晶片磨削裝置的制造方法【專利摘要】本發明的實施例包括：卡盤臺，當晶片被裝載時，卡盤臺吸附晶片以使被吸附的晶片以恒定速度旋轉；心軸，其與卡盤臺的頂部以預定的間隙隔開并布置在卡盤臺上方，心軸旋轉并下降以磨削被吸附到卡盤臺上的晶片，其中，心軸包括驅動單元和磨削輪，驅動單元用于使心軸以預定的速度旋轉并使心軸下降預定的距離以與晶片接觸，磨削輪形成在驅動單元的下端部上以磨削掉晶片的厚度的預定部分；磨削輪包括磨削體和沿著磨削體的底部的圓周形成為段狀的磨削齒；冷卻單元，其設置在預定的無接觸區域中，無接觸區域位于磨削齒與晶片分離的點與磨削齒按照磨削齒的旋轉沿著磨削齒的旋轉路徑與晶片再次接觸的點之間；并且冷卻單元通過噴射冷卻水至旋轉的磨削齒來降低磨削輪的溫度。【專利說明】晶片磨削裝置
技術領域：
[0001]本發明涉及一種晶片磨削裝置，并且更具體地，涉及一種在磨削晶片表面時抑制晶片變形的晶片磨削裝置，所述晶片變形由于與晶片表面接觸的磨削輪的旋轉而造成的。【
背景技術：
】[0002]通常，用于生產例如半導體裝置等電子部件的單晶硅晶片(wafer)可以通過對條形單晶娃錠(ingot)進行切片(siicing)來生產，對切片進行研磨(lappingprocess)以使得具有給定厚度和平滑度，對切片進行蝕刻(etching)以去除雜質或缺陷，將切片拋光(polishing)以提高切片表面質量，并對經拋光的切片進行清潔(cleaning)。[0003]在進行研磨及拋光之前且在進行切片之后，可以進一步磨削單晶硅晶片以控制厚度和平整度。該工序可以稱為磨削(grinding))工序。[0004]磨削工序可以滿足高集成度的半導體裝置所需要的非常高精度的平整度。在這方面，晶片平整度可以由SBIR(部位背面理想范圍/sitebacksideidealrange)定義，其包括指示的最大晶片厚度與最小晶片厚度之間的差的TTV(總厚度變化量/totalthicknessvariat1n)和LTV(局部厚度變化量/localthicknessvariat1n)。[0005]隨著半導體裝置的設計規則變得更精細，僅使用研磨和拋光工序可能難以獲得滿足TTV和SBIR相關要求的高質量晶片。因此，為了滿足晶片平整度要求，可能進一步需要磨削工序。[0006]圖1示出用于磨削晶片的硅晶片磨削裝置。如圖1所示，傳統的晶片磨削裝置包括心軸10、聯接至心軸10的底部并配置成進行轉動的磨削輪11、和配置成吸附晶片的卡盤臺(chucktable)15。[0007]當晶片W裝載于卡盤臺15上時，卡盤臺15使用真空力吸附晶片W并使被吸附的晶片W能夠以給定速度旋轉。當與卡盤臺15隔開并位于卡盤臺上方預定的距離處的心軸10旋轉并下降時，心軸可以接觸晶片并使用聯接至心軸的磨削輪磨削該晶片。[0008]磨削輪11包括可旋轉的磨削體12和聯接至磨削體12的底邊緣的磨削齒(grindingtooth)13。以前的磨削輪11可以構造成:由金剛石制成的磨削齒13以預定的距離彼此隔開并經由粘合劑粘接至磨削體，并從磨削體向下突出。以該方式，當卡盤臺15吸附硅晶片并且心軸1以高速旋轉時，以前的磨削輪11旋轉以使用其磨削齒13磨削晶片表面。[0009]然而，當使用磨削輪11磨削晶片時，由于高速旋轉，會在磨削輪11和晶片W中產生很熱的熱量。該熱量可以集聚在磨削輪11中，因此增加磨削工序期間的工作負擔(Load)并引起晶片燃燒(burning)等。[0010]此外，磨削副產品可能會被粘附至磨削齒13中的每一個的工作面的細孔上，從而使磨削齒13的磨削力劣化。這可稱為孔堵塞事件。該事件可增加達到晶片目標厚度的工作時間。這可能導致晶片的低收益。此外，這可能導致差的晶片平整度和納米質量。【
