一種陣列基板及其制備方法、oled顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示裝置，涉及顯示技術領域，可以提高顯示裝置的出光效率。該陣列基板包括設置在襯底上的陽極、有機材料功能層、陰極以及像素界定層，所述陽極延伸到所述像素界定層內，且所述陽極延伸到所述像素界定層內的部分包括傾斜面，所述傾斜面與所述襯底的夾角小于90°；所述傾斜面用于對所述有機材料功能層發出的射向所述傾斜面的光進行反射。用于提高顯示裝置出光效率。
【專利說明】
一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示裝置
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，OLED(OrganicLight Emitting D1de，有機發光二極管)顯示裝置由于具有自發光、寬視角、響應速度快、可柔化等特點而受到廣泛關注。
[0003]現有的OLED顯示裝置，如圖1所示，包括陽極10、有機材料功能層20及陰極30，不同子像素之間通過像素界定層40隔開。然而，由于從有機材料功能層20發出的平行于有機材料功能層20的光(如圖1中箭頭所示)無法從顯示裝置出射，因而降低了 OLED顯示裝置的出光效率。
【發明內容】
[0004]本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示裝置，可以提高顯示裝置的出光效率。
[0005]為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案:
[0006]第一方面，提供一種陣列基本，包括設置在襯底上的陽極、有機材料功能層、陰極以及像素界定層，其特征在于，所述陽極延伸到所述像素界定層內，且所述陽極延伸到所述像素界定層內的部分包括傾斜面，所述傾斜面與所述襯底的夾角小于90°;所述傾斜面用于對所述有機材料功能層發出的射向所述傾斜面的光進行反射。
[0007]優選的，所述陽極包括依次設置在所述襯底上的第一透明導電層、金屬反射層和第二透明導電層。
[0008]進一步優選的，所述第一透明導電層靠近所述襯底設置，所述金屬反射層和所述第二透明導電層延伸到所述像素界定層內。
[0009]進一步優選的，所述金屬反射層的材料為Ag;所述第一透明導電層和所述第二透明導電層的材料為ΙΤ0。
[0010]優選的，所述襯底為柔性襯底。
[0011]優選的，上述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與所述陽極電聯接。
[0012]第二方面，提供一種OLED顯示裝置，包括上述的陣列基板，還包括封裝層。
[0013]第三方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括:形成像素界定層，所述像素界定層包括層疊的第一像素界定子層和第二像素界定子層;形成陽極，所述陽極延伸到所述第一像素界定子層和所述第二像素界定子層之間，且所述陽極延伸到所述像素界定層內的部分包括傾斜面，所述傾斜面與所述襯底的夾角小于90°;所述傾斜面用于對有機材料功能層發出的射向所述傾斜面的光進行反射;形成有機材料功能層和陰極。
[0014]優選的，所述陽極包括依次形成在所述襯底上的第一透明導電層、金屬反射層和第二透明導電層。
[0015]進一步優選的，所述方法具體包括:通過一次構圖工藝，在所述襯底上形成所述第一透明導電層;通過一次構圖工藝形成所述第一像素界定子層;通過一次構圖工藝形成位于所述第一透明導電層上方的所述金屬反射層和所述第二透明導電層，所述金屬反射層和所述第二透明導電層還延伸到所述第一像素界定子層上方;通過一次構圖工藝形成所述第二像素界定子層;通過蒸鍍工藝形成所述有機材料功能層;通過蒸鍍工藝形成陰極。
[0016]本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示裝置，由于陣列基板中的陽極延伸到像素界定層內，且延伸到像素界定層內的部分包括傾斜面，這樣從有機材料功能層發出的光，在射到傾斜面后，就可以被傾斜面反射出去，相對于現有技術中，將陽極做成平坦結構，而使得從有機材料功能層發出的平行于有機材料功能層的光無法出射，本發明實施例中的傾斜面可以使從有機材料功能層發出的光在射到傾斜面后均可以被反射出去，因而當該陣列基板應用于顯示裝置時，可提高顯示裝置的出光效率。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為現有技術提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0019]圖2為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖一；
