電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器的制造方法

電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器的制造方法
【專利摘要】本發明提供電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器，該電子倍增體包括主體部以及在主體部的一個端面和另一個端面開口并且放出二次電子的通道，該電子倍增體的制造方法包括：準備具有表面和背面的第一板狀部件和一對第二板狀部件的工序；在第一板狀部件形成從表面至背面且沿表面和背面延伸的孔部的工序；通過以由一對第二板狀部件夾著第一板狀部件的方式將第一板狀部件和第二板狀部件相互疊層而構成疊層體、從而在疊層體形成由孔部規定的通道的工序；將疊層體一體化的工序；通過將一體化的疊層體以使得通道在一個端面和另一個端面開口的方式切斷而構成主體部的工序；和在通道的內面形成電阻層和二次電子倍增層的工序。
【專利說明】
電子倍増體的制造方法、光電倍増管和光電倍増器
技術領域
[0001]本發明涉及電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器。
【背景技術】
[0002]在專利文獻1(美國專利第3、244、922號說明書)中記載有設置有波狀通路的長方體形的倍增極元件的電子倍增體。在該電子倍增體，通過將形成有波狀的槽部的兩個塊組合而形成通路和倍增極元件。

【發明內容】

[0003]發明所要解決的問題
[0004]如上所述，在專利文獻I中記載的電子倍增體，在兩個塊分別形成波狀的槽部，并且將這些塊組合而形成通路(通道)。但是，利用這樣的方法難以提高通道的加工性。
[0005]本發明是鑒于這樣的情況而完成的發明，其目的在于提供能夠提高通道的加工性的電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器。
[0006]用于解決問題的方式
[0007]本發明是電子倍增體的制造方法，該電子倍增體包括:在第一方向上延伸的主體部;和通道，其在第一方向上的主體部的一個端面和另一個端面開口，并且根據射入的電子放出二次電子，該電子倍增體的制造方法包括:準備工序，準備具有表面和表面的相反側的背面的第一板狀部件以及一對第二板狀部件;孔形成工序，在第一板狀部件形成從表面至背面并且沿表面和背面延伸的孔部;疊層工序，通過以利用一對第二板狀部件夾著第一板狀部件的方式將第一板狀部件和第二板狀部件相互疊層而構成疊層體，在疊層體形成由孔部規定的通道;將疊層體一體化的一體化工序;切斷工序，通過將一體化的疊層體切斷而構成主體部;和層形成工序，在通道的內面形成電阻層和二次電子倍增層;在切斷工序中，以通道在一個端面和另一個端面開口的方式將疊層體切斷。
[0008]在該電子倍增體的制造方法中，在第一板狀部件形成從表面至背面并且沿表面和背面延伸的孔部。而且，以一對第二板狀部件夾著第一板狀部件的方式相互疊層而構成疊層體，并且形成由孔部規定的通道。將該疊層體一體化并通過進行切斷而構成主體部。此夕卜，在通道的內面形成電阻層和二次電子倍增層。根據這樣的方法，比較容易在板狀部件形成孔部，由此能夠提高通道的加工性。此外，基于同樣的理由，能夠降低制造成本。
[0009]在本發明的電子倍增體的制造方法中，在層形成工序中，也可以利用原子層沉積法(ALD:Atomic Layer Deposit1n)形成電阻層和二次電子倍增層。在這種情況下，能夠在通道的內面容易地形成電阻層和二次電子倍增層。
[0010]在本發明的電子倍增體的制造方法中，也可以為如下方式:第一板狀部件和第二板狀部件由導電體構成，在層形成工序之前，進一步包括在主體部的表面和通道的內面形成絕緣膜的絕緣膜形成工序。在這種情況下，能夠使用導電體作為第一板狀部件和第二板狀部件，因此能夠利用多種材料制造電子倍增體。
[0011]在本發明的電子倍增體的制造方法中，也可以在孔形成工序，以到達第一方向上的第一板狀部件的一端或另一端的方式形成孔部。在這種情況下，在切斷工序之前，孔部到達第一板狀部件的一端或另一端中的任意的一端。因此，在切斷工序，能夠僅通過僅將第一板狀部件的一端或另一端中的任意的另一端切斷，而使通道在主體部的一個端面和另一個端面開口。此外，在切斷工序之前，孔部不到達第一板狀部件的一端或另一端中的任意的另一端。因此，能夠抑制第一板狀部件分離為兩個部分。基于這些原因，能夠提高操作性。此夕卜，能夠高精度而簡便地形成通道的寬度。