發明內容】[0011]本發明的實施例提供一種晶片磨削裝置以在磨削晶片表面的期間使磨削輪有效地冷卻，從而防止沖擊或熱量施加至晶片。[0012]本發明的實施例提供一種晶片磨削裝置以在磨削晶片表面的期間使磨削副產品有效地排出到磨削輪外部，從而保持磨削輪的磨削力恒定。[0013]在本發明的一個方面，提供一種晶片磨削裝置，包括:卡盤臺，所述卡盤臺構造成在其上裝載晶片，以便將所述晶片吸附在所述卡盤臺上，并使所述被吸附的晶片能夠以預定的速度旋轉;心軸，所述心軸與所述卡盤臺隔開并位于所述卡盤臺上方預定的距離處，其中，所述心軸構造成下降并磨削所述卡盤臺上的被吸附的晶片，其中，所述心軸包括:驅動單元和磨削輪，所述驅動單元構造成使磨削輪能夠在預定的速度下旋轉并下降預定的距離以接觸所述晶片，所述磨削輪布置成聯接至所述驅動單元以將所述晶片磨削掉預定的厚度，其中，所述磨削輪包括磨削體和磨削齒，所述磨削齒以沿著所述磨削體的底部外周緣并位于所述磨削體的底部外周緣上的方式設置，其中，所述磨削齒是分段的；以及冷卻單元，所述冷卻單元至少部分地沿著位于所述磨削齒在該齒的旋轉期間與所述晶片的分離點和該齒在該齒的旋轉期間與所述晶片的再次相遇點之間的區域延伸，其中，所述區域沿著所述磨削齒的旋轉路徑延伸。[0014]在一個實施例中，所述冷卻單元構造成將冷卻液體或冷卻氣體分配至穿過該冷卻單元的所述磨削齒。[0015]在一個實施例中，所述冷卻單元沿著以所述磨削輪的中心為中心并且具有與120度相對應的長度的圓弧延伸。[0016]在一個實施例中，所述冷卻單元包括:本體，所述本體形成為圓弧形狀，所述圓弧形狀以所述磨削輪的中心為其中心并且具有與所述磨削輪的曲率大致相等的曲率；以及凹槽，所述凹槽形成在所述本體中以允許所述磨削齒穿過該凹槽。[0017]在一個實施例中，下降的磨削齒部分地插入到所述凹槽中，其中，所述本體與插入到所述凹槽中的所述磨削齒的外部側面和外部底面以預定的距離隔開。[0018]在一個實施例中，所述裝置還包括干燥單元，所述干燥單元布置在所述磨削齒和所述冷卻單元的分離點與所述磨削齒和所述晶片的所述再次相遇點之間，其中，所述干燥單元構造成使分配至所述磨削齒的所述冷卻液體變干。[0019]本發明具有以下效果:磨削輪恰好在執行磨削工序之后穿過冷卻單元。因此，磨削輪溫度可以保持在恒定水平。這可以抑制晶片變形。[0020]可以在穿過冷卻單元之后經由旋轉力移除留存在磨削輪上的磨削副產品。這可以將磨削輪的磨削力保持在恒定水平。這可以提高晶片磨削質量。【附圖說明】[0021]圖1示出以前的晶片磨削裝置的透視圖。[0022]圖2示出根據本發明的一個實施例的晶片磨削裝置的透視圖。[0023]圖3示出圖2的晶片磨削裝置的俯視圖。[0024]圖4示出圖3的晶片磨削裝置沿線A-A’的橫截面圖。[0025]圖5示出根據本發明的一個實施例的晶片磨削裝置的俯視圖。[0026]圖6示出以前的晶片磨削裝置生產的晶片的TTV的圖表。[0027]圖7示出本晶片磨削裝置生產的晶片的TTV的圖表。【具體實施方式】[0028]在附圖中示出并在以下進一步描述各個實施例的示例。要理解的是，文中的描述不意在將權利要求限制為所描述的特定實施例。相反，其意在包括可能包括在本發明的由所附權利要求限定的精神和范圍內的替代實施例、改型實施例和等同實施例。[0029]圖2示出根據本發明的一個實施例的晶片磨削裝置的透視圖。參照圖2，根據本發明的一個實施例的晶片磨削裝置可以包括卡盤臺(ChuckTable)25和心軸23，卡盤臺25構造成在晶片被裝載于其上時吸附晶片并使被吸附的晶片能夠以預定的速度旋轉，心軸23與卡盤臺25隔開并位于卡盤臺的上方預定的距離處，其中，心軸可以構造成旋轉并下降以磨削卡盤臺25上的被吸附的晶片W。