一種在FTO上原位水熱生長Cu₃BiS₃敏化的TiO₂氧化物薄膜、制備方法及其應用

一種在FTO上原位水熱生長Cu₃BiS₃敏化的TiO₂氧化物薄膜、制備方法及其應用
【專利摘要】一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制備方法及其在制備太陽能電池中的應用，屬于太陽能電池技術領域。其是先通過水熱反應在FTO上生長0.5～1.5μm的TiO2陣列得到FTO/TiO2薄膜，再對TiO2薄膜進行鈍化處理；然后配制用于水熱反應的Cu3BiS3敏化劑溶液，將FTO/TiO2薄膜的TiO2薄膜面朝下浸入到配制好的Cu3BiS3敏化劑溶液中進行水熱反應，反應結束待反應體系冷卻至室溫后將FTO/TiO2薄膜取出，先用水沖洗干凈，再用乙醇沖洗，然后氮氣吹干，從而在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜。此方法制備Cu3BiS3和敏化FTO/TiO2薄膜樣品同時進行，制備工藝簡單，易于操作，且使Cu3BiS3在氧化物TiO2薄膜樣品上的覆蓋量更大，能充分吸收光產生光生電荷，使光電轉化效率提高，適用于敏化類太陽能電池。
【專利說明】
一種在FTO上原位水熱生長Cu3B i S3敏化的T i O2氧化物薄膜、制備方法及其應用
技術領域
[0001]本發明屬于太陽能電池技術領域，具體涉及一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的T12氧化物薄膜、制備方法及其在制備太陽能電池中的應用。
【背景技術】
[0002]單晶硅太陽能電池作為第一代太陽能電池，以其光電轉化率高和穩定性好的優點占領光電領域的市場，但第一代太陽能電池成本高、制備工藝復雜。隨之有了第二代太陽能電池，第二代是具有更薄光吸收層的薄膜太陽能電池，第二代太陽能電池雖然成本降低，但是轉化效率明顯低于第一代太陽能電池。為了尋求成本和光電轉化效率之間的平衡，用納米顆粒、納米線、納米棒和納米管制備的第三代納米晶太陽能電池隨之問世。
[0003]目前第二代薄膜太陽電池光吸收層的制備因其可應用于下一代太陽能電池的潛力已引起了人們的廣泛關注。如，CuInSe2作為薄膜太陽能電池的最佳光吸收材料，在薄膜太陽能電池領域依然是人們的主要關注對象。其中，CdTe和CdSe由于其合適的能帶結構和光敏性而應用于屬于第三代太陽能電池的敏化類太陽能電池。硫化物材料由于具有優異的光電性能越來越受到研究者的關注，如(MS、ZnS、In2S3、CuxS等。此外，三元硫化物材料由于其合適的禁帶寬度和優異的光電性能可應用于太陽能電池也引起了研究者們的關注，如黃銅礦CuInS2由于其高光吸收率和合適的禁帶寬度(1.4ev)而成為理想的光吸收材料。但是銦是稀有金屬，價格昂貴，因此CuInS2不能廣泛應用。相應的，含量豐富的鉍金屬越來越受到人們的關注。Cu3BiS3的禁帶寬度為1.4?1.5ev，且成本低。因此有望成為理想的替代CuInS2的活性材料。
[0004]三元化合物一般難以制備，因此很少有合適的方法制備Cu3BiS3t5現有的研究方法包括:較早的制備方法有蒸鍍、兩步化學氣相沉積法、或先在銅片上先制備Bi2S3再熱處理。然而這些方法需求的條件苛刻，結果不理想且尚未對所制備材料進行光電性能研究，因此難以實際應用。
[0005]目前應用廣泛的是水熱合成法，因其制備成本低且簡便，而受到研究者們的高度關注。但是目前水熱合成的Cu3BiS3材料為粉末材料，不能在T12氧化物薄膜上直接水熱生長，從而不能夠在水熱反應過程中對T12氧化物薄膜敏化;需要將制備的粉末材料配制成溶液再旋涂在T12薄膜上，此方法只能對T12薄膜的表面進行敏化，敏化劑在T12上的覆蓋率低，因此不利于敏化劑對光的吸收，致使光電轉化效率較低。