[0012]在本發明的電子倍增體的制造方法中，也可以在孔形成工序中，以不到達第一板狀部件的端部的方式形成孔部。在這種情況下，在切斷工序之前，孔部不到達第一板狀部件的端部。因此，能夠更可靠地抑制第一板狀部件分離為兩個部分。由此，能夠提高操作性。此夕卜，能夠高精度而簡便地制作通道的寬度。
[0013]在本發明的電子倍增體中，第一板狀部件和第二板狀部件的厚度也可以為5mm以下。在這種情況下，通過使第一板狀部件和第二板狀部件比較薄而更容易進行孔部的形成。因此，能夠更加提高通道的加工性。
[0014]在本發明的電子倍增體的制造方法中，在準備工序中，準備多個第一板狀部件，并且進一步準備第三板狀部件，在疊層工序，在第一板狀部件間設置第三板狀部件并且以一對第二板狀部件夾著第一和第三板狀部件的方式將第一、第二和第三板狀部件相互疊層，構成疊層體。在這種情況下，通過在第三板狀部件與一對第二板狀部件之間分別夾著第一板狀部件，在它們的疊層方向上構成多個通道。因此，能夠容易地制造多通道的電子倍增體。
[0015]在本發明的電子倍增體的制造方法中，在孔形成工序，也可以在第一板狀部件形成多個孔部。在這種情況下，在沿第一板狀部件的表面和背面的方向上構成多個通道。因此，能夠容易地制造多通道的電子倍增體。
[0016]本發明的光電倍增管包括:利用上述的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體;容納電子倍增體的管體;光電面，其以與一個端面的通道的開口相對的方式設置于管體，向通道供給光電子；和陽極，其在管體內以與另一個端面的通道的開口相對的方式配置，對應于射入通道的光電子而接受從通道放出的二次電子。
[0017]該光電倍增管具備由上述的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體。因此，能夠恰當地獲得上述作用效果。
[0018]本發明的光電倍增器具備:利用上述的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體;光電面，其以堵塞一個端面的通道的開口的方式設置，向通道供給光電子;和陽極，其以堵塞另一個端面的通道的開口的方式設置，對應于射入通道的光電子而接受從通道放出的二次電子。
[0019]該光電倍增器具備利用上述的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體。因此，能夠恰當地獲得上述作用效果。
[0020]根據本發明，能夠提高通道的加工性。
【附圖說明】
[0021 ]圖1是本實施方式的光電倍增管的截面圖。
[0022]圖2是本實施方式的電子倍增體的立體圖。
[0023]圖3是表示本實施方式的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0024]圖4是表示本實施方式的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0025]圖5是表示本實施方式的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0026]圖6是表示本實施方式的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0027]圖7是表示本實施方式的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0028]圖8是表示本實施方式的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0029]圖9是表示利用第一變形例的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體的圖。
[0030]圖10是表示利用第二變形例的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體的圖。
[0031]圖11是表示利用第三變形例的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體的圖。
