一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，包括以下步驟：(1)取銀鹽、六亞甲基四胺、氨水在容器中攪拌均勻得到混合液；(2)將混合液倒入水熱反應釜中，再將具有金字塔絨面結構的硅片基底呈斜倚狀放入到反應釜中，密閉后放入恒溫箱中，反應后冷卻至室溫；(3)取出反應容器中的樣品，清洗、烘干后，將銀導電膜從硅片基底層揭下后即可分離獲得。本發明方法省去導電材料的合成與漿料的制備環節，相對于傳統工藝更為簡單；本發明獲得的銀導電膜具有優異的機械性能和導電性能；本發明獲得的銀導電膜是一種無基底的自支撐銀導電膜，可以適用于高溫或極度潮濕的場合。
【專利說明】
一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法
技術領域
[0001]本發明屬于導電薄膜和導電紙技術領域，具體涉及一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法。
【背景技術】
[0002]未來的可穿戴技術對電子產品及其導電基底提出輕量化、便攜式、可彎曲、可折疊等要求，使得人們可以舒適佩戴及方便攜帶，成為當前的研究熱點。目前可穿戴設備如柔性太陽電池、柔性鋰離子電池/超級電容器、柔性傳感器及柔性通訊設備等大多還在研發階段，而常規的導電膜材料如氧化銦錫(ITO)，因其本身質脆，在彎曲的時候易損，故很難能滿足上述柔性電子器件的要求[Chen Z,et al.Engineering Fracture Mechanics,2002,69,597-603]。因此制備金屬或碳基的柔性導電膜或導電紙等導電基底是實現上述可穿戴技術的基礎，故相關的研究專利與研究文獻，如雨后春筍般開始大量涌現。
[0003]目前用于制備導電紙或導電膜的材料主要有導電聚合物、金屬納米線、碳納米管、石墨烯等等。導電聚合物如聚苯胺、聚吡咯、聚乙撐二氧噻吩等雖然其具有一定的導電性，但與金屬納米線薄膜導電性差距甚遠。但采用金屬納米線、碳納米管和石墨烯等制備導電紙/導電膜，在金屬納米線的線與線之間、碳納米管的管與管之間及石墨烯的面與面之間接觸電阻嚴重影響其導電率和機械性能。如對金屬納米線的接觸電阻需要通過熱處理或者離子焊接等工藝使得納米線互聯成一體得到改善，而有些塑料基底并不適合高溫熱處理，故成膜的導電性受到影響，同時對于熱處理后點接觸的納米線，其彎曲和折疊的力學性能也受到限制。
[0004]同時，目前發展的導電膜與導電紙的制備工藝復雜、成本高。首先要通過結構導向劑化學還原法、化學氣相沉積、Hmnmers法等合成銀納米線、碳納米管或石墨稀;再通過基底成膜法、抽濾法或轉印法在基底上成膜。如基底成膜法要將金屬納米線、銅納米線、碳納米管、石墨烯等混合溶于某種溶劑，制備成分散性良好的導電漿料或導電墨水，然后再通過刮涂法、噴墨打印或噴霧等工藝成膜于基底上[Hu L B , et al.Proceedings of theNat1nal Academy of Sciences ,2009,106,21490.Kaempgen M,et al.Nano letters ,2009,9,1872]。而真空抽濾法也包括導電材料的合成(如石墨烯)、漿料的制備、真空抽濾成膜以及分離濾膜四個環節[Chen H,et al.Advanced Materials，2008，20，3557-3561 ]。此夕卜，轉印法通過真空抽濾的方式將導電材料抽濾到濾膜表面形成導電層，再涂一層類似于恪融態的有機材料，固化后，再在加熱的情況下將導電膜層轉印至目標基底[Madaria A R,et al.Nano Research,2010,3,564-573]。除工藝復雜外，基于上述方法所制備的導電膜層機械強度有限，一般還要再在其表面涂一層保護膜如(聚四氟乙烯)來增強導電層的機械強度[Hu L，et al.ACS nano，2010，4，2955-2963]。總的說來，上述方法能實現一定的柔性(有限弧度內實現彎曲)，但在導電性、機械強度、可折疊性上還不理想，很難滿足目前可穿戴可折疊電子產品的需要。
【發明內容】
[0005]本發明的目的是提供一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，該方法工藝簡單、易于操作控制、成本低。通過該方法制備的銀導電膜利用其表面的反襯金字塔凹坑陣列緩沖應力，可實現折疊、卷曲，且導電性能優異。該銀導電膜是一種無基底自支撐薄膜，可根據需要焊接或粘貼到所需電路上，使用方便可應用于更多場合。
[0006]本發明的目的通過如下技術方案來實現:
[0007]—種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0008](I)取銀鹽、六亞甲基四胺、氨水在容器中攪拌均勻得到混合液；
[0009](2)將混合液倒入水熱反應釜中，再將具有金字塔絨面結構的硅片基底呈斜倚狀放入到反應釜中，密閉后放入恒溫箱中，調節反應溫度為150?230°C，反應時間是I?24小時，反應后冷卻至室溫；
