擔載體和光電轉換元件的制作方法

擔載體和光電轉換元件的制作方法
【專利摘要】本發明的擔載體是擔載色素(A)和由下述通式(1)表示的共吸附劑(B)而成的。(式中，環A表示五元環或六元環的雜環，也可以進一步縮環，環A中的氫原子可以被鹵原子、氰基、硝基、?OR2基、?SR2基或者可具有取代基的烴基取代，Z表示被?O?等中斷0～3次的2價脂肪族烴基，Z1表示2價芳香族基團，R1表示羧酸基、磺酸基、磷酸基或膦酸基，R2和R3表示氫原子或者可具有取代基的烴基，Anm?表示m價陰離子，m表示1或2的整數，p表示將電荷保持為中性的系數。)
【專利說明】
擔載體和光電轉換元件
技術領域
[0001] 本發明設及擔載體、具備具有該擔載體的電極的光電轉換元件。
【背景技術】
[0002] W往，色素被廣泛用于各種技術領域。舉一個例子，就太陽能電池等光電轉換元件 的領域來說，具有光敏化作用的色素被用于色素敏化型光電轉換元件。據認為，該色素敏化 型光電轉換元件在理論上可W期待高效率，與現有的使用了娃半導體的光電轉換元件相 比，能夠W低成本進行制造。但是，由于敏化色素的吸收波長與娃相比受到了限制，因此存 在光的利用效率低、元件的光電轉換效率低運樣的問題。
[0003] 作為解決上述問題的方法，對除了敏化色素 W外還使用共吸附劑(專利文獻1)進 行了研究。該研究的目的在于:在將敏化色素吸附（固定)于氧化物半導體等載體時，抑制敏 化色素彼此的締合和凝聚。
[0004] 現有技術文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1:日本特開2013-258110號公報

【發明內容】

[0007] 發明所要解決的問題
[000引因此，本發明的目的在于：提供可實現高光電轉換效率的擔載體和使用了該擔載 體的光電轉換元件。
[0009] 用于解決問題的手段
[0010] 本申請的
【發明人】們進行了深入研究，結果發現通過將敏化色素與特定的共吸附劑 組合能夠達到上述目的，由此完成了本發明。
[0011] 目P，本發明提供一種擔載體，其是擔載色素(A)和由下述通式（1)表示的共吸附劑 (B)而成的。
[0012]
[0013] (式中，環A表示五元環或六元環的雜環，也可W進一步與其它環式基團縮環，環A 中的氨原子可W被面原子、氯基、硝基、-OR2基、-SR2基或者具有取代基或無取代的控基取 代，
[0014] Z 表示被-0-、-S-、-C0-、-C00-、-0C0-、-C0NR3-、-NR3c〇-或-zi-中斷0 ~3次的 2價脂 肪族控基，Zi表示2價芳香族基團，
[0015] Ri表示選自簇酸基、橫酸基、憐酸基和麟酸基中的基團，
[0016] R2和R3各自獨立地表示氨原子或者具有取代基或無取代的控基，
[0017] ArT表示m價陰離子，m表示域2的整數，P表示將電荷保持為中性的系數）
[0018] 另外，本發明提供一種光電轉換元件，其具備具有上述擔載體的電極。
[0019] 此外，本發明提供一種色素敏化型太陽能電池，其具備上述光電轉換元件。
[0020] 發明效果
[0021] 使用了本發明的擔載體的光電轉換元件顯示出良好的光電轉換效率，適合于太陽 能電池等。
【附圖說明】
[0022] 圖1是表示本發明的光電轉換元件的一個例子的截面構成的示意圖。
[0023] 圖2是圖1所示的本發明的光電轉換元件的主要部分的放大圖。
【具體實施方式】
[0024] 下面，基于優選實施方式，對本發明的擔載體、使用該擔載體而成的光電轉換元件 進行說明。
[0025] 首先，對本發明的擔載體進行說明。
[0026] 作為用于本發明的擔載體的材料(載體），可W列舉出：丙締酸樹脂、含氣樹脂等有 機樹脂、氧化鐵、氧化鋒、氧化侶等金屬氧化物、氧化娃、沸石、活性炭等，優選表面是多孔質 的材料。另外，在用于光電轉換元件的情況下，優選使用金屬氧化物或氧化娃。就載體所擔 載的化合物來說，其特征在于，其至少具有W下進行說明的(A)敏化色素和(B)共吸附劑各 一種。
[0027] 上述載體的形狀沒有特別限制，可W根據擔載體的用途由例如膜狀、粉狀、粒狀等 形狀中適當進行選擇。另外，上述載體的大小W及本發明的擔載體中的(A)敏化色素和(B) 共吸附劑的擔載量沒有特別限制，可W根據擔載體的用途適當進行選擇。
[002引<(A)敏化色素〉
[0029] 作為敏化色素的例子，例如可W列舉出：曙紅Y、二漠巧光素、巧光素、羅丹明B、鄰 苯Ξ酪、二氯巧光素、赤薛紅B(赤薛紅是注冊商標）、巧光生、紅隸、花青系色素、部花青雙偶 氮系色素、Ξ偶氮系色素、蔥釀系色素、多環釀系色素、說藍系色素、二苯基甲燒系色素 、Ξ 甲基甲燒系色素、哇嘟系色素、二苯甲酬系色素、糞釀系色素、巧系色素、巧酬系色素、方酸 內鐵系色素、奧鐵(azulenium)系色素、紫環酬系色素、哇叮晚酬系色素、無金屬獻菁系色素 或無金屬化嘟系色素等有機色素等。另外，運些有機色素優選具有至少一個能夠結合或吸 附于載體的錯固基（例如簇基、橫酸基或憐酸基等）。作為運樣的有機色素，例如可W列舉 出：由W下通式(3)表示的花菁系色素。此外，上述所列舉的各種有機色素可W各自單獨使 用，也可W將兩種W上組合使用。
[0030]
[0031] (式中，環C和環C'表示苯環、糞環、菲環或化晚環，
[0032] Rii和Rii'表示徑基、面原子、硝基、氯基、橫酸基、憐酸基、簇酸基、氨基、酷胺基、二 茂鐵基、碳原子數為6~30的芳基、碳原子數為7~30的芳烷基、碳原子數為4~20的含雜環 基、碳原子數為1~8的烷基，