[0032]圖12是表示第三變形例的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0033]圖13是表示第三變形例的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0034]圖14是表示第三變形例的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0035]圖15是表示第三變形例的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0036]圖16是表示第三變形例的電子倍增體的制造方法的一個工序的圖。
[0037]圖17是應用圖2所示的電子倍增體的光電倍增器截面圖。
【具體實施方式】
[0038]以下，參照附圖對本發明的一個實施方式進行說明。另外，對各圖中相同或相當部分標注相同的附圖標記，省略重復的說明。
[0039]圖1是本實施方式的電子倍增體的截面圖，圖2是本實施方式的電子倍增體的立體圖。如圖1和圖2所示，光電倍增管I包括電子倍增體2、管體3、光電面4和陽極5。電子倍增體2通過對應于電子的入射而放出二次電子，從而將電子倍增。電子倍增體2具有主體部6和通道8。
[0040]主體部6向第一方向Dl延伸。此外，主體部6形成為長方體形。主體部6具有第一方向Dl的一個端面6a和另一個端面6b。主體部6的至少表面由絕緣體形成。此處，作為一個例子，主體部6由作為絕緣體的陶瓷形成。
[0041 ] 通道8對應于射入的電子而放出二次電子。通道8包括電子入射部8a和倍增部8b。電子入射部8a是用于從主體部6的外部向主體部6的內部射入電子的入口部分。電子入射部8a以在第一方向Dl的主體部6的一個端面6a開口的方式設置在主體部6。一個端面6a的電子入射部8a的開口從第一方向Dl看時呈矩形。此外，電子入射部8a沿第一方向Dl向后述的第二向D2逐漸變窄。即，電子入射部8a呈沿第一方向Dl縮小的錐形。
[0042]倍增部Sb對應于從電子入射部8a射入的電子而放出二次電子。倍增部Sb在第一方向Dl的主體部6的另一個端面6b開口。另一個端面6b的倍增部8b的開口與陽極5相對。倍增部Sb以到達電子入射部8a的方式設置在主體部6。因此，通道8作為整體在主體部6的一個端面6a和另一個端面6b開口。
[0043]倍增部8b包括在第一方向Dl遍及整個該倍增部8b延伸并且彼此相對的第一內面9和第二內面10。第一內面9和第二內面10在與第一方向Dl交叉的第二方向D2上分離。另外。第二方向D2是從第一內面9朝向第二內面10的方向。此處，是與第一方向Dl垂直的方向。
[0044]第一內面9包含沿第一方向Dl交替地排列的凸狀的第一彎曲部9a和凹狀的第二彎曲部9b。此外，第一內面9包含分別規定第一彎曲部9a和第二彎曲部9b的多個第一傾斜面9c。第一傾斜面9c呈平面形狀。在本實施方式中，第一彎曲部9a和第二彎曲部9b呈角形曲折。
[0045]第二內面10包含沿第一方向Dl交替地排列的凸狀的第三彎曲部1a和凹狀的第四彎曲部10b。此外，第二內面10包括分別規定第三彎曲部1a和第四彎曲部1b的多個第二傾斜面10c。第二傾斜面1c呈平面形狀。在本實施方式中，第三彎曲部1a和第四彎曲部1b呈角形折曲。
[0046]S卩，第一內面9和第二內面10以沿第一方向Dl呈之字形(例如波狀)重復彎曲的方式形成。此處，在第一內面9和第二內面10，在第二方向D2上，第一彎曲部9a和第四彎曲部1b彼此相對，第二彎曲部9b與第三彎曲部1a彼此相對，第一傾斜面9c與第二傾斜面1c彼此相對。
[0047]在電子入射部8a的內面和倍增部8b的內面(至少第一內面9和第二內面10)，以相互疊層的方式設置有電阻層和二次電子倍增層。而且，電子入射部8a的表層和倍增部Sb的表層是二次電子倍增層。作為電阻層的材料，例如能夠使用A1203(氧化鋁)和ZnO(氧化鋅)的混合膜或Al2O3和Ti02( 二氧化鈦)的混合膜等。此外，作為二次電子倍增層的材料，例如能夠使用AhO3或MgO(氧化鎂)等。
[0048]此外，在主體部6的一個端面6a和另一個端面6b，利用蒸鍍等方法分別設置有含有鎳類的金屬的金屬層11、12。在主體部6，以與設置在一個端面6a的金屬層11相比使得設置在另一個端面6b的金屬層12成為更高電位的方式被賦予電位差。通過這樣被賦予電位差，在通道8內也成為沿著第一方向Dl的電位差。
