發光二極管模組及其制造方法
【專利摘要】一種發光二極管模組，包括基板、第一固晶部、第二固晶部和發光二極管芯片，所述基板包括電路結構，所述發光二極管芯片包括第一電極和第二電極，所述第一電極與第二電極分別通過與所述第一固晶部和第二固晶部接觸以與所述電路結構電連接。所述基板包括一阻隔部，所述阻隔部設置于所述第一固晶部和第二固晶部之間以將所述第一固晶部和第二固晶部間隔，所述阻隔部的高度大于第一固晶部和第二固晶部的厚度。
【專利說明】
發光二極管模組及其制造方法
技術領域
[0001] 本發明設及一種發光二極管模組W及一種發光二極管模組的制造方法。
【背景技術】
[0002] 發光二極管作為一種新型的光源已廣泛應用于多種場合，在將發光二極管忍片與 基板固晶連接的過程中通常需要利用固晶材料，固晶材料的使用量對于發光二極管的性能 至關重要。當固晶材料使用量較少時，導致發光二極管忍片與基板電連接性不佳，容易導致 短路；當固晶材料使用量過多時，容易導致發光二極管忍片正負極之間短路。因此，在保證 發光二極管忍片與基板保持良好電連接性的基礎上，如何避免由于固晶材料使用量過多導 致的發光二極管忍片的短路問題。
【發明內容】
[0003] 本發明旨在提供一種發光二極管模組及其制造方法W克服上述缺陷。
[0004] 一種發光二極管模組，包括基板、第一固晶部、第二固晶部和發光二極管忍片，所 述基板包括電路結構，所述發光二極管忍片包括第一電極和第二電極，所述第一電極與第 二電極分別通過與所述第一固晶部和第二固晶部接觸W與所述電路結構電連接。所述基板 包括一阻隔部，所述阻隔部設置于所述第一固晶部和第二固晶部之間W將所述第一固晶部 和第二固晶部間隔，所述阻隔部的高度大于第一固晶部和第二固晶部的厚度。 陽〇化]本發明還提供一種發光二極管模組的制造方法，提供一基板；在基板上設置阻隔 部；在阻隔部兩側分別設置第一固晶部和第二固晶部，所述阻隔部的高度大于第一固晶部 和第二固晶部的厚度；提供一發光二極管忍片，所述發光二極管忍片設置于阻隔部之上，所 述發光二極管忍片包括第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極分別位于阻隔部兩 偵U，所述第一電極和所述第二電極分別通過與所述第一固晶部和第二固晶部接觸W與所述 電路結構電連接。
[0006] 本發明通過在基板上設置阻隔部，使所述阻隔部的高度大于第一固晶部和第二固 晶部的厚度，將第一固晶部和第二固晶部分別設置在阻隔部兩側，在將所述發光二極管忍 片采用覆晶連接方式固設于基板時，第一固晶部和第二固晶部的過量的固晶材料將被阻隔 部阻隔，避免了由于第一固晶部和第二固晶部的固晶材料的接觸導致的發光二極管忍片的 短路問題。
【附圖說明】
[0007] 圖1為本發明提供的發光二極管模組的示意圖。
[0008] 圖2-5為本發明提供的發光二極管模組的制造方法的示意圖。 陽謝]主要元件符號說明_
如下【具體實施方式】將結合上述附圖進一步說明本發明。
【具體實施方式】
[0010] 下面將結合附圖，對本發明作進一步的詳細說明。
[0011] 請參閱圖1，本發明提供一種發光二極管模組100,所述發光二極管模組100包括 一基板10,第一固晶部21、第二固晶部22,發光二極管忍片30和阻隔部40。
[0012] 所述基板10包括電路結構11。所述電路結構11包括第一連接部111和第二連接 部112。所述第一連接部111和第二連接部112相互絕緣。所述第一連接部111和第二連 接部112均設置于基板內。由所述第一連接部111和第二連接部112分別向基板10表面 延伸形成第一延伸部1111和第二延伸部1121。所述第一固晶部21和第二固晶部22與所 述基板10的電路結構11電連接。具體的，所述第一固晶部21和第二固晶部22分別與第 一延伸部1111和第二延伸部1121接觸W與基板10的電路結構11電連接。所述基板10 為導熱材料W增強本發明提供發光二極管模組100的散熱性能。