[0010](3)取出反應容器中的樣品，清洗、烘干后，將銀導電膜從硅片基底層揭下后即可分離獲得自支撐的具有反襯金字塔結構的銀導電膜。
[0011]本發明步驟(I)中銀鹽、六亞甲基四胺、氨水的質量體積比為0.01?10g:0.01?1g:1?60mL。
[0012]本發明步驟(I)中所述的銀鹽為硝酸銀、醋酸銀、氯化銀、硫酸銀、硫化銀中的一種或幾種。
[0013]本發明步驟(I)中所述的氨水的濃度為20?50w/w%。
[OOM]本發明步驟(I)中攪拌的時間為5min?lh。
[0015]本發明步驟(2)中所用的密閉的水熱反應釜為高溫高壓反應釜，所述的高壓反應釜具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的塑料或玻璃內襯，其中所述的塑料為聚四氟乙烯。
[0016]本發明步驟(3)中清洗采用去離子水和無水乙醇先后洗滌數次。
[0017]本發明步驟(3)中烘干時的溫度為50?70°C，烘干時間為5?48h。
[0018]本發明制備方法的核心是借助于表面有金字塔結構的制絨硅片作為模板，使得銀在被還原的過程中能夠直接在其表面成膜，生長的銀導電膜面積與硅片大小成正比，將生長的銀導電膜從制絨硅片上揭下后即得到表面與金字塔反襯的凹坑陣列自支撐銀導電膜，從而省去導電材料的合成與漿料的制備環節，相對于傳統工藝更為簡單。
[0019]本發明具有反襯金字塔凹坑陣列結構銀導電膜的制備方法中，所用的核心試劑是采用氨水和六亞甲基四胺作為還原劑與反應試劑在水熱條件協同作用下將硝酸銀還原成銀導電膜，同時氨水可對還原出的銀通過溶解再結晶的作用使其成為一個連續的整體;而六亞甲基四胺在本實驗中主要是誘導生長的銀與硅片的金字塔絨面浸潤并降低表面能增加界面結合的作用。
[0020]與現有技術相比，本發明的優點是:
[0021]本發明方法制備的銀導電膜是一個連續的整體，連續的銀導電膜不再有銀納米線薄膜中線與線之間的接觸電阻，從而導電性能大大提升，平均電導率達1.54*105S/cm，是塊體金屬銀電導率(6.5*105S/cm)的23.7%，相比現有技術中的用銀納米線、碳納米管和石墨烯等制備的導電紙或者導電膜電導率要高出幾個數量級。
[0022]本發明方法制備的銀導電膜通過凹坑陣列可節省銀的用量，降低成本;另一方面，反襯金字塔孔凹坑陣列結構還可使得銀導電膜在受力的情況下起到極大的緩沖作用，具有極好的機械性能，可任意纏繞彎曲，并可重復折疊使用，通過采用折疊-拉伸實驗對其進行測試，結果顯示經過折疊-拉伸40000次后其導電率基本保持不變。
[0023]本發明方法制備的銀導電膜是一種無基底的自支撐銀導電膜，不再像傳統的沉積在塑料或紙上的導電膜應用受基底的限制，可以適用于高溫或極度潮濕的場合。生長的銀導電膜面積與硅片大小成正比，并可根據制絨硅片的形狀圖案化生長，適用于更多的場合。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發明實施例1中具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜制備流程示意圖。
[0025]圖2為本發明實施例1中制備銀導電膜用做基底的制絨硅片掃描電鏡圖片。
[0026]圖3是本發明實施例1中具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的掃描電鏡圖片:(a)低倍圖片；(b)高倍圖片。
[0027]圖4為本發明實施例1中銀導電膜測試的X射線衍射圖譜。
[0028]圖5是本發明實施例1中隨機取16個銀導電膜樣品測試的電導率結果。
[0029]圖6是本發明實施例1中制備的銀導電膜折疊-拉伸重復實驗:(a)折疊-拉伸實驗流程示意圖；(b)四探針測試銀導電膜折痕位置示意圖，圖中I為探針、2為銀導電膜、3為折痕；(C)對應不同折疊-拉伸次數銀導電膜電導率測試結果。
[0030]圖7是本發明實施例2中制備的具有凹坑陣列的銀導電膜表面形貌掃描電鏡圖片。
[0031]圖8是本發明實施例3中在具有金字塔結構的U型制絨硅片上圖案化生長的U型字母銀導電膜示意圖，圖中4為U型銀導電膜、5為U型制絨硅片。
[0032]圖9是本發明實施例4中以未制絨硅片為基底制備銀導電膜:(a)對應銀導電膜的掃描電鏡圖片；(b)銀導電膜經不同折疊-拉伸次數的電導率測試。
[0033]圖10是本發明實施例5中無基底情形下在液面上自組裝生長的銀導電膜:(a)低倍掃描電鏡圖片；(b)高倍掃描電鏡圖片。
[0034]圖11是本發明實施例6中以載玻片為基底制備的銀導電膜掃描電鏡圖片:(a)低倍圖片；(b)高倍圖片。
【具體實施方式】
[0035]下面結合實施例和附圖對本發明作進一步的說明，但本發明要求保護的范圍如反應裝置和反應的銀源、反應溫度、反應時間及反應成分的比例不局限于實施例所舉。
[0036]實施例1
