一種電容器及其版圖布局方法
【專利摘要】本發明公開了一種電容器及其版圖布局方法，解決了目前通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容的差值率來提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的問題，所述電容器包括：沿軸(a)交叉對稱排布的第一電容(C1)和第二電容(C2)；第一電容(C1)包括通過第一組金屬連線(L1)依次連接的2N+1個第一子電容(C11～C1i)，第二電容(C2)包括通過第二組金屬連線(L2)依次連接的2N+1個第二子電容(C21～C2i)；其中，N為正整數、i為2N+1；子電容(C11～C1i)和子電容(C21～C2i)的容值和的差值率不大于第一預設值，第一組金屬連線(L1)和第二組金屬連線(L2)的寄生電容的差值率不大于第二預設值。實現了在無需改變單個電容的尺寸的前提下，提升電容匹配精度的效果。
【專利說明】
一種電容器及其版圖布局方法
技術領域
[0001]本發明涉及集成電路版圖設計技術領域，尤其涉及一種電容器及其版圖布局方法。
【背景技術】
[0002]在集成電路的制造過程中，金屬、電介質和其他材料被采用如物理氣相沉積、化學氣相沉積在內的各種方法制作在硅片的表面，形成包括電子元件和元件之間的金屬互連線的金屬結構層，每一層金屬結構層之間又用多個金屬填充的通孔相連，使得電路具有很高的復雜性和電路密度。集成電路性能的一個重要指標是路徑延時，即從一個輸入到一個輸出所需要的時間；集成電路的路徑延時包括器件延時以及器件之間的互連線延時。隨著工藝節點的減小以及器件數量的增加，互連線的延時在總延時中所占比例越來越大。互連線的延時主要決定于互連線的寄生參數，如電阻、電容、電感等，互連線的寄生參數由互連線的材料、幾何信息如寬度長度高度等以及互連線間參數距離、正對長度等決定。
[0003]模擬集成電路的精度和性能一般都依靠器件匹配獲得。通常，匹配精度越高則模擬集成電路的精度和性能越好。路徑延時是反映t吳擬集成電路的精度和性能的一個關鍵指標，通常會在集成電路上設置匹配器件，來減小集成電路的路徑延時；其中，匹配器件是指專門制作在集成電路上的位置靠近且差異比率(即匹配精度)為確定常數的兩個相似器件。在這些匹配器件中，匹配電容是集成電路中的重要匹配器件，然而，許多機制(如摻雜、氧化層厚度、工藝偏差、電流的不均勻流動、擴散相互影響、機械應力、溫度梯度)及許多其他原因造成的系統誤差都會增加電容失配誤差，進而影響電容匹配。
[0004]這些生產制造芯片過程中的客觀因素不可避免，目前設計人員通過優化版圖設計來減小其影響。考慮到在實際應用中把器件連入電路的導線的電阻和電容，會導致電容匹配精度較低，甚至會引起系統失配，版圖設計人員通過增加單個電容的尺寸來實現導線電容最小化，但這種方式并不適用所有設計需求，原因包括:電容尺寸的增加會影響集成電路的面積、電容尺寸的增加使得該電容的電容值不符合設計要求、或者達不到高精度電容匹配的設計要求。
[0005]總而言之，現有技術中存在，通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容差值率，從而提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的技術問題。
【發明內容】
[0006]本發明針對現有技術中存在的，通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容差值率，從而提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的技術問題，提供了一種電容器及其版圖布局方法，實現了在無需改變單個電容的尺寸的前提下提升電容匹配精度，從而不會影響集成電路的面積、也不會改變電容的容值，使得集成電路設計不會受到電容尺寸的限制的技術效果。
[0007 ] 一方面，本發明提供了一種電容器，包括:
[0008]對稱排布的第一電容和第二電容；
[0009]所述第一電容包括第一組金屬連線和2N+1個第一子電容，所述第二電容包括第二組金屬連線和2N+1個第二子電容;其中，N為正整數，所述2N+1個第一子電容通過所述第一組金屬連線依次連接，所述2N+1個第二子電容通過所述第二組金屬連線依次連接;所述2N+
I個第一子電容與所述2N+1個第二子電容沿所述第一電容和所述第二電容的對稱軸交叉排布；
[0010]所述2N+1個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。
[0011]可選的，所述2N+1個第一子電容中任一第一子電容與所述2N+1個第二子電容中任一第二子電容的參數和容值均相同。
[0012]可選的，所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容一一對應形成2N+1個子電容對，所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，以使任一第一子電容相鄰電容為第二子電容、且任一第二子電容相鄰電容為第一子電容。
[0013]可選的，所述2N+1個子電容對中任意相鄰的兩個子電容對之間斷路，所述2N+1個子電容對中任一子電容對所包含的第一子電容和第二子電容之間斷路。