[0020]圖3(a)為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖二；
[0021]圖3(b)為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖三；
[0022]圖4為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖四；
[0023]圖5為本發明實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖；
[0024]圖6為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程結構示意圖；
[0025]圖7為本發明實施例提供的一種陣列基板的具體制備方法的流程結構示意圖。
[0026]附圖標記:
[0027]10-陽極；101-第一透明導電層；102-金屬反射層；103-第二透明導電層;20-有機材料功能層;201-電子傳輸層;202-發光層;203-空穴傳輸層;204-電子注入層;205-空穴注入層;30-陰極;40-像素界定層;401-第一像素界定子層;402-第二像素界定子層;50-襯底；60-薄膜晶體管;601-漏極;602-源極;603-有源層;604-柵絕緣層;605-柵極;70-封裝層。
【具體實施方式】
[0028]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0029]本發明實施例提供一種陣列基板，如圖2、圖3(a)、圖3(b)及圖4所示，包括設置在襯底50上的陽極10、有機材料功能層20、陰極30以及像素界定層40;陽極10延伸到像素界定層40內，且陽極10延伸到像素界定層40內的部分包括傾斜面，該傾斜面與襯底50的夾角Θ小于90° ;其中，所述傾斜面用于對有機材料功能層20發出的射向傾斜面的光進行反射(如圖2中箭頭所示)。
[0030]需要說明的是，第一，本發明實施例中，陽極10不透光，陰極30透光。基于此，不對陽極10和陰極30的材料進行限定。
[0031]第二，如圖3(a)、圖3(b)和圖4所示，有機材料功能層20可以包括電子傳輸層201和空穴傳輸層203、以及二者之間的發光層202，當然還可以如圖3(a)所示，根據需要設置電子注入層204和空穴注入層205。
[0032]其中，電子傳輸層201應有一定的電子運輸能力及良好的成膜性和穩定性，電子傳輸層201的材料可以為金屬螯合物，唑類化合物，二氮菲衍生物等，例如可以為:A1Q3(三(8-羥基喹啉)鋁)、BPhen(4，7-二苯基-l，10-鄰二氮雜菲)、TmPyPB(l，3，5-三[(3-吡啶基)-3-苯基 ]苯)、0XD-7(2，2’-(I，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑])。
[0033]空穴傳輸層203應有高的熱穩定性，且與陽極10形成小的勢皇，空穴傳輸層203的材料可以為三芳香胺類系列、聯苯二胺衍生物、交叉結構鏈接二胺聯苯。例如可以為NPB(N，N’-二苯基-N，N’-(1-萘基聯苯-4,4’-二胺)、TCTA(4，4’，4”-Tri(9-carbazoyl)triphenylamine，4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺)、m_MTDATA(4，4 ’，4”-Tris (N_3_methylpheny 1-N-phenylamino) triphenylamine，4，4 ’，4” -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)等。
[0034]第三，對于傾斜面與襯底50的夾角Θ不進行限定，具體可以根據顯示裝置的視角進行設置，傾斜面與襯底50的夾角Θ越小，顯示裝置的視角越大，傾斜面與襯底50的夾角Θ越大，顯示裝置的視角越小。優選的，傾斜面與襯底50的夾角Θ為30°左右。
[0035]第四，對于像素限定層40的材料，例如可以為有機感光材料。本發明實施例中設置像素限定層40是為了將不同的子像素隔離開，避免出現混色現象。