[0037](I)分別量取0.2克硝酸銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0038](2)將具有金字塔結構的制絨硅片(尺寸為4cm*2cm)放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150°C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫;
[0039](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。從制絨硅片上揭下的可自支撐的銀導電膜尺寸為4cm*2cm，與硅片大小對應，可覆蓋整個硅片基底實現大面積制備。圖1為以具有金字塔結構的制絨硅片為模板制備具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜流程示意圖。圖2是制備銀導電膜用作模板的具有金字塔結構的制絨硅片表面的掃描電鏡圖片；圖3為在硅片上生長的具有反襯金字塔結構銀導電膜的低倍和高倍掃描電鏡圖片，由圖可看到硅片上生長的銀導電膜的表面凹凸陣列結構與圖2硅片上金字塔結構互為反襯，且銀導電膜是一個連續的整體。圖4為制備的銀導電膜測試的X射線衍射圖譜，所標注的衍射面的峰均與單質銀標準I3DF卡JCTOF 04-0783對應，從而確定實驗所制備出的產物是銀單質，且結晶良好。圖5為用四探針測試儀對具有反襯金字塔凹坑陣列的銀導電膜進行電導率的測試結果，隨機取16個樣品，測試的平均電導率為1.54*105S/cm，是塊體金屬銀電導率(6.5* 105S/cm)的23.7 %，樣品電導率變化小于3.9 %，證明樣品較好的重復性及導電性。圖6a為對制備的銀導電膜進行折疊-拉伸疲勞狀態下導電率測試示意圖，將銀導電膜裁剪成長6厘米、寬5毫米的銀導電膜，首先，將條形導電膜完全折疊呈壓縮狀態，接著將銀導電膜拉伸至完全平展狀態;然后再將上述過程逆方向進行，重新壓縮銀導電膜，由完全展開到最后完全折疊狀態，上述過程算為一次折疊一拉伸過程。對其進行疲勞測試，反復進行該折疊一一拉伸一一折疊過程，測量電導率的位置示意圖如圖6b所示，是將四個探針分別橫跨銀導電膜折痕兩側，圖6b中I為探針、2為銀導電膜、3為折痕。如圖6c所示，初始狀態時測試電導率為1.588*105S/cm，最終重復完成該過程40000次后電導率為1.586*105S/cm，幾乎不變。肉眼觀察銀導電膜并未出現斷裂的情況，說明其能夠使用在可折疊的電子器件上，在折疊應用下保持優異的力學抗疲勞性能。
[0040]實施例2
[0041 ] (I)分別量取0.2克硝酸銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0042](2)將具有金字塔結構的制絨硅片(尺寸為4cm*2cm)放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150°C，反應時間為20小時，反應完畢后自然冷卻到室溫;
[0043](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。圖7為反應時間20小時制備的銀導電膜的掃描電鏡圖片，由圖可看到整個銀導電膜上有大面積分布凹坑陣列并與硅片上金字塔結構互為反襯，且銀導電膜是一個連續的整體。測試的銀導電膜的平均電導率為1.58*105S/cm，與實施例1中測試的電導率幾乎一致。
[0044]實施例3
[0045](I)分別量取0.2克硝酸銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0046](2)將激光加工的U型字母的具有金字塔結構的制絨硅片放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150°C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫；
[0047](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。圖8為在具有金字塔結構的U型字母制絨硅片上生長U型字母圖案的銀導電膜及揭膜過程示意圖，圖8中4為U型銀導電膜、5為U型制絨硅片，說明其可圖案化制備。
[0048]實施例4
[0049](I)分別量取0.2克硝酸銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0050](2)將未制絨的普通硅片放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150°C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫；