[0030]心軸23可以包括驅動單元和布置于驅動單元的底部上的磨削輪20，驅動單元構造成以預定的速度旋轉并使磨削輪能夠下降預定的距離以接觸晶片，磨削輪構造成將晶片磨削掉預定的厚度。[0031]卡盤臺25可以由具有比晶片的面積稍大的面積的圓板形成以允許將晶片安全地置于其上。卡盤臺可以具有形成于其中的單獨的真空空間以吸附晶片。[0032]磨削輪20可以包括磨削體21和磨削齒22。磨削齒22可按照沿磨削體21的底邊緣并位于磨削體21的底邊緣上的方式布置并且可以彼此隔開。本磨削裝置還可以包括冷卻單元30，冷卻單元30至少部分地布置在第一點與第二點之間的預定區域中，其中，從第一點起，磨削齒22在其旋轉期間與晶片分離，并且從第二點起，磨削齒22在其旋轉期間與晶片再次相遇。冷卻單元30可以構造成使用冷卻液體或冷卻氣體對穿過冷卻單元的磨削齒22進行冷卻。[0033]如圖2至圖4所示，冷卻單元30可以至少部分地沿磨削輪20的旋轉路徑延伸。具體而言，冷卻單元30可以至少部分地沿磨削齒22的旋轉路徑延伸。冷卻單元30可以至少部分地沿第一點與第二點之間的預定區域延伸，其中，從第一點起，磨削齒22在其旋轉期間與晶片分離，從第二點起，磨削齒22在其旋轉期間與晶片再次相遇。在這方面，冷卻單元30可以呈圓弧形狀，該圓弧形狀以磨削輪20的中心為其中心并且具有與預定的角度相對應的長度。[0034]冷卻單元30可以包括本體31，本體31至少部分地沿磨削齒22的旋轉路徑延伸并且呈具有與磨削齒22的旋轉路徑的曲率大致相等的曲率的圓弧形狀。冷卻單元30可以包括限定在本體31中的凹槽32以使得能夠被磨削齒22穿過。凹槽32可以具有預定的深度。因此，當磨削輪20通過心軸23的驅動單元下降時，磨削齒22中的一些可以接觸晶片，而磨削齒22中的另一些可以至少部分地插入到凹槽32中。本體31可以不接觸磨削齒22。即，本體31可以與磨削齒22隔開預定的距離以至少部分地接納磨削齒22。[0035]在這點上，當磨削輪20旋轉時，磨削齒22可以磨削晶片W。這時，與晶片W分離的磨削齒22可以穿過冷卻單元30的本體31中的凹槽32。[0036]圖3示出圖2的晶片磨削裝置的俯視圖。參照圖3，當晶片W可被擱置于卡盤臺25上并被卡盤臺25吸附時，磨削輪20可以經由驅動單元下降以接觸包含晶片中心的晶片區域。被吸附的晶片因真空壓力可以向下傾斜幾μπι。磨削輪20可以實際上磨削晶片區域B。可以按照卡盤臺25的旋轉沿著弧形實施磨削。[0037]本晶片磨削裝置的冷卻單元30可以至少部分地沿第一點與第二點之間的預定區域延伸，其中，從第一點起，磨削齒22在其旋轉期間與晶片分離，從第二點起，磨削齒22在其旋轉期間與晶片再次相遇。在這方面，冷卻單元30可以具有圓弧形狀，該圓弧形狀以磨削輪20的中心為其中心并且具有與預定的角度Θ相對應的長度。優選地，預定的角度Θ可以是120度。[0038]如之后會描述的，由于冷卻單元30噴射冷卻液體來對磨削輪20進行冷卻，因此，被磨削副產品污染的冷卻液體可能留存在穿過冷卻單元30的磨削輪20上。因此，為了使被污染的冷卻液體可以不接觸待磨削的晶片表面，應通過磨削輪20的旋轉力移除被污染的冷卻液體。為此，需要可用于移除被污染的冷卻液體的空間。因此，可以在冷卻單元30的一個端部與磨削齒和晶片之間的分離點或再次相遇點之間限定該空間。在這方面，為了確保該空間，可以優選的是:預定的角度Θ是120度。[0039]圖4示出圖3晶片磨削裝置沿線A-A’的橫截面圖。參照圖4，本晶片磨削裝置可以包括冷卻單元30以降低旋轉的磨削輪20的溫度，其中，冷卻單元30可以具有以下的構型:[0040]冷卻單元30可以包括本體31，本體至少部分地沿磨削齒22的旋轉路徑延伸并且呈具有與磨削齒22的旋轉路徑的曲率大致相等的曲率的圓弧形狀。冷卻單元30可以包括限定在本體31中的凹槽32以使得能夠被磨削齒22穿過。