有機發光顯示設備及其制造方法

有機發光顯示設備及其制造方法
【專利摘要】本發明公開一種有機發光顯示設備及其制造方法。該有機發光顯示設備包括：基板，包括用于實現第一顏色的多個第一發射部以及用于實現第二顏色的多個第二發射部；像素限定膜，用于限定多個第一發射部和多個第二發射部；多個像素電極，彼此分離并且分別對應于多個第一發射部；以及第一堆疊結構，包括中間層和位于中間層上的對置電極，中間層包括發射第一顏色的光的有機發射層，第一堆疊結構進一步包括：分別對應于多個第一發射部的第一發射圖案部，以及位于像素限定膜上的第一連接圖案部，第一連接圖案部連接第一發射圖案部。
【專利說明】有機發光顯示設備及其制造方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]2015年2月24日遞交給韓國知識產權局、名稱為“有機發光顯示設備及其制造方法”、編號為10-2015-0025911的韓國專利申請，通過引用整體合并于此。
技術領域
[0003]—個或多個示例性實施例涉及有機發光顯示設備及其制造方法。
【背景技術】
[0004]有機發光顯示設備為其中像素可各自包括有機發光二極管(OLED)的顯示設備。OLED可包括像素電極、面對像素電極的對置電極以及布置在像素電極與對置電極之間的發射層。在有機發光顯示設備中，像素電極可具有根據各像素圖案化成的島形，并且對置電極可被成形為使得對置電極整體覆蓋各像素。

【發明內容】

[0005]—個或多個示例性實施例可包括有機發光顯示設備及其制造方法。
[0006]實施例可通過提供一種有機發光顯示設備實現，該有機發光顯示設備包括:基板，包括用于實現第一顏色的多個第一發射部和用于實現第二顏色的多個第二發射部;像素限定膜，用于限定多個第一發射部和多個第二發射部;多個像素電極，彼此分離并且分別與多個第一發射部相對應；以及第一堆疊結構，包括中間層和位于中間層上的對置電極，中間層包括發射第一顏色的光的有機發射層，第一堆疊結構進一步包括:分別與多個第一發射部相對應的第一發射圖案部，以及位于像素限定膜上的第一連接圖案部，第一連接圖案部連接第一發射圖案部。
[0007]第一連接圖案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0008]第一堆疊結構的對置電極可包括:第一區域，第一區域面對分別與多個第一發射部相對應的像素電極；以及連接第一區域的第二區域。
[0009]第一堆疊結構的中間層可包括:第三區域，第三區域位于分別與多個第一發射部相對應的像素電極上；以及連接第三區域的第四區域。
[0010]像素限定膜可包括與多個第一發射部相對應的開口，并且第三區域可位于分別與開口相對應的位置處，且第四區域可以位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0011]第一堆疊結構的中間層和第一堆疊結構的對置電極可具有基本相同的圖案。
[0012]第一堆疊結構的中間層可進一步包括在遠離對置電極的方向上位于有機發射層下的第一中間層，并且有機發射層可以位于對置電極與第一中間層之間。
[0013]第一中間層可包括空穴傳輸層。
[0014]有機發光顯示設備可進一步包括第二堆疊結構，第二堆疊結構包括中間層和位于中間層上的對置電極，第二堆疊結構的中間層包括發射第二顏色的光的有機發射層。第二堆疊結構可進一步包括:分別與多個第二發射部相對應的第二發射圖案部，以及位于像素限定膜上的第二連接圖案部，第二連接圖案部連接第二發射圖案部。
[0015]第二連接圖案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0016]第一連接圖案部中的至少一個與第二連接圖案部中的至少一個可在像素限定膜的上表面的一部分上彼此重疊。
[0017]第二堆疊結構的對置電極可包括:第五區域，第五區域面對分別與多個第二發射部相對應的像素電極；以及連接第五區域的第六區域。
[0018]第二堆疊結構的中間層可包括:第七區域，第七區域位于分別與多個第二發射部相對應的像素電極上；以及連接第七區域的第八區域。
[0019]第二堆疊結構的中間層和第二堆疊結構的對置電極可具有基本相同的圖案。
[0020]有機發光顯示設備可進一步包括位于第一堆疊結構的對置電極上的保護膜。
[0021]保護膜可具有與第一堆疊結構的中間層和對置電極基本相同的圖案。
[0022]第一堆疊結構的對置電極可包括半透射金屬層，并且保護膜可以是透明的。
[0023]實施例可通過提供一種制造有機發光顯示設備的方法實現，該方法包括:制備基板，該基板包括用于實現第一顏色的多個第一發射部以及用于實現第二顏色的多個第二發射部;形成多個像素電極，多個像素電極具有島形，以便彼此分離并且分別與基板的多個第一發射部相對應；以及在基板上形成像素限定膜，像素限定膜包括與多個第一發射部和多個第二發射部相對應的開口；以及形成第一堆疊結構，第一堆疊結構包括中間層和位于中間層上的對置電極，中間層包括發射第一顏色的光的有機發射層，第一堆疊結構進一步包括:分別與多個第一發射部相對應的第一發射圖案部，以及位于像素限定膜上的第一連接圖案部，第一連接圖案部連接第一發射圖案部。
[0024]第一堆疊結構的第一連接圖案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0025]第一堆疊結構的中間層和第一堆疊結構的對置電極可具有基本相同的圖案。
[0026]形成第一堆疊結構可包括在所述基板上形成掩膜圖案，該掩膜圖案包括暴露多個第一發射部的開口，以及連接多個第一發射部的第一非發射部，第一非發射部與像素限定膜的上表面的一部分相對應;在其上形成有掩膜圖案的基板的整個表面上形成中間層，該中間層包括發射第一顏色的光的有機發射層;在中間層上形成對置電極；以及去除掩膜圖案，使得保留分別與多個第一發射部相對應的第一發射圖案部，并且保留與第一非發射部相對應并連接第一發射圖案部的第一連接圖案部。
[0027]第一堆疊結構的中間層可進一步包括在遠離對置電極的方向上位于有機發射層下的第一中間層，并且有機發射層可以位于對置電極與第一中間層之間。
[0028]第一中間層可包括空穴傳輸層。
[0029]該方法可進一步包括形成第二堆疊結構，該第二堆疊結構包括中間層和位于中間層上的對置電極，該中間層包括發射第二顏色的光的有機發射層。第二堆疊結構可進一步包括:分別與多個第二發射部相對應的第二發射圖案部，以及位于像素限定膜上的第二連接圖案部，第二連接圖案部連接第二發射圖案部。
[0030]第二連接圖案部中的至少一個與第一連接圖案部中的至少一個可在像素限定膜的上表面的一部分上彼此重疊。
[0031]第二堆疊結構的中間層和第二堆疊結構的對置電極可具有基本相同的圖案。