[0051](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時，之后從未制絨的硅片上揭下銀導電膜。圖9a為在未制絨硅片上生長的銀導電膜的的掃描電鏡圖片，沒有像實施例1制絨硅片作為基底時出現的帶有金字塔結構反襯的凹坑陣列存在，銀導電膜是由大小不均勻的顆粒間聚集而成，存在著淺淺的溝槽。圖9b是按實施例1中的相同的方式進行拉伸-折疊疲勞測試，每100次測量一次其電導率，測量電導率的位置將四個探針分別橫跨折痕兩側，銀導電膜初始電導率為1.55*105S/cm，盡管初始電導率與實施例1中相近，但測到782次時銀導電膜突然斷開，說明實施例I中的凹坑陣列對薄膜的拉伸-折疊有應力的緩沖作用，本實施例銀導電膜沒有凹坑陣列結構，所以力學性能遠不如實施例1中的具有凹坑陣列結構的銀導電膜。
[0052]實施例5
[0053](I)分別量取0.2克硝酸銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0054](2)不放任何硅片基底在反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150 0C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫；
[0055](3)將步聚(2)反應釜打開后，在反應釜內沒有基底的條件下在液面上自組裝生長銀導電膜，反應后將銀導電膜取出并用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時。圖10為沒有基底條件下在液面上自組裝生長的銀導電膜的掃描電鏡圖片，沒有像實施例1制絨硅作為基底時出現的帶有反襯金字塔結構的凹坑陣列存在，銀導電膜內有數量眾多的微米尺度的裂縫，說明實施例1中的制絨硅片的金字塔結構對銀導電膜的凹坑陣列生成有決定性影響。
[0056]實施例6
[0057](I)分別量取0.2克硝酸銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0058](2)將載玻片作為基底放在反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150 °C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫；
[0059](3)將步聚(2)反應釜打開后，以載玻片為基底時生成的產物與實施例1以制絨硅片為基底時得到的銀導電膜不同，其表面形成了一層膜狀白色粉體，且與載玻片之間的結合力非常差，可以比較輕松的將其從載玻片表面刮離，用萬用表測試發現其是絕緣狀態。圖lla，b對應為載玻片表面粉體的微觀掃描電鏡圖片，可以看到在載玻片表面形成的那層膜狀銀粉是由分散很開的微米級別的細小顆粒組成，說明粉體膜并不具有導電性的原因是微觀上顆粒沒有聯接在一起。本實施例同樣說明基底材料對成膜質量具有決定性的影響，實施例I中的制絨硅片基底為所制備反襯金字塔凹坑陣列銀導電膜的關鍵。
[0060]實施例7
[0061](I)分別量取2克醋酸銀，3克六亞甲基四胺和50毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌50分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0062](2)將具有金字塔結構的制絨硅片(尺寸為4cm*2cm)放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為200°C，反應時間為20小時，反應完畢后自然冷卻到室溫;
[0063](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干12小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。
[0064]實施例8
[0065](I)分別量取0.3克氯化銀，0.3克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌60分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0066](2)將具有金字塔結構的制絨硅片(尺寸為4cm*2cm)放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為180°C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫;
[0067](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。
[0068]實施例9
