一種底發射型顯示面板及其制備方法
【專利摘要】本發明提供了一種底發射型顯示面板及其制備方法。所述底發射型顯示面板包括TFT基板，設置在所述TFT基板上的光反射結構，設置在所述光反射結構上的平坦層，且所述平坦層覆蓋所述TFT基板上未設置光反射結構的區域，設置在所述平坦層上的底發射發光器件，且所述底發射發光器件之間設置有像素bank，其中，所述光反射結構繞設于所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的邊緣區域。
【專利說明】
一種底發射型顯示面板及其制備方法
技術領域
[0001]本發明屬于平板顯示技術領域，尤其涉及一種底發射型顯示面板及其制備方法。
【背景技術】
[0002]在信息社會的當代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進一步加強，為了在未來占據主導地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質量的趨勢發展。有機電致發光二極管(OLED)由于其具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、輕薄等優點，其潛在的市場前景被業界看好。量子點發光二極管(QLED)由于其光色純度高、發光量子效率高、發光顏色易調等優點，近年來成了OLED的有力競爭者。因此，這兩種顯示技術是目前顯示領域發展的兩個主要方向。
[0003]底發射型器件由于通過常用高透光率的ITO作為底電極，其制作工藝簡單，技術更為成熟，因此相對頂發射器件更易于量產。目前的商業化的OLED顯示面板基本都采用底發射器件結構。但在底發射的顯示器件結構中，仍存在一些問題。具體的，由于OLED和QLED均為面光源，因此，其側面以及正面均有光出射。而目前的發光器件結構中，側面出射的光基本被損耗掉，這樣不僅會降低發光器件的出光效率，甚至會對光敏感的驅動TFT產生影響。因此，現有技術有待進一步改進和發展。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于提供一種底發射型顯示面板，旨在解決現有底發射型顯示面板側面出光導致出光效率低、驅動TFT受影響，進而導致穩定性差的問題。
[0005]本發明的另一目的在于提供一種底發射型顯示面板的制備方法。
[0006]本發明是這樣實現的，一種底發射型顯示面板，包括TFT基板，設置在所述TFT基板上的光反射結構，設置在所述光反射結構上的平坦層，且所述平坦層覆蓋所述TFT基板上未設置光反射結構的區域，設置在所述平坦層上的底發射發光器件，且所述底發射發光器件之間設置有像素bank，其中，所述光反射結構繞設于所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的邊緣區域。
[0007]以及，一種底發射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]提供一具有TFT陣列的TFT基板，其中，所述TFT陣列表面覆蓋保護層；
[0009]在所述TFT基板上、沿著所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的邊緣區域制作光反射結構；
[0010]在所述光反射結構和未設置光反射結構的所述TFT基板上制作平坦層；
[0011]在所述平坦層上挖孔形成連接孔，并制作通過所述連接孔與所述TFT陣列的S/Di極電連接的透明像素電極；
[0012]制作像素bank，且所述像素bank露出像素發光區域的所述透明像素電極；
[0013]在所述透明像素電極上沉積發光層以及反射頂電極。
[0014]本發明提供的底發射型顯示面板，通過在底發射發光像素單元的出光側引入光反射結構，使得從所述底發射發光器件側面出射的光可以經所述光反射結構反射、從正面出射，從而提高了顯示面板的出光效率；同時，所述光反射結構的設置，還能避免出射光的光子對TFT陣列的照射，進而提高面板的穩定性。
[0015]本發明提供的底發射型顯示面板的制備方法，方法簡單，工藝相對成熟易控，易于實現產業化。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發明實施例提供的底發射型顯示面板的結構示意圖；
[0017]圖2是本發明實施例提供光反射結構的結構示意圖；
[0018]圖3是本發明實施例提供的底發射型顯示面板的制備方法流程示意圖；
[0019]圖4是本發明實施例提供的TFT基板的結構示意圖；
[0020]圖5是本發明實施例提供的在TFT基板上制作光反射結構后的結構示意圖；
[0021]圖6是本發明實施例提供的制作完平坦層后的結構示意圖；
[0022]圖7是本發明實施例提供的制作完透明像素電極后的結構示意圖；
[0023]圖8是本發明實施例提供的制作完像素bank后的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0024]為了使本發明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0025]結合圖1-2，本發明實施例提供了一種底發射型顯示面板，包括TFT基板I，設置在所述TFT基板I上的光反射結構2，設置在所述光反射結構2上的平坦層3，且所述平坦層3覆蓋所述TFT基板I上未設置所述光反射結構2的區域，設置在所述平坦層3上的底發射發光器件4，且所述底發射發光器件4之間設置有像素bank 5，其中，所述光反射結構2繞設于所述底發射發光器件4在所述TFT基板I的投影區的邊緣區域。