[0032]該方法可進一步包括在第一堆疊結構的對置電極上形成保護膜。
[0033]保護膜可具有與第一堆疊結構的中間層和對置電極基本相同的圖案。
【附圖說明】
[0034]通過參考附圖詳細描述示例性實施例，對本領域技術人員來說，特征將變得更加明顯，附圖中:
[0035]圖1示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性俯視圖；
[0036]圖2示出沿圖1的線A-A’和線B-B’截取的剖視圖；
[0037]圖3示出沿圖1的線C-C’截取的剖視圖；
[0038]圖4示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性俯視圖；
[0039]圖5示出其上布置有多個發射部的基板的示意性側視圖；
[0040]圖6示出圖5的俯視圖；
[0041]圖7和圖8示出描述形成具有第一圖案的第一堆疊結構的過程的剖視圖；
[0042]圖9示出圖8的俯視圖；
[0043]圖10和圖11示出描述形成具有第二圖案的第二堆疊結構的過程的剖視圖；
[0044]圖12示出圖11的俯視圖；
[0045]圖13和圖14示出描述形成具有第三圖案的第三堆疊結構的過程的剖視圖；
[0046]圖15示出圖14的俯視圖；
[0047]圖16示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性剖視圖；以及
[0048]圖17示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0049]現在將參照附圖更充分地描述示例性實施例;然而，這些實施例可以不同的形式體現，而不應當解釋為限于本文給出的實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使得本公開將是透徹和完整的，并將向本領域技術人員充分地傳達示例性實施方式。
[0050]附圖中，同樣的附圖標記始終指同樣的元素，因此不再重復冗余描述。
[0051]用于本文時，詞語“和/或”包括關聯所列項的一個或多個的任意和所有組合。
[0052]應當理解，盡管本文中可使用詞語“第一”、“第二”等來描述各種部件，但這些部件不應受這些詞語的限制。這些詞語僅用于將一個部件區別于另一個部件。
[0053]用于本文時，單數形式“一個”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復數形式，除非上下文清楚地另有指不。
[0054]還應進一步理解，本文中使用的詞語“包括”和/或“包含”指明存在所敘述特征或部件，但不排除存在或附加有一個或多個其它特征或部件。
[0055]應當理解，當提及一層、區域或部件“形成”在另一層、區域或部件“上”時，其可以直接或間接形成在另一層、區域或部件上。亦即，例如，可能存在中間層、區域或部件。
[0056]為便于解釋，可能放大附圖中的元素的尺寸。換言之，由于附圖中的部件的尺寸和厚度為了便于解釋而被隨意示出，因此下面的實施例不限于此。
[0057]在特定實施例可被不同地實施時，可與所描述的順序不同地執行特定的過程順序。例如，兩個連續地描述的過程可基本同時被執行，或以與所描述的順序相反的順序執行。
[0058]應當理解，當提及一部件或層在另一部件或層“上”時，該部件或層可直接在另一部件或層上，或在中間部件和層上。進一步，應當理解，當提及一層在另一層“下”時，其可以直接在下面，或也可以存在一個或多個中間層。此外，還應當理解，當提及一層在兩層“之間”時，其可以是兩層之間僅有的層，或也可以存在一個或多個中間層。
[0059]圖1示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性俯視圖。
[0060]參照圖1，有機發光顯示設備可包括多個發射部(有源區)，即第一至第三發射部Rl至R3。第一至第三發射部Rl至R3可布置為形成矩陣。第一至第三發射部Rl至R3可各自發射不同的光，且可各自對應于一像素。例如，第一至第三發射部Rl至R3中的每一個可以是用于實現例如顯示紅色、綠色或藍色的像素。下文中，為便于描述，第一發射部Rl實現紅色，第二發射部R2實現綠色，第三發射部R3實現藍色，但示例性實施例不限于此。第一至第三發射部Rl至R3實現的顏色不限于紅色、綠色和藍色，只要實現全色即可。根據示例性實施例，可使用顏色的任意組合，例如，四種顏色，即紅色、綠色、藍色和白色的組合，只要實現全色即可。[0061 ] 像素電極210和第一至第三堆疊結構300至500可布置在基板100上。像素電極210可以以島型圖案化為對應于第一至第三發射部Rl至R3而彼此隔開。第一至第三堆疊結構300至500可圖案化為具有彼此連接的像網的圖案。第一堆疊結構300可包括對應于第一發射部Rl的第一發射圖案部300a，以及連接第一發射圖案部300a的第一連接圖案部300b，其中第一發射圖案部300a和第一連接圖案部300b可形成像網的第一圖案SI。第二堆疊結構400可包括對應于第二發射部R2的第二發射圖案部400a，以及連接第二發射圖案部400a的第二連接圖案部400b，其中第二發射圖案部400a和第二連接圖案部400b可形成像網的第二圖案S2。第三堆疊結構500可包括對應于第三發射部R3的第三發射圖案部500a，以及連接第三發射圖案部500a的第三連接圖案部500b，其中第三發射圖案部500a和第三連接圖案部500b可形成像網的第三圖案S3。
[0062]第一至第三堆疊結構300至500可分別包括中間層320至520(參照圖2)，以及對置電極330至530(參照圖2)。中間層320至520和對置電極330至530可被圖案化為具有基本相同的圖案。
[0063]根據對比示例，當在基板100的整個表面上形成對置電極以整體覆蓋多個像素，SP第一至第三發射部Rl至R3時，可能例如由于對置電極的電阻而出現電壓降(IR降)，并且可能會出現亮度偏差。然而，根據一個或多個示例性實施例，對置電極330至530可與中間層320至520—起被圖案化，可防止對置電極330至530的電阻的增大，并且可減少或防止IR降和由此帶來的亮度偏差。
[0064]圖2示出沿圖1的線A-A’和線B-B’截取的剖視圖，并且圖3示出沿圖1的線C-C’截取的剖視圖。
[0065]基板100可由例如玻璃材料、金屬材料以及諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺之類的塑料材料之類的各種材料中的一種形成。根據一些實施例，相比于基板100由玻璃材料形成，當基板100由塑料材料或金屬材料形成時，基板100可具有更高的柔性。由S12和/或SiNx形成的緩沖層可布置在基板100上，以防止雜質滲入到基板100中。
