述進入 量Y2減去所述進入量X2后的值為eOwiiW下。其中，使用密封用片11時容易達成。
[0202] 實施例
[0203] 下面舉例詳細說明本發明的優選實施例。其中，關于該實施例中記載的材料、配合 量等，只要沒有特別限定的記載，就不能將本發明的范圍僅限定于運些材料、配合量。
[0204] 對在實施例中使用的密封用片的成分進行說明。
[0205] 環氧樹脂：新日鐵化學株式會社制的YSLV-80XY(雙酪F型環氧樹脂、環氧當量 200g/eq.、軟化點 80°C)
[0206] 酪醒樹脂:群榮化學制的LVR8210DL(線性酪醒樹脂、徑基當量104g/eq.、軟化點60 °〇
[0207] 熱塑性樹脂:根上工業株式會社制的HME-2006M(含簇基的丙締酸醋共聚物、重均 分子量:約60萬、玻璃化轉變溫度(Tg): -35 °C)
[0208] 無機填充劑A:電氣化學工業株式會社制的FB-5SDC(平均粒徑如m、未作表面處理）
[0209] 無機填充劑B:對株式會社Admatechs制的S0-25R(平均粒徑0.5皿)用3-甲基丙締 酷氧基丙基S甲氧基硅烷(信越化學株式會社制的產品名:KBM-503)進行表面處理得到的 無機填充劑。相對于無機填充劑B的100重量份，用1重量份的硅烷偶聯劑進行表面處理。
[0210] 炭黑菱化學株式會社制造的#20
[0211] 固化促進劑：四國化成工業株式會社制造的2P4M監-PW(2-苯基-4-徑基甲基5-甲 基咪挫）
[0212] [實施例和比較例的電子器件密封用片的制成]
[0213] 按照表1中記載的密封用片的配比，使各成分溶解、分散在作為溶劑的甲乙酬中， 得到濃度85重量％的清漆。將該清漆涂布在娃酬脫模處理后的隔片上后，在Iior下干燥5 分鐘。由此，得到厚度為55WI1的片材。將該片材層疊4層，制作厚度為220WI1的中空密封用片。
[0214] (密封用片的90°C的粘度測定）
[0215]使用流變儀(HAAKE公司制、MARS III)利用平行板法現慢實施例和比較例中制作 的密封用片的90°C的粘度。更詳細地，在間隙1mm、平行板直徑8mm、旋轉速率5、應變 0.05%、升溫速率10°C/分鐘的條件下，在50°C~130°C的范圍內測定粘度，讀取此時的90°C 的值。結果如表1所示。
[0216](樹脂向封裝件中空部的進入性評價） 腳7] <步驟A〉
[0218] 首先，準備下述規格的1個模擬忍片利用樹脂凸塊安裝于玻璃基板（長76mm、寬 26mm、厚1.0mm)的模擬忍片安裝基板。玻璃基板與模擬忍片間的間隙寬度為50WI1。
[0219] <模擬忍片的規格〉
[0220] 忍片尺寸為長3mm、寬3mm、厚200皿，形成有高50皿、直徑100皿的樹脂凸塊(樹脂的 材質:丙締酸系樹脂）。凸塊數為117凸塊。凸塊的配置位置為300皿間距。模擬忍片的材質為 娃晶片。
[0221] 具體地，通過在下述接合條件下，將所述模擬忍片安裝于所述玻璃基板，由此準備 了模擬忍片安裝基板。
[0。^ <接合條件〉
[0223]裝置:松下電工(株)制
[0224] 接合條件:200°C、3N、1秒鐘、超聲波功率2W
[02巧] < 步驟B〉
[0226] 將通過所述實施例、比較例制成的厚220WI1的密封用片切成長1cm、寬Icm而制成樣 品。
[0227] < 步驟 C〉
[0228] 將所述樣品配置在所述模擬忍片安裝基板的所述模擬忍片上。
[0229] < 步驟 D〉
[0230] 在下述埋入條件下，將所述模擬忍片埋入所述樣品。
[0231 ] <埋入條件〉
[0232] 壓制方法:平板壓制
[0233] 溫度:75°C
[0234] 加壓力：3000k化
[0235] 真空度:1.6kPa
[0236] 壓制時間：1分鐘
[0237] < 步驟 E〉