[0033] 該碳原子數為6~30的芳基、碳原子數為7~30的芳烷基、碳原子數為4~20的含雜 環基和碳原子數為1~8的烷基可W被徑基、面原子、硝基、氯基、橫酸基、憐酸基、簇酸基、氨 基、酷胺基或二茂鐵基取代，也可 W 被-0-、-5-、-(：0-、-(：00-、-0(：0-、-502-、-畑-、-(：0畑-、- NHC0-、-N=CH-或 CH=CH-中斷，
[0034] Xi和XI'表示氧原子、硫原子、砸原子、-CR日iR日2-、碳原子數為3~6的環燒控-1,1-二 基、-NH-或-NYi2-，
[00對 Rsi和Rs2表不與化1和化1'同樣的基團或氨原子，
[0036] Υ、Υ'和Υ?2表示氨原子或可W被徑基、面原子、氯基、簇酸基、氨基、酷胺基、二茂鐵 基、橫酸基、憐酸基、-SiRi油17R18或者硝基取代的碳原子數為1~20的烷基、碳原子數為6~ 30的芳基或者碳原子數為7~30的芳烷基，Ri6、Ri7和Ri8表示與Rii和Rii'同樣的基團或氨原 子，
[0037] 該Υ、Υ'和Υ?2中的烷基、芳基和芳烷基中的亞甲基可W被-0-、-5-、-(：0-、-(：00-、- 0C0-、-S〇2-、-ΝΗ-、-C0NH-、-NHC0-、-Ν=CH-或 CH=CH-中斷，
[003引 Zii、Zi沸Zi3各自獨立地表示氨原子、徑基、面原子、氯基、-NRR'、碳原子數為6~30 的芳基、碳原子數為7~30的芳烷基、碳原子數為1~20的烷基，該-NRR'、芳基、芳烷基和燒 基可W進一步被徑基、面原子、氯基或NRR'取代，也可W被-0-、-5-、-〔0-、-〔00-、-0〔0-、- SOr、-NH-、-C0NH-、-NHC0-、-N=CH-或 CH=CH-中斷，
[0039] R和R'各自獨立地表示碳原子數為6~30的芳基、碳原子數為7~30的芳烷基或碳 原子數為1~20的烷基，
[0040] S表示0~4的數，
[OOW r和r'表示0或環C和環C'中能夠取代的化域Rii'的數量，
[0042] Αη9-表示q價陰離子，q表示1或2，p表示將電荷保持為中性的系數。
[00創其中，1?11、1?11'山山'、211、212、213、￥和￥'中的至少一個是具有橫酸基、憐酸基、麟 酸基或者簇酸基的基團）
[0044] 另外，作為(A)敏化色素，例如也可W使用有機金屬絡合物。作為有機金屬絡合物 的具體例子，例如可W列舉出：具有由位于芳香族雜環內的氮陰離子與金屬陽離子形成的 離子性配位鍵和形成在氮原子或硫屬原子與金屬陽離子之間的非離子性配位鍵運兩個鍵 的有機金屬絡合物;具有由氧陰離子或硫陰離子與金屬陽離子形成的離子性配位鍵和形成 在氮原子或硫屬原子與金屬陽離子之間的非離子性配位鍵運兩個鍵的有機金屬絡合物等。 更具體來說，可W列舉出：銅獻菁、氧鐵獻菁等金屬獻菁系色素、金屬糞獻菁系色素、金屬化 嘟系色素 W及聯化晚釘絡合物、Ξ聯化晚釘絡合物、菲咯嘟釘絡合物、二哇嘟甲酸釘絡合 物、偶氮釘絡合物或徑基哇嘟釘絡合物等釘絡合物等。此外，運些有機金屬絡合物也與上述 色素同樣地優選具有至少一個能夠結合或吸附于載體的錯固基。作為運樣的有機金屬絡合 物，例如可W列舉出：由W下通式(4)表示的釘絡合物。上述所列舉的各種有機金屬絡合物 可W各自單獨使用，也可W將兩種W上組合使用。
[0045] [Ruai)nl(L2)n2(L3)n3]Xin4 (4)
[0046] (式中山表示單齒配體，l2表示由下述式化-1)、α-2)、α-3)、α-7)或α-8)表示 的雙齒配體，L3表示由下述式化-4)、化-5)或化-6)表示的Ξ齒配體，nl表示ο~6的整數，n2 表示0~3的整數，n3表示0~2的整數，nl+n2X2+n3X3 = 6，n2+n3〉0，Xi表示為了中和電荷 而需要抗衡離子時的抗衡離子，n4表示將電荷保持為中性的系數）
[0047]
[004引（式中，R21表示與上述通式（3)中的Rii同樣的基團，a表示0~4的整數，b表示0~3 的整數，C表示0~2的整數。其中，多個R2沖的至少一個是具有橫酸基、憐酸基、麟酸基或簇 酸基的基團）
[0049] 作為上述通式(4)中的單齒配體，可W列舉出：SCN、NCS、面原子、草酸等。Xi是中和 電荷的離子，可W為正離子，也可W為負離子。在為正離子的情況下，可W列舉出：錠離子、 堿金屬離子、質子等;在為負離子的情況下，可W列舉出：與作為后述的通式(1)中的An的例 子在下文中所列舉的基團同樣的基團。
[0050] <(B)共吸附劑〉
[0051] 共吸附劑是由上述通式（1)表示的化合物，通過與(A)敏化色素共吸附，可W提高 敏化色素的敏化能力。由此，光電轉換能力提高，可得到顯示出高光電轉換效率的色素敏化 型太陽能電池。
[0052] 作為上述環A表示的五元環的例子，可W列舉出：化咯環、咪挫環、化挫環、蹄挫 (tellurazole)環、異蹄挫（isotellurazole)環、砸挫環、異砸挫環、嚷挫環、異嚷挫環、嗯挫 環、異嗯挫環、巧咱環等;作為六元環的例子，可W列舉出：化晚環、化嗦環、喀晚環、化嗦環 等;優選的五元環為咪挫環、化挫環、蹄挫環、異蹄挫環、嚷挫環、異嚷挫環、嗯挫環、異嗯挫 環、巧咱環。
[0053] 作為環A可W發生縮環的其它環式基團，例如可W列舉出：苯環、糞環等。
[0054] 上述Z表示的2價脂肪族控基對碳原子數沒有特別限制，優選碳原子數為5~20,更 優選為7~15。此處所說的碳原子數包含在2價脂肪族控基被含有碳的基團中斷時的中斷基 團的碳原子的數量。脂肪族控基可w分支，也可w形成環。環為環己燒環、環戊燒環等。優選 包含中斷基團，將環A的護與R1W7~15個原子直鏈連接。