[0014]可選的，所述第一組金屬連線包括2N條第一金屬連線，所述第二組金屬連線包括2N條第二金屬連線；其中，所述2N條第一金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，所述2N條第二金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬。
[0015]另一方面，本發明還提供了一種電容器的版圖布局方法，包括如下步驟:
[0016]S1、分別堆疊設置2N+1個第一子電容和2N+1個第二子電容，并使所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容交叉對稱排布，其中，N為正整數；
[0017]S2、通過第一組金屬連線依次連接所述2N+1個第一子電容，以形成第一電容；以及通過第二組金屬連線依次連接所述2N+1個第二子電容，以形成第二電容;其中，所述2N+1個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。
[0018]可選的，所述2N+1個第一子電容中任一第一子電容與所述2N+1個第二子電容中任一第二子電容的參數和容值均相同。
[0019]可選的，所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容一一對應形成2N+1個子電容對，所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，以使任一第一子電容相鄰電容為第二子電容、且任一第二子電容相鄰電容為第一子電容。
[0020]可選的，所述2N+1個子電容對中任意相鄰的兩個子電容對之間斷路，所述2N+1個子電容對中任一子電容對所包含的第一子電容和第二子電容之間斷路。
[0021]可選的，所述第一組金屬連線包括2N條第一金屬連線，所述第二組金屬連線包括2N條第二金屬連線；其中，所述2N條第一金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，所述2N條第二金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬。
[0022]本發明中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點:
[0023]由于在本發明中，電容器包括對稱排布的第一電容和第二電容;所述第一電容包括第一組金屬連線和2N+1個第一子電容，所述第二電容包括第二組金屬連線和2N+1個第二子電容;其中，N為正整數，所述2N+1個第一子電容通過所述第一組金屬連線依次連接，所述2N+1個第二子電容通過所述第二組金屬連線依次連接;所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容沿所述第一電容和所述第二電容的對稱軸交叉排布;在上述電容結構的基礎上，設置所述2N+1個第一子電容的容值和所述2N+1個第二子電容的容值，以使所述2N+1個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，并合理選擇和布置第一組金屬連線和第二組金屬連線，以使所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值，以實現在無需改變單個電容的尺寸的前提下提升電容匹配精度，從而不會影響集成電路的面積、也不會改變電容的容值，使得集成電路設計不會受到電容尺寸的限制的技術效果。有效地解決現有技術中通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容差值率，從而提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的技術問題。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其它的附圖。
[0025]圖1為本發明實施例提供的第一種電容器結構示意圖；
[0026]圖2為本發明實施例提供的第二種電容器結構示意圖；
[0027]圖3為本發明實施例提供的一種電容器的版圖布局方法流程圖。
【具體實施方式】
[0028]本發明實施例通過提供一種電容器，解決了現有技術中存在的，通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容差值率，從而提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的技術問題，實現了在無需改變單個電容的尺寸的前提下提升電容匹配精度，從而不會影響集成電路的面積、也不會改變電容的容值，使得集成電路設計不會受到電容尺寸的限制的技術效果。
[0029]本發明實施例的技術方案為解決上述技術問題，總體思路如下:
[0030]本發明實施例提供了一種電容器，包括:對稱排布的第一電容和第二電容;所述第一電容包括第一組金屬連線和2N+1個第一子電容，所述第二電容包括第二組金屬連線和2N+ 1個第二子電容;其中，N為正整數，所述2N+1個第一子電容通過所述第一組金屬連線依次連接，所述2N+1個第二子電容通過所述第二組金屬連線依次連接;所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容沿所述第一電容和所述第二電容的對稱軸交叉排布;所述2N+1個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。
[0031]可見，在本發明實施例中，通過將電容器中需要匹配的兩個電容(即第一電容和第二電容)分別劃分為大于等于3的奇數個層疊設置的子電容(S卩2N+1個第一子電容和2N+1個第二子電容)，并通過第一組金屬連線將所述2N+1個第一子電容依次連接，以及通過第二組金屬連線將所述2N+1個第二子電容依次連接，并使所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容沿所述第一電容和所述第二電容的對稱軸交叉排布;接著，在上述電容結構基礎上，設置所述2N+1個第一子電容的容值和所述2N+1個第二子電容的容值，以使所述2N+1個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，并合理選擇和布置第一組金屬連線和第二組金屬連線，以使所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值，以實現在無需改變單個電容的尺寸的前提下提升電容匹配精度，從而不會影響集成電路的面積、也不會改變電容的容值，使得集成電路設計不會受到電容尺寸的限制的技術效果。有效地解決現有技術中通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容差值率，從而提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的技術問題。
[0032]為了更好的理解上述技術方案，下面將結合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術方案進行詳細的說明，應當理解本發明實施例以及實施例中的具體特征是對本申請技術方案的詳細的說明，而不是對本申請技術方案的限定，在不沖突的情況下，本發明實施例以及實施例中的技術特征可以相互組合。
[0033]實施例一
[0034]請參考圖1，本發明實施例提供了一種電容器I，包括:
[0035]對稱排布的第一電容Cl和第二電容C2;
[0036]第一電容Cl包括第一組金屬連線LI和2N+1個第一子電容(Cll?Cli)，第二電容C2包括第二組金屬連線L2和2N+1個第二子電容(C21?C2i);其中，N為正整數，i等于2N+1，2N+I個第一子電容(Cl I?Cli)通過第一組金屬連線LI依次連接，2N+1個第二子電容(C21?C2i)通過第二組金屬連線L2依次連接;2N+1個第一子電容(Cl I?Cl i)與2N+1個第二子電容(C21?C2i)沿第一電容Cl和第二電容C2的對稱軸a交叉排布；
[0037]2N+1個第一子電容(Cll?Cli)的容值和與2N+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一預設值，第一組金屬連線LI的寄生電容容值與第二組金屬連線L2的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。
[0038]在具體實施過程中，為了提高第一電容Cl和第二電容C2的匹配比率，2N+1個第一子電容(Cll?Cli)中任意兩個第一子電容的參數和容值均相同，2N+1個第二子電容(C21?C2i)中任意兩個第二子電容的參數和容值均相同，并且2N+1個第一子電容(Cll?Cli)中任一第一子電容與2N+1個第二子電容(C21?C2i)中任一第二子電容的參數和容值均相同。然而，在實際應用中，由于不可避免的工藝誤差，任意兩個第一子電容、任意兩個第二子電容或者任一第一子電容和任一第二子電容無法完全相同，必定存在些許差異，在本實施例中，需保證2N+1個第一子電容(Cll?Cli)的容值和與2N+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一預設值。具體的，設定2N+1個第一子電容(Cll?Cli)和2N+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和分別為X1、Y1，設定所述差值率為P1，P1與X1、Y1存在如下述式
(I)的數學關系:
[0039]Pl= IXl-Yl |/((Χ1+Υ1)/2) (I)
[0040]另外，為減小導線在實際應用中引入電路的電阻和電容，以進一步提高第一電容Cl和第二電容C2的匹配比率，第一組金屬連線LI的寄生電容容值與第二組金屬連線L2的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。具體的，設定第一組金屬連線LI的寄生電容容值和第二組金屬連線L2的寄生電容容值分別為X2、Y2，設定所述差值率為P2，P2與X2、Y2存在如下述式(2)的數學關系:
[0041]Ρ2= |X2-Y2|/((X2+Y2)/2) (2)