[0066]基板100可包括多個發射部(有源區)Rl至R3，以及圍繞發射部Rl至R3的非發射部(無源區)NR。
[0067]像素電路PC可包括薄膜晶體管(TFT)和電容器，并且可電連接至像素電極210。像素電路PC的上表面可由大致平坦的絕緣膜150覆蓋。
[0068]像素電極210可形成在第一至第三發射部Rl至R3中的每一個中。像素電極210可布置在絕緣膜150上，并可對應于第一至第三發射部Rl至R3中的每一個以島型被圖案化。像素電極210可電連接至像素電路PC的TFT。
[0069]像素電極210可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。當像素電極210是(半)透明電極時，像素電極210可由例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)、銦氧化物(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)或鋁鋅氧化物(AZO)形成。當像素電極210是反射電極時，反射膜可由銀(Ag)、鎂(Mg)、招(Al)、鈾(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成。根據示例性實施例，像素電極210可包括反射膜以及位于反射膜上由1!'0、120、2110或111203形成的膜，反射膜包括48、1%^1、？1?(1^11、祖、則、&、0或其化合物。
[0070]像素限定膜180可包括分別對應于第一至第三發射部Rl至R3的開口0P。像素限定膜180的開口 OP可分別對應于可從其發光的第一至第三發射部Rl至R3，并且布置有像素限定膜180的區域可對應于非發射部(無源區)NR。像素電極210的上表面的至少一部分可不由像素限定膜180覆蓋。例如，開口OP可形成在像素限定膜180中，并且像素電極210的上表面的一部分可不由像素限定膜180覆蓋。像素電極210的邊緣可由像素限定膜180覆蓋。像素限定膜180可包括由例如丙烯酸樹脂形成的有機絕緣膜。像素限定膜180可增大像素電極210的末端與對置電極330至530之間的距離，并且可防止在像素電極210的末端處產生電弧。
[0071]第一至第三堆疊結構300至500可獨立地，例如分離地，被圖案化。第一至第三堆疊結構300至500可具有其中順序堆疊有中間層320至520和對置電極330至530的結構，并且分別具有第一至第三圖案SI至S3。
[0072]第一堆疊結構300可具有包括第一發射圖案部300a和第一連接圖案部300b的第一圖案SI。第一發射圖案部300a中的每一個可布置在第一發射部Rl上，并且第一連接圖案部300b可布置在非發射部NR上，以連接第一發射圖案部300a。
[0073]第一堆疊結構300可包括中間層320和堆疊在中間層320上的對置電極330，并且中間層320可包括第一中間層321、發射紅色光的有機發射層322和第二中間層323，這些層彼此順序堆置。
[0074]第一中間層321可具有單層或多層結構。例如，當第一中間層321由高分子量材料形成時，第一中間層321可以是具有單層結構的空穴傳輸層(HTL)，并且可由聚-(3，4)_乙撐-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。當第一中間層321由低分子量材料形成時，第一中間層321可包括空穴注入層(HIL)和HTL。
[0075]有機發射層322可布置在第一中間層321上。根據示例性實施例，有機發射層322可包括作為基質材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作為摻雜材料的磷光體，磷光體包括以下至少之一 = PIQIr(乙酰丙酮)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(乙酰丙酮(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(三(1-苯基喹啉)銥)和PtPEP(八乙基卟啉鉑)。根據示例性實施例，有機發射層322可包括熒光材料，例如PED:銪(DBM)3(苯酚)或二萘嵌苯。
[0076]第二中間層323可布置在有機發射層322上。在一些實施例中可省略第二中間層323。例如，當第一中間層321和有機發射層322由高分子量材料形成時，第二中間層323可省略。當第一中間層321和有機發射層322由低分子量材料形成時，第二中間層323可被形成，使得增大發光特性。第二中間層323可具有單層或多層結構，并且可包括電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。
[0077]對置電極330可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。根據示例性實施例，當對置電極330是(半)透明電極時，對置電極330可包括包含Ag和Mg的半透射金屬層。例如，對置電極330可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據示例性實施例，對置電極330可包括由鋰(1^)、鈣(0&)、鋰氟化物(1^)/^、1^/^1^1、1%或其化合物形成的層，以及布置在該層上且由例如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3的(半)透明材料形成的另一層。
[0078]當對置電極330為反射電極時，反射電極可通過形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Ag和Mg中至少之一的層而形成。在實施例中，對置電極330的結構和材料可改變;例如，對置電極330可由另外的材料形成，并可具有多層結構。
[0079]對置電極330可圖案化為布置在第一發射部Rl上和非發射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可減小電阻，并且可減小或防止由對置電極330的電阻而導致的IR降和由此帶來的亮度偏差。