[0049]另外，如后所述，主體部6以利用一對第二板狀部件22夾著多個(此處為四個)第一板狀部件21的方式將第一和第二板狀部件21、22相互疊層地構成。由此，通過在第一板狀部件21的各個形成的孔部24相互連接并且利用第二板狀部件堵塞疊層方向的兩端而構成通道8。
[0050]管體3容納電子倍增體2。如圖1所示，管體3在第一方向Dl上延伸。在第一方向Dl管體3的一端3a開口并且另一端3b被密封。此處，電子倍增體2的主體部6的一個端面6a位于管體3的一端3a側，電子倍增體2的主體部6的另一個端面6b位于管體3的另一端3b側。
[0051]光電面4與光的入射相應地產生光電子。光電面4形成為平板狀。光電面4以堵塞管體3的一端3a的開口的方式設置。光電面4與電子倍增體2的主體部6的一個端面6a的電子入射部8a的開口相對。由此，在光電面4產生的光電子被供給至電子入射部8a。另外，在管體3的一端3a的開口被光電面4堵塞的狀態，管體3的內部被減壓。
[0052]陽極5對應于射入至通道8的光電子而接受從通道8放出的二次電子。陽極5形成為平板狀。陽極5以與主體部6的另一個端面6b的倍增部Sb的開口相對的方式配置在管體3內。陽極5與主體部6的另一個端面6b和管體3的另一端3b分離配置。另外，在陽極5連接有檢測與該陽極5接受的二次電子對應的電信號的脈沖的檢測器(未圖示)。
[0053]接著，對以上那樣的電子倍增體2的制造方法進行說明。利用該制造方法，首先，準備如圖3所示那樣具有表面21a和表面21a的相反側的背面21b的多個(此處為四個)第一板狀部件21以及一對第二板狀部件22(準備工序)。另外，此處，在第一板狀部件21不形成后述的孔部24。第一和第二板狀部件21、22呈矩形。此外，第一和第二板狀部件21、22各自的厚度為5mm以下。第一和第二板狀部件21、22由作為絕緣體的陶瓷形成。另外，此處，因為利用陶瓷形成第一和第二板狀部件21、22，所以能夠通過利用碾壓進行該疊層工序而將第一和第二板狀部件21、22形成得比較薄。
[0054]在接下來的工序中，在第一板狀部件21形成多個(此處為六個)孔部24(孔形成工序)。孔部24例如能夠通過利用激光加工或使用模具進行的沖孔等形成。孔部24從表面21a到達背面21b并且沿表面21a和背面21b延伸。孔部24沿第一方向Dl和第二向D2 二維排列。
[0055]孔部24沿第一方向Dl延伸。具體而言，孔部24具有呈相對于第一方向Dl向相反方向擴展那樣的三角形形成的三角形部24a和從該三角形24a向第一方向Dl延伸的延伸部24b。不過，孔部24以不到達第一板狀部件21的端部(特別是第一方向Dl的一端25和另一端26)的方式形成。
[0056]在接下來的工序中，如圖4和圖5所示那樣，以利用一對第二板狀部件22夾著第一板狀部件21的方式將第一和第二板狀部件21、22相互疊層而構成疊層體27(疊層工序)。此處，采用利用一對第二板狀部件22夾著四個第一板狀部件21的結構。通過這樣將第一和第二板狀部件21、22相互疊層，在疊層體27內形成由孔部24規定的多個通道8。此處，孔部24的三角形部24a構成電子入射部8a，延伸部24b構成倍增部8b(參照圖7)。另外，通過對疊層第一板狀部件21的個數進行調整，能夠調整板狀部件的疊層方向上的通道8的寬度。
[0057]在接下來的工序中，將疊層體27—體化(一體化工序)。此處，通過沖壓和燒結將由陶瓷形成的第一和第二板狀部件21、22—體化。
[0058]在接下來的工序中，如圖6和圖7所示那樣，通過對一體化的疊層體27進行切斷而構成主體部6(切斷工序)。在該切斷工序中，沿在疊層體27設定的假想的切斷預定線L1、L2、L3將疊層體27切斷。切斷預定線L1、L2、L3以將沿第一方向Dl和第二方向D2 二維排列而成的通道8逐一切斷的方式設定成柵格狀。切斷預定線LI沿第一方向Dl設定。切斷預定線LI規定沿第二向D2的主體部6的寬度。切斷預定線L2、L3分別沿第二向D2設定。切斷預定線L2、L3規定沿第一方向Dl的主體部6的長度。切斷預定線L2以在沿切斷預定線L2進行切斷時、電子入射部8a在其切斷面開口的方式設定。此外，切斷預定線L3以沿切斷預定線L3進行切斷時、倍增部Sb在其切斷面開口的方式設定。通過沿以上那樣的切斷預定線L1、L2、L3將疊層體27切斷，構成分別具備單一的通道8的多個主體部6。
