陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法

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陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示裝置，屬于顯示技術領域。所述方法包括：在襯底基板上形成包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結構；在形成有所述平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案；在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層；在形成有所述透明導電膜層的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM；對所述透明導電膜層進行處理形成公共電極。本發明通過在透明導電膜層上形成TPM，然后再對透明導電膜層進行處理以形成公共電極，解決了相關技術中在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞的問題，達到了形成TPM時，由透明導電膜層保護平坦層圖案，不會對平坦層圖案造成損壞的效果。
【專利說明】
陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示裝置
技術領域
[0001] 本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 顯示面板通常包括陣列基板、彩膜基板以及形成于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。其中，一種顯示面板中的陣列基板上形成有大面積透明的公共電極以及像素電極，陣列基板通過這兩個電極能夠使液晶層中的液晶進行偏轉。但由于公共電極的面積較大，其電阻通常較高，這可能會影響顯示面板的顯示效果，尤其是在將公共電極和像素電極作為該顯示面板的兩個觸控電極時，公共電極的電阻過高會嚴重影響顯示面板的觸控功能。
[0003] 相關技術中有一種陣列基板的制造方法，在該方法中：1)在襯底基板上形成包括薄膜晶體管(英文:Thin Film Transistor;簡稱:TFT)在內的平坦層前膜層結構;2)在形成有平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案;3)在形成有平坦層圖形的襯底基板上形成公共電極；4)在公共電極上形成觸摸金屬圖案（英文：Touch pattern Metal;簡稱： TPM)，TPM可以為金屬走線，導電性能好，能夠解決公共電極的電阻較大的問題;5)在形成有 TPM的襯底基板上形成緩沖層以及像素電極，像素電極通過過孔與TFT中的源極或漏極連接。
[0004] 在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：由于公共電極與平坦層圖案的形狀不同，平坦層圖案上可能存在未覆蓋公共電極的區域，且由于TPM形成時對溫度的要求較高而平坦層圖案對于高溫的耐受性較差，此時在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞。

【發明內容】

[0005] 為了解決現有技術中在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞的問題，本發明實施例提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示裝置。所述技術方案如下：
[0006] 根據本發明的第一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：
[0007] 在襯底基板上形成包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結構；
[0008] 在形成有所述平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案；
[0009] 在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層；
[0010] 在形成有所述透明導電膜層的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM;
[0011] 對所述透明導電膜層進行處理形成公共電極。
[0012] 可選地，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層之前，所述方法還包括：
[0013] 在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層；
[0014] 所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層，包括：
[0015] 在形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成所述透明導電膜層；
[0016] 所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔使所述TFT的源極或漏極露出，所述對所述透明導電膜層進行處理形成公共電極之后，所述方法還包括：
[0017] 在形成有所述透明電極的襯底基板上形成第二鈍化層；
[0018] 在所述第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔，所述TFT接觸過孔通過所述公共電極孔與所述平坦層孔連通，所述TFT接觸過孔小于所述公共電極孔；
[0019] 在形成有所述TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極，所述像素電極通過所述 TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。
[0020] 可選地，所述在所述第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔，包括：