[0006]發明目的
[0007]本發明的目的在于:為克服上述旋涂Cu3BiS3溶液敏化T12薄膜存在的不足，提供一種成本低且制備簡捷的在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的T12氧化物薄膜、制備方法及其在制備太陽能電池中的應用。。
[0008]具體為:先通過水熱反應在FTO上生長0.5?1.5μπι的T12陣列得到FT0/Ti02薄膜，再對T12薄膜進行鈍化處理;然后配制用于水熱反應的Cu3BiS3敏化劑溶液，將FT0/Ti02薄膜的T12薄膜面朝下浸入到配制好的Cu3BiS3敏化劑溶液中進行水熱反應，反應結束待反應體系冷卻至室溫后將FT0/Ti02薄膜取出，先用水沖洗干凈，再用乙醇沖洗，然后氮氣吹干，從而在FTO上原位水熱生長Cu3Bi S3敏化的T12氧化物薄膜。
[0009 ] 所述的水熱反應溶液為CuCl 2、B i (NO3) 3、硫脲和谷胱甘肽的水和乙醇溶液，水和乙醇的體積比為1:2?4，混合溶液中CuCl2的濃度為0.075?0.125mmol/L，Bi (NO3)3的濃度為0.0375?0.0625mmol/L，硫脲的濃度為0.15?0.25mmol/L，谷胱甘肽的濃度為0.12 —
0.2mmol/L，其中CuCl2、Bi(N03)3和硫脲間的用量摩爾比為2:1:4(CuC12過多會導致主產物為CuS，Bi(N03)3過多會導致主產物為Cu2S,硫脲是Cu3BiS3中硫源，因此需略微過量)。
[0010]水熱反應是在聚四氟乙烯反應釜中170°C?190°C條件下反應10?20h(若反應時間過短，溫度過低時，主要產物為Cu2S)。
[0011]本發明通過加入谷胱甘肽(GSH)，谷胱甘肽一方面可以通過分子中的-COOH和-SH將Cu3BiS3和T12分子組裝在一起，使Cu3BiS3在T12薄膜上原位水熱生長，不僅能提高Cu3BiS3敏化劑的覆蓋率，還能控制Cu3BiS3的粒徑(粒徑約為500nm);另一方面在Cu3BiS3合成的過程中谷胱甘肽還可以作為穩定劑，解決了 Cu3BiS3在T12上的覆蓋率低，敏化劑對光吸收不充分致使制備的太陽能電池光電轉化率低的缺點。
[0012]本發明制備Cu3BiS3和敏化FT0/Ti02薄膜樣品同時進行，制備工藝簡單，易于操作，成本低，且使Cu3BiS3在氧化物T12薄膜樣品上的覆蓋量更大，能充分吸收光產生光生電荷，使光電轉化效率提高，適用于敏化類太陽能電池。
【附圖說明】
[0013]圖1:本發明所述的太陽能電池結構示意圖；
[0014]圖2:本發明制備的太陽能電池的光電流-電壓曲線；
[0015]實施例1、實施例2、實施例3和實施例4分別對應曲線1、曲線2、曲線3和曲線4，說明實施例2中T12氧化物薄膜原位水熱生長Cu3BiS3敏化劑為最優條件。
【具體實施方式】
[0016]實施例1
[0017]制備FT0/Ti02薄膜:先洗滌FTO導電玻璃，分別用洗滌劑、蒸餾水、丙酮、異丙醇和乙醇超聲洗滌FTO各15分鐘；再在FTO上水熱生長T12陣列以制備FT0/Ti02薄膜，具體過程為:取0.525g草酸鈦鉀、22.5mL—縮二乙二醇和7.5mL水，攪拌30min，將得到的混合溶液與上述洗滌后的FTO —同置于聚四氟乙烯反應釜中(FT0面朝下，混合溶液需浸沒FTO導電玻璃)，在180°C條件下反應9h;反應完成冷卻至室溫后用先用雙蒸水沖洗，再用乙醇沖洗，干燥，得到FT0/Ti02薄膜；