[0059]在接下來的工序中，在形成于主體部6的通道8的內面形成電阻層和二次電子倍增層(層形成工序)。電阻層和二次電子倍增層在此處由原子層沉積法形成。通過以上的工序，制造多個圖8所示那樣的電子倍增體2。
[0060]如以上說明的那樣，在本實施方式的電子倍增體2的制造方法中，在第一板狀部件21形成從表面21a到達背面21b并且沿表面21a和背面21b延伸的孔部24。而且，以利用一對第二板狀部件22夾著第一板狀部件21的方式相互疊層而構成疊層體27，并且形成由孔部24規定的通道8。通過將該疊層體27—體化并進行切斷，構成主體部6。此外，在通道8的內面形成電阻層和二次電子倍增層。根據這樣的方法，比較容易在板狀部件形成孔部24，因此能夠提尚通道8的加工性。此外，基于同樣的理由，能夠降低制造成本。
[0061]此外，在電子倍增體2的制造方法中，在層形成工序，利用原子層沉積的情況下形成電阻層和二次電子倍增層。因此，能夠在通道8的內面容易地形成電阻和二次電子倍增層。
[0062]此外，在電子倍增體2的制造方法中，在孔形成工序，以到達第一板狀部件21的端部的方式形成孔部24。因此，在切斷工序之前，孔部24不到達第一板狀部件21的端部。因此，能夠更可靠地抑制第一板狀部件21分離為兩個部分。由此，能夠提高操作性。此外，能夠精度更高而簡便地形成通道8的寬度。
[0063]此外，在電子倍增體2，第一和第二板狀部件21、22的厚度為5_以下。因此，通過將第一和第二板狀部件21、22形成得比較薄，孔部24的形成更加容易。因此，能夠進一步提高通道8的加工性。
[0064]在本實施方式的光電倍增管I，具備利用上述的電子倍增體2的制造方法制造的電子倍增體2，因此能夠恰當地獲得上述作用效果。
[0065](第一變形例)
[0066]接著，對第一變形例的電子倍增體的制造方法進行說明。如圖9(a)所示，第一變形例中的電子倍增體31具有呈類似漏斗形狀(funnel，例如漏斗形)的電子入射部8a。即，主體部6的一個端面6a的電子入射部8a的開口在板狀部件的疊層方向的中央部擴展，越靠近兩端部越窄。
[0067]如圖9(b)所示，為了構成上述那樣的電子入射部8a，在電子倍增體31的制造方法中，在孔形成工序對第一板狀部件21的各個分別形成三角形部24a的擴展角彼此不同的孔部24。而且，在疊層工序，一個端面6a使得電子入射部8a呈上述的類似漏斗形狀的方式將多個第一板狀部件21疊層。通過采用這樣的工序，能夠容易地形成上述那樣的形狀的通道8。
[0068](第二變形例)
[0069]接著，對第二變形例的電子倍增體的制造方法進行說明。如圖10(a)和圖10(b)所示，第二變形例中的電子倍增體32具有呈三維彎曲的形狀(例如螺旋狀)的通道8。在這樣的電子倍增體32的制造方法中，在孔形成工序對第一板狀部件21的各個分別形成三角形部24a和延伸部24b的形狀彼此不同的孔部24。而且，在疊層工序以使得通道8呈三維彎曲的形狀的方式將多個第一板狀部件21疊層。通過這樣的工序，能夠容易地形成上述那樣的形狀的通道8。
[0070](第三變形例)
[0071]接著，對電子倍增體33的制造方法進行說明。如圖11所示，第三變形例中的電子倍增體33具有沿板狀部件的疊層方向和第二向D2呈二維狀排列的多個通道8。即，電子倍增體33為多通道的電子倍增體33。在這樣的電子倍增體33的制造方法中，首先，準備多個第一板狀部件21、一對第二板狀部件22和第三板狀部件23(準備工序)。第三板狀部件23的形狀、材質等能夠與第一和第二板狀部件21、22相同。
[0072]在接下來的工序中，如圖12所示那樣，在第一板狀部件21形成多個孔部24(孔形成工序)。此處，孔部24沿第一方向Dl和第二方向D2二維排列。在圖12所示的例子中，在第一方向Dl上相互并列地形成兩個孔部24，在第二向D2上相互并列形成地兩個孔部24。
[0073]在接下來的工序中，如圖13所示那樣，在第一板狀部件21間設置有第三板狀部件23，并且以利用一對第二板狀部件22夾著第一板狀部件21的方式將第一、第二和第三板狀部件23相互疊層而構成疊層體27(疊層工序)。即，此處，第二板狀部件22、兩個第一板狀部件21、第三板狀部件23、兩個第一板狀部件21和第二板狀部件22依次疊層。通過這樣將第一、第二和第三電子倍增體23相互疊層，在第三板狀部件23的兩面側的各個第一板狀部件21，在疊層體27內分別形成由孔部24規定的通道8(參照圖16)。