[0055] 作為Zi表示的2價芳香族基團，可W列舉出：從苯環、糞環或上述環A所例示的環上 除去兩個氨原子而得到的2價基團。
[0056] 作為取代環A的氨原子的控基或R2和R3表示的控基，可W列舉出：芳香族控基、被脂 肪族控基取代的芳香族控基和脂肪族控基等。
[0057] 作為上述芳香族控基，可W列舉出：苯基、糞基、環己基苯基、聯苯基、Ξ聯苯基、巧 基、苯硫基苯基、巧喃基苯基、2 苯基-丙基苯基、芐基、糞基甲基等，
[0058] 作為上述脂肪族控基，碳原子數為1~20的脂肪族控基例如可W列舉出：甲基、乙 基、丙基、異丙基、下基、仲下基、叔下基、異下基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、庚基、異庚基、 叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、壬基、環丙基、環下基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環 壬基、環癸基等直鏈、支鏈和環狀烷基，碳原子數為1~20的脂肪族控基可^被-〇-、-〇)〇-、- 0C0-、-C0-、-S-、-SO-、-S〇2-、-NR8-、-C = C-、-C Ξ C-中斷，R8 是碳原子數為 1 ~20 的脂肪族控 基，其示例與上述碳原子數為1~20的脂肪族控基相同，在中斷基團包含碳原子的情況下， 包含中斷基團在內的碳原子數為1~20，
[0059] 作為被上述脂肪族控基取代的芳香族控基，可W列舉出：被上述脂肪族控基取代 的苯基、糞基、芐基等。
[0060] 作為可W取代運些控基的取代基，可W列舉出：氣原子、氯原子、漠原子、艦原子、 氯基、硝基、簇酸基、橫酸基、憐酸基、麟酸基、徑基、硫醇基、-nr9rw基等。
[0061] R9、RW是氨原子或碳原子數為1~20的脂肪族控基，其示例與上述碳原子數為1~ 20的脂肪族控基相同，在中斷基團包含碳原子的情況下，包含中斷基團在內的碳原子數為1 ~20。
[0062] 作為由上述ArT表示的m價陰離子，例如可W列舉出：氯陰離子、漠陰離子、艦陰離 子、氣陰離子等面素離子;高氯酸根陰離子、氯酸根陰離子、硫氯酸根陰離子、六氣憐酸根陰 離子、六氣化錬陰離子、六氣化神陰離子、四氣化棚陰離子等無機面化陰離子；甲燒橫酸根 離子、氣橫酸根離子、苯橫酸根陰離子、甲苯橫酸根陰離子、1-糞橫酸根陰離子、2-糞橫酸根 陰離子、Ξ氣甲燒橫酸根陰離子、五氣乙燒橫酸根陰離子、屯氣丙烷橫酸根陰離子、九氣下 燒橫酸根陰離子、十一氣戊燒橫酸根陰離子、十Ξ氣己燒橫酸根陰離子、十五氣庚燒橫酸根 陰離子、十屯氣辛燒橫酸根離子、全氣-4-乙基環己燒橫酸根離子、N-烷基(或芳基)二苯基 胺-4-橫酸根陰離子、2-氨基-4-甲基-5-氯苯橫酸根陰離子、2-氨基-5-硝基苯橫酸根陰離 子、日本特開2004-53799號公報所述的橫酸根陰離子、精腦橫酸根陰離子、氣苯橫酸根陰離 子、二氣苯橫酸根陰離子、Ξ氣苯橫酸根陰離子、四氣苯橫酸根陰離子、五氣苯橫酸根陰離 子等橫酸根陰離子;辛基憐酸根陰離子、十二烷基憐酸根陰離子、十八烷基憐酸根陰離子、 苯基憐酸根陰離子、壬基苯基憐酸根陰離子、2,2'-亞甲基雙(4,6-二叔下基苯基)麟酸根陰 離子等憐酸根陰離子;雙(Ξ氣甲燒橫酷)亞胺離子、雙(五氣乙燒橫酷)亞胺離子、鄰苯二甲 酷亞胺離子、鄰橫酷苯甲酯亞胺、雙（屯氣丙烷橫酷）亞胺離子、雙（九氣下燒橫酷）亞胺離 子、雙(十一氣戊燒橫酷)亞胺離子、雙(十五氣庚燒橫酷)亞胺離子、雙(十Ξ氣己燒橫酷)亞 胺離子、雙(十屯氣辛燒橫酷亞胺）離子、（Ξ氣甲燒橫酷）（九氣下燒橫酷)亞胺離子、（甲燒 橫酷）（Ξ氣甲燒橫酷)亞胺離子、環六氣丙烷-1,3-雙(橫酷)亞胺陰離子等酷亞胺離子；四 (五氣苯基）棚酸根陰離子、四（4-氣苯基）棚酸根陰離子、四苯基棚酸根陰離子、日本特開 2007-112854號公報所述的棚酸根陰離子、日本特開平成6-184170號公報所述的棚酸根陰 離子、日本特表2002-526391號公報所述的棚酸根陰離子、國際公開2009/057600號所述的 棚酸根陰離子等四芳基棚酸根陰離子;苯甲酸根陰離子、Ξ氣乙酸根陰離子、2-氧代-2-苯 基乙酸根陰離子等簇酸根陰離子;N，N-二乙基二硫代氨基甲酸根陰離子等二硫代氨基甲酸 根陰離子;Ξ(Ξ氣甲燒橫酷）甲基化物、Ξ(甲燒橫酷）甲基化物等有機橫酷甲基化物離子 等，進而可W列舉出：烷基橫酸根離子或氣取代烷基橫酸根離子、烷基橫酷亞胺、氣取代燒 基橫酷亞胺被丙締酷氧基、甲基丙締酷氧基取代的物質或者被降冰片基、金剛烷基等脂肪 族環狀烷基取代的物質。另外，根據需要，也可W使用具有:使處于激發狀態的活性分子去 激發(巧滅）的功能的巧滅劑陰離子;在環戊二締環上具有簇基或麟酸基、橫酸基等陰離子 性基團的二茂鐵、二茂釘等茂金屬化合物陰離子等。
[0063] 在由Ar嚴表示的m價陰離子之中，優選面離子、無機面化陰離子。
[0064] 在由上述通式（1)表示的共吸附劑之中，從對于提高光電轉換效率優異的觀點考 慮，優選由下述通式(2)表示的物質。
[00 化]
[0066] 試中，R4、R5、R哺R嗦示氨原子、面原子、氯基、硝基、-OR 2基、-SR2基或者具有取代 基或無取代的控基，R6和護也可W相互連結而形成環，
[0067] 2、21、1?1、護、護、411"-、口表示與上述通式（1)同樣的基團）