[0018]T12陣列薄膜的鈍化處理(鈍化處理的目的是鈍化T12陣列薄膜表面的晶體缺陷態):取lmL、2mol/L的TiCl4溶液，加入去離子水稀釋至50mL得到鈍化溶液，再將FT0/Ti02薄膜浸入該鈍化溶液中(FT0/Ti02薄膜面朝上)，70°C恒溫干燥箱中放置30min。反應結束后往鈍化溶液中加入大量雙蒸水，冷卻以達到淬滅水解反應的目的，取出FT0/Ti02薄膜，再用無水乙醇將FT0/Ti02薄膜沖洗干凈，順一個方向吹干。最后在馬弗爐中以2°C/min的升溫速度升溫至520°C，煅燒退火40min，制備得到厚度約為Ιμπι的T12薄膜。
[0019]制備Cu3BiS3敏化劑溶液:將01(:12、8丨(勵3)3、硫脲和谷胱甘肽溶于71^水和131^乙醇中，混合溶液中CuCl2的濃度為0.75_)1/1、8丨(勵3)3的濃度為0.037511111101/1、硫脲的濃度為0.15mmol/L、谷胱甘肽的濃度為0.12mmo 1/L，攪拌均勻后得到Cu3BiS3敏化劑溶液。將得到的Cu3BiS3敏化劑溶液與上述鈍化處理的FT0/Ti02薄膜同時置于聚四氟乙烯反應釜中，FTO/T12薄膜樣品面朝下(Cu3BiS3敏化劑溶液需浸沒FT0/Ti02薄膜)，170°C反應1h，從而在FTO導電玻璃上得到Cu3BiS3敏化的T12薄膜，S卩FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜。
[0020]制備Cu2S/FT0導電玻璃對電極:將0.24g的Cu2SO4溶于60mL去離子水中，通N2lOmin，再加入0.37g Na2S2O3.5H20;然后往該混合溶液中放入干凈的FTO導電玻璃(FTO導電面朝下)，在90°C條件下水浴lh，將得到的FTO導電玻璃用去離子水沖洗后干燥;最后在N2氛圍中200°C條件下煅燒30min，在FTO上得到140nm的Cu2S,即為Cu2S/FTO導電玻璃對電極。
[0021]組裝太陽能電池:以上述FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜為光陽極，上述制備好的Cu2S/FTO為對電極，根據如圖1所示結構組裝太陽能電池，用注射器取少量電解液在兩電極之間注入2?3滴多硫化物電解質溶液(多硫化物電解質溶液為Na2S.9H20、S、KOH的甲醇與水的混合溶液，其中Na2S.9H20、S、K0H的濃度分別為1M、1M和0.1M，甲醇與水的體積比7:3)中，使用環氧樹脂密封電池。
[0022]對組裝好的電池進行光電性能測試:用電化學工作站記錄電池的光電流一電壓(1-V)曲線，光源采用500W氙燈，入射光光強為lOOmW/cm2，其強度通過輻照計測得。電池的有效面積為0.2?112。根據光電流一電壓(1-￥)曲線計算得到以？1'0/1102/(:11出153薄膜為光陽極組裝的電池的光電轉換效率(PCE)為0.076%。
[0023]實施例2
[0024]制備FT0/Ti02薄膜:先洗滌FTO導電玻璃，分別用洗滌劑、蒸餾水、丙酮、異丙醇和乙醇超聲洗滌FTO各15分鐘；再在FTO上水熱生長T12陣列以制備FT0/Ti02薄膜，具體過程為:取0.525g草酸鈦鉀、22.5mL—縮二乙二醇和7.5mL水，攪拌30min，將得到的混合溶液與上述洗滌后的FTO —同置于聚四氟乙烯反應釜中(FTO面朝下，混合溶液需浸沒FTO導電玻璃)，在180°C條件下反應9h;反應完成冷卻至室溫后用先用雙蒸水沖洗，再用乙醇沖洗，干燥，得到FT0/Ti02薄膜;T12陣列薄膜的鈍化處理(鈍化處理的目的是鈍化T12陣列薄膜表面的晶體缺陷態):取lmL、2mol/L的TiCl4溶液，加入去離子水稀釋至50mL得到鈍化溶液，再將FT0/Ti02薄膜浸入該鈍化溶液中(FT0/Ti02薄膜面朝上)，70 °C恒溫干燥箱中放置30min。反應結束后往鈍化溶液中加入大量雙蒸水，冷卻以達到淬滅水解反應的目的，取出FTO/T12薄膜，再用無水乙醇將FT0/Ti02薄膜沖洗干凈，順一個方向吹干。最后在馬弗爐中以2°C/min的升溫速度升溫至520°C，煅燒退火40min，制備得到厚度約為Ιμπι的Ti02薄膜。
