一種LED芯片的wafer分區測試方法
【專利摘要】一種LED芯片的wafer分區測試方法，屬于LED生產應用技術領域，對位于芯片外周的20～40圈的各晶粒進行逐一wafer測試，對位于芯片上述逐一wafer測試圈內的各晶粒按抽測比進行wafer測試。本發明結合LED芯片外延生長的特性，wafer光電性能呈現邊緣離散，由邊緣向中間區域集中的總體趨勢，兼顧LED芯片wafer的品質與點測效率，本發明采用邊緣光電性能離散區域全點測，中間光電性能集中區域抽測的方式，既對于LED芯片邊緣實現了精準點測，又達到了LED芯片wafer品質與點測效率的提升的目的。
【專利說明】
一種LED芯片的wafer分區測試方法
技術領域
[0001 ]本發明屬于LED生產應用技術領域，具體涉及LED芯片的WIfer測試技術。
【背景技術】
[0002]四元系LED芯片由于其發光效率高，顏色范圍廣，使用壽命長而受到半導體照明界的廣泛重視，已被大量應用于大屏顯示、交通信號燈、景觀照明、汽車狀態顯示等各個領域。
[0003]四元系LED芯片制作工藝中rafer的測試方法是將整片芯片進行半切割，將PN結分開后，測試機對wafer進行掃描，定義出每顆半切割后晶粒的坐標，再依據掃描晶粒坐標進行點測，記錄其光電參數，而每一片LED芯片有十萬顆左右，業內做法是，每片LED芯片按晶粒每隔一定粒數抽測的方式，但存在以下問題:
四元系LED芯片是在GaAs基板上通過MOCVD外延技術生長一層具有PN結的發光層，芯片在外延生長中呈現邊緣的光電性能較差，中間光電性能比較好的特點，若采用對每顆晶粒進行點測，則會相當耗時，效率低下，成本增加;若采用隔一定數量的晶粒進行抽測的方法，效率雖然得到提升，但會增加wafer邊緣區域NG晶粒，增加品質異常的風險。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是提供一種既能提高wafer測試效率，又能降低NG晶粒漏檢率的LED芯片的waf er分區測試方法。
[0005]本發明方法是:對位于芯片外周的20?40圈的各晶粒進行逐一 wafer測試，對位于芯片上述逐一 wafer測試圈內的各晶粒按抽測比進行wafer測試。
[0006]本發明結合LED芯片外延生長的特性，wafer光電性能呈現邊緣離散，由邊緣向中間區域集中的總體趨勢，兼顧LED芯片wafer的品質與點測效率，本發明采用邊緣光電性能離散區域全點測，中間光電性能集中區域抽測的方式，既對于LED芯片邊緣實現了精準點測，又達到了LED芯片wafer品質與點測效率的提升的目的。
[0007]通常2?4英寸的LED芯片，所述抽測比為10?40%，可以提升測試效率20?50%。
【具體實施方式】
[0008]在GaAs基板的一面通過MOCVD外延技術生長一層具有PN結的發光層，即芯片的PN連接面。
[0009]在發光層上沉積上一層AuBe薄膜層，通過光刻、蝕刻以等間距圖案排列，在400?500°C下進行P極合金，制成各晶粒的正電極。
[0010]在GaAs基板上沉積一層AuGe薄膜層，在300?500°C下進行N極合金，制成各晶粒的負電極。
[0011]通過以上工藝，取得了具有多晶粒的芯片半制品。
[0012]將藍膜粘附在負電極的外表面，然后用金剛石切割刀按前面工藝所形成的各晶粒圖案對芯片進行等間距半分割。
[0013]將LED芯片wafer掃描完成后，借助點測機定義出每顆晶顆的坐標，并形成掃描mapping圖(晶元圖)，然后向點測機控制臺輸入外圈的圈數和內圈的抽測比例值，點測機則依據設定的數值進行自動點測。
[0014]通常輸入的外圈圈數為20?40圈，點測機則對該設計定圈的每個晶粒進行檢測。
[0015]實際檢測時，針對不同直徑的LED芯片，內圈的抽測比例不同，如2?4英寸的LED芯片wafer內圈的抽測比例約10?40%，點測機則對該抽測比例對內圈的晶粒進行抽檢。
[0016]采用本發明方法對于LED芯片邊緣精準點測，實現了LED芯片wafer品質與點測效率的提升。
[0017]對于4英寸的LED芯片wafer檢測，采用本發明方法較對每顆晶粒進行點測的方法效率提高檢測效率45%，采用本發明方法較對隔一定數量的晶粒進行抽測的方法降低NG晶粒漏檢率50%。
【主權項】
1.一種LED芯片的er分區測試方法，其特征在于:對位于LED芯片外周的20?40圈的各晶粒進行逐一 wafer測試，對位于芯片上述逐一 wafer測試圈內的各晶粒按抽測比進行wafer測試。2.根據權利要求1所述LED芯片的wafer分區測試方法，其特征在于:所述抽測比為10?40%。
【文檔編號】H01L21/66GK105914161SQ201610294826
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月5日
【發明人】肖和平, 陳亮, 馬祥柱, 鄭曉波, 楊凱, 張雙翔
【申請人】揚州乾照光電有限公司