[0026]具體的，本發明實施例中，所述TFT基板I上具有用于驅動所述底發射發光器件4的TFT陣列，且在所述TFT陣列上，覆蓋有保護層。其中，所述TFT陣列為本領域常規結構的TFT陣列，可以是硅基TFT，也可以是氧化物TFT;所述保護層為鈍化層，可以防止后續工藝對所述TFT陣列的破壞。
[0027]本發明實施例中，為了提高出射光的出光效率，在所述底發射發光器件4的出光面設置了所述光反射結構2。由于單獨采用反射金屬來制作反射結構時，通過刻蝕形成的反射結構側面較為粗糙，很難形成高光學反射的反射側面。因此，本發明實施例所述光反射結構2優選為包括設置在所述TFT基板I上的反射結構主體21和設置在所述反射結構主體21表面的反射表面22，即通過先制作所述光反射主體21、然后在所述光反射主體21上制作反射表面22的方式，來實現光滑且高光學反射率的光反射結構2。進一步的，所述光反射主體21優選采用有機材料制成，更優選采用感光樹脂材料制成，優選的材料有利于所述光反射結構2的主體結構圖案的形成。作為另一個優選實施例，所述光反射主體21的厚度為1-5μπι。所述反射表面22優選采用光學反射率高金屬或金屬合金制成，包括但不限于Ag、Al等高反射性金屬或合金。
[0028]本發明實施例中，如圖2所示，所述反射表面22包括近所述底發射發光器件4在所述TFT基板I的投影區的內壁面221和所述內壁面221在所述反射結構主體21頂部延伸形成的上表面222。所述內壁面221可以對從所述底發射發光器件4發出的出射光進行有效反射，從而提高所述底發射型顯示面板的出光效率;所述上表面222可進一步避免所述底發射發光器件4的光子照射到所述驅動TFT影響其性能，從而提高顯示面板的穩定性。為了便于所述反射表面22的制備、簡化所述底發射型顯示面板的制作工藝，可在所述反射結構主體21的整體表面制備所述反射表面22，即所述反射表面22包括所述內壁面221、所述上表面222和與所述內壁面221相對的外壁面223。
[0029]進一步的，本發明實施例中，所述反射表面22的所述內壁面221的設置角度對出射光的反射效果有一定的影響。作為優選實施例，所述內壁面221與所述光反射結構2的底面形成60-90°的夾角(圖2中所示α)，從而更好地實現出射光的反射，提高出光效率。若角度太小，出射光經反射后會被反射回所述底發射發光器件4，無法從出光側射出；若角度太大(>90°)，所述上表面會對所述內壁面造成阻擋，從而減少可被反射的光。
[0030]作為進一步優選實施例，所述光反射結構2的縱切面呈梯形。該優選的結構，通過常規的曝光顯影工藝或刻蝕即可實現，可簡化工藝。
[0031]本發明實施例所述平坦層3用于平坦化所述光反射結構2以及所述TFT陣列引起的基板表面凹凸結構，從而便于后面像素Bank 5的制作。所述平坦層3的材料和厚度沒有嚴格限制，可參照本領域常規技術進行。
[0032]本發明實施例中，所述底發射發光器件4為OLED或QLED平面型主動發光器件。所述底發射發光器件4由依次設置在所述平坦層3上的透明底電極41、發光層42和反射頂電極43組成。其中，所述透明底電極41為本領域常規的導電透明薄膜組成，如ΙΤ0、ΙΖ0等。所述發光層42包括光發射層，所述光發射層42可以根據發光器件類型的不同，選擇有機發光材料或量子點發光材料。優選的，所述發光層42還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層中的至少一層。作為較佳實施例，所述發光層42為包括空穴注入層、空穴傳輸層、光發射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層的多層層疊結構。所述反射頂電極43為導電金屬薄膜，包括但不限于Al、Ag、Cu、Au或它們的
I=IO
[0033]在所述底發射發光器件4之間設置有像素bank5，所述像素bank 5用于定義各像素(發光器件)的大小以及位置。所述像素bank 5的材料和厚度可采用本領域的常規設置。
[0034]本發明實施例提供的底發射型顯示面板，通過在底發射發光像素單元的出光側引入光反射結構，使得從所述底發射發光器件側面出射的光可以經所述光反射結構反射、從正面出射，從而提高了顯示面板的出光效率；同時，所述光反射結構的設置，還能避免出射光的光子對TFT陣列的照射，進而提高面板的穩定性。
[0035]本發明實施例所述底發射型顯示面板，可以通過下述方法制備獲得。
[0036]以及，結合圖1、3_8，本發明實施例還提供了一種底發射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟，流程示意圖如圖3所示:
[0037]SOl.提供一具有TFT陣列的TFT基板I，其中，所述TFT陣列表面覆蓋保護層；
[0038]S02.在所述TFT基板I上、沿著所述底發射發光器件4在所述TFT基板I的投影區的邊緣區域制作光反射結構2;
[0039]S03.在所述光反射結構2和未設置光反射結構2的所述TFT基板I上制作平坦層3;
[0040]S04.在所述平坦層3上挖孔形成連接孔，并制作通過所述連接孔與所述TFT陣列的S/D電極電連接的透明像素電極41 ；
[0041]S05.制作像素bank 5，且所述像素bank 5露出像素發光區域的所述透明像素電極41；
[0042]S06.在所述透明像素電極41上沉積發光層42以及反射頂電極43。