[0042]在本實施例中，所述第一預設值可取值為0.1%，所述第二預設值可取值為
0.08%。需要注意的是，在具體實施過程中，所述第一預設值和所述第二預設值可依據具體設計要求而定，這里不作具體限定。
[0043]由于電容的實際容值為電容本身容值與連線引入的寄生電容容值的和，即第一電容Cl的實際容值為2Ν+1個第一子電容(Cll?Cli)的容值和加上第一組金屬連線LI的寄生電容容值、第二電容C2的實際容值為2Ν+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和加上第二組金屬連線L2的寄生電容容值，當所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)的容值和與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一預設值，且所述第一組金屬連線LI的寄生電容容值與所述第二組金屬連線L2的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值時，第一電容Cl和第二電容C2的匹配精度優于±0.1%。
[0044]在具體實施過程中，仍請參考圖1，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)—一對應形成2N+1個子電容對，所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，以使任一第一子電容相鄰電容為第二子電容、且任一第二子電容相鄰電容為第一子電容。具體的，第I個第一子電容Cll與第I個第二子電容C21對應形成第I個子電容對，且第I個第一子電容CU與第I個第二子電容C21關于對稱軸a對稱;第2個第一子電容C12與第2個第二子電容C22對應形成第2個子電容對，且第2個第一子電容C12與第2個第二子電容C22關于對稱軸a對稱；...;第2奸1個第一子電容Cli與第2N+1個第二子電容C2i對應形成第2N+1個子電容對，且第2N+1個第一子電容Cli與第2N+1個第二子電容C2i關于對稱軸a對稱。所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，奇數編號的第一子電容以及偶數編號的第二子電容排布在對稱軸a的一側，偶數編號的第一子電容以及奇數編號的第二子電容排布在對稱軸a的另一側，使得所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)與所述2N+I個第二子電容(C21?C2i)沿第一電容Cl和第二電容C2的對稱軸a交叉排布。
[0045]進一步，為避免第一電容Cl與第二電容C2短路，在具體實施過程中，所述2N+1個子電容對中任意相鄰的兩個子電容對之間斷路，所述2N+1個子電容對中任一子電容對所包含的第一子電容和第二子電容之間斷路。例如，所述第I個子電容對(由第I個第一子電容CU與第I個第二子電容C21對應形成)與所述第2個子電容對(由第2個第一子電容C12與第2個第二子電容C22對應形成)斷路，且第I個第一子電容CU與第I個第二子電容C21斷路，第2個第一子電容C12與第2個第二子電容C22斷路；...;所述第2N個子電容對(由第2N個第一子電容與第2N個第二子電容對應形成)與所述第2N+1個子電容對(由第2N+1個第一子電容與第2N+1個第二子電容對應形成)斷路，且第2N個第一子電容與第2N個第二子電容斷路，第2N+1個第一子電容與第2N+1個第二子電容斷路。
[0046]在具體實施過程中，第一組金屬連線LI包括2N條第一金屬連線，第二組金屬連線L2包括2N條第二金屬連線；其中，任一條第一金屬連線和任一條第二金屬連線的形狀大小完全相同，所述2N條第一金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，所述2N條第二金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，采用不同層金屬的金屬連線的單位面積電容容值不同。具體的，仍請參考圖1，第一組金屬連線LI的2N條第一金屬連線包括:連接第I個第一子電容CU和第2個第一子電容C12的金屬連線LU，連接第2個第一子電容C12和第3個第一子電容C13的金屬連線L12，...，連接第2N個第一子電容(圖1中未畫出)和第2N+1個第一子電容(圖1中未畫出)的金屬連線(圖1中未畫出)；同樣的，第二組金屬連線L2的2N條第二金屬連線包括:連接第I個第二子電容C21和第2個第二子電容C22的金屬連線L21，連接第2個第二子電容C22和第3個第二子電容C23的金屬連線L22，...，連接第2N個第二子電容(圖1中未畫出)和第2N+1個第二子電容(圖1中未畫出)的金屬連線(圖1中未畫出)。
[0047]下面以N取值為I為例，請參考圖2，第一電容Cl和第二電容C2均包含三層子電容，具體的，第一電容Cl包括層疊設置的三個第一子電容(Cll、C12、C13)，第二電容C2包括層疊設置的三個第二子電容化21工22工23)，三個第一子電容((:11、(:12、(:13)和三個第二子電容(C21、C22、C23)的參數和容值均相同，以保證第一電容Cl的本身容值與第二電容C2的本身容值的差值率小于等于所述第一預設值。
