一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法
【專利摘要】本發明涉及一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法，包括：取金剛線切割后的多晶硅片，通過研磨或噴砂對多晶硅片表面進行預處理，完全消除多晶硅片表面的切割紋，同時在多晶硅片表面制造出合適的損傷層；經處理后的多晶硅片經過水洗后放入酸性制絨液中，形成絨面；制絨后的多晶硅片依次經過水洗、堿洗、水洗、酸洗、水洗和干燥后即可完成制絨。本發明可以完全消除金剛線切割多晶硅片后多晶硅片表面的切割紋，通過控制研磨或噴砂參數可以靈活地控制多晶硅片表面損傷層形貌，使制絨后的多晶硅片絨面更均勻、反射率更低。
【專利說明】
一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法
技術領域
[0001]本發明涉及一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法，屬于太陽能電池制造領域。
【背景技術】
[0002]目前在光伏領域多晶硅硅片的切割主要采用砂漿多線切割技術，但是該技術存在切割效率低、加工成本高、廢砂漿排放污染大等問題。相比之下，固體磨料金剛石線鋸切割(簡稱金剛線切割)技術具有切割效率高、加工成本低和環境污染小等優點，受到了越來越多的關注，有望成為晶體硅等硬脆材料切片技術的未來發展方向。
[0003]由于金剛線切割的切割原理與砂漿多線切割的切割原理不同，兩種切割工藝得到的硅片表面的形貌存在很大差異。砂漿多線切割的硅片表面主要以脆性破碎斷裂形貌為主，酸制絨后硅片表面形成蠕蟲狀凹坑。而金剛線切割的硅片表面同時存在脆性破碎斷裂區域(占比小)和塑性磨削區域(占比大)，酸制絨后原來的脆性破碎斷裂區域形成蠕蟲狀凹坑，反射率較低；而塑性磨削區域卻形成很淺的近似圓形的凹坑，反射率高，同時凹坑沿切害J方向排列，肉眼可看到明顯的切割紋。
[0004]目前太陽能電池生產過程中，多采用HF-HNO3-H2O的酸性溶液對硅片表面進行織構化(制絨)處理，使硅片表面反射率明顯降低，進而提高太陽能電池的光電轉化效率。HF-HNO3-H2O體系為各向同性腐蝕液，用于硅片制絨時反應優先從缺陷或晶界處開始，形成的絨面形貌嚴重依賴于初始損傷層形貌。砂漿多線切割硅片由于切割受切片工藝的影響，損傷層形貌無法靈活控制，很難形成更小更均勻的絨面。
【發明內容】
[0005]本發明所要解決的技術問題是提供一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法，本方法可以靈活控制多晶硅片的損傷層形貌，有效降低金剛線切割的多晶硅片的反射率，完全消除金剛線切割產生的切割紋。
[0006]本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法，包括:
[0007]I)取金剛線切割后的多晶硅片，通過研磨或噴砂對多晶硅片表面進行預處理，以消除多晶硅片表面的切割紋，處理后多晶硅片表面的粗糙度為0.5-1.5um，損傷層深度為
0.5-3um，用去離子水清洗多晶硅片表面，其中，所述噴砂為干法噴砂或濕法噴砂；
[0008]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中0.5-5min，制絨液溫度為0-30°C，使多晶硅片表面形成絨面，用去離子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0009]3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入堿洗液中0.1-1 Omin，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用去離子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0010]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中0.1-1 Omin，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用去離子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0011]5)將4)處理后的多晶硅片吹干或甩干。
[0012]在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。
[0013]進一步，在I)中，所述研磨采用的研磨液由磨料和分散劑按質量比1:1組成，磨料為280-3000目的碳化硅，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，磨頭壓力為0.1-1MPa，對多晶硅片表面研磨10-300S。
[0014]進一步，在I)中，所述干法噴砂指利用壓縮空氣攜帶280-3000目的碳化硅磨料經噴槍射向多晶硅片表面l-120s，噴槍嘴內徑為2-20mm，噴槍壓力為1-1Okg;
[0015]所述濕法噴砂指利用壓縮空氣攜帶噴砂液經噴槍射向多晶硅片表面1-120S，噴槍嘴內徑為2-20_，噴槍壓力為l-10kg，其中，
[0016]所述噴砂液由280-3000目的碳化硅磨料與去離子水按質量比1:1_1:100組成，
[0017]或所述噴砂液由280-3000目的碳化硅磨料、去離子水和分散劑組成，280-3000目的碳化硅磨料與去離子水的質量比為I: 1-1: 100，所述分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產的型號為HMC-430DC的分散劑，分散劑的用量為噴砂液總質量的0.2 % -1 O %。
[0018]進一步，在2)中，所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為50-280g/L，硝酸的濃度為180-600g/L，
[0019]或，所述酸性制絨液由氫氟酸、硝酸和多晶制絨添加劑組成，所述多晶制絨添加劑為北京合德豐材料科技有限公司生產的產品型號為HMC-330的多晶制絨添加劑，其中，氫氟酸的濃度為50-280g/L，硝酸的濃度為180-600g/L，多晶制絨添加劑的用量占酸性制絨液總體積的0.1%-1 %。
[0020]進一步，在3)中，所述堿洗液為質量濃度0.1 %-20%的氫氧化鉀溶液，處理溫度為0-50°C ;或所述堿洗液為質量濃度0.1 %-20%的氫氧化鈉溶液，處理溫度為0-60°C。
[0021]進一步，在4)中，所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為30-90g/L，鹽酸的濃度為60-170g/L，處理溫度為0_40 °C。
