雙面帶有隔片的密封用片、以及半導體裝置的制造方法

雙面帶有隔片的密封用片、以及半導體裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種雙面帶有隔片的密封用片，其具備密封用片、層疊于密封用片的一個面的隔片A、和層疊于密封用片的另一個面的隔片B，在將密封用片與隔片A之間的剝離力設為F1，將密封用片與隔片B之間的剝離力設為F2，將除去密封用片以外的厚度設為t，將密封用片的面積設為A時，它們滿足特定的關系。
【專利說明】
雙面帶有隔片的密封用片、從及半導體裝置的制造方法
技術領域
[0001] 本發明設及雙面帶有隔片的密封用片、W及半導體裝置的制造方法。
【背景技術】
[0002] W往，作為半導體裝置的制造方法，已知有在將固定于基板等上的1個或多個半導 體忍片用密封樹脂密封后、將密封體切割為半導體裝置單元的封裝件的方法。作為此種密 封樹脂，例如已知有由熱固性樹脂構成的密封用片(例如參照專利文獻1)。
[0003] 現有技術文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻1:日本特開2006-19714號公報

【發明內容】

[0006] 發明所要解決的問題
[0007] 如上所述的密封用片通常在使用前將兩面W隔片覆蓋。此外，在使用時，剝離一個 面的隔片，在經過給定的工序后剝離另一個面的隔片。然而，存在有在剝離隔片時密封用片 有時會破裂的問題。
[0008] 本發明是鑒于上述的問題而完成的，其目的在于，提供能夠抑制在剝離隔片時在 密封用片中產生破裂的雙面帶有隔片的密封用片、W及使用了該雙面帶有隔片的密封用片 的半導體裝置的制造方法。
[0009] 用于解決問題的方法
[0010] 本發明人等對所述問題進行了深入研究。其結果是發現，如果2片隔片的剝離力滿 足特定的關系，就可W在隔片的剝離時抑制密封用片的破裂，從而完成了本發明。
[0011] 目P，本發明是一種雙面帶有隔片的密封用片，其特征在于，具備：
[0012] 密封用片、
[0013] 層疊于所述密封用片的一個面的隔片A、和
[0014] 層疊于所述密封用片的另一個面的隔片B，
[0015] 在將所述密封用片與所述隔片A之間的剝離力設為F1，將所述密封用片與所述隔 片B之間的剝離力設為F2,將所述密封用片的厚度設為t，將所述密封用片的面積設為A時， 滿足下述(1)的關系。
[0016] (l)0<F2(N/20mm)XA(m2)Xt(mm)<10.0(其中，滿足 F1<F2。）
[0017] 根據所述構成，由于滿足所述（1)，因此可W抑制剝離隔片削寸的密封用片的破裂。 本發明人等發現，密封用片的破裂容易度不僅同其與隔片之間的剝離力有關聯，而且還同 密封用片的厚度、面積有關聯。即發現，在剝離隔片時，密封用片的厚度t越厚則越容易破 裂，面積A越大則越容易破裂。此外發現，如果在隔片B與密封用片的剝離力F2上乘W密封用 片的厚度t和面積A而得的積小于10.0,則可W抑制剝離隔片B時的密封用片的破裂。而且， 如果在剝離隔片B時在密封用片中沒有產生破裂，則在隔片A的剝離時當然不會在密封用片 中產生破裂。運是因為，隔片A與密封用片的剝離力小于隔片B與密封用片的剝離力。而且， F1<F2是為了先剝離隔片A而必需的參數。
[0018] 另外，本發明是一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：
[0019] 工序A，準備在支撐體上固定有半導體忍片的層疊體；
[0020] 工序B，準備所述雙面帶有隔片的密封用片；
[0021] 工序C，從所述雙面帶有隔片的密封用片剝離所述隔片A而得到單面帶有隔片的密 封用片；
[0022] 工序D，W使所述單面帶有隔片的密封用片的剝離了所述隔片B的一側的面與所述 層疊體的所述半導體忍片的面相面對的方式，將所述單面帶有隔片的密封用片配置于所述 層疊體的所述半導體忍片上；
[0023] 工序E，將所述半導體忍片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述 半導體忍片的密封體;和
[0024] 工序F，剝離所述隔片B。
[0025] 根據所述構成，在從所述雙面帶有隔片的密封用片剝離所述隔片A、形成密封體 后，剝離隔片B。由于雙面帶有隔片的密封用片滿足所述式（1)，因此可W抑制剝離隔片A及 隔片B時的破裂。因而，可W提高使用該雙面帶有隔片的密封用片制造的半導體裝置的成品 率。
[0026] 發明效果
[0027] 根據本發明，可W提供能夠抑制在剝離隔片時在密封用片中產生破裂的雙面帶有 隔片的密封用片、W及使用了該雙面帶有隔片的密封用片的半導體裝置的制造方法。
【附圖說明】
[0028] 圖1是本實施方式的雙面帶有隔片的密封用片的剖面示意圖。
[0029] 圖2是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0030] 圖3是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0031] 圖4是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0032] 圖5是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0033] 圖6是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0034] 圖7是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0035] 圖8是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0036] 圖9是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0037] 圖10是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0038] W下，在參照附圖的同時，對本發明的實施方式進行說明。但是，本發明并不僅限 定于運些實施方式。
[0039] (雙面帶有隔片的密封用片）
[0040] 圖1是本實施方式的雙面帶有隔片的密封用片10的剖面示意圖。如圖1所示，雙面 帶有隔片的密封用片10具備密封用片11、層疊于密封用片11的一個面的隔片16a、和層疊于 密封用片11的另一個面的隔片16b。隔片16a相當于本發明的隔片A。另外，隔片16b相當于本 發明的隔片B。
[0041]在將密封用片11與隔片16a之間的剝離力設為F1，將密封用片11與隔片16b之間的 剝離力設為F2,將密封用片11的厚度設為t，將密封用片11的面積設為A時，雙面帶有隔片的 密封用片10滿足下述(1)的關系。