[0048]仍請參考圖2，第一子電容Cll的右下角Al與第一子電容C12的左上角A2通過金屬連線Lll連接，第一子電容C12的左下角A3與第一子電容C13的右上角A4通過金屬連線L12連接，第二子電容C21的左下角BI與第二子電容C22的右上角B2通過金屬連線L21連接，第二子電容C22的右下角B3與第二子電容C23的左上角B4通過金屬連線L22連接。為避免第一電容Cl和第二電容C2短路，金屬連線Lll與金屬連線L21為不同層的金屬，金屬連線L12與金屬連線L22為不同層的金屬。另外，金屬連線Lll和金屬連線L22屬于類似層或同層金屬，即金屬連線Lll和金屬連線L22的寄生電容容值基本相同，金屬連線L12和金屬連線L21屬于類似層或同層金屬，即金屬連線L12和金屬連線L21的寄生電容容值基本相同，以保證第一電容Cl中金屬連線所引入的寄生電容容值與第二電容C2中金屬連線所引入的寄生電容容值的差值率小于等于所述第二預設值。
[0049]總而言之，在本發明實施例中，通過將電容器中需要匹配的兩個電容(即第一電容和第二電容)分別劃分為大于等于3的奇數個層疊設置的子電容(S卩2N+1個第一子電容和2N+ 1個第二子電容)，并通過第一組金屬連線將所述2N+1個第一子電容依次連接，以及通過第二組金屬連線將所述2N+1個第二子電容依次連接，并使所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容沿所述第一電容和所述第二電容的對稱軸交叉排布;接著，在上述電容結構基礎上，設置所述2N+1個第一子電容的容值和所述2N+1個第二子電容的容值，以使所述2N+I個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，并合理選擇和布置第一組金屬連線和第二組金屬連線，以使所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值，以實現在無需改變單個電容的尺寸的前提下提升電容匹配精度，從而不會影響集成電路的面積、也不會改變電容的容值，使得集成電路設計不會受到電容尺寸的限制的技術效果。有效地解決現有技術中通過改變單個電容的尺寸來減小導線電容差值率，從而提升電容匹配精度的方法，使得集成電路設計受限的技術問題。
[0050]實施例二
[0051]基于同一發明構思，請參考圖3，本申請還提供了一種電容器的版圖布局方法，包括如下步驟:
[0052]S1、分別堆疊設置2N+1個第一子電容和2N+1個第二子電容，并使所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容交叉對稱排布，其中，N為正整數；
[0053]S2、通過第一組金屬連線依次連接所述2N+1個第一子電容，以形成第一電容；以及通過第二組金屬連線依次連接所述2N+1個第二子電容，以形成第二電容;其中，所述2N+1個第一子電容的容值和與所述2N+1個第二子電容的容值和的差值率小于等于第一預設值，所述第一組金屬連線的寄生電容容值與所述第二組金屬連線的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。
[0054]其中，所述2N+1個第一子電容中任一第一子電容與所述2N+1個第二子電容中任一第二子電容的參數和容值均相同。
[0055]在具體實施過程中，所述2N+1個第一子電容與所述2N+1個第二子電容——對應形成2N+1個子電容對，所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，以使任一第一子電容相鄰電容為第二子電容、且任一第二子電容相鄰電容為第一子電容。
[0056]進一步，所述2N+1個子電容對中任意相鄰的兩個子電容對之間斷路，所述2N+1個子電容對中任一子電容對所包含的第一子電容和第二子電容之間斷路。
[0057]在具體實施過程中，所述第一組金屬連線包括2N條第一金屬連線，所述第二組金屬連線包括2N條第二金屬連線；其中，所述2N條第一金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，所述2N條第二金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬。
[0058]根據上面的描述，上述版圖布局方法用于生成上述電容器，所以，該版圖布局方法與上述電容器的一個或多個實施例一致，在此就不再一一贅述了。
[0059]盡管已描述了本發明的優選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優選實施例以及落入本發明范圍的所有變更和修改。