[0036]本發明實施例提供一種陣列基板，由于陣列基板中的陽極10延伸到像素界定層40內，且延伸到像素界定層40內的部分包括傾斜面，這樣從有機材料功能層20發出的光，在射到傾斜面后，就可以被傾斜面反射出去，相對于現有技術中，將陽極10做成平坦結構，而使得從有機材料功能層20發出的平行于有機材料功能層20的光無法出射，本發明實施例中的傾斜面可以使從有機材料功能層20發出的光在射到傾斜面后均可以被反射出去，因而當該陣列基板應用于顯示裝置時，可提高顯示裝置的出光效率。
[0037]優選的，陽極10包括依次設置在襯底50上的第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103。
[0038]當陽極10為第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103結構時，可以是如圖3(a)所示，第一透明導電層101為平坦結構，金屬反射層102和第二透明導電層103延伸到像素限定層40內，此時，金屬反射層102和第二透明導電層103可以通過一次構圖工藝形成。也可以是如圖3(b)所示，第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103均延伸到像素限定層40內，此時，第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103通過一次構圖工藝形成。
[0039]需要說明的是，對于第一透明導電層101和第二透明導電層102的材料，只要是透明且導電的即可，例如可以是IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、AZ0(Aluminum ZincOxide，氧化招鋅)、IZ0(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、GZ0(Gallium Zinc Oxide，氧化鋅鎵)等中的一種或多種。第一透明導電層101和第二透明導電層102的材料可以相同，也可以不同。
[0040]對于金屬反射層102的材料，以能對有機材料功能層20發出的且射到傾斜面的光進行反射為準，例如可以為Ag(銀)、Cu(銅)、Au(金)等中的一種或多種。
[0041]本發明實施例中，當陽極10為第一透明導電層101、金屬反射層102及第二透明導電層103結構時，陽極1具有高功函數與高反射率。
[0042]由于Ag具有尚反射率和尚電導率，可以提尚發光效率，因而優選的，金屬反射層102的材料為Ag。由于ITO具有低方阻且透光率可以達到75%?86%等優點，因而優選的，第一透明導電層101和第二透明導電層103的材料為ΙΤ0。當陽極10為IT0/Ag/IT0結構時，陽極10具有尚功函數和尚反射率，這樣在提尚發光效率的同時，可以降低陽極1與有機材料功能層20的勢皇，有利于有機材料功能層20發光。
[0043]在此基礎上，陰極30材料優選為Ag/Mg(鎂)，其中Ag/Mg較薄，半透光。
[0044]優選的，如圖3(a)所示，第一透明導電層101靠近襯底50設置，金屬反射層102和第二透明導電層103延伸到像素界定層40內。
[0045]這是考慮到當該陣列基板還包括薄膜晶體管時，薄膜晶體管的漏極需與陽極10電聯接，將陽極10中的第一透明導電層101靠近襯底50設置成平坦結構，有利于薄膜晶體管的漏極與陽極10中的第一透明導電層101電聯接，且金屬反射層102和第二透明導電層103延伸到像素界定層40內，可以對有機材料功能層20發出的射向傾斜面的光進行反射，以提高出光效率。
[0046]優選的，襯底50為柔性襯底。
[0047]其中，柔性襯底的材料可以是PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PI(聚酰亞胺)等。
[0048]本發明實施例中，當襯底50為柔性襯底，陣列基板應用于顯示面板時，顯示面板為柔性顯示面板。
[0049]優選的，如圖4所示，上述陣列基板還包括薄膜晶體管60，薄膜晶體管60的漏極601
與陽極10電聯接。
[0050]其中，薄膜晶體管60包括漏極601、源極602、有源層603、柵絕緣層604及柵極605。
[0051]薄膜晶體管60是一種具有開關特性的半導體單元，例如可以是非晶硅型薄膜晶體管、或低溫多晶硅型薄膜晶體管、或氧化物型薄膜晶體管、或有機物型薄膜晶體管等，具體在此不做限定。
[0052]所述薄膜晶體管60可以是頂柵型，也可以是底柵型，在此不作限定(圖4中以底柵型薄膜晶體管為例進行示意)。