凹槽32可以具有預定的深度。[0041]此外，可以在本體31的內部側面和內部底面中形成多個分配孔33和34，以使用從孔分配的冷卻液體降低磨削齒22的溫度。分配孔可以分為內部側面分配孔33和內部底面分配孔34，內部側面分配孔33構造成分配冷卻液體至磨削齒22的外部側面，內部底面分配孔34構造成分配冷卻液體至磨削齒22的外部底面。分配孔33和34可以具有預定的尺寸。分配孔33和34可以構造成以預定的壓力將冷卻液體或冷卻氣體分配至穿過冷卻單元30的凹槽32的磨削齒22的相應的外部側面和外部底面。分配孔33和34的間距、數目、尺寸等可以基于晶片的直徑或磨削工序的類型改變。[0042]內部側面分配孔33和內部底面分配孔34可以在凹槽的延伸方向上具有預定的尺寸。分配孔可以彼此隔開預定的距離。在一個示例中，內部側面分配孔和內部底面分配孔可以具有沿著磨削齒的旋轉路徑逐漸變小的尺寸，同時，相鄰的分配孔之間的間距可以沿著磨削齒的旋轉路徑逐漸變大。以該方式，在磨削齒與晶片的分離點處，可以分配相對更大量的冷卻液體或冷卻氣體以增大冷卻等級。因此，可以均勻地控制磨削齒的總體溫度。[0043]多個內部側面分配孔33可以在冷卻單元30的本體31的內部側面中并且沿著磨削齒的旋轉路徑形成。[0044]在一個示例中，沿著磨削齒的旋轉路徑形成的內部側面分配孔33可以位于不同的水平面或高度處。因此，穿過凹槽32的磨削齒22的整個外部側面可以被冷卻液體或冷卻氣體冷卻。[0045]通過分配冷卻液體或冷卻氣體，當磨削齒22穿過冷卻單元30時，可以移除晶片與磨削齒22之間的接觸所產生并留存在磨削齒22上的磨削副產品。此外，可以從磨削輪移除由晶片與磨削齒22之間的接觸產生并集聚在磨削輪中的熱量，以抑制晶片變形。[0046]分配孔33和34可以在冷卻單元30中彼此流體連通。在冷卻單元30下方，可以布置供應管道和供應罐以將冷卻液體或冷卻氣體供應至分配孔33和34。供應管道可以聯接至冷卻單元30的一個端部。供應管道可以被控制成:在磨削齒22接觸晶片并旋轉時將預定量的冷卻液體或冷卻氣體供應至孔。在這方面，供應管道可以控制成:分配孔能夠以預定的壓力分配冷卻液體或冷卻氣體，因此，包括磨削齒22的磨削輪20可以被冷卻。[0047]此外，為了使冷卻單元30的本體31在磨削齒22的旋轉期間不接觸磨削齒22，8卩，本體31應與磨削齒22隔開，冷卻單元30的本體31可被固定至向下延伸的固定裝置。[0048]再次參照圖2，循環水被供應至以預定的速度旋轉的心軸23以降低心軸自身的溫度。為此，循環水在心軸23中流動。此外，磨削水穿過心軸以被供應至磨削輪20。磨削水可以被分配至磨削輪20與晶片之間的接觸位置以對磨削位置進行冷卻。為此，可以安裝磨削水供應管道。[0049]總之，磨削水可以被體現為保持在20至25°C溫度的超純水(ultra-purewater)0磨削水可以用于將磨削輪和其內部部件的溫度保持在恒定的水平并將磨削位置溫度降低至磨削輪20的初始溫度。[0050]當待分配至磨削位置的磨削水與待經由冷卻單元30分配至磨削輪20的冷卻液體之間的溫度差超過預定的值時，在晶片磨削工序期間可能發生晶片變形。因此，可以優選的是，待經由冷卻單元30的分配孔33和34分配的冷卻液體的溫度設定成大致等于磨削水的溫度。[0051]圖5示出根據本發明的一個實施例的晶片磨削裝置的俯視圖。參照圖5，本晶片磨削裝置可以包括位于冷卻單元30附近的干燥單元40。干燥單元40可以構造成使分配至磨削輪20的冷卻液體變干。干燥單元40可以布置在磨削齒和冷卻單元30的分離點與晶片的磨削位置之間。[0052]具體而言，冷卻單元30可以沿著下述圓弧延伸，該圓弧以磨削輪20的中心為其中心并且具有與120度相對應的長度。