[0074]在接下來的工序中，如圖14所示那樣，將疊層體27—體化(一體化工序)。
[0075]在接下來的工序中，如圖15和圖16所示那樣，通過將一體化的疊層體27切斷而構成主體部6(切斷工序)。在該切斷工序中，沿在疊層體27設定的假想的切斷預定線L1、L2、L3將疊層體27切斷。切斷預定線L1、L2、L3以將沿第一方向Dl和第二向D2 二維排列的通道8每多個(此處為每兩個)地分斷的方式設定成柵格狀。切斷預定線LI沿第一方向Dl設定。切斷預定線LI以將在第二方向D2上相鄰的兩個通道8作為一組分斷的方式設定。切斷預定線L2、L3分別沿第二向D2設定。切斷預定線L2以在沿切斷預定線L2進行切斷時、兩個通道8各自的電子入射部8a在其切斷面開口的方式設定。此外，切斷預定線L3以沿切斷預定線L3進行切斷時、兩個通道8各自的倍增部Sb在其切斷面開口的方式設定。通過沿以上那樣的切斷預定線L1、L2、L3將疊層體27切斷，構成分別具備在第二方向D2上相鄰的兩個通道8的多個主體部6。
[0076]在接下來的工序中，在形成于主體部6的通道8的內面形成電阻層和二次電子倍增層(層形成工序)。通過以上的工序，制造圖11所示那樣的多通道的電子倍增體33。
[0077]在該電子倍增體33的制造方法中，在準備工序準備多個第一板狀部件21，并且進一步準備第三板狀部件23，在疊層工序，在第一板狀部件21間設置第三板狀部件23，并且以利用一對第二板狀部件22夾著第一和第三板狀部件21、23的方式將第一、第二和第三板狀部件21、22、23相互疊層而構成疊層體27。因此，通過在第三板狀部件23與一對第二板狀部件22之間分別夾著第一板狀部件21，在這些疊層方向上構成多個通道8。因此，能夠容易地制造多通道的電子倍增體33。
[0078]此外，在該電子倍增體33的制造方法中，在孔形成工序，在第一板狀部件21形成多個孔部24。因此，在沿著第一板狀部件21的表面21a和背面21b的方向上構成多個通道8。因此，能夠容易地制造多通道的電子倍增體33。
[0079]以上的實施方式是對本發明的電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器的一個實施方式進行的說明。因此，本發明的電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器并不限定于上述的內容。本發明的電子倍增體的制造方法、光電倍增管和光電倍增器能夠在不改變各
【發明內容】
的主旨的范圍內對上述的內容任意地進行變更。
[0080]例如，也可以在孔形成工序以到達第一板狀部件21的一端25或另一端26的方式形成孔部24。在這種情況下，在切斷工序之前，孔部24到達第一板狀部件21的一端25或另一端26中的任意的一端。因此，在切斷工序中，能夠通過僅將第一板狀部件21的一端25或另一端26中的任意的另一端切斷，而使通道8在主體部6的一個端面6a和另一個端面6b開口。此外，在前段工序之前，孔部24不到達第一板狀部件21的一端25或另一端26中的任意的另一端。因此，能夠抑制第一板狀部件21分離為兩個部分。基于這些原因，能夠提高操作性。此外，能夠高精度而簡便地形成通道8的寬度。
[0081 ] 此外，如圖17所示，電子倍增體2能夠使用光電面29和陽極30構成光電倍增器35。光電面29從第一方向Dl看呈與電子倍增體2的主體部6的外形大致相同的形狀。此外，光電面29形成為平板狀。光電面29以堵塞主體部6的一個端面6a的電子入射部8a的開口的方式設置在一個端面6a。由此，在光電面29產生的光電子被供給至電子入射部8a。
[0082]陽極30對應于射入通道8的光電子而接受從通道8放出的二次電子。陽極30以堵塞主體部6的另一個端面6b的通道8的開口的方式設置在通道8內。由此，陽極30接受在電子倍增體2的通道8行進而到達另一個端面6b的二次電子。
[0083]本實施方式的光電倍增器35具備上述的電子倍增體2。因此，能夠恰當地獲得電子倍增體2的作用效果。
[0084]此外，在上述實施方式中，層形成工序接著切斷工序進行，不過也可以接著疊層工序進行，還可以接著一體化工序進行。
[0085]此外，也可以使用由金屬等導電體構成的第一和第二板狀部件21、22。在這種情況下，在切斷工序之后、層形成工序之前，進一步實施在主體部6的表面和通道8的內面形成絕緣膜的絕緣膜形成工序。在這種情況下，能夠使用金屬等導電體作為第一和第二板狀部件21、22，因此能夠利用多種材料制造電子倍增體2。