[0025]制備Cu3BiS3敏化劑:將CuCl2、Bi (NO3)3、硫脲和谷胱甘肽溶于5mL水和15mL乙醇中，CuCl2的濃度為0.lmmol/L、Bi(NO3)3的濃度為0.05mmol/L、硫脲的濃度為0.2mmol/L、谷胱甘肽的濃度為0.16mmol/L，攪拌均勻后得到Cu3BiS3敏化劑溶液。將得到的Cu3BiS3敏化劑溶液與上述鈍化處理的FT0/Ti02薄膜同時置于聚四氟乙烯反應釜中，FT0/Ti02薄膜樣品面朝下(Cu3BiS3敏化劑溶液需浸沒FT0/Ti02薄膜)，180°C反應12h，從而在FTO導電玻璃上得到Cu3BiS3 敏化的 T12薄膜，S卩FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜。
[0026]制備Cu2S/FT0導電玻璃對電極:將0.24g的Cu2SO4溶于60mL去離子水中，通N2lOmin，再加入0.37g Na2S2O3.5H20;然后往該混合溶液中放入干凈的FTO導電玻璃(FTO導電面朝下)，在90°C條件下水浴lh，將得到的FTO導電玻璃用去離子水沖洗后干燥;最后在N2氛圍中200°C條件下煅燒30min，在FTO上得到140nm的Cu2S,即為Cu2S/FT0導電玻璃對電極。
[0027]組裝太陽能電池:以上述FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜為光陽極，上述制備好的Cu2S/FT0為對電極，根據如圖1所示結構組裝太陽能電池，用注射器取少量電解液在兩電極之間注入2?3滴多硫化物電解質溶液(多硫化物電解質溶液為Na2S.9H20、S、KOH的甲醇與水的混合溶液，其中Na2S.9H20、S、K0H的濃度分別為1M、1M和0.1M，甲醇與水的體積比7:3)中，使用環氧樹脂密封電池。
[0028]對組裝好的電池進行光電性能測試:用電化學工作站記錄電池的光電流一電壓(1-V)曲線，光源采用500W氙燈，入射光光強為lOOmW/cm2，其強度通過輻照計測得。電池的有效面積為0.2?112。根據光電流一電壓(1-￥)曲線計算得到以？1'0/1102/(:11出153薄膜為光陽極組裝的電池的光電轉換效率(PCE)為0.102 %。
[0029]實施例3
[0030]制備FT0/Ti02薄膜:先洗滌FTO導電玻璃，分別用洗滌劑、蒸餾水、丙酮、異丙醇和乙醇超聲洗滌FTO各15分鐘；再在FTO上水熱生長T12陣列以制備FT0/Ti02薄膜，具體過程為:取0.525g草酸鈦鉀、22.5mL—縮二乙二醇和7.5mL水，攪拌30min，將得到的混合溶液與上述洗滌后的FTO —同置于聚四氟乙烯反應釜中(FTO面朝下，混合溶液需浸沒FTO導電玻璃)，在180°C條件下反應9h;反應完成冷卻至室溫后用先用雙蒸水沖洗，再用乙醇沖洗，干燥，得到FT0/Ti02薄膜;T12陣列薄膜的鈍化處理(鈍化處理的目的是鈍化T12陣列薄膜表面的晶體缺陷態):取lmL、2mol/L的TiCl4溶液，加入去離子水稀釋至50mL得到鈍化溶液，再將FT0/Ti02薄膜浸入該鈍化溶液中(FT0/Ti02薄膜面朝上)，70 °C恒溫干燥箱中放置30min。反應結束后往鈍化溶液中加入大量雙蒸水，冷卻以達到淬滅水解反應的目的，取出FTO/T12薄膜，再用無水乙醇將FT0/Ti02薄膜沖洗干凈，順一個方向吹干。最后在馬弗爐中以2°C/min的升溫速度升溫至520°C，煅燒退火40min，制備得到厚度約為Ιμπι的Ti02薄膜。