[0022]進一步，在1)-4)中，所述用去離子水清洗多晶硅片表面的步驟為用1-80°C的去離子水清洗多晶硅片表面0.l-5min，清洗方式為浸泡、噴淋或超聲。
[0023]進一步，在5)中，所述吹干采用0_80°C的壓縮空氣或高純氮氣吹掃多晶硅片表面
2-300s ；所述甩干的溫度為0-120°C，時間為l_20min。
[0024]本發明的有益效果是:
[0025]本發明可以完全消除金剛線切割多晶硅片后多晶硅片表面的切割紋，通過控制研磨或噴砂參數可以靈活地控制多晶硅片表面損傷層形貌，使制絨后的多晶硅片絨面更均勻、反射率更低。
【附圖說明】
[0026]圖1是實施例1中多晶硅片經常規制絨后的掃描電子顯微鏡圖；
[0027]圖2是實施例5多晶硅片經金剛線切割后表面的掃描電子顯微鏡圖；
[0028]圖3是多晶硅片經實施例5研磨處理后的表面掃描電子顯微鏡圖；
[0029]圖4是實例5中多晶硅片經本發明方法制絨后的掃描電子顯微鏡圖。
[0030]圖5是多晶硅片經實施例8噴砂處理后的表面掃描電子顯微鏡圖；
[0031]圖6是實施例8中多晶硅片經本發明方法制絨后的掃描電子顯微鏡圖。
【具體實施方式】
[0032]以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。
[0033]實施例1常規制絨方法
[0034](a)將金剛線切割后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中90s，處理溫度為8°C，酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L，使多晶硅片表面形成絨面；
[0035](b)將(a)處理后的多晶硅片表面用25°C去離子水噴淋清洗60s，以去除多晶硅片表面的酸性制絨液；
[0036](c)將(b)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C;
[0037](d)將(c)處理后的多晶硅片表面用25 °C去離子水噴淋清洗60s;
[0038](f)將(d)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為120g/L，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液；
[0039](g)將(f)處理后的多晶硅片表面用25 °C去離子水噴淋清洗60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0040](h)將(i)處理后的多晶硅片用40°C的壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s。測試反射率為37%，絨面形貌如圖1所示。
[0041]實施例2本發明方法
[0042]I)取金剛線切割后的多晶硅片，研磨多晶硅片表面，研磨采用的研磨液由280目碳化硅和分散劑按質量比1:1組成，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，磨頭壓力為0.2MPa，對多晶硅片表面研磨20s，研磨后多晶硅片表面的粗糙度為I.5um，損傷層深度為3um，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的研磨液；
[0043]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中120s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0044]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L;
[0045]3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0046]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0047]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L;
[0048]5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為20%。
[0049]實施例3本發明方法
[0050]I)取金剛線切割后的多晶硅片，研磨多晶硅片表面，研磨采用的研磨液由磨料和分散劑按質量比1:1組成，磨料為400目碳化硅，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，磨頭壓力為0.3MPa，對多晶硅片表面研磨20s，研磨后多晶硅片表面的粗糙度為Ium，損傷層深度為2um，用25 °C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的研磨液；
[0051 ] 2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中105s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0052]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L;
[0053 ] 3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0054]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0055]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L;
[0056]5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為20.5%。
[0057]實施例4本發明方法
[0058]I)取金剛線切割后的多晶硅片，研磨多晶硅片表面，所述研磨采用的研磨液由磨料和分散劑按質量比1:1組成，磨料為800目的碳化硅，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，磨頭壓力為0.4MPa，對多晶硅片表面研磨1s，研磨后多晶硅片表面的粗糙度為0.8um，損傷層深度為1.6um，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的研磨液；