干燥單元40可以布置在磨削齒22和冷卻單元30的分離點與磨削齒22和晶片的再次相遇點之間。[0053]干燥單元可以形成為具有與磨削輪的曲率大致相等的曲率的圓弧形狀。干燥單元可以與磨削輪隔開預定的距離。干燥單元可以形成為圓弧形狀，該圓弧形狀具有與磨削輪的曲率大致相等的曲率并且以磨削輪的中心為其中心并且具有與預定的角度相對應的長度。在一個示例中，預定的角度可以是120度。[0054]干燥單元40可以具有形成于其中的預定數目的通孔。每個通孔朝向磨削輪的中心，其中，每個通孔構造成將干燥空氣分配至行進超過冷卻單元的磨削齒。以該方式，可以迅速地移除磨削齒22上濕的冷卻液體。這可以允許從磨削齒22輕易地移除留存在磨削齒22上的磨削副產品。由于移除的磨削副產品，可以優選的是，干燥單元40布置在比磨削齒22稍高的位置，因此將干燥空氣向下分配至磨削齒22。[0055]以該方式，在磨削齒22穿過冷卻單元30期間，經由分配冷卻液體使磨削齒被冷卻并移除了磨削齒上的磨削副產品。隨后，在磨削齒22穿過冷卻單元30之后，S卩，在磨削齒穿過干燥單元40期間，經由分配干燥空氣移除了磨削齒22上的冷卻液體。[0056]圖6示出由以前的晶片磨削裝置生產的晶片的TTV的圖表。圖7示出由本晶片磨削裝置生產的晶片的TTV的圖表。[0057]晶片的TTV(總厚度變化量)指的是晶片磨削工序產生的最大晶片厚度與最小晶片厚度之間的差。TTV值越小，晶片磨削裝置由晶片磨削工序生產的晶片質量越高。[0058]如圖6所示，其指示常規的晶片磨削裝置，對于多個晶片，TTV值全部高于ΙμπιJTV值的偏差高于Ιμπι。然而，如圖7所示，其指示本晶片磨削裝置，對于多個晶片，TTV值全部低于Iymt3TTV值的偏差低于0.5μπι。[0059]因此，本晶片磨削裝置可以提高晶片平整度。[0060]具體而言，在本發明中，磨削輪恰好在執行磨削工序之后穿過冷卻單元。因此，磨削輪溫度可以保持在恒定水平。這可以抑制晶片變形。[0061]可以在穿過冷卻單元之后經由旋轉力移除留存在磨削輪上的磨削副產品。這可以將磨削輪的磨削力保持在恒定水平。這可以提高晶片磨削質量。[0062]以上描述沒有限制性的意義，僅用于描述示例性實施例的基本原理，本發明的許多附加的實施例是可能的。要理解的是，這并不旨在由此限制本發明的范圍。本發明的范圍應參考權利要求來確定。[0063]工業實用性[0064]由于本發明能夠在用于晶片制造的晶片磨削裝置中使用，因此本發明具有工業實用性。【主權項】1.一種晶片磨削裝置，包括:卡盤臺，所述卡盤臺構造成在其上裝載晶片，以便將所述晶片吸附在所述卡盤臺上，并使被吸附的晶片能夠以預定的速度旋轉；心軸，所述心軸與所述卡盤臺隔開并位于所述卡盤臺上方預定的距離處，其中，所述心軸構造成下降并磨削所述卡盤臺上的被吸附的晶片，其中，所述心軸包括:驅動單元，所述驅動單元構造成使磨削輪能夠以預定的速度旋轉并下降預定的距離以接觸所述晶片；以及所述磨削輪，所述磨削輪布置成聯接至所述驅動單元以將所述晶片磨削掉預定的厚度，其中，所述磨削輪包括磨削體和磨削齒，所述磨削齒以沿著所述磨削體的底部外周緣并位于所述磨削體的底部外周緣上的方式布置，其中，所述磨削齒是分段的；以及冷卻單元，所述冷卻單元至少部分地沿著下述區域延伸:所述區域位于所述磨削齒在該齒的旋轉期間與所述晶片的分離點和該齒在該齒的旋轉期間與所述晶片的再次相遇點之間，其中，所述區域沿著所述磨削齒的旋轉路徑延伸。2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述冷卻單元構造成將冷卻液體或冷卻氣體分配至穿過所述冷卻單元的所述磨削齒。3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述冷卻單元沿著以所述磨削輪的中心為中心并具有與120度相對應的長度的圓弧延伸。