[00 創（l)0<F2(N/20mm)XA(m2)Xt(mm)<10.0(其中，滿足 F1<F2。）
[0043] 由于雙面帶有隔片的密封用片10滿足所述（1)，因此在剝離隔片16a、隔片16b時， 可W抑制密封用片11的破裂。
[0044] 所述(1)優選滿足下述(1-1)。
[0045] (l-l)l.〇Xl〇-7<F2(N/20mm)XA(m2)Xt(m)<5.0
[0046] 隔片16a的厚度沒有特別限定，然而從防止被認為在大面積時容易產生的彎曲的 觀點考慮，優選為50μηι W上，更優選為7 5μηι W上。另外，從隔片的剝離容易度的觀點考慮，優 選為300μηι W下，更優選為200μηι W下。
[0047] 隔片16b的厚度沒有特別限定，然而從隔片剝離時的處置性的觀點考慮，優選為10 ymW上，更優選為上。另外，從隔片的剝離容易度的觀點考慮，優選為200ymW下，更 優選為100皿W下。
[0048] 作為隔片16a及隔片16b，例如可W使用紙等紙系基材;布、無紡布、毛拉、網狀物等 纖維系基材;金屬錐、金屬板等金屬系基材;塑料片等塑料系基材;橡膠片等橡膠系基材;發 泡片等發泡體、或它們的層疊體[特別是塑料系基材與其他基材的層疊體、塑料片之間的層 疊體等]等恰當的紙張狀物。本發明中，可W合適地使用塑料系基材。作為所述塑料系基材 的原材料，例如可W舉出聚乙締(PE)、聚丙締(PP)、乙締-丙締共聚物等締控系樹脂；乙締- 乙酸乙締醋共聚物化VA)、離聚物樹脂、乙締-(甲基）丙締酸共聚物、乙締-(甲基)丙締酸醋 (無規、交替)共聚物等W乙締作為單體成分的共聚物;聚對苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚糞 二甲酸乙二醇醋（PEN)、聚對苯二甲酸下二醇醋（PBT)等聚醋；丙締酸系樹脂；聚氯乙締 (PVC);聚氨醋;聚碳酸醋;聚苯硫酸(PPS);聚酷胺(尼龍）、全芳香族聚酷胺巧族聚酷胺)等 酷胺系樹脂;聚酸酸酬(P邸K);聚酷亞胺;聚酸酷亞胺;聚偏二氯乙締;ABS(丙締臘-下二締- 苯乙締共聚物）；纖維素系樹脂;娃酬樹脂;氣樹脂等。隔片16a既可W是單層，也可W是巧中 W上的多層。而且，作為隔片16a的制造方法，可W利用W往公知的方法形成。
[0049] 隔片16a及隔片16b也可W在滿足所述（1)的范圍內，被進行剝離處理，也可W不被 進行脫模處理。例如，在隔片16a和隔片16b使用相同材質的材料的情況下，可W利用脫模處 理的有無來使之滿足所述(1)。
[0050] 作為所述脫模處理中所用的脫模劑，可W舉出氣系脫模劑、長鏈烷基丙締酸醋系 脫模劑、娃酬系脫模劑等。其中，優選娃酬系脫模劑。
[0051] 雙面帶有隔片的密封用片10的俯視時的大小及形狀沒有特別限定，然而可W設為 各邊的長度分別為300mmW上的矩形、或各邊的長度分別為500mmW上的矩形。另外，可W設 為直徑為200mmW上的圓形。在將雙面帶有隔片的密封用片設為大面積的情況下，特別容易 產生彎曲。然而，本實施方式的雙面帶有隔片的密封用片10即使采用大面積的材料，在隔片 16a的厚度為50皿W上的情況下，也容易抑制彎曲。
[0052] (密封用片）
[0053] 密封用片11的構成材料優選含有環氧樹脂、W及作為固化劑的酪醒樹脂。由此，就 可W得到良好的熱固性。
[0054] 作為所述環氧樹脂，沒有特別限定。例如，可W使用Ξ苯基甲燒型環氧樹脂、甲酪 線性酪醒型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改性雙酪A型環氧樹脂、雙酪A型環氧樹脂、雙酪F型 環氧樹脂、改性雙酪F型環氧樹脂、雙環戊二締型環氧樹脂、苯酪線性酪醒型環氧樹脂、苯氧 基樹脂等各種環氧樹脂。運些環氧樹脂既可W單獨使用，也可W并用巧巾W上。
[0055] 從確保環氧樹脂的固化后的初性及環氧樹脂的反應性的觀點考慮，優選環氧當量 為150~250、軟化點或烙點為50~130 °C的在常溫下為固體的環氧樹脂，其中，從可靠性的 觀點考慮，更優選Ξ苯基甲燒型環氧樹脂、甲酪線性酪醒型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。
[0056] 所述酪醒樹脂只要是在與環氧樹脂之間發生固化反應的樹脂，就沒有特別限定。 例如，可W使用苯酪線性酪醒樹脂、苯酪芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、雙環戊二締型酪醒 樹脂、甲酪線性酪醒樹脂、甲階酪醒樹脂等。運些酪醒樹脂既可W單獨使用，也可W并用巧中 社。
[0057] 作為所述酪醒樹脂，從與環氧樹脂的反應性的觀點考慮，優選使用徑基當量為70 ~250、軟化點為50~11(TC的酪醒樹脂，其中，從固化反應性高的觀點考慮，可W合適地使 用苯酪線性酪醒樹脂。另外，從可靠性的觀點考慮，也可W合適地使用苯酪芳烷基樹脂或聯 苯芳烷基樹脂之類的低吸濕性的酪醒樹脂。
[0058] 對于環氧樹脂與酪醒樹脂的配合比例，從固化反應性的觀點考慮，優選W相對于 環氧樹脂中的環氧基1當量使酪醒樹脂中的徑基的合計為0.7~1.5當量的方式配合，更優 選為0.9~1.2當量。
[0059] 密封用片11中的環氧樹脂及酪醒樹脂的合計含量優選為2.5重量％ ^上，更優選 為3.0重量％^上。如果為2.5重量％^上，則可W良好地獲得與半導體忍片23、半導體晶片 22等的膠粘力。密封用片11中的環氧樹脂及酪醒樹脂的合計含量優選為20重量％^下，更 優選為10重量％^下。如果為20重量％^下，則可W降低吸濕性。
[0060] 密封用片11也可W含有熱塑性樹脂。由此，就可W獲得未固化時的處置性、固化物 的低應力性。
[0061] 作為所述熱塑性樹脂，可W舉出天然橡膠、下基橡膠、異戊二締橡膠、氯下橡膠、乙 締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締樹脂、聚碳酸 醋樹脂、熱塑性聚酷亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚酷胺樹脂、苯氧基樹脂、丙締酸類樹 脂、PET或PBT等飽和聚醋樹脂、聚酷胺酷亞胺樹脂、氣樹脂、苯乙締-異下締-苯乙締嵌段共 聚物等。運些熱塑性樹脂可W單獨地使用，或并用巧巾W上。其中，從低應力性、低吸水性的 觀點考慮，優選苯乙締-異下締-苯乙締嵌段共聚物。
[0062] 密封用片11中的熱塑性樹脂的含量優選設為1.5重量％ ^上，更優選設為2.0重 量％^上。如果為1.5重量％^上，則可W獲得柔軟性、曉曲性。密封用片11中的熱塑性樹脂 的含量優選為6重量％ ^下，更優選為4重量％^下。如果為4重量％ ^下，則與半導體忍片 23或半導體晶片22的膠粘性良好。
[0063] 密封用片11優選含有無機填充劑。