[0053]本發明實施例提供一種OLED顯示裝置，如圖5所示，包括上述的陣列基板，還包括封裝層70。所述顯示裝置可以為:0LED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0054]本發明實施例提供一種OLED顯示裝置，由于陣列基板中的陽極10延伸到像素界定層40內，且延伸到像素界定層40內的部分包括傾斜面，這樣從有機材料功能層20發出的光，在射到傾斜面后，就可以被傾斜面反射出顯示裝置，相對于現有技術中，將陽極10做成平坦結構，而使得從有機材料功能層20發出的平行于有機材料功能層20的光無法從顯示裝置出射，而本發明實施例中的傾斜面可以使從有機材料功能層20發出的光在射到傾斜面后均可以被反射出去，因而提高了顯示裝置的出光效率。
[0055]本發明實施例提供一種如圖2-圖4所示陣列基板的制備方法，如圖6所示，包括:
[0056]S100、形成像素界定層40，像素界定層40包括層疊的第一像素界定子層401和第二像素界定子層402。
[0057]其中，對于第一像素界定子層401和第二像素界定子層402的材料，例如可以為有機感光材料。本發明實施例中設置像素限定層40是為了將不同的子像素隔離開，避免出現混色現象。
[0058]SlOl、形成陽極10，陽極10延伸到第一像素界定子層401和第二像素界定子層402之間，且陽極10延伸到像素界定層40內的部分包括傾斜面，所述傾斜面與襯底50的夾角Θ小于90° ;所述傾斜面用于對有機材料功能層20兩側發出的光進行反射。
[0059]對于傾斜面與襯底50的夾角Θ不進行限定，具體可以根據顯示裝置的視角進行設置，傾斜面與襯底50的夾角Θ越小，顯示裝置的視角越大，傾斜面與襯底50的夾角Θ越大，顯示裝置的視角越小。優選的，傾斜面與襯底50的夾角Θ為30°左右。
[0060]S102、形成有機材料功能層20和陰極30。
[0061]其中，形成有機材料功能層20可以包括形成電子傳輸層201和空穴傳輸層203、以及二者之間的發光層202，當然還可以根據需要形成電子注入層204和空穴注入層205。在形成的有機材料功能層20包括電子注入層204、電子傳輸層201、發光層202、空穴傳輸層203及空穴注入層205的情況下，形成有機材料功能層20具體可以為:在形成有陽極10的襯底50上蒸鍍一層空穴注入層205，并在蒸鍍有空穴注入層205的襯底30上依次蒸鍍空穴傳輸層203、發光層202、電子傳輸層201和電子注入層204，這樣即可形成有機材料功能層20。
[0062]在此基礎上，陰極30可以通過蒸鍍法形成在有機材料功能層20的上方。
[0063]此處，陽極10不透光，陰極30透光。基于此，不對陽極10和陰極30的材料進行限定。
[0064]本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法，由于陣列基板中的陽極10延伸到像素界定層40內，且延伸到像素界定層40內的部分包括傾斜面，這樣從有機材料功能層20發出的光，在射到傾斜面后，就可以被傾斜面反射出去，相對于現有技術中，將陽極10做成平坦結構，而使得從有機材料功能層20發出的平行于有機材料功能層20的光無法出射，而本發明實施例中的傾斜面可以使有機材料功能層20發出的光在射到傾斜面后均可以被反射出去，因而當該陣列基板應用于顯示裝置時，可提高了顯示裝置的出光效率。
[0065]優選的，陽極10包括依次形成在襯底50上的第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103。
[0066]其中，對于第一透明導電層101和第二透明導電層102的材料，只要是透明且導電的即可，例如可以是IT0、AZ0、IZ0、GZ0等中的一種或多種。第一透明導電層101和第二透明導電層102的材料可以相同，也可以不同。
[0067]對于金屬反射層102的材料，以能對有機材料功能層20發出的且射到傾斜面的光進行反射為準，例如可以為Ag、Cu、Au等中的一種或多種。
[0068]此處，當陽極10為第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103結構時，可以是如圖3(a)所示，第一透明導電層101為平坦結構，金屬反射層102和第二透明導電層103延伸到像素限定層40內，此時，金屬反射層102和第二透明導電層103可以通過一次構圖工藝形成;也可以是如圖3(b)所不，第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103均延伸到像素限定層40內，此時，第一透明導電層101、金屬反射層102和第二透明導電層103通過一次構圖工藝形成。