4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述冷卻單元包括:本體，所述本體形成為圓弧形狀，所述圓弧形狀以所述磨削輪的中心為中心并且具有與所述磨削輪的曲率大致相等的曲率;以及凹槽，所述凹槽形成在所述本體中以允許所述磨削齒穿過該凹槽。5.根據權利要求4所述的裝置，其中，下降的所述磨削齒部分地插入到所述凹槽中，其中，所述本體與插入到所述凹槽中的所述磨削齒的外部側面和外部底面以預定的距離隔開。6.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述本體的內部底面具有形成于其中的多個第一分配孔，其中，所述第一分配孔構造成將所述冷卻液體或冷卻氣體分配至所述磨削齒的外部底面，其中，所述本體的內部側面具有形成于其中的多個第二分配孔，其中，所述第二分配孔構造成將所述冷卻液體或冷卻氣體分配至所述磨削齒的外部側面。7.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述第一分配孔和所述第二分配孔沿著所述凹槽的延伸方向具有預定的尺寸，其中，所述第一分配孔以第一預定距離彼此隔開，所述第二分配孔以第二預定距離彼此隔開。8.根據權利要求7所述的裝置，其中，所述第一分配孔的尺寸沿所述磨削齒的旋轉方向逐漸變小，相鄰的所述第一分配孔之間的間距沿著所述磨削齒的旋轉方向逐漸變大;并且/或所述第二分配孔的尺寸沿所述磨削齒的旋轉方向逐漸變小，相鄰的所述第二分配孔之間的間距沿著所述磨削齒的旋轉方向逐漸變大。9.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述第二分配孔在所述本體的內部側面中具有不同的豎向位置。10.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述第一分配孔和所述第二分配孔在所述冷卻單元中彼此流體連通，其中，所述裝置還包括與所述分配孔中的一個聯接的供應管道。11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述裝置還包括聯接至所述供應管道的供應罐，其中，在所述供應罐中，所述冷卻液體或冷卻氣體被保持處于預定的溫度。12.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述裝置還包括干燥單元，所述干燥單元布置在所述磨削齒和所述冷卻單元的分離點與所述磨削齒和所述晶片的再次相遇點之間，其中，所述干燥單元構造成使分配至所述磨削齒的所述冷卻液體變干。13.根據權利要求12所述的裝置，其中，所述干燥單元形成為圓弧形狀，該圓弧形狀具有與所述磨削輪的曲率大致相等的曲率，并且以所述磨削輪的中心為中心，并且具有與預定的角度相對應的長度。14.根據權利要求13所述的裝置，其中，所述干燥單元與所述磨削輪以預定的距離隔開，其中，所述干燥單元具有形成于其中的多個通孔，其中，每個通孔朝向所述磨削輪的中心，其中，每個通孔構造成將干燥空氣分配至行進超過所述冷卻單元的所述磨削輪。15.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述裝置還包括所述心軸中的磨削水供應管道，其中，所述磨削水供應管道構造成允許所述磨削水被供應至所述磨削輪與所述晶片之間的接觸位置，其中，所述冷卻液體的溫度大致等于所述磨削水的溫度。【文檔編號】H01L21/304GK105917447SQ201480073418【公開日】2016年8月31日【申請日】2014年6月9日【發明人】張俊榮【申請人】Lg矽得榮株式會社