[0064] 所述無機填充劑沒有特別限定，可W使用W往公知的各種填充劑，例如可W舉出 石英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃或結晶性二氧化娃等）、氧化侶、氮化侶、氮化娃、 氮化棚的粉末。它們既可w單獨使用，也可w并用巧中w上。其中，從可w良好地降低線膨脹 系數的理由考慮，優選二氧化娃、氧化侶，更優選二氧化娃。
[0065] 作為二氧化娃，優選二氧化娃粉末，更優選烙融二氧化娃粉末。作為烙融二氧化娃 粉末，可W舉出球狀烙融二氧化娃粉末、破碎烙融二氧化娃粉末，然而從流動性的觀點考 慮，優選球狀烙融二氧化娃粉末。其中，優選平均粒徑為10~30WI1的范圍的粉末，更優選15 ~25]im的范圍的粉末。
[0066] 而且，平均粒徑例如可W通過使用從母集團中任意地提取的試樣、并用激光衍射 散射式粒度分布測定裝置進行測定而導出。
[0067] 密封用片11中的所述無機填充劑的含量相對于密封用片11整體優選為75~95重 量％，更優選為78~95重量％。如果所述無機填充劑的含量相對于密封用片11整體為75重 量％ ^上，則會壓低熱膨脹率，由此可W抑制由熱沖擊造成的機械破壞。其結果是，另一方 面，如果所述無機填充劑的含量相對于密封用片11整體為95量％ ^下，則柔軟性、流動性、 膠粘性會更加良好。
[0068] 密封用片11優選含有固化促進劑。
[0069] 作為固化促進劑，只要是使環氧樹脂與酪醒樹脂的固化進行的物質，就沒有特別 限定，例如可W舉出Ξ苯基麟、四苯基鱗四苯基棚等有機憐系化合物;2-苯基-4,5-二徑基 甲基咪挫、2-苯基-4-甲基-5-徑基甲基咪挫等咪挫系化合物等。其中，從即使混煉時的溫度 升高也不會使固化反應急劇地推進、可W良好地制作密封用片11的理由考慮，優選2-苯基- 4,5-二徑基甲基咪挫。
[0070] 對于固化促進劑的含量，相對于環氧樹脂及酪醒樹脂的合計100重量份優選為0.1 ~5重量份。
[0071] 密封用片11優選含有阻燃劑成分。由此，就可W減少因部件短路或放熱等而著火 時的燃燒擴大。作為阻燃劑組成成分，例如可W使用氨氧化侶、氨氧化儀、氨氧化鐵、氨氧化 巧、氨氧化錫、復合化金屬氨氧化物等各種金屬氨氧化物;憐臘系阻燃劑等。
[0072] 從即使是少量也會發揮阻燃效果的觀點考慮，憐臘系阻燃劑中所含的憐元素的含 有率優選為12重量％ W上。
[0073] 對于密封用片11中的阻燃劑成分的含量，在全部有機成分(除去無機填料）中，優 選為10重量％^上，更優選為15重量％^上。如果為10重量％ ^上，則可W良好地獲得阻燃 性。密封用片11中的熱塑性樹脂的含量優選為30重量％^下，更優選為25重量％^下。如果 為30重量％^下，則會有固化物的物性降低(具體而言，是玻璃化轉變溫度或高溫樹脂強度 等物性的降低)小的趨勢。
[0074] 密封用片11優選含有硅烷偶聯劑。作為硅烷偶聯劑沒有特別限定，可W舉出3-環 氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷等。
[0075] 密封用片11中的硅烷偶聯劑的含量優選為0.1~3重量％。如果為0.1重量％ W上， 則可W充分地獲得固化物的強度，可W降低吸水率。如果為3重量％ ^下，則可W降低排出 氣體量。
[0076] 密封用片11優選被著色。由此，就可W發揮優異的標記性及外觀性，能夠形成具有 附加價值的外觀的半導體裝置。被著色了的密封用片11具有優異的標記性，因此可W實施 標記，賦予文字信息或圖形信息等各種信息。特別是，通過控制著色的顏色，能夠W優異的 觀察性觀察利用標記賦予的信息(文字信息、圖形信息等）。此外，密封用片11也可W按照產 品來分色。在使密封用片11有色的情況下(并非無色、透明的情況），作為利用著色呈現出的 顏色沒有特別限制，然而例如優選為黑色、藍色、紅色等濃色，特別適合為黑色。
[0077]本實施方式中，所謂濃色，基本上是指1^1^3^表色系統中規定的1/為60^下（0~ 60)[優選為50 W下(0~50)，更優選為40 W下(0~40)]的濃的顏色。
[007引另外，所謂黑色，基本上是指LW表色系統中規定的L*為35W下(0~35)[優選為 30^下(0~30)，更優選為25^下（0~25)]的黑色系色。而且，在黑色中，1^1、^表色系統中 規定的a^b呵W分別與機勺值對應地適當選擇。作為a^bM列如，優選雙方都為-10~10,更 優選為-5~5，特別優選為-3~3的范圍（其中優選為0或近乎0)。
[0079] 而且，本實施方式中，1^1%^表色系統中規定的1^3^13^是通過使用色彩色差計(商 品名"CR-200"美能達公司制;色彩色差計)測定而求出。而且，L*a*b*表色系統是國際照明委 員會(CIE)在1976年推薦的顏色空間，是指被稱作CIE1976(LW)表色系統的顏色空間。另 夕F，L*a*b*表色系統在日本工業標準中，由JIS Z 8729規定。
[0080] 在將密封用片11著色時，可W與所需的顏色對應地使用色材(著色劑）。本發明的 密封用片既可W是一層構成，也可W由多個層構成，然而優選至少在與半導體晶片相面對 的面的相反一面側添加有著色劑。具體而言，在密封用片為1層構成的情況下，既可W在整 個密封用片中均勻地含有著色劑，也可在與半導體晶片相面對的面的相反一面側偏在 存在著色劑的方式含有著色劑。另外，在由多個層構成的情況下，也可W在與半導體晶片相 面對的面的相反一面側的層中添加著色劑，同時在其W外的層中不添加著色劑。本實施方 式中，對本發明的密封用片為1層構成的的情況進行說明。運是因為，如果在密封用片的與 半導體晶片相面對的面的相反一面側添加著色劑，則可W提高被激光標記了的部分的觀察 性。作為此種色材，可W合適地使用黑系色材、藍系色材、紅系色材等各種濃色系色材，特別 適合使用黑系色材。作為色材，可W是顏料、染料等中的任意一種。色材可W單獨使用，或者 組合使用巧巾W上。而且，作為染料，無論是酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離 子染料等哪種形態的染料都可W使用。另外，顏料的形態也沒有特別限制，可W從公知的顏 料中適當地選擇使用。
[0081 ]特別是，如果作為色材使用染料，則會形成通過溶解而使染料均勻或大致均勻地 分散在密封用片11中的狀態，因此可W容易地制造著色濃度均勻或大致均勻的密封用片 11，從而可W提高標記性、外觀性。
[0082] 作為黑系色材，沒有特別限制，然而例如可W從無機的黑系顏料、黑系染料中適當 地選擇。另外，作為黑系色材，可W是混合青色(cyan)系色材(藍綠系色材）、洋紅系色材(紅 紫系色材)及黃系色材(黃色系色材)而得的色材混合物。黑系色材可W單獨使用，或者組合 使用巧巾W上。當然也可W將黑系色材與黑色W外的顏色的色材并用。