[0069](I)分別量取0.5克硫酸銀，0.5克氯化銀，0.8克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌50分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0070](2)將具有金字塔結構的制絨硅片(尺寸為4cm*2cm)放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為230°C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫;
[0071](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中70°C條件下烘干24小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。
[0072]實施例10
[0073](I)分別量取0.3克硝酸銀，0.2克硫化銀，0.5克六亞甲基四胺和60毫升氨水(市售，濃度25w/w%)強烈磁力攪拌30分鐘混合后放在反應釜中，反應釜為高溫高壓反應釜，其具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的聚四氟乙烯或玻璃內襯；
[0074](2)將具有金字塔結構的制絨硅片(尺寸為4cm*2cm)放入反應釜內，并將反應釜擰緊后放入到恒溫箱中，設定反應溫度為150°C，反應時間為24小時，反應完畢后自然冷卻到室溫;
[0075](3)將步聚(2)反應釜打開后，取出樣品用去離子水和無水乙醇清洗3次，放在恒溫箱中60°C條件下烘干24小時，之后從硅片上揭下銀導電膜。
[0076]上述實施例1-3為本發明較佳的實施方式，實施例4-6說明具有金字塔結構的制絨硅片基底為本發明所制備反襯金字塔凹坑陣列銀導電膜的關鍵，實施例7-10為本發明另外的較佳實施方式。但本發明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發明的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，都包含在本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是包括以下步驟: (1)取銀鹽、六亞甲基四胺、氨水在容器中攪拌均勻得到混合液； (2)將混合液倒入水熱反應釜中，再將具有金字塔絨面結構的硅片基底呈斜倚狀放入到反應釜中，密閉后放入恒溫箱中，調節反應溫度為150?230°C，反應時間是I?24小時，反應后冷卻至室溫； (3)取出反應容器中的樣品，清洗、烘干后，將銀導電膜從硅片基底層揭下后即可分離獲得自支撐的具有反襯金字塔結構的銀導電膜。2.根據權利要求1所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:步驟(I)中銀鹽、六亞甲基四胺、氨水的質量體積比為0.01?1g:0.01?1g:1?60mL。3.根據權利要求2所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:所述的銀鹽為硝酸銀、醋酸銀、氯化銀、硫酸銀、硫化銀中的一種或幾種。4.根據權利要求2所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:所述的氨水的濃度為20?50w/w%。5.根據權利要求1所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:步驟(I)中攪拌的時間為5min?lh。6.根據權利要求1所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:步驟(2)中所用的密閉的水熱反應釜為高溫高壓反應釜，所述的高壓反應釜具有金屬殼體，在金屬殼體中設置有密閉的塑料或玻璃內襯。7.根據權利要求6所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:所述的塑料為聚四氟乙烯。8.根據權利要求1所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:步驟(2)中所用的硅片為通過酸或堿定向腐蝕硅片得到的具有金字塔絨面結構的硅片。9.根據權利要求1所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:步驟(3)中清洗采用去離子水和無水乙醇先后洗滌數次。10.根據權利要求1所述的一種具有反襯金字塔凹坑陣列的可折疊、可卷曲自支撐銀導電膜的制備方法，其特征是:步驟(3)中烘干時的溫度為50?700C，烘干時間為5?48h。
【文檔編號】H01B1/02GK105931753SQ201610279034
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月29日
【發明人】劉勇, 于肖, 李寶軍, 沈輝
【申請人】中山大學