[006引作為由R4、R5、R哺R嗦示的控基，表示與取代環A的氨原子的控基或由R哺R嗦示 的控基同樣的基團。在由R4、R5、R6和R7表示的基團之中，優選氨原子或者具有取代基或無取 代的控基，更優選氨原子或者具有取代基或無取代的苯基、糞基或者烷基。在為具有取代基 或無取代的烷基的情況下，優選碳原子數為1~20、尤其是1~5的烷基。具有取代基時的取 代基優選為簇酸基。
[0069] 在色素(A)具有橫酸基、憐酸基、麟酸基或簇酸基等錯固基的情況下，色素(A)的錯 固基與共吸附劑(B)的由Ri表示的基團可W相同，也可W不同。
[0070] 作為(B)共吸附劑的具體例子，可W列舉出W下的No. 1~22的化合物，但不限于運 些。此外，結構式中的Τ?Γ表示Ξ氣甲燒橫酸根陰離子，Tf2N-表示雙(Ξ氣甲燒橫酷)亞胺離 子。
[0073] (B)共吸附劑例如可W通過W下方法進行制造。
[0074] 使下述原料1(例如咪挫)和面化物(原料2)在加熱回流條件下進行反應，由此得到 作為目標的共吸附劑。此外，下述反應式中，記載了通式（1)中的pAn·-為面陰離子皆)的情 況。
[0075]
[0076] 用于本發明的擔載體的上述(A)敏化色素和(B)共吸附劑的摩爾比例(A):(B)為1: 99~99:1，優選為5:95~600:40。就使用共吸附劑的色素敏化型光電轉換元件來說，通常在 (A) 敏化色素的吸附量相對于(B)共吸附劑少的情況下，無法得到充分的敏化作用，導致光 電轉換效率降低。與此相對，用于本發明的（B)共吸附劑就算在W(A)敏化色素的約10倍量 (9:91)使用的情況下，與僅擔載(A)敏化色素時相比，也可W得到高的光電轉換效率。運可 W通過后述的實施例與比較例的轉換效率的比較(例如實施例1~3與比較例1的轉換效率 的比較)獲知。一般來說，（A)敏化色素的價格高于(B)共吸附劑，因此使用(B)共吸附劑的本 發明的擔載體在經濟方面也優異。
[0077] 作為擔載用于本發明的擔載體的(A)敏化色素和(B)共吸附劑的方法，可W使用公 知的氣相吸附、液相吸附等方法，例如作為液相吸附的例子，可W列舉出：將(A)和(B)溶解 于溶劑中并使上述載體浸潰到該溶液中而使其吸附的方法。也可W通過將(A)敏化色素和 (B) 共吸附劑溶解于不同的溶劑中，并使上述載體浸潰到各自的溶液中，從而得到本發明的 擔載體。
[0078] 作為本發明的擔載體的制造方法，最初通過電解析出法或燒成法，在導電性基板 11的形成有導電層11B的面上形成具有多孔質結構的金屬氧化物半導體層12。當通過電解 析出法來形成時，例如對含有將成為金屬氧化物半導體材料的金屬鹽的電解浴一邊進行氧 或空氣的鼓泡一邊設定成規定的溫度，在其中浸潰導電性基板11，并在與對極之間施加一 定的電壓。由此，在導電層11B上按照使其具有多孔質結構的方式使金屬氧化物半導體材料 析出。此時，也可W使對極在電解浴中適當運動。另外，當通過燒成法來形成時，例如通過使 金屬氧化物半導體材料的粉末分散于分散介質中而制備金屬氧化物漿料，將該漿料涂布于 導電性基板11上，并在干燥后進行燒成，從而使其具有多孔質結構。接著，在有機溶劑中溶 解含有上述(A)敏化色素和(B)共吸附劑運兩者的色素13,從而制備色素溶液。在該色素溶 液中浸潰形成有金屬氧化物半導體層12的導電性基板11，從而使色素13擔載于金屬氧化物 半導體層12上。
[0079] 本發明的擔載體除了適合用于W下進行說明的光電轉換元件W外，還可W用于催 化劑、色調劑等。
[0080] 下面，對本發明的光電轉換元件進行說明。
[0081] 本發明的光電轉換元件是色素敏化型光電轉換元件，除了使用作為色素的(A)敏 化色素和作為(B)的由上述通式（1)表示的共吸附劑W外，可W與現有的色素敏化型光電轉 換元件相同。W下，參照圖1和圖2,對本發明的光電轉換元件的代表性構成例進行說明。
[0082] 圖1是示意地表示本發明的光電轉換元件的一個例子的截面構成的圖；圖2是將圖 1所示的光電轉換元件的主要部分取出而放大表示的圖。圖1和圖2所示的光電轉換元件是 所謂的色素敏化型太陽能電池的主要部分。該光電轉換元件中，工作電極10與對電極20隔 著含電解質層30對置配置，工作電極10和對電極20中的至少一個是具有透光性的電極。
[0083] 工作電極10例如具有導電性基板11、設置于其一個面(對電極20側的面)上的金屬 氧化物半導體層12W及擔載于金屬氧化物半導體層12上的色素13。就本發明的光電轉換元 件來說，色素13含有(A)敏化色素和(B)共吸附劑，上述色素13與擔載它的金屬氧化物半導 體層12的復合體是本發明的擔載體。
[0084] 工作電極10對于外部電路來說作為負極起作用。導電性基板11例如是在絕緣性的 基板11A的表面設置導電層11B而得到的。
[0085] 作為基板11A的材料，例如可W列舉出：玻璃、塑料等絕緣性材料。塑料例如是W透 明聚合物薄膜的形態使用的，作為形成透明聚合物薄膜的塑料，例如可W列舉出：四乙酷纖 維素（TAC)、聚對苯二甲酸乙二醇醋（PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋（PEN)、間規聚苯乙締 (SPS)、聚苯硫酸(PPS)、聚碳酸醋(PC)、聚芳醋(PAR)、聚諷(PSF)、聚醋諷(PES)、聚酸酷亞胺 (PEI)、環狀聚締控或漠代苯氧基(brominated地enoxy)樹脂等。