[0080]第一堆疊結構300可包括中間層320和布置在中間層320上的對置電極330，并且中間層320和對置電極330可具有基本相同的圖案。例如，中間層320和對置電極330可具有第一圖案SI。例如，對置電極330可包括與第一發射圖案部300a對應且布置在第一發射部Rl中的區域(下文中，稱為第一區域)，以及與第一連接圖案部300b對應且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第一區域的區域(下文中，稱為第二區域)。中間層320可包括與第一發射圖案部300a對應且布置在第一發射部Rl中的區域(下文中，稱為第三區域)，以及與第一連接圖案部300b對應且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第三區域的區域(下文中，稱為第四區域)。對置電極330的第一區域和中間層320的第三區域可彼此重疊，并且對置電極330的第二區域和中間層320的第四區域可彼此重疊。
[0081]由于第一發射圖案部300a的中間層320，即中間層320的第三區域，布置在像素電極210與對置電極330之間，因此，當電信號施加于像素電極210和對置電極330中的每一個時，作為從像素電極210和對置電極330釋放出的、可在有機發射層322處結合的空穴和電子而產生的激子，可從激發態變為基態以產生紅色光。由于第一連接圖案部300b的中間層320，即中間層320的第四區域，布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當電信號施加于第一堆疊結構300的對置電極330時，也不會發光。
[0082]第二堆疊結構400可具有包括第二發射圖案部400a和第二連接圖案部400b的第二圖案S2。第二發射圖案部400a中的每一個可布置在第二發射部R2上，并且第二連接圖案部400b可布置在非發射部NR上以連接第二發射圖案部400a。
[0083]第二堆疊結構400可包括中間層420和堆疊在中間層420上的對置電極430，并且中間層420可包括第一中間層421、發射綠色光的有機發射層422和第二中間層423，這些層彼此順序堆置。
[0084]第一中間層421可具有單層或多層結構。例如，當第一中間層421由高分子量材料形成時，第一中間層421可以是具有單層結構并由PEDOT或PANI形成的HTL。當第一中間層421由低分子量材料形成時，第一中間層421可包括HIL和HTL。
[0085]有機發射層422可布置在第一中間層421上。根據示例性實施例，有機發射層422可包括作為基質材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作為摻雜材料的磷光體，磷光體包括面式三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)。根據示例性實施例，有機發射層422可包括熒光材料，例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。
[0086]第二中間層423可布置在有機發射層422上。在一些實施例中可省略第二中間層423。例如，當第一中間層421和有機發射層422由高分子量材料形成時，第二中間層423可省略。當第一中間層421和有機發射層422由低分子量材料形成時，第二中間層423可被形成，使得增大發光特性。第二中間層423可具有單層或多層結構，并且可包括ETL和/或EIL。
[0087]對置電極430可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。根據示例性實施例，當對置電極430是(半)透明電極時，對置電極430可包括包含Ag和Mg的半透射金屬層。例如，對置電極430可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據示例性實施例，對置電極430可包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1、六1、1%或其化合物形成的層，以及布置在該層上且由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明材料形成的另一層。
[0088]當對置電極430為反射電極時，反射電極可通過形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Ag和Mg中至少之一的層而形成。在實施例中，對置電極430的結構和材料可改變;例如，對置電極430可由另外的材料形成，并可具有多層結構。
[0089]對置電極430可圖案化為布置在第二發射部R2上和非發射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可減小電阻，并且可減小或防止由對置電極430的電阻而導致的IR降以及由此帶來的亮度偏差。
[0090]第二堆疊結構400可包括中間層420和布置在中間層420上的對置電極430，并且中間層420和對置電極430可具有基本相同的圖案。例如，中間層420和對置電極430可具有第二圖案S2。例如，對置電極430可包括與第二發射圖案部400a對應且布置在第二發射部R2中的區域(下文中，稱為第五區域)，以及與第二連接圖案部400b對應且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第五區域的區域(下文中，稱為第六區域)。中間層420可包括與第二發射圖案部400a對應且布置在第二發射部R2中的區域(下文中，稱為第七區域)，以及與第二連接圖案部400b對應且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第七區域的區域(下文中，稱為第八區域)。對置電極430的第五區域和中間層420的第七區域可彼此重疊，并且對置電極430的第六區域和中間層420的第八區域可彼此重疊。
[0091]由于第二發射圖案部400a的中間層420，即中間層420的第七區域，布置在像素電極210與對置電極430之間，因此，當電信號施加于像素電極210和對置電極430中的每一個時，作為從像素電極210和對置電極430釋放出的、可在有機發射層422處結合的空穴和電子而產生的激子，可從激發態變為基態以產生綠色光。由于第二連接圖案部400b的中間層420，即中間層420的第八區域，布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當電信號施加于第二堆疊結構400的對置電極430時，也不會發光。
[0092]第三堆疊結構500可具有包括第三發射圖案部500a和第三連接圖案部500b的第三圖案S3。第三發射圖案部500a中的每一個可布置在第三發射部R3上，并且第三連接圖案部500b可布置在非發射部NR上以連接第三發射圖案部500a。
[0093]第三堆疊結構500可包括中間層520和堆疊在中間層520上的對置電極530，并且中間層520可包括第一中間層521、發射藍色光的有機發射層522和第二中間層523，這些彼此順序堆疊。