[0043]具體的，上述步驟SOl中，提供一TFT基板I，如圖4所示。所述TFT基板I為包括TFT陣列(圖中未標出)的基板，所述TFT陣列表面覆蓋有保護層(圖中未標出)，所述保護層為鈍化層。
[0044]上述步驟S02中，本發明實施例沿著所述底發射發光器件4在所述TFT基板I的投影區的邊緣區域制作圖案化的光反射結構2，具體的，所述光反射結構2包括設置在所述TFT基板I上的反射結構主體21，和設置在所述反射結構主體21表面的反射表面22。在所述TFT基板I上制備所述光反射結構2后的結構如圖5所示。
[0045]上述步驟S03中，在所述光反射結構2和未設置光反射結構I的所述TFT基板I上制作平坦層3，所述平坦層3用于平坦化所述光反射結構2以及TFT陣列引起的基板表面凹凸結構，從而便于后期的透明像素電極41以及像素bank5的制作。所述平坦層3的制備方法可采用本領域常規方法制備獲得，制作完所述平坦層3后的結構如圖6所示。
[0046]上述步驟S04中，在所述平坦層3上挖孔制作用于實現所述TFT陣列的S/D電極和所述透明像素電極41之間電連接的連接孔(圖中未標出)，之后，制作所述透明像素電極41。所述連接孔和所述透明像素電極41的制備方法可采用本領域常規方法制備獲得，制作完所述透明像素電極41后的結構如圖7所示。
[0047]上述步驟S05中，所述像素bank5用于定義像素(發光器件)的大小和位置，所述bank 5在用于形成像素區域的周邊，并露出像素發光區域(發光器件)的所述透明像素電極41。所述像素bank 5的制備方法可采用本領域常規方法制備獲得，制作完所述像素bank 5后的結構如圖8所示。
[0048]上述步驟S06中，在所述透明像素電極41上沉積發光層42和反射頂電極43，所述透明像素電極41、發光層42和反射頂電極43共同形成底發射發光器件4。制作完所述底發射發光器件4后的結構如圖1所示。
[0049]本發明實施例提供的底發射型顯示面板的制備方法，方法簡單，工藝相對成熟易控，易于實現產業化。
[0050]以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種底發射型顯示面板，其特征在于，包括TFT基板，設置在所述TFT基板上的光反射結構，設置在所述光反射結構上的平坦層，且所述平坦層覆蓋所述TFT基板上未設置光反射結構的區域，設置在所述平坦層上的底發射發光器件，且所述底發射發光器件之間設置有像素bank，其中，所述光反射結構繞設于所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的邊緣區域。2.如權利要求1所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述光反射結構包括設置在所述TFT基板上的反射結構主體和設置在所述反射結構主體表面的反射表面。3.如權利要求2所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述反射表面包括近所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的內壁面和所述內壁面在所述反射結構主體頂部延伸形成的上表面。4.如權利要求2所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述反射表面包括近所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的內壁面、所述內壁面在所述反射結構主體頂部延伸形成的上表面、以及與所述內壁面相對的外壁面。5.如權利要求3或4所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述內壁面與所述光反射結構的底面形成60-90°的夾角。6.如權利要求2所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述反射結構主體的材料為感光樹脂材料;和/或 所述反射表面的材料為金屬或金屬合金。7.如權利要求2所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述反射結構主體的厚度為1-5μπι08.如權利要求1-4任一所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述光反射結構的縱切面呈梯形。9.如權利要求1-4任一所述的底發射型顯示面板，其特征在于，所述底發射發光器件為OLED器件或QLED器件。10.—種底發射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有TFT陣列的TFT基板，其中，所述TFT陣列表面覆蓋保護層； 在所述TFT基板上、沿著所述底發射發光器件在所述TFT基板的投影區的邊緣區域制作光反射結構； 在所述光反射結構和未設置光反射結構的所述TFT基板上制作平坦層； 在所述平坦層上挖孔形成連接孔，并制作通過所述連接孔與所述TFT陣列的S/D電極電連接的透明像素電極； 制作像素bank，且所述像素bank露出像素發光區域的所述透明像素電極； 在所述透明像素電極上沉積發光層以及反射頂電極。
【文檔編號】H01L27/32GK105932040SQ201610390381
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月1日
【發明人】陳亞文
【申請人】Tcl集團股份有限公司