[0021 ]通過一次構圖工藝在所述第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔。
[0022] 可選地，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，包括：
[0023] 在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的頂面的所述第一鈍化層。
[0024] 可選地，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層，包括：
[0025] 在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的頂面的所述透明導電膜層。
[0026]可選地，所述平坦層圖案的材料包括亞克力。
[0027]可選地，所述像素電極的材料包括多晶硅氧化銦錫Ρ-ΙΤ0。
[0028] 根據本發明的第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板是由第一方面所述的方法制造形成的，所述陣列基板包括：
[0029] 襯底基板；
[0030]所述襯底基板上形成有包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結構；
[0031] 形成有所述平坦層前膜層結構的襯底基板上形成有平坦層圖案；
[0032] 形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成有公共電極；
[0033]所述公共電極上形成有觸摸金屬圖案TPM。
[0034] 可選地，所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔使所述TFT的源極或漏極露出，
[0035] 形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成有第一鈍化層；
[0036] 形成有所述TPM的襯底基板上形成有第二鈍化層，所述第二鈍化層和所述第一鈍化層上形成有TFT接觸過孔，所述TFT接觸過孔穿過所述公共電極孔與所述平坦層孔連通，所述TFT接觸過孔小于所述公共電極孔；
[0037] 形成有所述TFT接觸過孔的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極通過所述 TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。
[0038]根據本發明的第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第二方面所述的陣列基板。
[0039] 本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：
[0040] 通過在透明導電膜層上形成TPM，然后再對透明導電膜層進行處理以形成公共電極，解決了相關技術中在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞的問題，達到了形成TPM時，由透明導電膜層保護平坦層圖案，不會對平坦層圖案造成損壞的效果。
【附圖說明】
[0041] 為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0042] 圖1是本發明實施例示出的一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0043] 圖2-1是本發明實施例示出的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0044]圖2_2是圖2_1所不實施例中襯底基板的結構不意圖；
[0045]圖2_3是圖2_1所不實施例中襯底基板的結構不意圖；
[0046] 圖2-4是圖2-1所示實施例中襯底基板的結構示意圖；
[0047] 圖2-5是圖2-1所示實施例中形成第一鈍化層的一種實現方式；
[0048] 圖2-6是圖2-1所示實施例中襯底基板的結構示意圖；
[0049] 圖2-7是圖2-1所示實施例中形成透明導電膜層的一種實現方式；
[0050] 圖2-8是圖2-1所示實施例中襯底基板的結構示意圖；
[0051] 圖2-9是圖2-1所示實施例中襯底基板的結構示意圖；
[0052] 圖2-10是圖2-1所示實施例中襯底基板的結構示意圖；
[0053] 圖2-11是圖2-1所示實施例中襯底基板的結構示意圖；
[0054]圖3是本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖。
[0055]上述各個附圖中，附圖標記的含義可以為：II-襯底基板，12-LS層，13-緩沖層，14-多晶硅有源層，15-柵絕緣層，16-柵極，17-中間介電層，18-源漏極，19-平坦層圖案，191-平坦層孔，20-第一鈍化層，21-透明導電膜層，22-TPM，211-公共電極，21 la-公共電極孔，231-TFT接觸過孔，24-像素電極，30-平坦層前膜層結構。
[0056] 通過上述附圖，已示出本發明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發明構思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本發明的概念。
【具體實施方式】
[0057] 為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0058] 圖1是本發明實施例示出的一種陣列基板的制造方法的流程圖，本實施例以該陣列基板的制造方法應用于制造陣列基板來舉例說明。該陣列基板的制造方法可以包括如下幾個步驟：
[0059]步驟101，在襯底基板上形成包括TFT的平坦層前膜層結構。
[0060]步驟102,在形成有平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案。
[0061]步驟103,在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層。
[0062]步驟104,在形成有透明導電膜層的襯底基板上形成TPM。
