基于碳化硅PIN二極管結構的γ輻照閃爍體探測器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種基于碳化硅PIN二極管結構的γ射線閃爍體探測器及其制作方法，主要解決現有技術探測率低、不利于集成、抗輻射性差的問題。本發明的碳化硅PIN二極管型γ射線探測器自下而上包括N型歐姆接觸電極(8)、N型SiC襯底(7)、N型緩沖層(6)、摻雜濃本征吸收層(5)；該本征吸收層(5)中間區域開有窗口，窗口內埋入摻鈰溴化鑭閃爍體(1)，窗口內部區域及窗口上方淀積有一層SiO2反射層(2)，本征吸收層(5)兩側上方為P+薄層(4)，P+薄層(4)上方為P型歐姆接觸電極(3)。該γ射線探測器探測率高，利于集成，抗輻射型好，可用于核能中對γ射線的探測。
【專利說明】
基于碳化硅PIN二極管結構的γ輻照閃爍體探測器
技術領域
[0001]本發明屬于微電子技術領域，尤其涉及一種γ射線閃爍體探測器，可用于γ射線電離輻射探測領域。
【背景技術】
[0002]閃爍體探測器是目前應用最多，最廣泛的電離輻射探測器之一。閃爍體材料具有探測效率高、分辨時間短、使用方便、適用性廣等特點，因此閃爍體探測器在某些方面的應用已超過氣體探測器，使得γ射線的能譜分析成為了可能。與HPGe，Si(Li)等半導體探測器相比，閃爍體探測器的能量分辨率較差，這將影響?射線能譜分析的效果。
[0003]傳統的Si，GaAs等材料由于其熱導率較低、擊穿電壓較低、功率密度低、抗輻照性能不佳。因此，為了得到高性能高可靠性的探測器，需要設計新型半導體材料的輻射探測器。
[0004]半導體材料的SiC具有2.6eV?3.2eV較寬的禁帶寬度、2.0 X 17Cm.s—1的高飽和電子漂移速度、2.2MV.cm—1的高擊穿電場、3.4W.cm—.cm—1的高熱導率等性能，并且具有較低的介電常數，這些性質決定了其在高溫、高頻、大功率半導體器件、抗輻射、數字集成電路等方面都存在極大的應用潛力。具體地說，就是SiC材料的寬帶隙決定了器件能在500°C這樣相當高的溫度下工作，并且在高溫下暗電流仍然很低，靈敏度高，再加上它的原子臨界位移能大，這使得SiC器件有著很好的抗輻照能力，尤其是在高溫和輻照并存的情況下，SiC器件成了唯一的選擇。因此基于SiC材料的抗輻射半導體器件在輻射探測領域將會有更好的應用前景。
[0005]文南犬《SPIE Optoelectronic Technologies for Remote Sensing from Space》介紹的由Glasow P,Ziegler G,Suttrop W等人于1987年提出的利用6H_SiC材料制備的n+p型紫外光電探測器。
[0006]文獻“NuclearInstruments and Methods in Physics Research A 583(2007)157-161，，〈〈Silicon carbide for UV,alpha,beta and X-ray detectors:Results andperspectives》介紹了意大利的Francesco MoscatelIi提出的SiC肖特基結構的β探測器。
[0007]文獻《4H-SiC肖特基二極管γ射線探測器的模型與分析》介紹了由張林、張義門、張玉明等人提出的4H-SiC肖特基二極管γ射線探測器的結構如圖1所示。其中襯底為η+型4H-SiC，摻雜數密度為7.0乂1018011—3，厚度約為32(^111;11外延層厚度為3(^111，摻雜數密度為2.2 X 1015cm—3;襯底與外延層之間有1.Ομπι厚的n+還沖層，摻雜數密度為1.0 X 1018cm—3，材料的摻雜元素為氮。肖特基金屬為Au，直徑2.0mm。本結構應用的4H-SiC材料，其本征載流子數密度很低，約為1.0 X 10—8cm—3，在器件制備中可以采用比Si等材料更低的摻雜數密度，Au/SiC肖特基接觸勢皇較高，約為1.2eV，使探測器具備較低的漏電流和較厚的靈敏區。此外，4H-SiC材料的臨界擊穿電場很高，是Si的10倍，在探測器的應用中可以采用更高的工作電壓，提高探測器的靈敏度。實驗研究還表明，Au/SiC接觸有著良好的抗γ射線、質子、高能電子等各種輻照粒子的能力，能夠使器件在強輻照環境下使用期更長，這一優越特性遠遠超過Si等材料做成的輻射探測器。但是肖特基勢皇結構的探測器的制作工藝不適合在單片上的集成，探測范圍較小，無法滿足低劑量射線探測的需求。
[0008]單純pn結型碳化硅伽馬射線探測器，伽馬射線的吸收系數太小，需要厚外延，難度大，而且薄pn結碳化硅伽馬射線探測器探測效率低。
【發明內容】
[0009]本發明的目的在于避免已有技術上的不足，提出一種基于碳化硅PIN二極管的γ射線閃爍體探測器，以減小探測器的爍體體積，利于集成，并提高探測效率。
[0010]為實現上述目的，本發明的γ輻照探測器，包括摻鈰溴化鑭閃爍體l、Si02反射層2、P型歐姆接觸電極3，P+型薄層4、本征吸收層5，N型緩沖層6、N型襯底7和N型歐姆接觸電極8；
[0011]所述本征吸收層5、N型緩沖層6、N型襯底7和N型歐姆接觸電極8自上而下依次排列；
[0012]所述P+型薄層4位于本征吸收層5兩側上方，P型歐姆電極3位于P+型薄層4的上方；
[0013]其特征在于:
[OOM] 本征吸收層5的中間區域開有深度為0.5μηι?1.5μηι的窗口，窗口寬度為6.0μηι?