[0031]制備Cu3BiS3敏化劑:將CuCl2、Bi(N03)3、硫脲和谷胱甘肽溶于4mL水和16mL乙醇中，CuCl2 的濃度為 0.125mmol/L、Bi (NO3)3 的濃度為0.0625mmol/L、硫脲的濃度為 0.25mmol/L、谷胱甘肽的濃度為0.2mmol/L，攪拌均勻后得到Cu3BiS3敏化劑溶液。將得到的Cu3BiS3敏化劑溶液與上述鈍化處理的FT0/Ti02薄膜同時置于聚四氟乙烯反應釜中，FT0/Ti02薄膜樣品面朝下(&1冊53敏化劑溶液需浸沒?1'0/1102薄膜)，190°C反應20h，從而在FTO導電玻璃上得到 Cu3BiS3 敏化的 T12薄膜，S卩 FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜。
[0032]制備Cu2S/FT0導電玻璃對電極:將0.24g的Cu2SO4溶于60mL去離子水中，通N2lOmin，再加入0.37g Na2S2O3.5H20;然后往該混合溶液中放入干凈的FTO導電玻璃(FTO導電面朝下)，在90°C條件下水浴lh，將得到的FTO導電玻璃用去離子水沖洗后干燥;最后在N2氛圍中200°C條件下煅燒30min，在FTO上得到140nm的Cu2S,即為Cu2S/FT0導電玻璃對電極。
[0033]組裝太陽能電池:以上述FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜為光陽極，上述制備好的Cu2S/FT0為對電極，根據如圖1所示結構組裝太陽能電池，用注射器取少量電解液在兩電極之間注入2?3滴多硫化物電解質溶液(多硫化物電解質溶液為Na2S.9H20、S、KOH的甲醇與水的混合溶液，其中Na2S.9H20、S、K0H的濃度分別為1M、1M和0.1M，甲醇與水的體積比7:3)中，使用環氧樹脂密封電池。
[0034]對組裝好的電池進行光電性能測試:用電化學工作站記錄電池的光電流一電壓(1-V)曲線，光源采用500W氙燈，入射光光強為lOOmW/cm2，其強度通過輻照計測得。電池的有效面積為0.2?112。根據光電流一電壓(1-￥)曲線計算得到以？1'0/1102/(:11出153薄膜為光陽極組裝的電池的光電轉換效率(PCE)為0.065%。
[0035]實施例4(本實施例是目前采用較多的Cu3BiS3制備方法，為了與本發明形成對比。)
[0036]制備FT0/Ti02薄膜:先洗滌FTO導電玻璃，分別用洗滌劑、蒸餾水、丙酮、異丙醇和乙醇超聲洗滌FTO各15分鐘；再在FTO上水熱生長T12陣列以制備FT0/Ti02薄膜，具體過程為:取0.525g草酸鈦鉀、22.5mL—縮二乙二醇和7.5mL水，攪拌30min，將得到的混合溶液與上述洗滌后的FTO —同置于聚四氟乙烯反應釜中(FTO面朝下，混合溶液需浸沒FTO導電玻璃)，在180°C條件下反應9h;反應完成冷卻至室溫后用先用雙蒸水沖洗，再用乙醇沖洗，干燥，得到FT0/Ti02薄膜;T12陣列薄膜的鈍化處理(鈍化處理的目的是鈍化T12陣列薄膜表面的晶體缺陷態):取lmL、2mol/L的TiCl4溶液，加入去離子水稀釋至50mL得到鈍化溶液，再將FT0/Ti02薄膜浸入該鈍化溶液中(FT0/Ti02薄膜面朝上)，70 °C恒溫干燥箱中放置30min。反應結束后往鈍化溶液中加入大量雙蒸水，冷卻以達到淬滅水解反應的目的，取出FTO/T12薄膜，再用無水乙醇將FT0/Ti02薄膜沖洗干凈，順一個方向吹干。最后在馬弗爐中以2°C/min的升溫速度升溫至520°C，煅燒退火40min，制備得到厚度約為Ιμπι的Ti02薄膜。
[0037]制備Cu3BiS3敏化劑:稱取0.2mmol/LCuCl2、0.lmmol/L Bi(N03)3、0.4mmol/L硫脲，溶于5mL水和15mL乙醇后，溶液攪拌均勻后置于聚四氟乙烯反應釜中，180 °C反應12h，得黑色的Cu3BiS3粉末固體樣品。將所得的黑色粉末用乙醇離心、洗滌5遍，離心的轉速為1000r/min，洗滌完畢后放置在50°C真空干燥箱中干燥12h，得到干凈的Cu3BiS3粉末樣品。用電子天平稱取Cu3BiS3粉末樣品0.1g溶于5mL乙醇中攪拌5h，將攪拌得到的均勻的Cu3BiS3乙醇溶液滴加FT0/Ti02薄膜樣品上，2000r/s旋涂30s，旋涂7次，得到Cu3BiS3敏化的FT0/Ti02薄膜樣品，即為FT0/Ti02/Cu3BiS3薄膜。
