一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提出一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，其包括支架，氣缸，氣體噴淋組件以及抽風裝置，所述支架橫跨硅片刻蝕機設置，所述支架的上橫梁上固定設置有氣缸固定板，氣缸固定在氣缸固定板上，氣缸的活塞桿與氣體噴淋組件固定板固定，升降導桿的一端與氣體噴淋組件固定板固定，另一端與升降板固定，升降板設置于氣缸固定板的上方，其上設置有多個緩沖器，氣體噴淋組件至上橫梁之間為密封空間，通過框架及與其安裝固定的透明板構成，抽風裝置設置于氣體噴淋組件的下方，硅片傳送滾輪設于兩者之間。本發明的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，通過氣缸的升降來非常方便地調節氣體噴淋組件距離硅片的高度來優化硅片表面處理的工藝條件；采用支架式設計，在硅片處理工藝產線改造和調整時，也易于操作和調整。
【專利說明】
一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置
技術領域
[0001]本發明涉及光伏太陽能電池制造技術領域，特別涉及光伏電池硅片表面鈍化處理工藝中的一種可升降式氣體鈍化處理設備。
【背景技術】
[0002]隨著傳統的石化燃料的大規模使用造成的環境問題日益嚴峻，清潔能源如利用太陽能進行發電的光伏發電越來越受到各國的重視，近幾年來得到了快速的發展，但在像中國這樣的發展中國家，光伏發電的總量與傳統的火力發電總量相比仍然非常小。與相比傳統的火力發電，影響光伏發電迅速普及的一個重要原因就是發電成本仍然比較高，而降低光伏發電成本的一個重要途徑就是提高光伏發電的效率。
[0003]目前在光伏領域使用最多的是硅基板太陽電池，硅基板太陽電池的發電效率是與硅基板表面能夠吸收到的太陽光的多少直接相關的。由于硅是間接帶隙半導體，其對太陽光的反射率一般都在30%以上，因此，如何降低硅片表面的太陽光的反射率，讓硅片表面盡可能多的吸收太陽光就成了提尚娃基板太陽電池發電效率的關鍵因素。目如的工藝中，最常采用的工藝是利用強酸對硅表面進行腐蝕從而在硅表面形成“蠕蟲”結構來降低硅片表面的反射率，這種工藝成本較低但效果不是特別好，另外強酸也會帶來安全生產上的問題；最近幾年，反應離子刻蝕(RIE刻蝕)、等離子體刻蝕工藝得到了越來越多的使用，這種刻蝕方法形成的硅片絨面結構對光的反射率更低。為了提高太陽電池的轉換效率，需要對表面制絨后的硅片進行有效的鈍化，通過氧化法在硅表面形成二氧化硅薄膜，目前采用比較多的工藝是采用臭氧氣體進行硅片鈍化，即，使用氣體噴淋設備將反應氣體噴到硅片表面對表面進行處理。目前的氣體噴淋設備，在根據具體應用場合的硅片處理工藝線的電池片刻蝕機的具體規格安裝調試后是固定的，當電池片刻蝕機狀況發生變更，或者遇到其他情況需要對氣體噴淋設備進行調整時就非常不方便，因此，需要提供一種可以方便對氣體噴淋設備進行調整的硅片表面鈍化處理裝置。
【發明內容】
[0004]針對現有工藝中的使用需求，滿足太陽電池制造工藝中硅片鈍化的工藝要求，本發明的目的是提供光伏電池硅片表面鈍化處理工藝中一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，其可以根據不同的產線情況和工藝要求方便地調整鈍化處理裝置與硅片之間的距離。
[0005]為達到本發明的目的，本發明提出一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，所述處理裝置包括支架，氣缸，氣體噴淋組件以及抽風裝置，所述支架橫跨太陽能電池片刻蝕機設置，所述支架的上橫梁上固定設置有氣缸固定板，氣缸固定在氣缸固定板上，氣缸的活塞桿與氣體噴淋組件固定板固定，氣體噴淋組件通過固定支架與氣體噴淋組件固定板連接，升降導桿的一端與氣體噴淋組件固定板固定，另一端與升降板固定，升降板設置于氣缸固定板的上方，其上設置有多個緩沖器，氣體噴淋組件至上橫梁之間為密封空間，通過框架及與其安裝固定的透明板構成，抽風裝置設置于氣體噴淋組件的下方，硅片傳送滾輪設于兩者之間。
[0006]優選的，所述氣體噴淋組件包括殼體和進氣孔，殼體內設置有氣體勻流板，反應氣體從進氣孔經過氣體勻流板后均勻地吹至下方的硅片表面。
[0007]再優選的，所述抽風裝置設置為盒體狀構造，在其上蓋板的兩側部位設置有抽氣縫，在左右側板上設有多個抽氣小孔，前側或后側設有出氣孔，其通過管道與抽風設備相連。
[0008]本發明的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，將氣體噴淋組件與支架固定而不是直接固定在電池片刻蝕機上，并將氣體噴淋組件通過固定板與設置在支架上的氣缸的活塞桿連接固定，通過氣缸的升降來方便調節氣體噴淋組件距離硅片的高度，從而優化硅片表面處理的工藝條件;在電池片刻蝕機改造和調整時，也非常靈活方便。
【附圖說明】
[0009]通過下面結合附圖的詳細描述，本發明前述的和其他的目的、特征和優點將變得顯而易見。其中:
[0010]圖1所示為本發明的一實施例的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置的結構示意圖；