[0083] 具體而言，作為黑系色材，例如可W舉出炭黑（爐法炭黑、槽法炭黑、乙烘黑、熱解 法炭黑、燈黑等）、石墨(gra地ite)、氧化銅、二氧化儘、偶氮系顏料(偶氮甲堿直接黑等）、苯 胺黑、巧黑、鐵黑、花青黑、活性炭、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等）、磁鐵礦、氧化銘、 氧化鐵、二硫化鋼、銘絡合物、復合氧化物系黑色色素、蔥釀系有機黑色色素等。
[0084] 本發明中，作為黑系色材，也可W利用C. I.溶劑黑3、C. I.溶劑黑7、C. I.溶劑黑22、 C. I.溶劑黑27、C. I.溶劑黑29、C. I.溶劑黑34、C. I.溶劑黑43、C. I.溶劑黑70、C. I.直接黑 17、(：.1.直接黑19、(：.1.直接黑22、(：.1.直接黑32、(：.1.直接黑38、(：.1.直接黑51、(：.1.直接 黑71、C. I.酸性黑1、C. I.酸性黑2、C. I.酸性黑24、C. I.酸性黑26、C. I.酸性黑31、C. I.酸性 黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、 C. I.酸性黑154; C. I.分散黑1、C. I.分散黑3、C. I.分散黑10、C. I.分散黑24等黑系染料； C. I.顏料黑1、C. I.顏料黑7等黑系顏料等。
[00化]作為此種黑系色材，例如在市場上可W買到商品名"Oil Black BY"、商品名 哨ilBlack BS"、商品名％ilBlack 皿護、商品名％il Black 803"、商品名％il Black 860"、商品名％il Black 5970"、商品名％il Black 590護、商品名％il Black 5905" (化ient化學工業株式會社制)等。
[0086] 作為黑系色材W外的色材，例如可W舉出青色系色材、洋紅系色材、黃系色材等。 作為青色系色材，例如可W舉出C. I.溶劑藍25、C. I.溶劑藍36、C. I.溶劑藍60、C. I.溶劑藍 70、C. I.溶劑藍93、C. I.溶劑藍95; C. I.酸性藍6、C. I.酸性藍45等青色系染料;C. I.顏料藍 1、(：.1.顏料藍2、(：.1.顏料藍3、(：.1.顏料藍15、(：.1.顏料藍15:1、(：.1.顏料藍15:2、(：.1.顏料 藍15:3、C.I.顏料藍15:4、C.I.顏料藍15:5、C.I.顏料藍15:6、C.I.顏料藍16、C.I.顏料藍 17、 (：.1.顏料藍17:1、(：.1.顏料藍18、(：.1.顏料藍22、(：.1.顏料藍25、(：.1.顏料藍56、(：.1.顏 料藍60、C.I.顏料藍63、C.I.顏料藍65、C.I.顏料藍66;C.I.還原藍4;C.I.還原藍60、C.I.顏 料綠7等青色系顏料等。
[0087] 另外，在洋紅系色材中，作為洋紅系染料，例如可W舉出C.I.溶劑紅1、C.I.溶劑紅 3、C. I.溶劑紅8、C. I.溶劑紅23、C. I.溶劑紅24、C. I.溶劑紅25、C. I.溶劑紅27、C. I.溶劑紅 30、C. I.溶劑紅49、C. I.溶劑紅52、C. I.溶劑紅58、C. I.溶劑紅63、C. I.溶劑紅81、C. I.溶劑 紅82、C. I.溶劑紅83、C. I.溶劑紅84、C. I.溶劑紅100、C. I.溶劑紅109、C. I.溶劑紅111、C. I. 溶劑紅121、C. I.溶劑紅122 ; C. I.分散紅9; C. I.溶劑紫8、C. I.溶劑紫13、C. I.溶劑紫14、 C. I.溶劑紫21、C. I.溶劑紫27 ;C. I.分散紫1; C. I.堿性紅1、C. I.堿性紅2、C. I.堿性紅9、 C. I.堿性紅12、C. I.堿性紅13、C. I.堿性紅14、C. I.堿性紅15、C. I.堿性紅17、C. I.堿性紅 18、 C. I.堿性紅22、C. I.堿性紅23、C. I.堿性紅24、C. I.堿性紅27、C. I.堿性紅29、C. I.堿性 紅32、C. I.堿性紅34、C. I.堿性紅35、C. I.堿性紅36、C. I.堿性紅37、C. I.堿性紅38、C. I.堿 性紅39、C. I.堿性紅40; C. I.堿性紫1、C. I.堿性紫3、C. I.堿性紫7、C. I.堿性紫10、C. I.堿性 紫14、C.I.堿性紫15、C.I.堿性紫2UC.I.堿性紫25、C.I.堿性紫26、C.I.堿性紫27、28等。
[0088] 在洋紅系色材中，作為洋紅系顏料，例如可W舉出C.I.顏料紅1、C.I.顏料紅2、 C. I.顏料紅3、C. I.顏料紅4、C. I.顏料紅5、C. I.顏料紅6、C. I.顏料紅7、C. I.顏料紅8、C. I. 顏料紅9、C. I.顏料紅10、C. I.顏料紅11、C. I.顏料紅12、C. I.顏料紅13、C. I.顏料紅14、C. I. 顏料紅15、C. I.顏料紅16、C. I.顏料紅17、C. I.顏料紅18、C. I.顏料紅19、C. I.顏料紅21、 C. I.顏料紅22、C. I.顏料紅23、C. I.顏料紅30、C. I.顏料紅31、C. I.顏料紅32、C. I.顏料紅 37、C. I.顏料紅38、C. I.顏料紅39、C. I.顏料紅40、C. I.顏料紅41、C. I.顏料紅42、C. I.顏料 紅48:1、C. I.顏料紅48:2、C. I.顏料紅48:3、C. I.顏料紅48:4、C. I.顏料紅49、C. I.顏料紅 49 :1、C. I.顏料紅50、C. I.顏料紅51、C. I.顏料紅52、C. I.顏料紅52 :2、C. I.顏料紅53 :1、 C. I.顏料紅54、C. I.顏料紅55、C. I.顏料紅56、C. I.顏料紅57:1、C. I.顏料紅58、C. I.顏料紅 60、C. I.顏料紅60 :1、C. I.顏料紅63、C. I.顏料紅63 :1、C. I.顏料紅63 :2、C. I.顏料紅64、 C. I.顏料紅64:1、C. I.顏料紅67、C. I.顏料紅68、C. I.顏料紅81、C. I.顏料紅83、C. I.顏料紅 87、C. I.顏料紅88、C. I.顏料紅89、C. I.顏料紅90、C. I.顏料紅92、C. I.顏料紅101、C. I.顏料 紅104、C.I.顏料紅105、C.I.顏料紅106、C.I.顏料紅108、C.I.顏料紅112、C.I.顏料紅114、 C. I.顏料紅122、C. I.顏料紅123、C. I.顏料紅139、C. I.顏料紅144、C. I.顏料紅146、C. I.顏 料紅147、C. I.顏料紅149、C. I.顏料紅150、C. I.顏料紅151、C. I.顏料紅163、C. I.顏料紅 166、(：.1.顏料紅168、(：.1.顏料紅170、(：.1.顏料紅171、(：.1.顏料紅172、(：.1.顏料紅175、 C. I.顏料紅176、C. I.顏料紅177、C. I.顏料紅178、C. I.顏料紅179、C. I.顏料紅184、C. I.顏 料紅185、C. I.顏料紅187、C. I.顏料紅190、C. I.顏料紅193、C. I.顏料紅202、C. I.顏料紅 206、(：.1.顏料紅207、(：.1.顏料紅209、(：.1.顏料紅219、(：.1.顏料紅222、(：.1.顏料紅224、 C. I.顏料紅238、C. I.顏料紅245; C. I.顏料紫3、C. I.顏料紫9、C. I.顏料紫19、C. I.顏料紫 23、(：.1.顏料紫31、(：.1.顏料紫32、(：.1.顏料紫33、(：.1.顏料紫36、(：.1.顏料紫38、(：.1.顏料 紫43、C.I.顏料紫50;C.I.還原紅1、C.I.還原紅2、C.I.還原紅10、C.I.還原紅13、C.I.還原 紅15、C.I.還原紅23、C.I.還原紅29、C.I.還原紅35等。