[0094]第一中間層521可具有單層或多層結構。例如，當第一中間層521由高分子量材料形成時，第一中間層521可以是具有單層結構并由PEDOT或PANI形成的HTL。當第一中間層521由低分子量材料形成時，第一中間層521可包括HIL和HTL。
[0095]有機發射層522可布置在第一中間層521上。根據示例性實施例，有機發射層522可包括作為基質材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作為摻雜材料的磷光體，磷光體包括F2lrpic、(F2ppy)2lr(tmd)或Ir(dfppz)3。根據示例性實施例，有機發射層522可包括熒光材料，熒光材料包括例如以下之一:DPVB1、螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳烴(DSA)、PF0-基聚合物和PPV-基聚合物。
[0096]第二中間層523可布置在有機發射層522上。在一些實施例中可省略第二中間層523。例如，當第一中間層521和有機發射層522由高分子量材料形成時，第二中間層523可省略。當第一中間層521和有機發射層522由低分子量材料形成時，第二中間層523可被形成，使得增大發光特性。第二中間層523可具有單層或多層結構，并且可包括ETL和/或EIL。
[0097]對置電極530可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。根據示例性實施例，當對置電極530是(半)透明電極時，對置電極530可包括包含Ag和Mg的半透射金屬層。例如，對置電極530可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據示例性實施例，對置電極530可包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1^1、1%或其化合物形成的層，以及布置在該層上且由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明材料形成的另一層。
[0098]當對置電極530為反射電極時，反射電極可通過形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中至少之一的層而形成。在實施例中，對置電極530的結構和材料可改變;例如，對置電極530可由另外的材料形成，并可具有多層結構。
[0099]對置電極530可圖案化為布置在第三發射部R3上和非發射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可減小電阻，并且可減小或防止由對置電極530的電阻而導致的IR降以及由此帶來的亮度偏差。
[0100]第三堆疊結構500可包括中間層520和布置在中間層520上的對置電極530，并且中間層520和對置電極530可具有基本相同的圖案。例如，中間層520和對置電極530可具有第三圖案S3。例如，對置電極530可包括與第三發射圖案部500a對應且布置在第三發射部R3中的區域(下文中，稱為第九區域)，以及與第三連接圖案部500b對應且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第九區域的區域(下文中，稱為第十區域)。中間層520可包括與第三發射圖案部500a對應且布置在第三發射部R3中的區域(下文中，稱為第i^一區域)，以及與第三連接圖案部500b對應且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第^^一區域的區域(下文中，稱為第十二區域)。對置電極530的第九區域和中間層520的第十一區域可彼此重疊，并且對置電極530的第十區域和中間層520的第十二區域可彼此重疊。
[0101]由于第三發射圖案部500a的中間層520，即中間層520的第十一區域，布置在像素電極210與對置電極530之間，因此，當電信號施加于像素電極210和對置電極530中的每一個時，作為從像素電極210和對置電極530釋放出的、可在有機發射層522處結合的空穴和電子而產生的激子，可從激發態變為基態以產生藍色光。由于第三連接圖案部500b的中間層520，即中間層520的第十二區域，布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當電信號施加于第三堆疊結構500的對置電極530時，也不會發光。
[0102]由于第一至第三堆疊結構300至500可獨立且分離地圖案化，因此，至少兩個連接圖案部可在非發射部NR上，即在像素限定膜180的上表面的一部分上重疊。如圖1、圖2的線B-B’和圖3中所示，第一堆疊結構300的第一連接圖案部300b和第三堆疊結構500的第三連接圖案部500b可在像素限定膜180上重疊，第二堆疊結構400的第二連接圖案部400b和第三堆疊結構500的第三連接圖案部500b可在像素限定膜180上重疊，或者第一堆疊結構300的第一連接圖案部300b和第二堆疊結構400的第二連接圖案部400b可在像素限定膜180上重置。
[0103]在當前實施例中，兩個連接圖案部在非發射部NR上，即在像素限定膜180上重疊。在示例性實施例中，三個連接圖案部可在非發射部NR上，即在像素限定膜180上重疊。
[0104]第一至第三堆疊結構300至500的對置電極330至530可通過接觸外部電極電源線而接收電信號。根據示例性實施例，電信號可獨立地傳送給第一至第三堆疊結構300至500的對置電極330至530。根據示例性實施例，電信號可同時地傳送給第一至第三堆疊結構300至500的對置電極330至530。
[0105]圖4示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性俯視圖。
[0106]在示例性實施例中，以上參照圖1至圖3描述的有機發光顯示設備可包括發射不同的光且可以矩陣形式排布的第一至第三發射部Rl至R3。
[0107]參照圖4，第一至第三發射部Rl至R3中的至少一個可以以菱形形式排布，或以例如蜂窩狀(pentile)形式之類的多種形式中的一種排布。
[0108]圖5至圖15示出描述根據示例性實施例的制造有機發光顯示設備的方法的視圖。
[0109]圖5示出基板100的示意性側視圖，在基板100上布置有多個發射部，即第一至第三發射部Rl至R3，并且圖6示出圖5的俯視圖。
[0110]參照圖5和圖6，像素電路PC可形成在基板100上。像素電路PC可包括TFT和電容器。在形成像素電路PC之前，可在基板100上形成緩沖層，以防止雜質滲入到基板100中。