[0238] 向大氣壓開放后，測定構成所述樣品的樹脂向所述模擬忍片與所述玻璃基板之間 的中空部的進入量XI。具體地，通過KEYENCE公司制造的商品名"digital microscope" (200 倍），測定樹脂向模擬忍片與陶瓷基板之間的中空部的進入量XI。就樹脂進入量Xl而言，測 定從SAW忍片的端部向中空部進入的樹脂的最大到達距離，將其作為樹脂進入量Xl。此外， 沒有進入、中空部比SAW忍片更向外側擴展時，用負號表示樹脂進入量。將樹脂進入量Xl為0 皿~50皿的情況評價為"〇"，將低于0皿或者大于50皿的情況評價為"X"。在表1中示出結 果。
[0239] < 步驟 F〉
[0240] 在所述步驟E后，在150°C的熱風干燥機中放置1小時。由此，使所述樣品熱固化而 得到密封體樣品。
[0241] < 步驟 G〉
[0242] 之后，測定樹脂向密封體樣品中的中空部的進入量Y1。測定方法與進入量Xl同樣。
[0243] 之后，求出由進入量Yl減去進入量Xl后的值。在表1中示出結果。將由進入量Yl減 去進入量Xl后的值為60皿W下的情況評價為"〇"，將比60WI1大的情況評價為"X"。在表1中 示出結果。
[0244] 此外，比較例2在步驟D中產生了空隙，因此不能測定進入量Yl。因此，也沒有求出 由進入量Yl減去進入量Xl后的值。
[0245] 酷]
[0246]
[0247] 符號說明
[024引11中空型電子器件密封用片(密封用片） [0249] 13 SAW濾波器(電子器件）
[0巧0] 14中空部
[0巧1] 15層疊體
[0252] 18中空型電子器件封裝件
[0253] 25密封體
[0巧4] 112玻璃基板
[0巧5] 113模擬忍片
[0巧6] 113a樹脂凸塊
[0巧7] 114中空部
[025引115模擬忍片安裝基板
【主權項】
1. 一種中空型電子器件密封用片，其特征在于，通過下述步驟A~步驟G的順序測定的 進入量XI為Ομπι以上且50μπι以下，且由進入量Y1減去所述進入量XI后的值為60μπι以下， 步驟Α:準備將下述規格的1個模擬芯片利用樹脂凸塊安裝于玻璃基板的模擬芯片安裝 基板， 步驟Β:準備長lcm、寬lcm、厚220μπι的尺寸的中空型電子器件密封用片的樣品， 步驟C:將所述樣品配置在所述模擬芯片安裝基板的所述模擬芯片上， 步驟D:在下述埋入條件下，將所述模擬芯片埋入所述樣品， 步驟Ε:在所述步驟D后，測定構成所述樣品的樹脂向所述模擬芯片與所述玻璃基板之 間的中空部的進入量XI， 步驟F:在所述步驟Ε后，在150Γ的熱風干燥機中放置1小時，使所述樣品熱固化而得到 密封體樣品，和 步驟G:測定所述樹脂向所述密封體樣品中的所述中空部的進入量Y1， <模擬芯片的規格> 芯片尺寸為長3臟、寬3臟、厚200μπι，形成有高50μπι的樹脂凸塊， <埋入條件> 壓制方法:平板壓制 溫度：75°C 加壓力：3〇〇〇kPa 真空度：1.6kPa 壓制時間：1分鐘。2. 根據權利要求1所述的中空型電子器件密封用片，其特征在于，90°C時的粘度為 300kPa · s以上。3. 一種中空型電子器件封裝件的制造方法，其特征在于，包括： 準備利用凸塊將電子器件固定在被粘物上的層疊體的工序、 準備中空型電子器件密封用片的工序、 將所述中空型電子器件密封用片配置在所述層疊體的所述電子器件上的工序、 通過熱壓，將所述電子器件埋入所述中空型電子器件密封用片的工序、和 在所述埋入工序后，使所述中空型電子器件密封用片熱固化而得到密封體的工序， 將在所述埋入工序后且得到所述密封體的工序前的狀態時的、構成所述中空型電子器 件密封用片的樹脂向所述電子器件與所述被粘物之間的中空部的進入量設為X2,將得到所 述密封體的工序后的狀態時的、所述樹脂向所述中空部的進入量設為Y2時，所述進入量X2 為Ομπι以上且50μηι以下，且由所述進入量Y2減去所述進入量X2后的值為60μηι以下。
【文檔編號】H01L21/56GK105938817SQ201610118460
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年3月2日
【發明人】土生剛志, 豐田英志, 市川智昭, 清水祐作
【申請人】日東電工株式會社