[0089] 另外，作為黃系色材，例如可W舉出C. I.溶劑黃19、C. I.溶劑黃44、C. I.溶劑黃77、 (：.1.溶劑黃79、(：.1.溶劑黃81、(：.1.溶劑黃82、(：.1.溶劑黃93、(：.1.溶劑黃98、(：.1.溶劑黃 103、C. I.溶劑黃104、C. I.溶劑黃112、C. I.溶劑黃162等黃系染料;C. I.顏料澄31、C. I.顏料 澄43; C. I.顏料黃1、C. I.顏料黃2、C. I.顏料黃3、C. I.顏料黃4、C. I.顏料黃5、C. I.顏料黃6、 (：.1.顏料黃7、(：.1.顏料黃10、(：.1.顏料黃11、(：.1.顏料黃12、(：.1.顏料黃13、(：.1.顏料黃14、 C. I.顏料黃15、C. I.顏料黃16、C. I.顏料黃17、C. I.顏料黃23、C. I.顏料黃24、C. I.顏料黃 34、C. I.顏料黃35、C. I.顏料黃37、C. I.顏料黃42、C. I.顏料黃53、C. I.顏料黃55、C. I.顏料 黃65、C. I.顏料黃73、C. I.顏料黃74、C. I.顏料黃75、C. I.顏料黃81、C. I.顏料黃83、C. I.顏 料黃93、C. I.顏料黃94、C. I.顏料黃95、C. I.顏料黃97、C. I.顏料黃98、C. I.顏料黃100、C. I. 顏料黃101、C. I.顏料黃104、C. I.顏料黃108、C. I.顏料黃109、C. I.顏料黃110、C. I.顏料黃 113、(：.1.顏料黃114、(：.1.顏料黃116、(：.1.顏料黃117、(：.1.顏料黃120、(：.1.顏料黃128、 (：.1.顏料黃129、(：.1.顏料黃133、(：.1.顏料黃138、(：.1.顏料黃139、(：.1.顏料黃147、(：.1.顏 料黃150、C.I.顏料黃151、C.I.顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料黃155、C.I.顏料黃 156、(：.1.顏料黃167、(：.1.顏料黃172、(：.1.顏料黃173、(：.1.顏料黃180、(：.1.顏料黃185、 C. I.顏料黃195; C. I.還原黃1、C. I.還原黃3、C. I.還原黃20等黃系顏料等。
[0090] 青色系色材、洋紅系色材、黃系色材等各種色材可W分別單獨地使用，或者組合使 用巧巾W上。而且，在使用巧巾W上的青色系色材、洋紅系色材、黃系色材等各種色材的情況 下，作為運些色材的混合比例（或配合比例），沒有特別限制，可W與各色材的種類或所需的 顏色等對應地適當地選擇。
[0091 ] 作為密封用片11的基于可見光(波長:380nm~800nm)的光線透射率(可見光透射 率），沒有特別限制，然而例如優選為20 %~0 %的范圍，更優選為10 %~0 %，特別優選為 5%~0%。通過將密封用片11的可見光透射率設為20% W下，可W使印刷觀察性良好。另外 還可W防止由光線通過造成的對半導體元件的不良影響。
[0092]密封用片11的可見光線透射率（％ )可W如下算出，即，制作厚度(平均厚度)為10μ m的密封用片11，對該密封用片11 (厚度：10皿)使用商品名"UV-2550"(島津制作所制）W給 定的強度照射波長為380nm~800nm的可見光線。測定因該照射而透過密封用片11的可見光 線的光強度，利用下式算出。
[0093] 可見光線透射率（％) = ((透過密封用片11后的可見光線的光強度)/(可見光線的 初期的光強度））X 100
[0094] 而且，光線透射率（％)的所述算出方法也可W適用于厚度并非lOwii的密封用片11 的光線透射率（％)的算出。具體而言，可W利用郎伯比爾定律，如下所示地算出10WI1時的吸 光度Aio。
[0095] Aio = aXLi〇XC (1)
[0096] 式中，Lio表示光路長，α表示吸光系數，C表示試樣濃度。
[0097] 另外，厚度Χ(μπι)時的吸光度Αχ可W利用下述式(2)表示。
[009引 Ax = aXLxXC (2)
[0099] 此外，厚度20皿時的吸光度A20可W利用下述式(3)表示。
[0100] Aio = -logioTio (3)
[0101] 式中，T10表示厚度ΙΟμπι時的光線透射率。
[0102] 根據所述式(1)~(3)，吸光度Αχ可W表示為：
[0103] Ax = Ai〇X(Lx/1io)
[0104] =-[l0gi 日化日）]X(Lx/Lio)
[010引由此，厚度X(皿)時的光線透射率Τχ(%)可W利用下述算出。
[0106] Τχ=1〇-Μ
[0107] 其中，Ax = -[logio(Tio)] X (Lx/lio)
[0108] 本實施方式中，求密封用片的光線透射率（％ )時的密封用片的厚度(平均厚度)為 ΙΟμπι，然而該密封用片的厚度終究是求密封用片的光線透射率（％)時的厚度，而并不意味 著本發明的密封用片為10WI1。
[0109] 密封用片11的光線透射率（％ )可W利用樹脂成分的種類或其含量、著色劑(顏料、 染料等)的種類或其含量、填充材料的種類或其含量等來控制。
[0110] 而且，在密封用片11中，在上述的各成分W外還可W根據需要適當地配合其他的 添加劑。
[0111] 密封用片11的厚度沒有特別限定，然而從作為密封用片使用的觀點、W及能夠適 宜地埋入半導體忍片23的觀點考慮，例如設為50μπι~2000μπι，優選設為70μπι~1200皿，更優 選設為100μπι~700皿。
[0112] 密封用片11的制造方法沒有特別限定，然而優選制備用于形成密封用片11的樹脂 組合物的混煉物、并涂布所得的混煉物的方法;將所得的混煉物塑性加工為片狀的方法。由 此，就可W不使用溶劑地制作密封用片11，因此可W抑制半導體忍片53因揮發的溶劑而受 到影響的情況。
