集成電子三極管的制作方法
【專利摘要】本發明公開一種集成電子三極管，所述的集成電子三極管包括最外層半導體材料層，中間層合金材料層和最內層的硅材料層，所述半導體材料層為無機化合物半導體、有機化合物半導體或非晶態與液態半導體，所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的42?48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%?30%，所述的硅材料層占集成電子三極管總體分量的25%?30%，本發明提供一種集成電子三極管，具有工作效率高、使用壽命長、節約資源的優點。
【專利說明】
集成電子三極管
技術領域
[0001]本發明涉及一種集成電子三極管。
【背景技術】
[0002]三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學家一一巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。3位科學家驚奇地發現，在他們發明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產生了放大效應。這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果一一晶體管。因它是在圣誕節前夕發明的，而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響，所以被稱為“獻給世界的圣誕節禮物”。另外這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。
[0003]晶體管促進并帶來了“固態革命”，進而推動了全球范圍內的半導體電子工業。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用，并產生了巨大的經濟效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結構，集成電路以及大規模集成電路應運而生，這樣制造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。
【發明內容】
[0004]本發明提供一種具有工作效率高、使用壽命長、節約資源優點的集成電子三極管。
[0005]本發明的技術方案是:一種集成電子三極管，所述的集成電子三極管包括最外層半導體材料層，中間層合金材料層和最內層的娃材料層，所述半導體材料層為無機化合物半導體、有機化合物半導體或非晶態與液態半導體，所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的42-48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%。
[0006]在本發明一個較佳實施例中，所述硅材料層為硅多晶、硅單晶或硅片。
[0007]在本發明一個較佳實施例中，所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的46%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的26%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的28%。
[0008]本發明的一種集成電子三極管，具有工作效率高、使用壽命長、節約資源的優點。
【具體實施方式】
[0009]下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]其中，所述的集成電子三極管包括最外層半導體材料層，中間層合金材料層和最內層的硅材料層，所述半導體材料層為無機化合物半導體、有機化合物半導體或非晶態與液態半導體，所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的42-48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%。
[0011]進一步說明，所述硅材料層為硅多晶、硅單晶或硅片，所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的46%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的26%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的28%。
[0012]在進一步說明，無機化合物半導體分二元系、三元系、四元系等。二元系包括:①IV-1V族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結構。②m-V族:由周期表中m族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結構，它們在應用方面僅次于66、51，有很大的發展前途。?11-￥1族:11族元素211工(1、取和￥1族元素5、56、1'6形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結構。④I 一 W族:1族元素Cu、Ag、Au和W族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結構。⑤V-VI族:V族元素As、Sb、Bi和VI族元素3、36 36形成的化合物具有的形式，如化2163、812363、81233、As2Te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、Zn、Sc、T1、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物，為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm與V族元素N、As或VI族元素S、Se、Te形成的化合物。除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導體，例如S1-AlP、Ge_GaAs、InAs-1nSb、Al Sb-GaSb、InAs-1nP、GaAs_GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應用范圍方面起很大作用。三元系包括:族:這是由一個π族和一個IV族原子去替代m—V族中兩個m族原子所構成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族:這是由一個I族和一個ΙΠ族原子去替代Π-VI族中兩個Π族原子所構成的，如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。:這是由一個I族和一個V族原子去替代族中兩個ΙΠ族原子所組成，如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，還有它的結構基本為閃鋅礦的四元系(例如Cu2Fe SnS4 )和更復雜的無機化合物。
[0013]有機化合物半導體已知的有機半導體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導體尚未得到應用。非晶態與液態半導體這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。本發明提供一種集成電子三極管，具有工作效率高、使用壽命長、節約資源的優點。
[0014]本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本領域的技術人員在本發明所揭露的技術范圍內，可不經過創造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種集成電子三極管，其特征在于:所述的集成電子三極管包括最外層半導體材料層，中間層合金材料層和最內層的娃材料層，所述半導體材料層為無機化合物半導體、有機化合物半導體或非晶態與液態半導體，所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的42-48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%，所述的硅材料層占集成電子二極管總體分量的25%_30%。2.根據權利要求1所述的集成電子三極管，其特征在于:所述硅材料層為硅多晶、硅單晶或硅片。3.根據權利要求1所述的集成電子三極管，其特征在于:所述的半導體材料層占集成電子三極管總體分量的46%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的26%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的28%。
【文檔編號】H01L51/05GK105870175SQ201610214728
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月8日
【發明人】錢偉國
【申請人】太倉凱豐電子科技有限公司