[0011]圖2所示為本發明的一實施例的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置的氣體噴淋組件的結構示意圖；
[0012]圖3所示為本發明的一實施例的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置的抽風裝置的結構示意圖；
[0013]圖4所示為圖1中的緩沖器的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0014]參照圖1所示的本發明的一實施例的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置的結構示意圖，所述處理裝置包括支架10，氣缸14，氣體噴淋組件20(參見圖2)以及抽風裝置30(參見圖
3)，所述支架10橫跨太陽能電池片刻蝕機設置，所述支架10的上橫梁102上固定設置有氣缸固定板12，氣缸14固定在氣缸固定板12上，氣缸14的活塞桿140與氣體噴淋組件固定板22固定，氣體噴淋組件20通過固定支架24與氣體噴淋組件固定板22連接，兩個升降導桿144的一端與氣體噴淋組件固定板22固定，另一端與升降板142固定，如此，可以保證氣體噴淋組件20在升降調整的過程中保持水平不至于傾斜;升降板142設置于氣缸固定板12的上方，其上設置有多個緩沖器146，氣體噴淋組件20至上橫梁之間為密封空間，通過框架16及與其安裝固定的透明板構成，防止處理氣體泄漏，抽風裝置30設置于氣體噴淋組件20的下方，硅片傳送滾輪40設于兩者之間。
[0015]本發明的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，將氣體噴淋組件與支架固定而不是直接固定在電池片刻蝕機上，并將氣體噴淋組件通過固定板與設置在支架上的氣缸的活塞桿連接固定，通過氣缸的升降來方便調節氣體噴淋組件距離硅片的高度，從而優化硅片表面處理的工藝條件;在電池片刻蝕機改造和調整時，也非常靈活方便。
[0016]上述實施例中，所述氣體噴淋組件20的結構示意圖參加圖2，其包括殼體20和進氣孔201，殼體20內設置有氣體勻流板(未圖示)，反應氣體從進氣孔201經過氣體勻流板后均勻地吹至下方的硅片表面；表面處理后的氣體被設置于其下方的抽風裝置30抽走避免泄露，抽風裝置30的結構示意圖參見圖3，其設置為盒體狀構造，在上蓋板30的兩側部位設置有抽氣縫31，在左右側板上設有多個抽氣小孔33，前側或后側設有出氣孔35，其通過管道與抽風設備相連，將反應后的氣體從電池片刻蝕機抽走。
[0017]在升降板12上設置升降導桿144與多個緩沖器146可以大幅提高氣體噴淋組件在隨氣缸上下運動時的平穩性，保持氣體噴淋組件的水平度。所述的緩沖器146可以是市售的空氣緩沖器，其結構示意圖參見圖4，其主體1460為中空柱形構造，帶有外螺紋1461，其上設有兩個固定螺母1462和1463，下部為伸縮連桿1465以及抵接部位1467。
[0018]圖1的實施例中的抽風裝置30設置有兩個，在實際應用中，其可以根據處理的硅片的道次以及氣體噴淋組件的尺寸來對應設計，本申請對此不作限制。
[0019]本發明的可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，通過氣缸的升降來非常方便地調節氣體噴淋組件距離硅片的高度來優化硅片表面處理的工藝條件;采用支架式設計，在電池片刻蝕機改造和調整時，也易于操作和調整。
[0020]本發明并不局限于所述的實施例，本領域的技術人員在不脫離本發明的精神即公開范圍內，仍可作一些修正或改變，故本發明的權利保護范圍以權利要求書限定的范圍為準。
【主權項】
1.一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，其特征在于，所述處理裝置包括支架，氣缸，氣體噴淋組件以及抽風裝置，所述支架橫跨太陽能電池片刻蝕機設置，所述支架的上橫梁上固定設置有氣缸固定板，氣缸固定在氣缸固定板上，氣缸的活塞桿與氣體噴淋組件固定板固定，升降導桿的一端與氣體噴淋組件固定板固定，另一端與升降板固定，升降板設置于氣缸固定板的上方，其上設置有多個緩沖器，氣體噴淋組件至上橫梁之間為密封空間，通過框架及與其安裝固定的透明板構成，抽風裝置設置于氣體噴淋組件的下方，硅片傳送滾輪設于兩者之間。2.如權利要求1所述的一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，其特征在于，所述氣體噴淋組件包括殼體和進氣孔，殼體內設置有氣體勻流板，反應氣體從進氣孔經過氣體勻流板后均勻地吹至下方的硅片表面。3.如權利要求1或2所述的一種可升降式硅片氣體鈍化處理裝置，其特征在于，所述抽風裝置設置為盒體狀構造，在其上蓋板的兩側部位設置有抽氣縫，在左右側板上設有多個抽氣小孔，前側或后側設有出氣孔，其通過管道與抽風設備相連。
【文檔編號】H01L31/18GK105845779SQ201610340076
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月20日
【發明人】王振交, 艾凡凡, 韓培育
【申請人】蘇州中世太新能源科技有限公司