[0113] 具體而言，通過將后述的各成分用混合漉、加壓式捏合機、擠出機等公知的混煉機 烙融混煉而制備混煉物，并將所得的混煉物利用涂布或塑性加工制成片狀。作為混煉條件， 溫度優選為上述的各成分的軟化點W上，例如為30~150°C，如果考慮環氧樹脂的熱固性， 則優選為40~140°C，更優選為60~120°C。時間例如為1~30分鐘，優選為5~15分鐘。
[0114] 混煉優選在減壓條件下(減壓氣氛下)進行。由此，就可W進行脫氣，同時可W防止 氣體向混煉物中的侵入。減壓條件下的壓力優選為〇.lkg/cm2W下，更優選為0.05kg/cm2W 下。減壓下的壓力的下限沒有特別限定，然而例如為lXl(T4kg/cm2W上。
[0115] 在涂布混煉物而形成密封用片11的情況下，烙融混煉后的混煉物優選不進行冷卻 而保持高溫狀態不變地涂布。作為涂布方法沒有特別限制，可W舉出棒涂法、刮涂法、狹縫 式擠壓涂布法等。作為涂布時的溫度，優選為上述的各成分的軟化點W上，如果考慮環氧樹 脂的熱固性及成型性，則例如為40~150°C，優選為50~140°C，更優選為70~120°C。
[0116] 在對混煉物進行塑性加工而形成密封用片11的情況下，烙融混煉后的混煉物優選 不進行冷卻而保持高溫狀態不變地進行塑性加工。作為塑性加工方法沒有特別限制，可W 舉出平板壓制法、T型模頭擠出法、螺桿模頭擠出法、漉壓延法、漉混煉法、吹塑擠出法、共擠 出法、壓延成型法等。作為塑性加工溫度優選為上述的各成分的軟化點W上，如果考慮環氧 樹脂的熱固性及成型性，則例如為40~150°C，優選為50~140°C，更優選為70~120°C。
[0117] 而且，密封用片11也可W如下得到，即，向適當的溶劑中溶解用于形成密封用片11 的樹脂等，使之分散而制備清漆，將該清漆涂布在剝離片上而得到。
[0118] 下面，對使用了雙面帶有隔片的密封用片10的半導體裝置的制造方法進行說明。
[0119] 本實施方式的半導體裝置的制造方法至少具有：
[0120] 工序A，準備將半導體忍片倒裝忍片式接合在半導體晶片的電路形成面的層疊體； [0121 ]工序B，準備前面所述的雙面帶有隔片的密封用片；
[0122] 工序C，從所述雙面帶有隔片的密封用片剝離所述隔片A而得到單面帶有隔片的密 封用片；
[0123] 工序D，W使所述單面帶有隔片的密封用片的剝離了所述隔片B的一側的面與所述 層疊體的所述半導體忍片的面相面對的方式，將所述單面帶有隔片的密封用片配置于所述 層疊體的所述半導體忍片上；
[0124] 工序E，將所述半導體忍片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述 半導體忍片的密封體;和
[01巧]工序F，剝離所述隔片B。
[0126] 目P，本實施方式中，對本發明的"在支撐體上固定有半導體忍片的層疊體"為"將半 導體忍片倒裝忍片式接合在半導體晶片的電路形成面的層疊體"的情況進行說明。本實施 方式是所謂的化ip-On-Wafer方式的半導體裝置的制造方法。
[0127] 圖2~圖10是用于說明本實施方式的半導體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[012引[準備工序]
[0129] 本實施方式的半導體裝置的制造方法中，首先，準備將半導體忍片23倒裝忍片式 接合在半導體晶片22的電路形成面22a的層疊體20(工序A)。第一實施方式中，半導體晶片 22相當于本發明的"支撐體"。層疊體20例如可W如下所示地得到。
[0130] 如圖2所示，首先，準備具有電路形成面23a的1個或多個半導體忍片23、和具有電 路形成面2姑的半導體晶片22。而且，W下，對將多個半導體忍片倒裝忍片式接合在半導體 晶片上的情況進行說明。作為半導體晶片22的俯視時的形狀及尺寸，可W設為與雙面帶有 隔片的密封用片10的俯視時的大小及形狀相同，例如可W設為直徑為200mmW上的圓形。
[0131] 然后，如圖3所示，將半導體忍片23倒裝忍片式接合在半導體晶片22的電路形成面 22曰。在半導體忍片23向半導體晶片22上搭載時，可W使用倒裝片接合機或忍片接合機等公 知的裝置。具體而言，將形成于半導體忍片23的電路形成面23a的凸塊23b與形成于半導體 晶片22的電路形成面22a的電極22b電連接。由此，就可W得到在半導體晶片22上安裝有多 個半導體忍片23的層疊體20。此時，也可W在半導體忍片23的電路形成面2：3a粘貼底部填充 用的樹脂片24。該情況下，如果將半導體忍片23倒裝忍片式接合在半導體晶片22上，則可W 對半導體忍片23與半導體晶片22之間的間隙進行樹脂密封。而且，對于將粘貼有底部填充 用的樹脂片24的半導體忍片23倒裝忍片式接合在半導體晶片22上的方法，例如公開于日本 特開2013-115186號公報等中，因此省略此處的詳細說明。
[0132] [準備雙面帶有隔片的密封用片的工序]
[0133] 另外，本實施方式的半導體裝置的制造方法中，準備雙面帶有隔片的密封用片10 (參照圖1)(工序B)。
[0134] [從雙面帶有隔片的密封用片剝離隔片A的工序]
[0135] 在工序B之后，如圖4所示，從雙面帶有隔片的密封用片10剝離隔片16a而得到單面 帶有隔片的密封用片18(工序C)。而且，對于雙面帶有隔片的密封用片10的隔片16b與密封 用片11的界面中的剝離力，W在隔片16a的剝離時不會剝離的程度的剝離力粘貼。
[0136] [在層疊體上配置單面帶有隔片的密封用片的工序]
[0137] 然后，如圖4所示，在下側加熱板32上使安裝有半導體忍片23的面朝上地配置層疊 體20,同時W使單面帶有隔片的密封用片18的剝離了隔片16b的一側的面與層疊體20的半 導體忍片23的面相面對的方式，將單面帶有隔片的密封用片18配置于層疊體20的半導體忍 片23上（工序D)。
[0138] 該工序中，可W首先在下側加熱板32上配置層疊體20,其后，在層疊體20上配置單 面帶有隔片的密封用片18,也可W在層疊體20上先層疊單面帶有隔片的密封用片18,其后， 將層疊層疊體20和單面帶有隔片的密封用片18而得的層疊物配置于下側加熱板32上。
[0139] [形成密封體的工序]
[0140] 然后，如圖5所示，利用下側加熱板32和上側加熱板34進行熱壓，將半導體忍片23 埋入密封用片11的埋入用樹脂層14,形成在密封用片11中埋入有半導體忍片23的密封體28 (工序E)。
[0141] 作為將半導體忍片23埋入密封用片11時的熱壓條件，溫度例如為40~100°C，優選 為50~90 °C，壓力例如為0.1~lOMPa，優選為0.5~8MPa，時間例如為0.3~10分鐘，優選為 0.5~5分鐘。由此，就可W得到將半導體忍片23埋入密封用片11的半導體裝置。另外，如果 考慮密封用片11與半導體忍片23及半導體晶片22的密合性及追隨性的提高，則優選在減壓 條件下進行壓制。
[0142] 作為所述減壓條件，壓力例如為0.1~化化，優選為0.1~lOOPa，減壓保持時間（從 開始減壓到開始壓制的時間）例如為5~600秒，優選為10~300秒。