【主權項】
1.一種電子倍增體的制造方法，其特征在于， 所述電子倍增體包括:在第一方向上延伸的主體部;和通道，其在所述第一方向上的所述主體部的一個端面和另一個端面開口，并且對應于射入的電子而放出二次電子， 所述電子倍增體的制造方法包括: 準備工序，準備具有表面和所述表面的相反側的背面的第一板狀部件以及一對第二板狀部件； 孔形成工序，在所述第一板狀部件形成從所述表面到達所述背面并且沿所述表面和所述背面延伸的孔部； 疊層工序，通過以由一對所述第二板狀部件夾著所述第一板狀部件的方式將所述第一板狀部件和所述第二板狀部件相互疊層而構成疊層體，在所述疊層體形成由所述孔部規定的所述通道； 將所述疊層體一體化的一體化工序； 切斷工序，通過將一體化的所述疊層體切斷而構成所述主體部;和 層形成工序，在所述通道的內面形成電阻層和二次電子倍增層， 在所述切斷工序中，以所述通道在所述一個端面和所述另一個端面開口的方式將所述疊層體切斷。2.如權利要求1所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 在所述層形成工序中，利用原子層沉積法形成所述電阻層和所述二次電子倍增層。3.如權利要求1或2所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 所述第一板狀部件和所述第二板狀部件由導電體構成， 在所述層形成工序之前還包括在所述主體部的表面和所述通道的內面形成絕緣膜的絕緣膜形成工序。4.如權利要求1?3中的任一項所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 在所述孔形成工序中，以到達所述第一方向上的所述第一板狀部件的一端或另一端的方式形成所述孔部。5.如權利要求1?3中的任一項所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 在所述孔形成工序，以不到達所述第一板狀部件的端部的方式形成所述孔部。6.如權利要求1?5中的任一項所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 所述第一板狀部件和所述第二板狀部件的厚度為5mm以下。7.如權利要求1?6中的任一項所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 在所述準備工序中，準備多個所述第一板狀部件，并且還準備第三板狀部件， 在所述疊層工序中，在所述第一板狀部件間設置所述第三板狀部件并且以由一對所述第二板狀部件夾著所述第一和第三板狀部件的方式將所述第一、第二和第三板狀部件相互疊層而構成所述疊層體。8.如權利要求1?7中的任一項所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 在所述孔形成工序，在所述第一板狀部件形成多個所述孔部。9.如權利要求1?8中的任一項所述的電子倍增體的制造方法，其特征在于: 所述第一以及第二板狀部件由陶瓷形成。10.一種光電倍增管，其特征在于， 包括: 由權利要求1?8中的任一項所述的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體； 容納所述電子倍增體的管體； 光電面，其在所述管體以與所述一個端面上的所述通道的開口相對的方式設置，并向所述通道供給光電子;和 陽極，其在所述管體內以與所述另一個端面上的所述通道的開口相對的方式配置，接受對應于射入所述通道的所述光電子而從所述通道放出的二次電子。11.一種光電倍增器，其特征在于， 具備: 由權利要求1?8中的任一項所述的電子倍增體的制造方法制造的電子倍增體； 光電面，其以堵塞所述一個端面上的所述通道的開口的方式設置，并向所述通道供給光電子;和 陽極，其以堵塞所述另一個端面上的所述通道的開口的方式配置，接受對應于射入所述通道的所述光電子而從所述通道放出的二次電子。
【文檔編號】H01J9/12GK105938787SQ201610117976
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年3月2日
【發明人】須山本比呂, 小林浩之, 服部真也
【申請人】浜松光子學株式會社