[0059]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中90s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0060]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L;
[0061 ] 3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0062]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0063]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L;
[0064]5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為22%。
[0065]實施例5本發明方法
[0066]I)取金剛線切割后的多晶硅片，如圖2所示，多晶硅片表面有明顯的切割紋，損傷層分布非常不均勻；
[0067]研磨多晶硅片表面，所述研磨采用的研磨液由磨料和分散劑按質量比1:1組成，磨料為1200目的碳化硅，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，磨頭壓力為0.5MPa，對多晶硅片表面研磨1s，如圖3所示，經過本方法研磨處理的多晶硅片表面切割紋完全消失，損傷層分布均勻，測試多晶硅片表面粗糙度為
0.8um，損傷層深度為1.2um。用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的研磨液；
[0068]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中80s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0069]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L，
[0070]3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0071]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0072]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L。
[0073]5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為19%，絨面形貌如圖4所示，可以看出:實施例1常規制絨的絨面腐蝕坑大而淺，有隨切割紋分布的趨勢;而使用本發明方法制絨的絨面，腐蝕坑為蠕蟲狀凹坑，這與砂漿線切割多晶硅片的絨面結構非常相似，但是，本發明可以通過調整研磨參數靈活控制硅片表面的損傷層形貌，因此能夠得到更加完美，更適合于太陽能電池生產的絨面。
[0074]實施例6本發明方法
[0075]I)取金剛線切割后的多晶硅片，采用干法噴砂處理多晶硅片表面，所述干法噴砂工藝采用的磨料為280目碳化硅，噴槍嘴內徑為6mm，噴槍壓力為0.3MPa，噴砂時間為2s，噴砂處理后多晶硅片表面的粗糙度為lum，損傷層深度為2um，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的研磨液。
[0076]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中120s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0077]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L;
[0078]3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0079]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0080]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L;
[0081 ] 5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為19%。
[0082]實施例7本發明方法
[0083]I)取金剛線切割后的多晶硅片，采用濕法噴砂處理多晶硅片表面，所述濕法噴砂采用的噴砂液由磨料和去離子水按質量比1:50組成，磨料為280目的碳化硅，噴槍嘴內徑為6mm，噴槍壓力控制為0.3MPa，噴砂時間為5s，噴砂處理后多晶硅片表面切割紋完全消失，損傷層分布均勻，測試多晶硅片表面粗糙度為0.8um，損傷層深度為1.2um。用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的噴砂液；
[0084]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中105s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0085]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L;
[0086]3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0087]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0088]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L;
[0089]5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為20%。
[0090]實施例8本發明方法
[0091]I)取金剛線切割后的多晶硅片，采用濕法噴砂處理多晶硅片表面，所述濕法噴砂采用的噴砂液由磨料、去離子水和分散劑按質量比1:10:0.1組成，磨料為1000目的碳化硅，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，噴槍嘴內徑為6mm，噴槍壓力控制為0.3MPa，噴砂時間為5s，如圖5所示，噴砂處理后多晶硅片表面切割紋完全消失，損傷層分布均勻，測試多晶硅片表面粗糙度為0.Sum，損傷層深度為
1.2um。用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的噴砂液；