[0013] 所述第一固晶部21和第二固晶部22設置于基板10上。所述第一固晶部21和第 二固晶部22相互間隔設置。所述第一固晶部21和第二固晶部22均義用固晶材料。所述 發光二極管忍片30采用覆晶方式設置于基板10上。所述發光二極管忍片30通過第一固 晶部21和第二固晶部22設置于基板10上，并與基板10的電路結構11電連接。
[0014] 所述阻隔部40設置于基板10上。所述阻隔部40設置于所述第一固晶部21和第 二固晶部22之間W將第一固晶部21和第二固晶部22間隔。所述阻隔部40的材料采用碳 氧化合物。具體的，所述阻隔部40的材料可采用環氧樹脂。所述阻隔部40的高度大于所述 第一固晶部21和第二固晶部22的厚度。優選的，所述阻隔部40的高度大于等于5微米。
[0015] 所述發光二極管忍片30設置于基板10。所述發光二極管忍片30位于所述阻隔 部40之上。所述發光二極管忍片30包括忍片主體300、第一電極31和第二電極32。所述 第一電極31和第二電極32相互間隔設置。所述第一電極31和所述第二電極32分別通過 與所述第一固晶部21和第二固晶部22接觸W與所述電路結構11電連接。具體的，所述忍 片主體300包括一 N型半導體層、一有源層和一 P型半導體層（圖未示)。所述忍片主體300 還包括其他結構（圖未示)，例如絕緣結構，該絕緣結構可包括若干通孔，該若干通孔用于填 充導電材料W使得忍片主體300的N型半導體層和P型半導體層與所述第一電極31和第 二電極32電連接，同時該絕緣結構避免了 N型半導體層和P型半導體層之間的短路。所述 導電材料可W為儀、銀、白金、銘、金或其他合金材料。所述第一固晶部21與所述第一電極 31接觸并電連接。所述第二固晶部22與所述第二電極32接觸并電連接。所述第一電極 31和第二電極32分別位于阻隔部40兩側。
[0016] 本發明的實施方式提供的發光二極管模組100由于在基板10上設置阻隔部40,所 述阻隔部設置于第一固晶部21和第二固晶部22之間將該二者間隔，因此，在將所述發光二 極管忍片30采用覆晶連接方式固設于基板10時，第一固晶部21和第二固晶部22的過量 的固晶材料將被阻隔部40阻隔，避免了由于第一固晶部21和第二固晶部22的固晶材料的 接觸導致的短路問題。
[0017] 請參閱圖2-5,本發明還提供一種發光二極管模組100的制造方法，包括： 提供一基板10 ; 在基板10上設置阻隔部40 ; 在阻隔部40兩側分別設置第一固晶部21和第二固晶部22,所述阻隔部40的高度大于 第一固晶部21和第二固晶部22的厚度； 提供一發光二極管忍片30,所述發光二極管忍片30設置于阻隔部40之上，所述發光二 極管忍片30包括第一電極31和第二電極32,所述第一電極31和第二電極32分別位于阻 隔部40兩側，所述第一電極31和所述第二電極32分別通過與所述第一固晶部21和第二 固晶部22接觸W與所述電路結構11電連接。
[0018] 所述基板10包括電路結構11。所述電路結構11包括第一連接部111和第二連接 部112。所述第一連接部111和第二連接部112相互絕緣。所述第一連接部111和第二連 接部112均設置于基板內。由所述第一連接部111和第二連接部112分別向基板10表面 延伸形成第一延伸部1111和第二延伸部1121。所述第一固晶部21和第二固晶部22與所 述基板10的電路結構11電連接。具體的，所述第一固晶部21和第二固晶部22分別與第 一延伸部1111和第二延伸部1121接觸W與基板10的電路結構11電連接。所述基板10 為導熱材料W增強本發明提供發光二極管模組100的散熱性能。
[0019] 所述第一固晶部21和第二固晶部22設置于基板10上。所述第一固晶部21和第 二固晶部22相互間隔設置。所述第一固晶部21和第二固晶部22均采用固晶材料。所述 發光二極管忍片30采用覆晶方式設置于基板10上。所述發光二極管忍片30通過第一固 晶部21和第二固晶部22設置于基板10上，并與基板10的電路結構11電連接。