[0111]像素電路PC可根據第一至第三發射部Rl至R3對應于像素而形成，并且由具有大致平坦的上表面的絕緣膜150覆蓋。
[0112]然后，可在絕緣膜150上形成金屬膜，之后根據第一至第三發射部Rl至R3對金屬膜圖案化，以形成像素電極210。像素電極210可以以島型圖案化為對應于第一至第三發射部Rl至R3而彼此隔開，像素電極210的材料已在上文參照圖1至圖3進行了描述。
[0113]可在其上形成有像素電極210的基板100上形成有機絕緣膜，然后將有機絕緣膜圖案化，以形成像素限定膜180。像素限定膜180可具有暴露像素電極210的上表面的至少一部分的開口 0P。像素限定膜180的開口 OP可分別對應于第一至第三發射部Rl至R3，并且布置有像素限定膜180的區域可對應于非發射部NR。
[0114]圖7和圖8示出描述形成具有第一圖案SI的第一堆疊結構300的過程的剖視圖，并且圖9示出圖8的俯視圖。
[0115]參照圖7，可形成第一掩膜圖案Ml以覆蓋基板100的整個表面，但第一發射部Rl和非發射部NR的用于連接第一發射部Rl的第一區域(下文中，稱為第一非發射部)NR1除外。圖7的附圖標記01指代第一掩膜圖案Ml的、可暴露第一發射部Rl和第一非發射部NRl的開口。第一非發射部NRl可以是與第一堆疊結構300的第一連接圖案部300b對應的區域，其可經由后面描述的剝離工藝形成。
[0116]第一掩膜圖案Ml可由聚合物材料形成。在實施例中，聚合物材料可在剝離工藝期間令人滿意地在溶劑中溶解，且幾乎不影響中間層320。
[0117]然后，可在其上形成有第一掩膜圖案Ml的基板100上順序形成中間層320和對置電極330。中間層320可包括第一中間層321、實現紅色的有機發射層322和第二中間層323。第一中間層321、有機發射層322、第二中間層323和對置電極330已在上面參照圖1至圖3進行了描述。
[0118]根據示例性實施例，第一掩膜圖案Ml的厚度可比中間層320和對置電極330的厚度之和更厚。可形成在第一發射部Rl和用于連接第一發射部Rl的第一非發射部NRl上的中間層320和對置電極330可與可形成在第一掩膜圖案Ml上的中間層320和對置電極330不連續。
[0119]參照圖8和圖9，第一掩膜圖案Ml可用剝離工藝去除。具有第一圖案SI的第一堆疊結構300可在第一掩膜圖案Ml去除時形成在基板100上。
[0120]如圖8和圖9所不，第一堆疊結構300可包括分別對應于第一發射部Rl的第一發射圖案部300a，以及連接第一發射圖案部300a的第一連接圖案部300b，其中第一發射圖案部300a和第一連接圖案部300b形成第一圖案SI。第一堆疊結構300的第一發射圖案部300a可布置在通過像素限定膜180的開口 OP暴露的像素電極210上，并且第一堆疊結構300的第一連接圖案部300b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0121]由于第一發射圖案部300a的中間層320布置在像素電極210與對置電極330之間，因此，當電信號施加于像素電極210和對置電極330中的每一個時，作為從像素電極210和對置電極330釋放出的、可在有機發射層322處結合的空穴和電子而產生的激子，可從激發態變為基態以產生紅色光。由于第一連接圖案部300b的中間層320布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當電信號施加于第一堆疊結構300的對置電極330時，也不會發光。
[0122]圖10和圖11示出描述形成具有第二圖案S2的第二堆疊結構400的過程的剖視圖，并且圖12示出圖11的俯視圖。
[0123]參照圖10，可形成第二掩膜圖案M2以覆蓋基板100的整個表面，但第二發射部R2和非發射部NR的用于連接第二發射部R2的第二區域(下文中，稱為第二非發射部)NR2除外。圖10的附圖標記02指代第二掩膜圖案M2的、可暴露第二發射部R2和第二非發射部NR2的開口。第二非發射部NR2可以是與第二堆疊結構400的第二連接圖案部400b對應的區域，其可經由后面描述的剝離工藝形成。
[0124]第二掩膜圖案M2可由聚合物材料形成。在實施例中，聚合物材料可在剝離工藝期間令人滿意地在溶劑中溶解，且幾乎不影響中間層420。
[0125]然后，可在其上形成有第二掩膜圖案M2的基板100上順序形成中間層420和對置電極430。中間層420可包括第一中間層421、實現綠色的有機發射層422和第二中間層423。第一中間層421、有機發射層422、第二中間層423和對置電極430已在上面參照圖1至圖3進行了描述。
[0126]根據示例性實施例，第二掩膜圖案M2的厚度可比中間層420和對置電極430的厚度之和更厚。可形成在第二發射部R2和用于連接第二發射部R2的第二非發射部NR2上的中間層420和對置電極430可與可形成在第二掩膜圖案M2上的中間層420和對置電極430不連續。
[0127]參照圖11和圖12，第二掩膜圖案M2可用剝離工藝去除。具有第二圖案S2的第二堆疊結構400可在第二掩膜圖案M2去除時形成在基板100上。
[0128]如圖11和12所示，第二堆疊結構400可具有第二圖案S2，第二圖案S2包括分別對應于第二發射部R2的第二發射圖案部400a以及連接第二發射圖案部400a的第二連接圖案部400b。第二堆疊結構400的第二發射圖案部400a可布置在通過像素限定膜180的開口 OP暴露的像素電極210上，并且第二堆疊結構400的第二連接圖案部400b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0129]由于第二發射圖案部400a的中間層420布置在像素電極210與對置電極430之間，因此，當電信號施加于像素電極210和對置電極430中的每一個時，作為從像素電極210和對置電極430釋放出的、可在有機發射層422處結合的空穴和電子而產生的激子，可從激發態變為基態以產生綠色光。由于第二連接圖案部400b的中間層420布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當電信號施加于第二堆疊結構400的對置電極430時，也不會發光。
[0130]圖13和圖14示出描述形成具有第三圖案S3的第三堆疊結構500的過程的剖視圖，并且圖15示出圖14的俯視圖。
[0131]參照圖13，可形成第三掩膜圖案M3以覆蓋基板100的整個表面，但第三發射部R3和非發射部NR的用于連接第三發射部R3的第三區域(下文中，稱為第三非發射部)NR3除外。圖13的附圖標記03指代第三掩膜圖案M3的、可暴露第三發射部R3和第三非發射部NR3的開口。第三非發射部NR3可以是與第三堆疊結構500的第三連接圖案部500b對應的區域，其可經由后面描述的剝離工藝形成。