[0143] [剝離襯墊剝離工序]
[0144] 然后，如圖6所示，剝離隔片16a(工序F)。
[0145] [熱固化工序]
[0146] 然后，使密封用片11熱固化。特別是，使構成密封用片11的埋入用樹脂層14熱固 化。具體而言，例如對將安裝于半導體晶片22上的半導體忍片23埋入密封用片11的密封體 28整體進行加熱。
[0147] 作為熱固化處理的條件，加熱溫度優選為lOOrW上，更優選為120°CW上。另一方 面，加熱溫度的上限優選為200°CW下，更優選為180°CW下。加熱時間優選為10分鐘W上， 更優選為30分鐘W上。另一方面，加熱時間的上限優選為180分鐘W下，更優選為120分鐘W 下。此時，優選進行加壓，優選為0.1 MPa W上，更優選為0.5MPaW上。另一方面，上限優選為 1 OMPa W下，更優選為5MPa W下。
[0148] [磨削密封用片的工序]
[0149] 然后，如圖7所示，磨削密封體28的密封用片11而使半導體忍片23的背面23c露出。 作為磨削密封用片11的方法，沒有特別限定，例如可W舉出使用高速旋轉的砂輪的磨片法。
[0150] [形成布線層的工序]
[0151] 然后，磨削半導體晶片22的與搭載有半導體忍片23的一側相反一側的面，形成通 孔(Via)22c后(參照圖8)，形成具有布線27a的布線層27(參照圖9)。作為磨削半導體晶片22 的方法，沒有特別限定，例如可W舉出使用高速旋轉的砂輪的磨片法。也可W在布線層27形 成從布線27a突出的凸塊27b。作為形成布線層27的方法，可W使用半加成法、減成法等W往 公知的電路基板或內插板(int erpos er)的制造技術，因此省略此處的詳細的說明。
[0152] [切割工序]
[0153] 接下來，如圖10所示，對露出了半導體忍片23的背面23c的密封體28進行切割。由 此，就可W得到基于半導體忍片23單元的半導體裝置29。
[0154] [基板安裝工序]
[0155] 根據需要，可W進行將半導體裝置29安裝于另外的基板（未圖示）的基板安裝工 序。在半導體裝置29在所述另外的基板上的安裝時，可W使用倒裝片接合機、忍片接合機等 公知的裝置。
[0156] W上，根據本實施方式的半導體裝置的制造方法，在從雙面帶有隔片的密封用片 10剝離隔片16a、形成密封體28后，剝離隔片16b。由于雙面帶有隔片的密封用片10滿足所述 式（1)，因此可W抑制剝離隔片16a及隔片16b時的破裂。因而，可W提高使用雙面帶有隔片 的密封用片10制造的半導體裝置29的成品率。
[0157] 本實施方式對在熱固化工序前剝離隔片16a的情況進行了說明，然而也可W在熱 固化工序后剝離。
[0158] 上述的實施方式中，對本發明的半導體裝置的制造方法為所謂的化ip-On-Wafer 方式的半導體裝置的制造方法的情況進行了說明。即，對本發明的"在支撐體上固定有半導 體忍片的層疊體"為"將半導體忍片倒裝忍片式接合在半導體晶片的電路形成面的層疊體" 的情況進行了說明。
[0159] 然而，本發明的半導體裝置的制造方法并不限定于該例。本發明的支撐體也可W 是臨時固定材料，在密封體形成后被去除。
[0160] 除此W外，本發明并不限定于上述的實施方式，只要進行所述工序A、所述工序B、 所述工序C、所述工序D、所述工序E、W及所述工序F即可，除此W外的工序任選，無論是進行 還是不進行都可W。另外，各工序在不違反本發明的宗旨的范圍內，無論W何種順序進行都 可W。
[0161] 上述的實施方式中，對雙面帶有隔片的密封用片所具備的密封用片為1層構成的 情況進行了說明，然而本發明的密封用片的層構成并不限定于該例，也可W是2層W上。
[0162] [實施例]
[0163] W下，使用實施例對本發明進行詳細說明，然而本發明只要不超出其主旨，就不受 w下的實施例限定。另外，各例中，份只要沒有特別指出，就是重量基準。
[0164] <密封用片的制作>
[0165] 對實施例、比較例中使用的成分、W及配合比進行說明。
[0166] < 成分 >
[0167] 環氧樹脂:新日鐵化學(株)制的YSLV-80XY(雙酪F型環氧樹脂、環氧當量200g/eq. 軟化點80°C)
[0168] 酪醒樹脂：明和化成公司制的MEH-7851-SS(具有聯苯基芳烷基骨架的酪醒樹脂、 徑基當量203g/eq.軟化點67°C)
[0169] 硅烷偶聯劑:信越化學公司制的邸M-403(3-環氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷）
[0170] 固化促進劑：四國化成工業公司制的2P監-PW( 2-苯基-4，5-二徑基甲基咪挫）
[0171] 熱塑性樹脂:Ξ菱麗陽株式會社制的J-5800(丙締酸類橡膠系應力緩和劑）
[0172] 填料：電化學工業公司制的FB-9454FC(烙融球狀二氧化娃粉末、平均粒徑17.6皿）
[0173] 炭黑:Ξ菱化學公司制的#20(粒徑50nm)
[0174] <配合比>
[0175] (1)W相對于環氧樹脂中的環氧基1當量使酪醒樹脂中的徑基為1當量的方式配合 (全部配合成分100重量％中，環氧樹脂及酪醒樹脂的合計量:9.3重量％)。
[0176] (2) W相對于環氧樹脂及酪醒樹脂的合計100重量份為1.0重量份的方式配合了固 化促進劑。
[0177] (3) W在有機成分(除去填料W外的全部成分）100重量％中為30重量％的方式配 合了熱塑性樹脂。
[0178] (4) W在全部配合成分100重量％中為88重量％的方式配合了填料(在樹脂片中為 79.5 體積％)。
[0179] (5)相對于填料100重量份，配合了 0.1重量份的硅烷偶聯劑。
[0180] (6) W在全部配合成分100重量％中為0.3重量％的方式配合了炭黑。
[0181] (實施例1)
[0182] 依照上述記載的配合比配合各成分，利用漉混煉機在60~120°C、10分鐘、減壓條 件下(O.Olkg/cm2)進行烙融混煉，制備出混煉物。然后，將所得的混煉物利用平板壓制法制 成片狀后，切割為給定的大小。對于片的厚度，制成0.2mm、0.5mm、1mm、2mm的片。另外，對于 各厚度的片，將大小（俯視的大小）切割為lcmXlcm、10cmX10cm、30cmX30cm、lmXlm，得到 評價用的密封用片。在所得的各密封用片的一個面，粘貼Ξ菱樹脂株式會社制的娃酬脫模 處理后的MRU-50(相當于隔片A)，在另一個面粘貼UNmKA株式會社制的TR6-75(相當于隔 片B)。由此，得到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[0183] (實施例2)
[0184] 除了取代UNITIKA株式會社制的TR6-75,而粘貼了 Ξ菱樹脂株式會社制的MRU-50 (未進行脫模處理）（相當于隔片B)W外，與實施例1相同地得到評價用的雙面帶有隔片的密 封用片。