8.Ομπι，摻鈰溴化鑭閃爍體I埋入該窗口的中心區域，Si02反射層2淀積在整個窗口區域內及窗口的上方。
[0015]作為優選，摻鋪溴化鑭閃爍體I的厚度為0.5μηι?I.5μηι。
[0016]作為優選，摻鋪溴化鑭閃爍體兩側的Si02厚度為0.8μηι?2.Ομπι，摻鋪溴化鑭閃爍體上方的Si02厚度為0.3μπι?0.5μπι。
[0017]作為優選，P型歐姆接觸層3的厚度為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金。
[0018]作為優選，N型歐姆接觸層8為厚度為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金。
[0019]為實現上述目的，本發明基于碳化硅PIN二極管的γ輻照探測器的制造方法，包括如下步驟:
[0020]I)在摻雜濃度為1.0X1020cm-3?1.0X1021cm-3的N型4H-SiC襯底上外延一層厚度為1.Ομ???2.Ομ??，摻雜濃度為1.0 X 1018cm-3?1.0 X 1019cm_3的N型緩沖層；
[0021]2)在N型緩沖層上外延一層厚度為1.5μπι?2.0μπι，摻雜濃度為1.0X1015cm-3?5.0X 1016cm-3的本征吸收層；
[0022]3)在本征吸收層中心區域光刻出深0.5μπι?1.5μπι的窗口，并在窗口中心區域通過PVD工藝濺射厚度為0.5μπι?1.5μπι的摻鈰溴化鑭LaBr3(Ce)閃爍體；
[0023]4)在包括窗口區域的整個本征吸收層(5)上方通過PECVD工藝淀積Si02反射層
(2)，窗口兩側的Si02反射層在閃爍體兩側的厚度為0.8μηι?2.0ym，在閃爍體上方的厚度為
0.3μπι ?0.5μπι；
[0024]5)采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉兩側的本征吸收層上方的Si02;
[0025]6)在兩側的本征吸收層上外延一層厚為0.Ιμπι?0.5μηι，摻雜濃度1.0 X 1019cm_3?1.0X1020cm-3的P+型薄層；
[0026]7)通過磁控派射，在兩側P+薄層區域形成厚度分別為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金；同時在器件背面通過磁控派射形成厚度分別為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金；
[0027]8)在高溫下進行退火處理，形成P型歐姆接觸電極和N型歐姆接觸電極。
[0028]本發明與現有技術相比具有如下優點:
[0029]1.本發明利用碳化硅結構抗輻照能力強的特點，可以保證在核輻射和宇宙射線的輻射下，電子裝備仍可以正常工作，非常有利與γ射線的探測；
[0030]2.本發明的γ輻照探測器基于PIN二極管結構，由于增加了N型緩沖層，可以使得表面陷阱效應得到有效的削弱，從而削弱了表面陷阱對器件的電學性能的影響，提高了器件的性能。
[0031]3.本發明通過窗口耦合閃爍體的結構，有效避免了傳統閃爍體發光探測伽馬射線的方法中，閃爍體體積大，不利于集成的弊端，有效的提高了集成度，適應了工藝技術的發展。
[0032]4.本發明將閃爍體埋進本征吸收層，使伽馬射線直接照射閃爍體，避免了 P+薄層對輻照的吸收，同時S12反射層也有效提高了本征吸收層對伽馬射線的吸收率，提升了探測效率。
[0033]5.本發明采用摻鈰溴化鑭LaBr3(Ce)閃爍體取代傳統NaI (TI)閃爍體，提高了伽馬射線探測器的本征能量分辨率。
【附圖說明】
[0034]圖1是傳統的肖特基二極管γ射線探測器示意圖；
[0035]圖2是本發明的結構示意圖；