[0132]第三掩膜圖案M3可由聚合物材料形成。在實施例中，聚合物材料可在剝離工藝期間令人滿意地在溶劑中溶解，且幾乎不影響中間層520。
[0133]然后，可在其上形成有第三掩膜圖案M3的基板100上順序形成中間層520和對置電極530。中間層520可包括第一中間層521、實現藍色的有機發射層522和第二中間層523。第一中間層521、有機發射層522、第二中間層523和對置電極530已在上面參照圖1至圖3進行了描述。
[0134]根據示例性實施例，第三掩膜圖案M3的厚度可比中間層520和對置電極530的厚度之和更厚。可形成在第三發射部R3和用于連接第三發射部R3的第三非發射部NR3上的中間層520和對置電極530可與可形成在第三掩膜圖案M3上的中間層520和對置電極530不連續。
[0135]參照圖14和圖15，第三掩膜圖案M3可用剝離工藝去除。具有第三圖案S3的第三堆疊結構500可在第三掩膜圖案M3去除時形成在基板100上。
[0136]如圖14和圖15所示，第三堆疊結構500可包括分別對應于第三發射部R3的第三發射圖案部500a，以及連接第三發射圖案部500a的第三連接圖案部500b，其中第三發射圖案部500a和第三連接圖案部500b形成第三圖案S3。第三堆疊結構500的第三發射圖案部500a可布置在通過像素限定膜180的開口 OP暴露的像素電極210上，并且第三堆疊結構500的第三連接圖案部500b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0137]由于第三發射圖案部500a的中間層520布置在像素電極210與對置電極530之間，因此，當電信號施加于像素電極210和對置電極530中的每一個時，作為從像素電極210和對置電極530釋放出的、可在有機發射層522處結合的空穴和電子而產生的激子，可從激發態變為基態以產生藍色光。由于第三連接圖案部500b的中間層520布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當電信號施加于第三堆疊結構500的對置電極530時，也不會發光。
[0138]在實施例中，第一至第三堆疊結構300至500可在圖5至圖15中順序形成。由于第一至第三堆疊結構300至500可獨立地，例如單獨地，被圖案化，因此可改變圖案化順序。
[0139]根據一個或多個示例性實施例，第一至第三堆疊結構300至500的中間層320至520和對置電極330至530可被一起圖案化，從而可不需要用于圖案化對置電極330至530的分離過程。由于中間層320至520的上表面可在被對置電極330至530覆蓋的同時被圖案化，因此，中間層320至520的上表面可被對置電極330至530保護，并且可減小雜質被布置在中間層320至520與對置電極330至530之間的可能性。
[0140]圖16示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性剖視圖。
[0141]參照圖16，可在第一至第三堆疊結構300至500的對置電極330至530中至少之一上布置保護膜600。根據一些示例性實施例，當對置電極330至530為包括例如Ag-Mg合金的金屬的(半)透明電極時，在對置電極330至530暴露于氧并被氧化時會降低透明度，但當在對置電極330至530上布置有保護膜600時，可防止對置電極330至530的氧化。
[0142]保護膜600可包括傳導材料或非傳導(絕緣)材料。根據示例性實施例，當有機發光顯示設備為頂發射型時，保護膜600可包括具有透明度的有機材料和/或無機材料。根據示例性實施例，當有機發光顯示設備為底發射型時，保護膜600可包括不透明材料。
[0143]在制造第一至第三堆疊結構300至500時，保護膜600可與中間層320至520以及對置電極330至530—起被圖案化。保護膜600可具有與中間層320至520和對置電極330至530基本相同的圖案。
[0144]圖17示出根據示例性實施例的有機發光顯示設備的示意性剖視圖。
[0145]參照圖17，可在基板100上布置保護膜600’，以覆蓋第一至第三堆疊結構300至500。例如，可在基板100上形成保護膜600’，以整體覆蓋第一至第三堆疊結構300至500中的全部。
[0146]保護膜600’可包括傳導材料或非傳導(絕緣)材料。根據示例性實施例，當有機發光顯示設備為頂發射型時，保護膜600’可包括具有透明度的有機材料和/或無機材料。根據示例性實施例，當有機發光顯示設備為底發射型時，保護膜600 ’可包括不透明材料。
[0147]可經由與第一至第三堆疊結構300至500分離的過程來形成保護膜600’。例如，可在形成第一至第三堆疊結構300至500之后，形成保護膜600 ’，以覆蓋基板100的整個表面。
[0148]如上所述，根據一個或多個示例性實施例，可提供其中通過減小IR降而抑制亮度偏差出現的有機發光顯示設備。
[0149]本文中已公開了示例性實施例，并且盡管采用了特定的詞語，但這些詞語僅以通用和描述性的意義上來使用和解釋，而不用于限制目的。在一些實例中，到遞交本申請為止，對于本領域技術人員來說，顯而易見的是，結合特定實施例描述的特征、特性和/或元素可單獨使用，或可與結合其它實施例描述的特征、特性和/或元素結合使用，除非另有特別指示。因此，本領域技術人員將理解，可在不背離所附權利要求給出的本發明的精神和范圍的情況下做出形式上和細節上的多種改變。
【主權項】
1.一種有機發光顯不設備，包括: 基板，包括用于實現第一顏色的多個第一發射部和用于實現第二顏色的多個第二發射部； 像素限定膜，用于限定所述多個第一發射部和所述多個第二發射部； 多個像素電極，彼此分離并且分別與所述多個第一發射部相對應；以及第一堆疊結構，包括中間層和位于所述中間層上的對置電極，所述中間層包括發射所述第一顏色的光的有機發射層， 所述第一堆疊結構進一步包括:分別與所述多個第一發射部相對應的第一發射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第一連接圖案部，所述第一連接圖案部連接所述第一發射圖案部。2.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第一連接圖案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。3.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第一堆疊結構的所述對置電極包括: 第一區域，面對分別與所述多個第一發射部相對應的所述多個像素電極；以及 連接所述第一區域的第二區域。