[0092]2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中90s，制絨液溫度為8°C，使多晶硅片表面形成絨面，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸性制域液；
[0093]所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為65g/L，硝酸的濃度為430g/L;
[0094]3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入質量濃度5 %的氫氧化鉀溶液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的堿洗液；
[0095]4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中60s，處理溫度為25°C，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用25°C去離子水噴淋清洗多晶硅片表面60s，以去除多晶硅片表面的酸洗液；
[0096]所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為60g/L，鹽酸的濃度為 120g/L;
[0097]5)將4)處理后的多晶硅片用40 °C壓縮空氣吹掃多晶硅片表面20s，測試反射率為23%，絨面形貌如圖6所示，可以看出:實施例1常規制絨的絨面腐蝕坑大而淺，有隨切割紋分布的趨勢;而使用本發明方法制絨的絨面，腐蝕坑為近似圓形的凹坑，且均勻的布滿硅片表面，與砂漿線切割多晶硅片的絨面相比，本發明通過調整噴砂工藝參數能夠靈活控制硅片表面的損傷層形貌，因此能夠得到更加完美，更適合于太陽能電池生產的絨面。
[0098]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種金剛線切割的多晶硅片的制絨方法，其特征在于，包括: 1)取金剛線切割后的多晶硅片，通過研磨或噴砂對多晶硅片表面進行預處理，以消除多晶硅片表面的切割紋，處理后多晶硅片表面的粗糙度為0.5-1.5um，損傷層深度為0.5-3um，用去離子水清洗多晶硅片表面，其中，所述噴砂為干法噴砂或濕法噴砂； 2)將I)處理后的多晶硅片完全浸入酸性制絨液中0.5-5min，制絨液溫度為0_30 V，使多晶硅片表面形成絨面，用去離子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的酸性制絨液； 3)將2)處理后的多晶硅片完全浸入堿洗液中0.l-10min，以去除多晶硅片表面的多孔硅及殘留的酸性制絨液，用去離子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的堿洗液； 4)將3)處理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中0.1 -1 Omin，以去除多晶硅片表面的金屬離子及殘留堿洗液，用去離子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的酸洗液； 5)將4)處理后的多晶硅片吹干或甩干。2.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在I)中，所述研磨采用的研磨液由磨料和分散劑按質量比1:1組成，磨料為280-3000目的碳化硅，分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產并市售的型號為HMC-430DC的分散劑，磨頭壓力為Ο.Ι-lMPa，對多晶硅片表面研磨 10_300s。3.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在I)中，所述干法噴砂指利用壓縮空氣攜帶280-3000目的碳化硅磨料經噴槍射向多晶硅片表面l-120s，噴槍嘴內徑為2-20mm，噴槍壓力為1-1Okg; 所述濕法噴砂指利用壓縮空氣攜帶噴砂液經噴槍射向多晶硅片表面l-120s，噴槍嘴內徑為2-20_，噴槍壓力為l-10kg，其中， 所述噴砂液由280-3000目的碳化硅磨料與去離子水按質量比1:1-1:100組成， 或所述噴砂液由280-3000目的碳化硅磨料、去離子水和分散劑組成，280-3000目的碳化娃磨料與去離子水的質量比為1:1-1: 100，所述分散劑為北京合德豐材料科技有限公司生產的型號為HMC-430DC的分散劑，分散劑的用量為噴砂液總質量的0.2 % -1 O %。4.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在2)中，所述酸性制絨液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為50-280g/L，硝酸的濃度為180-600g/L， 或，所述酸性制絨液由氫氟酸、硝酸和多晶制絨添加劑組成，所述多晶制絨添加劑為北京合德豐材料科技有限公司生產的產品型號為HMC-330的多晶制絨添加劑，其中，氫氟酸的濃度為50-280g/L，硝酸的濃度為180-600g/L，多晶制絨添加劑的用量占酸性制絨液總體積的0.1m5.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在3)中，所述堿洗液為質量濃度0.1%~20%的氫氧化鉀溶液，處理溫度為0-50 0C ;或所述堿洗液為質量濃度0.1 % -20 %的氫氧化鈉溶液，處理溫度為0-60 °C。6.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在4)中，所述酸洗液為氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為30-90g/L，鹽酸的濃度為60-170g/L，處理溫度為0-40Γ。7.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在1)-4)中，所述用去離子水清洗多晶硅片表面的步驟為用1-80°C的去離子水清洗多晶硅片表面0.l-5min，清洗方式為浸泡、噴淋或超聲。8.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，在5)中，所述吹干采用0-80°C的壓縮空氣或高純氮氣吹掃多晶硅片表面2-300s;所述甩干的溫度為0-120°C，時間為l_20min。
【文檔編號】C30B33/10GK105932078SQ201610266711
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月26日
【發明人】雷深皓, 杜雪峰, 華永云
【申請人】北京創世捷能機器人有限公司