[0063] 步驟105,對透明導電膜層進行處理形成公共電極。
[0064] 綜上所述，本發明實施例提供的陣列基板的制造方法，通過在透明導電膜層上形成TPM，然后再對透明導電膜層進行處理以形成公共電極，解決了相關技術中在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞的問題，達到了形成TPM時，由透明導電膜層保護平坦層圖案，不會對平坦層圖案造成損壞的效果。
[0065] 圖2-1是本發明實施例示出的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，本實施例以該陣列基板的制造方法應用于制造陣列基板來舉例說明。該陣列基板的制造方法可以包括如下幾個步驟：
[0066]步驟201，在襯底基板上形成包括TFT的平坦層前膜層結構。
[0067]在使用本發明實施例提供的陣列基板制造方法時，可以首先在襯底基板上形成包括TFT的平坦層前膜層結構。平坦層前膜層結構可以是指形成平坦層之前，襯底基板上的膜層結構，平坦層前膜層結構根據情況可能不同，在應用了低溫多晶硅（英文：Low Temperature Poly-si 1 icon;簡稱:LTPS)技術的陣列基板上，形成了平坦層前膜層結構的襯底基板可以如圖2-2所示，其中，襯底基板11上由下而上形成有遮光（英文：Light Shield;簡稱:LS)層12、緩沖層(英文:buffer)13、多晶硅(P-SI)有源層14、柵絕緣層(英文： Gate Insulator;簡稱:GI) 15、概極16、中間介電層（英文：inter-layer Dielectric;簡稱： ILD)17和源漏極18等。平坦層前膜層結構還可以為其他，具體可以參考相關技術，在此不再贅述。
[0068]步驟202,在形成有平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案。
[0069] 在襯底基板上形成平坦層前膜層結構后，可以在形成有平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案。平坦層圖案的材料可以包括亞克力（英文 :Acryl)。平坦層圖案上可以形成有源漏極接觸過孔，該源漏極接觸過孔使平坦層圖案下層的TFT中的源極或漏極露出。
[0070] 本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-3所示，其中，平坦層圖案19形成于源漏極18上方，平坦層圖案19上形成有平坦層孔191，源極或漏極從平坦層孔191中露出。需要說明的是，附圖標記18代表源極和漏極，而源極和漏極中的一個從平坦層孔191中露出。
[0071] 步驟203,在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層。
[0072] 在襯底基板上形成平坦層圖案后，可以在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層(英文Passivation;簡稱:PVX)，該鈍化層可以進一步保護平坦層圖案。本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-4所示，其中，第一鈍化層20形成在平坦層圖案19上。
[0073 ]此外，如圖2-5所示，本步驟的一種實現方式為：
[0074]子步驟2031，在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋襯底基板的頂面的第一鈍化層。
[0075]其中，襯底基板的頂面可以包括襯底基板上的有效顯示區域(英文:ActiVe Area; 簡稱:AA)和周邊區域。由于周邊區域可能未形成有公共電極，因而周邊區域的平坦層圖案更有可能被損壞，因而在周邊區域也形成有鈍化層能夠保護周邊區域區的平坦層圖案。其中，襯底基板的AA區可以是指該襯底基板后續形成的陣列基板的AA區。
[0076]步驟204,在形成有第一鈍化層的襯底基板上形成透明導電膜層。
[0077]在襯底基板上形成第一鈍化層后，可以在形成有第一鈍化層的襯底基板上形成透明導電膜層，該透明導電膜層的材料可以包括氧化銦錫(英文：Indium Tin Oxides;簡稱： ITO)。該透明導電膜層用于后續形成公共電極。其中透明導電膜層可以由鍍膜機來形成，形成時的工藝參數可以為:鍍膜機功率為20KW(千瓦），鍍膜腔室的溫度為室溫。形成透明導電膜層時，鍍膜機的功率較小，且鍍膜腔室的溫度較低，不會對平坦層圖案造成損壞。
[0078]本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-6所示，其中，透明導電膜層21形成于第一鈍化層20上，19為平坦層圖案。
[0079 ]此外，如圖2-7所示，本步驟的一種實現方式為：
[0080] 子步驟2041，在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋襯底基板的頂面的透明導電膜層。
[0081] 其中，襯底基板的頂面可以包括襯底基板上的ΑΑ區和周邊區域。由于周邊區域可能未形成有公共電極，因而周邊區域的平坦層圖案更有可能被損壞，因而在周邊區域也形成有透明導電膜層能夠保護周邊區域區的平坦層圖案。
[0082]步驟205,在形成有透明導電膜層的襯底基板上形成ΤΡΜ。
[0083]在襯底基板上形成了透明導電膜層后，可以在形成有透明導電膜層的襯底基板上形成ΤΡΜ。ΤΡΜ的材料可以包括鉬(Mo)，膜厚可以為3丨00Α (埃），ΤΡΜ可以通過鍍膜機形成， ΤΡΜ形成時的工藝參數為:鍍膜機功率為150KW，鍍膜腔室的溫度為100攝氏度。形成ΤΡΜ時鍍膜機的功率較高，鍍膜腔室的溫度較高，若平坦層圖案暴露在這樣的環境下，平坦層圖案的表面會析出污染物，該污染物會對ΤΡΜ以及鍍膜腔室造成污染，ΤΡΜ被污染后其電阻會被影響。
[0084] 可以通過構圖工藝來形成ΤΡΜ，構圖工藝可以包括曝光、顯影、刻蝕和剝離等，具體可以參考相關技術，在此不再贅述。
[0085] 由于透明導電膜層的穩定性通常強于平坦層，如ΙΤ0構成的透明導電膜層，其穩定性強于由亞克力構成的平坦層，在形成ΤΡΜ時，透明導電膜層通常不會被影響。因而本發明實施例中，透明導電膜層可以在ΤΡΜ的形成過程中，保護平坦層圖案。