[0020] 所述阻隔部40設置于基板10上。所述阻隔部40設置于所述第一固晶部21和第 二固晶部22之間W將第一固晶部21和第二固晶部22間隔。所述阻隔部40的材料采用碳 氧化合物。具體的，所述阻隔部40的材料可采用環氧樹脂。所述阻隔部40的高度大于所述 第一固晶部21和第二固晶部22的厚度。優選的，所述阻隔部40的高度大于等于5微米。
[0021] 所述發光二極管忍片30還包括忍片主體300。所述忍片主體300包括一 N型半導 體層、一有源層和一 P型半導體層（圖未示)。所述忍片主體300還包括其他結構（圖未示)， 例如絕緣結構，該絕緣結構可包括若干通孔，該若干通孔用于填充導電材料W使得忍片主 體300的N型半導體層和P型半導體層與所述第一電極31和第二電極32電連接，同時該 絕緣結構避免了 N型半導體層和P型半導體層之間的短路。所述導電材料可W為儀、銀、白 金、銘、金或其他合金材料。
[0022] 對于本領域的技術人員來說可W在本發明技術構思內做其他變化，但是，根據本 發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，都應屬于本發明權利要求的保護范圍。
【主權項】
1. 一種發光二極管模組，包括基板、第一固晶部、第二固晶部和發光二極管芯片，所述 基板包括電路結構，所述發光二極管芯片包括第一電極和第二電極，所述第一電極與第二 電極分別通過與所述第一固晶部和第二固晶部接觸以與所述電路結構電連接，其特征在 于：所述基板包括一阻隔部，所述阻隔部設置于所述第一固晶部和第二固晶部之間以將所 述第一固晶部和第二固晶部間隔，所述阻隔部的高度大于第一固晶部和第二固晶部的厚 度。2. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述電路結構包括第一連接部 和第二連接部，所述第一連接部和第二連接部相互絕緣，所述第一連接部和第二連接部均 設置于基板內，由所述第一連接部和第二連接部分別向基板表面延伸形成第一延伸部和第 二延伸部，所述第一固晶部和第二固晶部分別與第一延伸部和第二延伸部接觸以與基板的 電路結構電連接。3. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述第一固晶部和第二固晶部 相互間隔設置。4. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述第一電極和第二電極間隔 設置。5. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述發光二極管芯片設置于阻 隔部之上，所述第一電極和第二電極分別位于阻隔部兩側。6. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述阻隔部的材料采用碳氧化 合物。7. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述阻隔部的材料采用環氧樹 脂。8. 如權利要求1所述的發光二極管模組，其特征在于：所述阻隔部的高度大于等于5 微米。9. 一種發光二極管模組的制造方法，包括： 提供一基板； 在基板上設置阻隔部； 在阻隔部兩側分別設置第一固晶部和第二固晶部，所述阻隔部的高度大于第一固晶部 和第二固晶部的厚度； 提供一發光二極管芯片，所述發光二極管芯片設置于阻隔部之上，所述發光二極管芯 片包括第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極分別位于阻隔部兩側，所述第一電 極和所述第二電極分別通過與所述第一固晶部和第二固晶部接觸以與所述電路結構電連 接。10. 如權利要求9所述的發光二極管模組的制造方法，其特征在于：所述阻隔部的高度 大于等于5微米。
【文檔編號】H01L33/48GK105870291SQ201510029220
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2015年1月21日
【發明人】黃建翔, 洪梓健
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司