4.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第一堆疊結構的所述中間層包括: 第三區域，位于分別與所述多個第一發射部相對應的所述多個像素電極上；以及 連接所述第三區域的第四區域。5.如權利要求4所述的有機發光顯示設備，其中: 所述像素限定膜包括與所述多個第一發射部相對應的開口，并且所述第三區域位于分別與所述開口相對應的位置處，并且所述第四區域位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。6.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第一堆疊結構的所述中間層和所述第一堆疊結構的所述對置電極具有相同的圖案。7.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中: 所述第一堆疊結構的所述中間層進一步包括在遠離所述對置電極的方向上位于所述有機發射層下的第一中間層，并且 所述有機發射層位于所述對置電極與所述第一中間層之間。8.如權利要求7所述的有機發光顯示設備，其中所述第一中間層包括空穴傳輸層。9.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，進一步包括第二堆疊結構，所述第二堆疊結構包括中間層和位于該中間層上的對置電極，所述第二堆疊結構的中間層包括發射所述第二顏色的光的有機發射層， 其中所述第二堆疊結構進一步包括:分別與所述多個第二發射部相對應的第二發射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第二連接圖案部，所述第二連接圖案部連接所述第二發射圖案部。10.如權利要求9所述的有機發光顯示設備，其中所述第二連接圖案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。11.如權利要求10所述的有機發光顯示設備，其中所述第一連接圖案部中的至少一個與所述第二連接圖案部中的至少一個在所述像素限定膜的所述上表面的所述一部分上彼此重疊。12.如權利要求9所述的有機發光顯示設備，其中所述第二堆疊結構的對置電極包括: 第五區域，面對分別與所述多個第二發射部相對應的所述多個像素電極；以及 連接所述第五區域的第六區域。13.如權利要求9所述的有機發光顯示設備，其中所述第二堆疊結構的中間層包括: 第七區域，位于分別與所述多個第二發射部相對應的所述多個像素電極上；以及 連接所述第七區域的第八區域。14.如權利要求9所述的有機發光顯示設備，其中所述第二堆疊結構的中間層和所述第二堆疊結構的對置電極具有相同的圖案。15.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，進一步包括位于所述第一堆疊結構的對置電極上的保護膜。16.如權利要求15所述的有機發光顯示設備，其中所述保護膜具有與所述第一堆疊結構的中間層和對置電極相同的圖案。17.如權利要求15所述的有機發光顯示設備，其中: 所述第一堆疊結構的對置電極包括半透射金屬層，并且 所述保護膜是透明的。18.一種制造有機發光顯示設備的方法，該方法包括: 制備基板，所述基板包括用于實現第一顏色的多個第一發射部和用于實現第二顏色的多個第二發射部； 形成多個像素電極，所述多個像素電極具有島形，以便彼此分離并且分別與所述基板的所述多個第一發射部相對應； 在所述基板上形成像素限定膜，所述像素限定膜包括與所述多個第一發射部和所述多個第二發射部相對應的開口 ；以及 形成第一堆疊結構，所述第一堆疊結構包括中間層和位于所述中間層上的對置電極，所述中間層包括發射所述第一顏色的光的有機發射層， 所述第一堆疊結構進一步包括:與所述多個第一發射部分別相對應的第一發射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第一連接圖案部，所述第一連接圖案部連接所述第一發射圖案部。19.如權利要求18所述的方法，其中所述第一堆疊結構的所述第一連接圖案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。20.如權利要求18所述的方法，其中所述第一堆疊結構的中間層和所述第一堆疊結構的對置電極具有相同的圖案。21.如權利要求18所述的方法，其中形成第一堆疊結構包括: 在所述基板上形成掩膜圖案，所述掩膜圖案包括暴露所述多個第一發射部的開口以及連接所述多個第一發射部的第一非發射部，所述第一非發射部與所述像素限定膜的上表面的一部分相對應； 在其上形成有所述掩膜圖案的所述基板的整個表面上形成所述中間層，所述中間層包括發射所述第一顏色的光的所述有機發射層； 在所述中間層上形成所述對置電極；以及 去除所述掩膜圖案，使得保留分別與所述多個第一發射部相對應的所述第一發射圖案部，并保留與所述第一非發射部相對應并連接所述第一發射圖案部的所述第一連接圖案部。22.如權利要求18所述的方法，其中: 所述第一堆疊結構的中間層進一步包括在遠離所述對置電極的方向上位于所述有機發射層下的第一中間層，并且 所述有機發射層位于所述對置電極與所述第一中間層之間。23.如權利要求22所述的方法，其中所述第一中間層包括空穴傳輸層。24.如權利要求18所述的方法，進一步包括形成第二堆疊結構，所述第二堆疊結構包括中間層和位于該中間層上的對置電極，該中間層包括發射所述第二顏色的光的有機發射層， 其中所述第二堆疊結構進一步包括:分別與所述多個第二發射部相對應的第二發射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第二連接圖案部，所述第二連接圖案部連接所述第二發射圖案部。25.如權利要求24所述的方法，其中所述第二連接圖案部中的至少一個與所述第一連接圖案部中的至少一個在所述像素限定膜的上表面的一部分上彼此重疊。26.如權利要求24所述的方法，其中所述第二堆疊結構的中間層和所述第二堆疊結構的對置電極具有相同的圖案。27.如權利要求18所述的方法，進一步包括在所述第一堆疊結構的對置電極上形成保護膜。28.如權利要求27所述的方法，其中所述保護膜具有與所述第一堆疊結構的中間層和對置電極相同的圖案。
【文檔編號】H01L27/32GK105914221SQ201610053924
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月27日
【發明人】鄭知泳, 樸正善, 申旼洙, 黃仁性
【申請人】三星顯示有限公司