[0086] 作為導電層11B，例如可W列舉出：含有氧化銅、氧化錫、銅-錫復合氧化物(IT0)或 在氧化錫中滲雜氣而得到的物質(FTO:F-Sn〇2)等的導電性金屬氧化物薄膜、含有金(Au)、 銀(Ag)或銷(Pt)等的金屬薄膜W及由金屬網、導電性高分子等形成的物質等。
[0087] 此外，導電性基板11例如可W按照由具有導電性的材料形成為單層結構的方式構 成;此時，作為導電性基板11的材料，例如可W列舉出：氧化銅、氧化錫、銅-錫復合氧化物或 在氧化錫中滲雜氣而得到的物質等導電性金屬氧化物、金、銀或銷等金屬W及導電性高分 子等。
[0088] 金屬氧化物半導體層12是擔載色素13的載體，例如圖2所示那樣具有多孔質結構。 金屬氧化物半導體層12由致密層12A和多孔質層12B形成。致密層12A優選形成于與導電性 基板11的界面，其優選致密且空隙少，更優選為膜狀。多孔質層12B優選形成于與含電解質 層30相接的表面，其優選空隙多、表面積大的結構，特別是更優選為附著有多孔質微粒的結 構。此外，金屬氧化物半導體層12例如也可W按照形成為膜狀的單層構造的方式形成。本發 明中，擔載是指色素13與多孔質層12BW化學、物理或電的方式結合或吸附的狀態。
[0089] 作為金屬氧化物半導體層12中所含的材料(金屬氧化物半導體材料），例如可W列 舉出：氧化鐵、氧化鋒、氧化錫、氧化妮、氧化銅、氧化錯、氧化粗、氧化饑、氧化錠、氧化侶或 氧化儀等。其中，作為金屬氧化物半導體材料，為了獲得高轉換效率，優選氧化鐵和氧化鋒。 另外，運些金屬氧化物半導體材料可W單獨使用任一種，也可W使兩種W上復合(混合、混 晶、固溶體、表面覆蓋等)來使用，例如也可氧化鐵和氧化鋒等的組合來使用。
[0090] 作為具有多孔質結構的金屬氧化物半導體層12的形成方法，例如可W列舉出：電 解析出法、涂布法、燒成法等。當通過電解析出法來形成金屬氧化物半導體層12時，在含有 金屬氧化物半導體材料的微粒的電解浴液中，使該微粒附著于導電性基板11的導電層11B 上，同時使金屬氧化物半導體材料析出。當通過涂布法來形成金屬氧化物半導體層12時，將 分散有金屬氧化物半導體材料的微粒的分散液(金屬氧化物漿料)涂布于導電性基板11上， 然后進行干燥W除去分散液中的分散介質。當通過燒成法來形成金屬氧化物半導體層12 時，與涂布法同樣地，將金屬氧化物漿料涂布于導電性基板11上，干燥后進行燒成。其中，只 要通過電解析出法或涂布法來形成金屬氧化物半導體層12,就可W使用耐熱性低的塑料材 料或聚合物薄膜材料作為基板llA，從而可W制作柔性高的電極。
[0091] 另外，金屬氧化物半導體層12還可W使用有機堿、脈衍生物、環狀糖鏈來處理。作 為有機堿，可W列舉出：二芳基胺、Ξ芳基胺、化晚、4-叔下基化晚、聚乙締基化晚、哇嘟、贓 晚、脈等有機堿。該處理可W在下述所說明的吸附色素13之前進行，也可W在其之后進行。 作為處理方法，可W列舉出浸潰處理，當處理劑是固體時，可W溶解于有機溶劑中之后進行 浸潰處理。
[0092] 色素13含有一種或兩種W上的色素(敏化色素），其例如吸附于金屬氧化物半導體 層12,并且能夠通過吸收光而激發從而將電子注入到金屬氧化物半導體層12中。就本發明 的光電轉換元件來說，含有(A)敏化色素和(B)共吸附劑的物質相當于色素13。當使用(A)敏 化色素和(B)共吸附劑作為色素13時，作為色素13整體向金屬氧化物半導體層12注入的電 子注入量與所照射的光量的比例變高，因而轉換效率提高。
[0093] 色素13只要含有上述(A)敏化色素和(B)共吸附劑就行，也可W含有其它色素。作 為其它的色素，可W列舉出不具有錯固基的色素。
[0094] 另外，色素13除了含有上述的色素 W外，還可W含有一種或兩種W上的添加劑。作 為該添加劑，例如可W列舉出：可W抑制色素中的化合物締合的締合抑制劑;具體來說，為 由化學式（14)表示的膽酸系化合物等。它們可W單獨使用，也可W多種混合使用。
[0095]
[0096] (式中，R91為具有酸性基團或烷氧基甲娃烷基的烷基。R92表示與構成化學式中的 醬族化合物骨架的任一個碳原子鍵合的基團，為徑基、面素基、烷基、烷氧基、芳基、雜環基、 酷基、酷氧基、氧幾基、橋氧基、酸性基團或著烷氧基甲娃烷基或它們的衍生物，它們可W相 同，也可W不同。t為上且5W下的整數。構成化學式中的醬族化合物骨架的碳原子與碳 原子之間的鍵可W是單鍵，也可W是雙鍵）
[0097] 對電極20例如是在導電性基板21上設置導電層22而得到的，對于外部電路來說作 為正極起作用。作為導電性基板21的材料，例如可W列舉出：與工作電極10的導電性基板11 的基板11A的材料相同的材料。導電層22是含有一種或兩種W上的導電材料和根據需要加 入的粘結材料而構成的。
[009引作為用于導電層22的導電材料，例如可W列舉出：銷、金、銀、銅（Cu)、錠(Rh)、釘 (Ru)、侶(A1)、儀(Mg)或銅（In)等金屬、碳(C)或導電性高分子等。另外，作為用于導電層22 的粘結材料，例如可W列舉出：丙締酸樹脂、聚醋樹脂、酪醒樹脂、環氧樹脂、纖維素、Ξ聚氯 胺樹脂、含氣彈性體或聚酷亞胺樹脂等。此外，對電極20例如也可W是導電層22的單層結 構。