[0185] (實施例3)
[0186] 除了取代UNITIKA株式會社制的TR6-75,而粘貼了 UNITIKA株式會社制的TR1-50 (相當于隔片B)W外，與實施例1相同地得到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[0187](實施例4)
[018引除了取代lOTTIKA株式會社制的TR6-75,而粘貼了 UNmKA株式會社制的TR1H-50 (相當于隔片B)W外，與實施例1相同地得到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[0189] (實施例5)
[0190] 依照上述記載的配合比，將環氧樹脂、酪醒樹脂、熱塑性樹脂、無機填充劑和硅烷 偶聯劑W使固體成分濃度為95%的方式添加到有機溶劑MEK(甲乙酬）中并攬拌。攬拌是使 用自轉公轉攬拌機(株式會社THINKY制）W80化pm的轉速進行了 5分鐘。其后，依照上述記載 的配合比，又添加了固化促進劑和炭黑，W使固體成分濃度為90%的方式添加 MEK，又W 800巧m攬拌3分鐘，得到涂布液。
[0191] 其后，將涂布液涂布于娃酬脫模處理后的MRU-50上，化20°C干燥3分鐘，由此制作 出厚100μπι的片。再將多片所制作的片利用漉式層壓機在90°C貼合而制成給定的厚度，再切 割為給定的大小，得到評價用的密封用片。具體而言，得到與實施例1相同的尺寸的評價用 的密封用片。在所得的各密封用片的一個面，粘貼Ξ菱樹脂株式會社制的娃酬脫模處理后 的MRU-50(相當于隔片A)，在另一個面粘貼UNmKA株式會社制的TR6-75(相當于隔片B)。
[0192] (實施例6)
[0193] 除了取代UNITIKA株式會社制的TR6-75,而粘貼了 Ξ菱樹脂株式會社制的MRU-50 (未進行脫模處理）（相當于隔片B)W外，與實施例5相同地得到評價用的雙面帶有隔片的密 封用片。
[0194] (實施例7)
[0195] 除了取代UNITIKA株式會社制的TR6-75,而粘貼了 UNITIKA株式會社制的TR1-50 (相當于隔片B)W外，與實施例5相同地得到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[0196] (實施例8)
[0197] 除了取代UNmKA株式會社制的TR6-75,而粘貼了 UNmKA株式會社制的TR1H-50 (相當于隔片B)W外，與實施例5相同地得到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[019引（比較例1)
[0199] 除了密封用片的厚度設為2.0mm，將大小設為lOmXlOmW外，與實施例1相同地得 到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[0200] (比較例2)
[0201] 除了密封用片的厚度設為2.0mm，將大小設為lOmXlOmW外，與實施例5相同地得 到評價用的雙面帶有隔片的密封用片。
[0202] <隔片的剝離力的測定>
[0203] 從雙面帶有隔片的密封用片剝離隔片（相當于隔片B的隔片），測定出密封用片與 隔片（隔片B)之間的剝離力F2。
[0204] 具體而言，在下述條件下進行剝離，測定出此時的載荷的最大載荷(除去測定初期 的峰頂的載荷的最大值），將該最大載荷作為樹脂片與隔片間的剝離力(N/20mm寬)求出。其 后，算出F2(N/20mm)XA(m2)Xt(mm)。將結果表示于表l~表3中。
[0205] 而且，密封用片與娃酬脫模處理后的MRU-50(相當于隔片A)之間的剝離力F1為 0.016N/20mm 寬。
[0206] (剝離力的測定條件）
[0207]使用裝置:Autograph AGS-J(島津制作所公司制） [020引溫度：23°C
[0209] 剝離角度:180。
[0210] 拉伸速度:300mm/min
[0211] [表 1]
[0212] [表 1]
[0213]
[0214] [表 2]
[0別引[表2]
[0220] (評價）
[0221] 從利用實施例1~8、比較例1~2制作的評價用的雙面帶有隔片的密封用片先剝離 娃酬脫模處理后的MRU-50(相當于隔片A)，然后剝離下剝離力不同的各個隔片（相當于隔片 B)。對于其結果，將在密封用片中沒有產生裂紋或破裂的設為0,如果產生了裂紋或破裂的 至少任意一種則設為X，進行了評價。將結果表示于表4~表6中。
[0222] [表 4]
[0223] [表 4]
[0224]
[0225] [表 5]
[0226] [表 5]
[0227]
[022引
[0229]
[0230]
[0231] 符號的說明
[0232] 10 雙面帶有隔片的密封用片，
[0233] 11 密封用片，
[0234] 18 單面帶有隔片的密封用片，
[0235] 16a 隔片（隔片 A)，
[0236] 16b 隔片（隔片 B)，
[0237] 20、50 層疊體，
[023引 22 半導體晶片，
[0239] 23 半導體忍片，
[0240] 28 密封體，
[0241] 29 半導體裝置
【主權項】
1. 一種雙面帶有隔片的密封用片，其特征在于，具備： 密封用片、 層疊于所述密封用片的一個面的隔片A、和 層疊于所述密封用片的另一個面的隔片B， 在將所述密封用片與所述隔片A之間的剝離力設為F1，將所述密封用片與所述隔片B之 間的剝離力設為F2,將所述密封用片的厚度設為t，將所述密封用片的面積設為A時，滿足下 述(1)的關系： (1) 0<F2XAXt<10.0 其中，滿足F1<F2， F2的單位為N/20mm，A的單位為m2，t的單位為mm。2. -種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有： 工序A，準備在支撐體上固定有半導體芯片的層疊體； 工序B，準備權利要求1所述的雙面帶有隔片的密封用片； 工序C，從所述雙面帶有隔片的密封用片剝離所述隔片A而得到單面帶有隔片的密封用 片； 工序D，以使所述單面帶有隔片的密封用片的剝離了所述隔片B的一側的面與所述層疊 體的所述半導體芯片的面相面對的方式，將所述單面帶有隔片的密封用片配置于所述層疊 體的所述半導體芯片上； 工序E，將所述半導體芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半導 體芯片的密封體;和 工序F，剝離所述隔片B。
【文檔編號】H01L23/32GK105874582SQ201480069830
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年12月22日
【發明人】飯野智繪, 石坂剛, 盛田浩介, 志賀豪士
【申請人】日東電工株式會社