[0038]制備Cu2S/FT0對電極:將0.24g的Cu2SO4溶于60mL去離子水中，通N2 1min;加入
0.37g Na2S2O3.5H20;往該溶液中放入干凈的FTO(導電面朝下)，在90°C水浴Ih;用去離子水沖洗干燥;在他氛圍中200 °C條件煅燒30min，即得Cu2S/FT0對電極。
[0039]組裝太陽能電池:以上述Cu3BiS3敏化后的T12薄膜樣品為光陽極，上述制備好的Cu2S/FT0為對電極，根據如圖1所示結構組裝太陽能電池，在兩電極之間注入多硫化物電解質溶液(1M Na2S.9H20,1M S和0.1M KOH的甲醇與水的混合溶液(體積比7:3))，使用環氧樹脂密封電池。
[0040]對組裝好的電池進行光電性能測試:用電化學工作站記錄電池的光電流一電壓(1-V)曲線，光源采用500W氙燈，入射光光強為lOOmW/cm2，其強度通過輻照計測得。電池的有效面積為0.2?112。根據光電流一電壓(1-￥)曲線計算得到以？1'0/1102/(:11出153薄膜為光陽極組裝的電池的光電轉換效率(PCE)為0.021 %。
【主權項】
1.一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的Ti02氧化物薄膜的方法，其特征在于:先通過水熱反應在FTO上生長0.5?1.5μπι的T12陣列得到FT0/Ti02薄膜，再對T12薄膜進行鈍化處理;然后配制用于水熱反應的Cu3BiS3敏化劑溶液，將FT0/Ti02薄膜的T12薄膜面朝下浸入到配制好的Cu3BiS3敏化劑溶液中進行水熱反應，反應結束待反應體系冷卻至室溫后將FT0/Ti02薄膜取出，先用水沖洗干凈，再用乙醇沖洗，然后氮氣吹干，從而在FTO上原位水熱生長Cu3Bi S3敏化的T12氧化物薄膜。2.如權利要求1所述的一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的T12氧化物薄膜的方法，其特征在于:所述的水熱反應溶液為CuCl2、Bi(N03)3、硫脲和谷胱甘肽的水和乙醇溶液，水和乙醇的體積比為1:2?4，混合溶液中CuCl2的濃度為0.075?0.125mmoI/L，Bi (NO3)3的濃度為0.0375?0.0625mmol/L，硫脲的濃度為0.15?0.25mmol/L，谷胱甘肽的濃度為0.12?0.2臟01/1，其中(:11(:12^(勵3)3和硫脲間的用量摩爾比為2:1:4。3.如權利要求1所述的一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的T12氧化物薄膜的方法，其特征在于:水熱反應是在聚四氟乙烯反應釜中170°C?190°C條件下反應10?20h。4.一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的T12氧化物薄膜，其特征在于:是由權利要求I?3任何一項所述的方法制備得到。5.權利要求4所述的一種在FTO上原位水熱生長Cu3BiS3敏化的T12氧化物薄膜在制備太陽能電池中的應用。
【文檔編號】H01G9/20GK105931848SQ201610344545
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月23日
【發明人】謝騰峰, 邱慶慶, 王德軍
【申請人】吉林大學