[0060]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種電容器，其特征在于，包括: 對稱排布的第一電容(Cl)和第二電容(C2); 所述第一電容(Cl)包括第一組金屬連線(LI)和2N+1個第一子電容(Cll?Cli)，所述第二電容(C2)包括第二組金屬連線(L2)和2N+1個第二子電容(C21?C2i);其中，N為正整數、i為2N+1，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)通過所述第一組金屬連線(LI)依次連接，所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)通過所述第二組金屬連線(L2)依次連接;所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)沿所述第一電容(Cl)和所述第二電容(C2)的對稱軸(a)交叉排布； 所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)的容值和與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一預設值，所述第一組金屬連線(LI)的寄生電容容值與所述第二組金屬連線(L2)的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。2.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)中任一第一子電容與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)中任一第二子電容的參數和容值均相同。3.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)——對應形成2N+1個子電容對，所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，以使任一第一子電容相鄰電容為第二子電容、且任一第二子電容相鄰電容為第一子電容。4.如權利要求3所述的電容器，其特征在于，所述2N+1個子電容對中任意相鄰的兩個子電容對之間斷路，所述2N+1個子電容對中任一子電容對所包含的第一子電容和第二子電容之間斷路。5.如權利要求1?4任一權項所述的電容器，其特征在于，所述第一組金屬連線(LI)包括2N條第一金屬連線，所述第二組金屬連線(L2)包括2N條第二金屬連線;其中，所述2N條第一金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，所述2N條第二金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬。6.一種電容器的版圖布局方法，其特征在于，包括如下步驟: 51、分別堆疊設置2N+1個第一子電容(Cll?Cli)和2N+1個第二子電容(C21?C2i)，并使所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)交叉對稱排布，其中，N為正整數、i為2N+1 ； 52、通過第一組金屬連線(LI)依次連接所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)，以形成第一電容(Cl);以及通過第二組金屬連線(L2)依次連接所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)，以形成第二電容(C2);其中，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)的容值和與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一預設值，所述第一組金屬連線(LI)的寄生電容容值與所述第二組金屬連線(L2)的寄生電容容值的差值率小于等于第二預設值。7.如權利要求6所述的電容器的版圖布局方法，其特征在于，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)中任一第一子電容與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)中任一第二子電容的參數和容值均相同。8.如權利要求6所述的電容器的版圖布局方法，其特征在于，所述2N+1個第一子電容(Cll?Cli)與所述2N+1個第二子電容(C21?C2i)——對應形成2N+1個子電容對，所述2N+1個子電容對按照設定排布方式依次堆疊排布，以使任一第一子電容相鄰電容為第二子電容、且任一第二子電容相鄰電容為第一子電容。9.如權利要求8所述的電容器的版圖布局方法，其特征在于，所述2N+1個子電容對中任意相鄰的兩個子電容對之間斷路，所述2N+1個子電容對中任一子電容對所包含的第一子電容和第二子電容之間斷路。10.如權利要求6?9任一權項所述的電容器的版圖布局方法，其特征在于，所述第一組金屬連線(LI)包括2N條第一金屬連線，所述第二組金屬連線(L2)包括2N條第二金屬連線；其中，所述2N條第一金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬，所述2N條第二金屬連線中至少存在兩條金屬連線采用不同層的金屬。
【文檔編號】H01L27/02GK105932015SQ201610425030
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月16日
【發明人】張科峰, 劉薇, 譚珍
【申請人】武漢芯泰科技有限公司