[0099]含電解質層30例如是含有具有氧化還原電對的氧化還原電解質而構成的。作為氧 化還原電解質，例如可W列舉出：17片系、Br7B如系、釀/氨釀系、Co絡合物系或氮氧自由 基化合物系等。具體來說，有組合艦化物鹽和艦單質而得到的電解質或組合漠化物鹽和漠 單質而得到的電解質等組合面化物鹽和面素單質而得到的電解質等。作為該面化物鹽，可 w列舉出：面化裡、面化飽、面化烷基季錠類、面化咪挫鐵類、面化嚷挫鐵類、面化嗯挫鐵類、 面化哇嘟鐵類或面化化晚鐵類等。具體來說，作為艦化物鹽，例如可W列舉出：艦化裡、艦化 飽、四乙基艦化錠、四丙基艦化錠、四下基艦化錠、四戊基艦化錠、四己基艦化錠、四庚基艦 化錠或Ξ甲基苯基艦化錠等烷基艦化季錠類、3-甲基艦化咪挫鐵或1-丙基-2,3-二甲基艦 化咪挫鐵等艦化咪挫鐵、3-乙基-2-甲基-2-艦化嚷挫鐵、3-乙基-5-( 2-徑基乙基)-4-甲基 艦化嚷挫鐵或3-乙基-2-甲基艦化苯并嚷挫鐵等艦化嚷挫鐵類、3-乙基-2-甲基-艦化苯并 嗯挫鐵等艦化嗯挫鐵類、1-乙基-2-甲基艦化哇嘟鐵等艦化哇嘟鐵類、艦化化晚鐵類等。另 夕h作為漠化物鹽，例如可W列舉出：烷基漠化季錠等。在組合面化物鹽和面素單質而得到 的電解質中，優選上述的艦化物鹽中的至少一種與艦單質的組合。
[0100]另外，氧化還原電解質例如也可W是離子性液體與面素單質的組合。此時，還可W 進一步含有上述的面化物鹽等。作為離子性液體，可W列舉出能夠在電池或太陽能電池等 中使用的離子性液體，例如可W列舉出"Inorg.Chem" 1996，35，pll68~1178、 "Electrochemist巧"2002,2，pl30~136、日本特表平9-5073：34號公報或日本特開平8- 259543號公報等所公開的離子性液體。其中，作為離子性液體，優選具有低于室溫(25Γ)的 烙點的鹽或即使具有高于室溫的烙點也可W通過與其它的烙融鹽等溶解而在室溫下實現 液狀化的鹽。作為該離子性液體的具體例子，可W列舉出W下所示的陰離子和陽離子等。
[0101 ] 作為離子性液體的陽離子，例如可W列舉出：錠、咪挫鐵、嗯挫鐵、嚷挫鐵、嗯二挫 鐵、二挫鐵、R比咯燒鐵、R比晚鐵、贓晚鐵、R比挫鐵、喀晚鐵、R比嗦鐵、二嗦鐵、鱗、梳、P卡挫鐵、嗎I 噪鐵或它們的衍生物。它們可W單獨使用，也可W多種混合使用。具體來說，可W列舉出：1- 甲基-3-丙基咪挫鐵、1-下基-3-甲基咪挫鐵、1,2-二甲基-3-丙基咪挫鐵或1-乙基-3-甲基 咪挫鐵等。
[0102] 作為離子性液體的陰離子，可W列舉出：Α?α4-或AI2CI7-等金屬氯化物、PF6-、BF4-、 CF3S03-、N(CF3S02)2-、F 化F)。-或 CF3COO-等氣含有物離子、N03-、C曲 CO〇-、C6 化 iCO〇-、C曲 OSO3-、 C曲os〇2-、c曲s〇3-、c出s〇2-、（c曲o)2P〇2-、n(cn)2-或scr等非氣化合物離子、艦化物離子或漠 化物離子等面化物離子。它們可W單獨使用，也可W多種混合使用。其中，作為該離子性液 體的陰離子，優選艦化物離子。
[0103] 在含電解質層30中，可W使用使上述的氧化還原電解質溶解于溶劑中而得到的液 狀電解質（電解液），也可W使用使電解液保持于高分子物質中而得到的固體高分子電解 質。另外，還可W使用混合含有電解液和炭黑等粒子狀碳材料的近似固體狀(糊狀)電解質。 此外，就含有碳材料的近似固體狀電解質來說，由于碳材料具有對氧化還原反應進行催化 的功能，因此電解質中也可W不含面素單質。運樣的氧化還原電解質還可W含有溶解上述 的面化物鹽、離子性液體等的有機溶劑中的任一種或兩種W上。作為該有機溶劑，可W列舉 出電化學方面不活潑的溶劑;例如，可W列舉出：乙臘、四氨巧喃、丙臘、T臘、甲氧基乙臘、 3-甲氧基丙臘、戊臘、碳酸二甲醋、碳酸乙甲醋、碳酸亞乙醋、碳酸亞丙醋、N-甲基化咯燒酬、 戊醇、哇嘟、N，N-二甲基甲酯胺、丫-下內醋、二甲基亞諷或1,4-二嗯燒等。
[0104] 另外，在含電解質層30中，W提高光電轉換元件的發電效率、提高耐久性等為目 的，還可W添加非圓環狀糖類（日本特開2005-093313號公報）、化晚系化合物（日本特開 2003-331936號公報）、脈衍生物（日本特開2003-168493號公報）、層狀粘±礦物（日本特表 2007-531206號公報）、二亞芐基-D-山梨糖醇、膽固醇衍生物、氨基酸衍生物、反式-(1R, 2R)-1，2-環己二胺的烷基酷胺衍生物、烷基脈衍生物、N-辛基-D-葡糖酷胺苯甲酸醋、雙頭 型氨基酸衍生物、季錠衍生物等。
[0105] 就該光電轉換元件來說，當對擔載于工作電極10上的色素13照射光(太陽光或與 太陽光同等的紫外光、可見光或者近紅外光)時，吸收該光而激發的色素13將電子向金屬氧 化物半導體層12注入。在該電子移動到相鄰的導電層11B之后，經由外部電路到達對電極 20。另一方面，在含電解質層30中，W使氧化后的色素13伴隨電子的移動回到基態(還原）的 方式，將電解質氧化。該氧化后的電解質通過接受到達上述對電極20的電子而被還原。運 樣，工作電極10和對電極20之間的電子的移動W及與之相伴的含電解質層30中的氧化還原 反應會反復進行。由此，產生連續的電子移動，穩定地進行光電轉換。
[0106] 本發明的光電轉換元件例如可W如下所述來制造。
[0107] 首先，制作工作電極10。最初，通過電解析出法或燒成法，在導電性基板11的形成 有導電層11B的面上形成具有多孔質結構的金屬氧化物半導體層12。在通過電解析出法來 形成的情況下，例如將含有成為金屬氧化物半導體材料的金屬鹽的電解浴一邊進行氧或空 氣的鼓泡一邊設定為規定的溫度，將導電性基板11浸潰于其中，并在與對極之間施加一定 的電壓。由此，在導電層11B上W具有多孔質結構的方式析出金屬氧化物半導體材料。此時， 也可W使對極在電解浴中適當運動。另外，在通過燒成法來形成的情況下，例如使金屬氧化 物半導體材料的粉末分散于分散介質而制備金屬氧化物漿料，將該金屬氧化物漿料涂布于 導電性基板11上，并在干燥后進行燒成，從而使其具有多孔質結構。接著，在有機溶劑中溶 解含有(A)敏化色素和(B)共吸附劑的色素13，從而制備色素溶液。在該色素溶液中浸潰形 成了金屬氧化物半導體層12的導電性基板11，從而在金屬氧化物半導體層12上擔載色素 13。