[0086] 需要說明的是，ΤΡΜ的圖案在設計時可以避開后續形成公共電極時在透明導電膜層刻蝕掉的部分，示例性的，可以避開公共電極上的公共電極孔，避免后續形成公共電極時，對ΤΡΜ造成損壞。
[0087]還需要說明的是，未設置ΤΡΜ時，公共電極的電阻可能達到60歐左右，該阻值較高，可能會影響陣列基板構成的顯示面板的顯示效果。尤其在公共電極作為內嵌式觸控(英文： full in cell;簡稱:FIC)技術中的一個觸摸電極時，若公共電極的阻值較高，會在較大程度上影響觸控功能的實現。而設置TPM后，公共電極的阻值通常會下降到1.5歐左右，該阻值較小，即使公共電極作為觸摸電極，也不會對觸控功能造成影響。
[0088]本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-8所示，其中，TPM22形成于透明導電膜層21上。圖2-8中其他附圖標記的含義可以參考本發明實施例的其他附圖，在此不再贅述。 [0089] 步驟206,對透明導電膜層進行處理形成公共電極。
[0090]在襯底基板上形成了 TPM之后，可以對透明導電膜層進行處理形成公共電極。具體的，可以通過構圖工藝在所述透明導電膜層上形成公共電極。公共電極上形成有公共電極孔，公共電極孔可以與平坦誠圖案上的平坦層孔連通，且大于平坦層孔。
[0091]本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-9所示，其中，公共電極211形成于第一鈍化層20上，公共電極211上形成有公共電極孔211a，TPM22位于公共電極211上。
[0092] 步驟207,在形成有透明電極的襯底基板上形成第二鈍化層。
[0093] 在襯底基板上形成公共電極后，可以在形成有透明電極的襯底基板上形成第二鈍化層，該第二鈍化層可以用于保護公共電極與TPM。
[0094]步驟208，在第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔。
[0095]在襯底基板上形成了第二鈍化層后，可以在第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT 接觸過孔。具體的，由于第二鈍化層和第一鈍化層的材質可以相同，因而可以通過一次構圖工藝在第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔，具體的，在使用干法刻蝕來刻蝕第二鈍化層和第一鈍化層時，可以不更換刻蝕氣體，而只需要根據第一鈍化層和第二鈍化層的厚度來調整刻蝕的時間即可，節省了成本。TFT接觸過孔小于公共電極孔。TFT接觸過孔可以穿過第二鈍化層和第一鈍化層并從公共電極孔中穿過，與平坦層孔連通。
[0096]本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-10所示，其中，TFT接觸過孔231經過第二鈍化層23和第一鈍化層20,并從公共電極孔211a中穿過，與平坦層孔191連通，使源極或漏極露出。需要說明的是，TFT接觸過孔231可以是形成于第二鈍化層23和第一鈍化層20上的孔，且TFT接觸過孔231經過公共電極211上的公共電極孔211a。圖2-10中其他標記的含義可以參考本發明實施例的其他附圖，在此不再贅述。
[0097]步驟209,在形成有TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極。
[0098]在襯底基板上形成了 TFT接觸過孔后，可以在形成有TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極。其中，像素電極通過TFT接觸過孔以及平坦層孔與TFT的源極或漏極連接。像素電極的材料包括多晶硅氧化銦錫(Ρ-ΙΤ0)。需要說明的是，本發明實施例示出的陣列基板可以用于高級超維場轉換（英文:Advanced Super Dimension Switch;簡稱:ADS)型顯示面板中。
[0099] 本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖2-11所示，其中，像素電極24形成于第二鈍化層23上，且像素電極24與源漏極18中的源極或漏極連接。圖2-11中其他標記的含義可以參考本發明實施例其他附圖，在此不再贅述。像素電極24可以與公共電極211共同驅動液晶層(圖2-11中未示出）中的液晶。
[0100] 綜上所述，本發明實施例提供的陣列基板的制造方法，通過在透明導電膜層上形成TPM，然后再對透明導電膜層進行處理以形成公共電極，解決了相關技術中在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞的問題，達到了形成TPM時，由透明導電膜層保護平坦層圖案，不會對平坦層圖案造成損壞的效果。
[0101] 圖3是本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖，該陣列基板可以是由圖1 示出的方法制造形成的，該陣列基板包括：
[0102] 襯底基板11。
[0103] 襯底基板11上形成有包括TFT的平坦層前膜層結構30。
[0104] 形成有平坦層前膜層結構30的襯底基板11上形成有平坦層圖案19。
[0105] 形成有平坦層圖案19的襯底基板11上形成有公共電極211。
[0106]公共電極211上形成有TPM22JPM22可以是在襯底基板11上形成有透明導電膜層后形成的，透明導電膜層可以保護平坦層圖案，后續對透明導電膜層進行處理可以得到公共電極211。
[0107]如圖2-11所示，其為本發明實施例提供的另一種陣列基板的結構示意圖，公共電極211上形成有公共電極孔211a，平坦層圖案19上形成有平坦層孔191，平坦層孔191使TFT 的源極或漏極18露出，形成有平坦層圖案19的襯底基板11上形成有第一鈍化層20。第一鈍化層20能夠在形成TPM22時，進一步保護平坦層圖案19。
[0108] 形成有TPM22的襯底基板11上形成有第二鈍化層23,第一鈍化層20和第二鈍化層 23上形成有TFT接觸過孔231，TFT接觸過孔231穿過公共電極孔211a與平坦層孔191連通， TFT接觸過孔231小于公共電極孔21 la。
[0109] 形成有TFT接觸過孔231的襯底基板11上形成有像素電極24,像素電極24通過TFT 接觸過孔231以及平坦層孔191與TFT的源極或漏極18連接。