[0069]本發明實施例中，當陽極10為第一透明導電層101、金屬反射層102及第二透明導電層103結構時，陽極1具有高功函數與高反射率。
[0070]基于此，如圖3(a)所示，上述方法如圖7所示，具體包括:
[0071]S200、通過一次構圖工藝，在襯底50上形成第一透明導電層101。
[0072]S201、通過一次構圖工藝形成第一像素界定子層401。
[0073]其中，對于第一像素界定子層401的形狀，以能使下述步驟S202中形成的金屬反射層102中包括傾斜面為準。
[0074]S202、通過一次構圖工藝形成位于第一透明導電層101上方的金屬反射層102和第二透明導電層103，金屬反射層102和第二透明導電層103還延伸到第一像素界定子層401上方。
[0075]S203、通過一次構圖工藝形成第二像素界定子層402。
[0076]S204、通過蒸鍍工藝形成有機材料功能層20。
[0077]S205、通過蒸鍍工藝形成陰極30。
[0078]本發明實施例中，考慮到陣列基板中還可以包括薄膜晶體管60，薄膜晶體管60的漏極601與陽極10電聯接，通過在襯底50上形成第一透明導電層101的平坦結構，有利于薄膜晶體管的漏極601與陽極10中的第一透明導電層101電聯接，且在第一像素界定子層401和第二像素界定子層402之間形成金屬反射層102和第二透明導電層103，金屬反射層102可以對有機材料功能層20發出的射向傾斜面的光進行反射，以提高出光效率。
[0079]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種陣列基板，包括設置在襯底上的陽極、有機材料功能層、陰極以及像素界定層，其特征在于，所述陽極延伸到所述像素界定層內，且所述陽極延伸到所述像素界定層內的部分包括傾斜面，所述傾斜面與所述襯底的夾角小于90° ; 所述傾斜面用于對所述有機材料功能層發出的射向所述傾斜面的光進行反射。2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陽極包括依次設置在所述襯底上的第一透明導電層、金屬反射層和第二透明導電層。3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明導電層靠近所述襯底設置，所述金屬反射層和所述第二透明導電層延伸到所述像素界定層內。4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬反射層的材料為Ag;所述第一透明導電層和所述第二透明導電層的材料為ITO。5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底為柔性襯底。6.根據權利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與所述陽極電聯接。7.—種OLED顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的陣列基板，還包括封裝層。8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 形成像素界定層，所述像素界定層包括層疊的第一像素界定子層和第二像素界定子層； 形成陽極，所述陽極延伸到所述第一像素界定子層和所述第二像素界定子層之間，且所述陽極延伸到所述像素界定層內的部分包括傾斜面，所述傾斜面與所述襯底的夾角小于90° ;所述傾斜面用于對有機材料功能層發出的射向所述傾斜面的光進行反射； 形成有機材料功能層和陰極。9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述陽極包括依次形成在所述襯底上的第一透明導電層、金屬反射層和第二透明導電層。10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述方法具體包括: 通過一次構圖工藝，在所述襯底上形成所述第一透明導電層； 通過一次構圖工藝形成所述第一像素界定子層； 通過一次構圖工藝形成位于所述第一透明導電層上方的所述金屬反射層和所述第二透明導電層，所述金屬反射層和所述第二透明導電層還延伸到所述第一像素界定子層上方； 通過一次構圖工藝形成所述第二像素界定子層； 通過蒸鍍工藝形成所述有機材料功能層； 通過蒸鍍工藝形成陰極。
【文檔編號】H01L27/32GK105870154SQ201610279538
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月28日
【發明人】孫艷六
【申請人】京東方科技集團股份有限公司