[0108] 上述色素溶液中的(A)敏化色素的濃度優選為0.01~ImM，更優選為0.05~0.5mM。 另外，上述色素溶液中的(B)共吸附劑的濃度優選為0.01~20mM，更優選為0.05~1 OmM。用 于上述色素溶液的有機溶劑只要能夠溶解(A)敏化色素和(B)共吸附劑就行，沒有特別限 審IJ;作為具體例子，可W列舉出：甲苯、苯、二甲苯等控類；甲醇、乙醇、叔下醇等醇類；甲氧基 乙醇、乙氧基乙醇、下氧基乙醇、下二醇等酸醇類;丙酬、甲乙酬、甲基異下酬、環己酬、二丙 酬醇等酬類；乙酸乙醋、乙酸下醋、乙酸甲氧基乙醋等醋類;丙締酸乙醋、丙締酸下醋等丙締 酸醋類;2,2,3,3-四氣丙醇等氣化醇類;二氯甲燒、二氯乙燒、氯仿等氯化控類；乙臘、四氨 巧喃等;上述有機溶劑也可W任意混合。優選甲苯、乙臘、醇類，更優選乙臘、醇類。
[0109] 然后，在導電性基板21的一面形成導電層22,由此制作對電極20。導電層22例如通 過瓣射導電材料來形成。
[0110] 最后，W使工作電極10的擔載有色素13的面與對電極20的形成有導電層22的面保 持規定的間隔并對置的方式，介由密封劑等間隔物(未圖示)貼合，并且除例如電解質的注 入口之外將整體進行密封。然后，在工作電極10與對電極20之間注入電解質之后，將注入口 進行密封，從而形成含電解質層30。由此，完成了圖1和圖2所示的光電轉換元件。
[0111] 另外，就上述光電轉換元件而言，是對在工作電極10和對電極20之間設置了含電 解質層30的情況進行了說明，但是代替含電解質層30也可W設置固體電荷移動層。此時，固 體電荷移動層例如具有固體中的載流子(carrier)移動與電傳導有關的材料。作為該材料， 優選電子傳輸材料或空穴化ole)傳輸材料等。
[0112] 作為空穴傳輸材料，優選芳香族胺類、Ξ亞苯基衍生物類等;例如，可W列舉出：低 聚嚷吩化合物、聚化咯、聚乙烘或其衍生物、聚對苯或其衍生物、聚對苯乙締或其衍生物、聚 嚷吩乙締(9〇1八111611716110 vinylene)或其衍生物、聚嚷吩或其衍生物、聚苯胺或其衍生 物、聚甲苯胺或其衍生物等有機導電性高分子等。
[0113] 另外，作為空穴傳輸材料，例如可W使用P型無機化合物半導體。該P型無機化合物 半導體優選帶隙為2eVW上，更優選為2.5eVW上。此外，從能夠還原色素的空穴的條件考 慮，P型無機化合物半導體的電離勢必須小于工作電極10的電離勢。根據所使用的色素的不 同，P型無機化合物半導體的電離勢的優選范圍也不同，其電離勢優選為4.5eVW上且5.5eV W下的范圍內，更優選為4.7eVW上且5.3eVW下的范圍內。
[0114] 作為P型無機化合物半導體，例如可W列舉出含有1價銅的化合物半導體等。作為 含有1價銅的化合物半導體的一個例子，有CuI、CuSCN、CuInSe2、Cu(In，Ga)Se2、CuGaSe2、 化2〇、CuS、化GaS2、化InS2、CuAlSe2等。作為其它的P型無機合物半導體，例如還可W列舉出： GaP、化 0、CoO、FeO、B i 2〇3、Mo〇2 或 Cr 2〇3 等。
[0115] 作為上述的固體電荷移動層的形成方法，例如有在工作電極10之上直接形成固體 電荷移動層的方法，也可W在其后形成賦予對電極20。
[0116] 含有有機導電性高分子的空穴傳輸材料例如可W通過真空蒸鍛法、誘鑄 (casting)法、涂布法、旋涂法、浸潰法、電解聚合法或光電解聚合法等方法導入至電極內 部。無機固體化合物時，也例如可W通過誘鑄法、涂布法、旋涂法、浸潰法或電解鍛覆法等方 法導入至電極內部。運樣形成的固體電荷移動層(特別是具有空穴傳輸材料的固體電荷移 動層）的一部分優選部分滲透到金屬氧化物半導體層12的多孔質結構的縫隙中，成為直接 相接的形態。
[0117] (A)敏化色素和(B)共吸附劑的組合就算在設置了固體電荷移動層來代替含電解 質層30的光電轉換元件中，也與設置了含電解質層30的情況同樣地，能夠提高轉換效率。
[0118] 本發明的光電轉換元件的使用用途不限于上述的太陽能電池的用途，也可W是其 它用途。作為其它用途，例如可W列舉出:光傳感器等。
[0119] 實施例
[0120] 下面，列舉用于本發明的(B)共吸附劑的合成例、本發明的擔載體(工作電極)的實 施例和比較例，對本發明進行詳細說明，但本發明不受它們的任何限定。
[0121] 通過W下的合成例1，合成上述化合物No. 1。
[0122] (合成例1)化合物No. 1的合成
[0123] 將1-甲基咪挫（東京化成）（5.07111111〇1)、11-艦^^一燒酸（6.09mmol)和四氨巧喃 (6g)加入至反應燒瓶中，在加熱回流條件下反應3小時。之后，向反應燒瓶中加入己燒，過濾 析出了的晶體，得到白色固體1.33g(收率為67%)。使用iH-醒R、I閒角認出所得到的固體是 化合物No. 1。將數據示于表1~表3中。
[0124] (合成例2~8)化合物No. 2~4、19~22的合成