[0110] 綜上所述，本發明實施例提供的陣列基板，通過在透明導電膜層上形成TPM，然后再對透明導電膜層進行處理以形成公共電極，解決了相關技術中在公共電極上形成TPM可能會對平坦層圖案造成損壞的問題，達到了形成TPM時，由透明導電膜層保護平坦層圖案，不會對平坦層圖案造成損壞的效果。
[0111]此外，本發明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括圖3所示的陣列基板，或圖2-11所示的陣列基板。
[0112] 本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質中，上述提到的存儲介質可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0113] 以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在襯底基板上形成包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結構；在形成有所述平坦層前膜層結構的襯底基板上形成平坦層圖案；在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層；在形成有所述透明導電膜層的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM; 對所述透明導電膜層進行處理形成公共電極。2. 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層之前，所述方法還包括：在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層；所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層，包括：在形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成所述透明導電膜層；所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔使所述TFT的源極或漏極露出，所述對所述透明導電膜層進行處理形成公共電極之后，所述方法還包括：在形成有所述透明電極的襯底基板上形成第二鈍化層；在所述第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔，所述TFT接觸過孔通過所述公共電極孔與所述平坦層孔連通，所述TFT接觸過孔小于所述公共電極孔；在形成有所述TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極，所述像素電極通過所述TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。3. 根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔，包括：通過一次構圖工藝在所述第二鈍化層和第一鈍化層上形成TFT接觸過孔。4. 根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，包括：在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的頂面的所述第一鈍化層。5. 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成透明導電膜層，包括：在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的頂面的所述透明導電膜層。6. 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述平坦層圖案的材料包括亞克力。7. 根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述像素電極的材料包括多晶硅氧化銦錫 P-ITOo8. -種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是由權利要求1至7任一所述的方法制造形成的，所述陣列基板包括：襯底基板；所述襯底基板上形成有包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結構；形成有所述平坦層前膜層結構的襯底基板上形成有平坦層圖案；形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成有公共電極；所述公共電極上形成有觸摸金屬圖案TPM。9. 根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔使所述TFT的源極或漏極露出，形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成有第一鈍化層；形成有所述TPM的襯底基板上形成有第二鈍化層，所述第二鈍化層和所述第一鈍化層上形成有TFT接觸過孔，所述TFT接觸過孔穿過所述公共電極孔與所述平坦層孔連通，所述 TFT接觸過孔小于所述公共電極孔；形成有所述TFT接觸過孔的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極通過所述TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。10. -種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求8或9所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK105931986SQ201610330828
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月18日
【發明人】楊璐, 史大為, 王文濤, 司曉文, 王金鋒, 徐海峰
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司

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