[0125] 除了使用與目標化合物相對應的咪挫化合物和面代烷基簇酸W外，W與合成例1 同樣的方法合成了化合物No.2~4。另外，使化合物No. 1與KPF6、S氣甲燒橫酸鐘、四氣棚酸 鋼、雙(Ξ氣甲燒橫酷)亞胺鐘進行鹽交換反應，分別合成了化合物No. 19~22。將數據示于 表1~表3中。此外，合成例5~8的收率表示就鹽交換反應的收率，另外，在表4中示出"F-NMR 的數據。
[0126]表1
[0130] 表 3
[0131] <IR:ATR 法〉
[0132]
[0136] <氧化鐵載體的制造(導電性基板11)〉
[0137] 準備由長2.0cm X寬1.5cm X厚1. 1mm的導電性玻璃基板(F-Sn〇2)形成的導電性基 板11。接著，在導電性基板11上，按照包圍長〇.5cmX寬0.5cm的四邊形的方式粘貼厚度為70 皿的保護帶(m a S k i η g t a P e)，在該四邊形的部分上，將3 C m3的金屬氧化物漿料按照形成均 勻厚度的方式涂布并使其干燥。作為金屬氧化物漿料，使用氧化鐵漿料(Ti〇2;Solaronix公 司制Ti-NanoxideD)。接著，剝下導電性基板11上的保護帶，將該基板用電爐在450°C下進行 燒成，形成厚度為約如m的金屬氧化物半導體層12。
[013引 < 氧化鋒載體(工作電極)的制造(導電性基板11)〉
[0139] 使用與上述氧化鐵載體同樣的方法，W氧化鋒粉末(平均粒徑為20nm;巧化學工業 公司制FI肥X-50)代替氧化鐵粉末來制成金屬漿料，形成W氧化鋒為載體的導電性基板11。
[0140] (實施例和比較例）
[0141] 使作為(A)敏化色素和(B)共吸附劑的表5所述的化合物W規定的濃度溶解于乙醇 中，由此制備色素溶液。接著，將上述制得的氧化鐵載體或氧化鋒載體浸潰于上述色素溶液 中2小時，制作工作電極10。
[0142] <光電轉換元件的制造和轉換效率評價〉
[0143] 如圖1所示，使制得的工作電極10與通過在作為導電性基板21的IT0電極（西野田 電工株式會社制）上涂布石墨微粒（導電層22)而制得的對電極20隔著間隔物(63μπι)相對 置，在它們之間配置含電解質層30,用夾具將它們固定，使含電解質層30中浸透規定的電解 液1或電解質2,制作出光電轉換元件。將元件上部用開口部為1cm2的掩模覆蓋，用AM-1.5G、 lOOmW/cm2的太陽模擬器來測定光電轉換效率ri( % )。
[0144] 表5
[0145]
[0146] 在上述表5中，（A)和(B)的下行表示色素溶液中的(A)、（B)的濃度。另外，表5中的 電解液1~3的組成如下所述。
[0147] <電解液的組成〉
[0148] 電解液1:向乙臘中分別W規定的濃度混合了艦(0.05M)、艦化裡(0.5M)而得到的 電解液。
[0149] 電解液2:向乙臘中分別W規定的濃度混合了艦(0.05M)、艦化裡(0.5M)、4-叔下基 化晚(0.5M)而得到的電解液。
[0150] 電解液3 :向乙臘中分別W規定的濃度混合了 [ Co (bpy) 3 ] (PF6Μ0.22M)、[ Co (bpy)3](PF6)3(0.022M)而得到的電解液。
[0151]
[0152] 由實施例和比較例可知:本發明的擔載體通過合用(A)敏化色素和(B)由上述通式 (1)表示的共吸附劑來使轉換效率提高。
[0153] 由W上的結果可知：當本發明的擔載體用作光電轉換元件用電極時，顯示出高轉 換效率，因而是有用的。
[0154] 符號說明
[0155] 10 工作電極
[0156] 11 導電性基板
[0157] 11A 基板
[015引 11B導電層
[0159] 12 金屬氧化物半導體層
[0160] 12A致密層
[0161] 12B多孔質層
[0162] 13 色素
[0163] 20 對電極
[0164] 21 導電性基板
[01化]22 導電層 [0166] 30 含電解質層
【主權項】
1. 一種擔載體，其是擔載色素(A)和由下述通式(1)表示的共吸附劑(B)而成的，i J 通式（1)中，環A表示五元環或六元環的雜環，也可以進一步與其它環式基團縮環，環A 中的氫原子可以被鹵原子、氰基、硝基、-OR2基、-SR2基或者具有取代基或無取代的烴基取 代， Z表示被-0-、-s-、-CO-、-coo-、-oco-、-C0NR3-、-NR3C〇-或-z 1-中斷0 ~3次的 2價脂肪族 烴基，Z1表示2價芳香族基團， R1表示選自羧酸基、磺酸基、磷酸基和膦酸基中的基團， R2和R3各自獨立地表示氫原子或者具有取代基或無取代的烴基， Anm^表示m價陰離子，m表示1或2的整數，p表示將電荷保持為中性的系數。2. 根據權利要求1所述的擔載體，其特征在于，共吸附劑(B)由下述通式(2)表示，通式(2)中，R4、R5、R6和R7表示氫原子、齒原子、氰基、硝基、-0R 2基、-SR2基或者具有取代 基或無取代的烴基，R6和R7也可以相互連結而形成環， 冗^^妒^弋護^…-^表示與上述通式丨^同樣的基團。3. 根據權利要求1或2所述的擔載體，其特征在于，Z表示的2價脂肪族烴基的碳原子數 為7~15〇4. 一種光電轉換元件，其具備具有權利要求1~3中任一項所述的擔載體的電極。5. -種色素敏化型太陽能電池，其具備權利要求4所述的光電轉換元件。
【文檔編號】H01G9/20GK105874550SQ201580003740
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2015年1月26日
【發明人】青山洋平, 秋本賢作
【申請人】株式會社艾迪科