[0036]圖3是本發明制作圖2結構的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0037]本發明利用SiC半導體材料的獨特優勢，對伽馬射線的吸收系數高，抗輻射能力強，基于SiC的探測器暗電流小，在高溫下仍然可以保持很小的暗電流從而可以長期穩定工作，由本征半導體層增加了靈敏體積，大大增強了探測靈敏度，從而避免了 PN結型碳化硅伽馬射線探測器需要厚外延，探測率低的弊端，通過設置緩沖層，減少輻照射線對器件表面陷阱效應的影響，并且通過在器件窗口區域耦合一個閃爍體，從而避免了傳統閃爍體發光探測伽馬射線閃爍體體積大，不利于集成的缺點，同時避免了P+對輻照的吸收，進一步增強了探測效率，采用LaBrf(Ce)閃爍體提高了本征能量分辨率。
[0038]參照圖2，本發明基于PIN二極管結構的γ輻照探測器，包括摻鈰溴化鑭閃爍體1、S12反射層2、Ρ型歐姆接觸電極3、Ρ+型薄層4、本征吸收層5，Ν型緩沖層6、Ν型襯底7和N型歐姆接觸電極8;其中本征吸收層5，Ν型緩沖層6、Ν型襯底7和N型歐姆接觸電極8自上而下分布；本征吸收層5中間區域開有深度為0.5μηι?1.5μηι，寬度為6.Ομπι?8.Ομπι的窗口 ；LaBr3(Ce)閃爍體I埋入該窗口內，埋入深度為0.5μηι?I.5μηι; LaBr3 (Ce)閃爍體I的兩側和上方淀積有一層S12反射層2;本征吸收層兩側上方為P+型薄層4;P+型薄層4上方是P型歐姆接觸電極3。
[0039]所述N型歐姆接觸電極8，由厚度為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金構成；
[0040]所述N+型襯底7，其摻雜濃度為1.0 X 120Cm^3-1.0 X 121Cnf3 ；[0041 ] 所述N型緩沖層6，其摻雜濃度為1.0 X 1018cm—3?1.0 X 1019cm—3，厚度為1.Ομπι?2.0μπι；
[0042]所述本征吸收層5，其摻雜濃度為1.0 X 115Cnf3?5.0 X 1016cm—3，厚度為1.5?2.Ομm；
[0043]所述P+型薄層4，其摻雜濃度為1.0 X 1019cm—3?1.0 X 102Qcm—3，厚度為0.Ιμπι?0.5μm；
[0044]所述P型歐姆接觸電極3，由厚度為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金構成；
[0045]所述S12反射層2，其在摻鈰溴化鑭閃爍體I兩側的厚度為0.8μπι?2.Ομπι，其在摻鋪溴化鑭閃爍體I上方的厚度為0.3μηι?0.5μ??；
[0046]所述LaBn(Ce)摻鋪溴化鑭閃爍體I，其厚度為0.5μηι?1.5μηι。
[0047]參照圖3，本發明的制作圖2所示γ輻照探測器的方法，給出如下三種實施例:
[0048]實施例1:制作摻鈰溴化鑭閃爍體埋入深度為0.5μπι的γ輻照探測器。
[0049]第I步，選用摻雜濃度為1.0 X 10'm—3的N型4H-SiC基片作為襯底7，清洗后，用低壓熱壁化學氣相淀積法LPCVD，在外延溫度為15700C，壓力10mbar，生長氣體為C3H8、SiH4和H2的條件下，在襯底上外延生長厚度為Ι.Ομπι，摻雜濃度為1.0X1018cm—^4H-Si(^r^緩沖層6，如圖3a所示；
[0050]第2步，用低壓熱壁化學氣象淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力10mbar，生長氣體為C3H8、SiH4和H2的條件下，在N型緩沖層6上外延一層厚度為1.5μπι，摻雜濃度為1.0X 115Cnf3的本征吸收層5，如圖3b所示；
[0051 ] 第3步，在本征吸收層5中心區域光刻出深度為0.5μπι，寬度為6.Ομπι的窗口，如圖3c所示，并在窗口中心區域通過PVD濺射厚度為0.5μπι的摻鈰溴化鑭LaBr3(Ce) I，如圖3d所示；
[0052]第4步，通過PECVD在整個本征吸收層5和窗口區域淀積S12反射層2，其在摻鈰溴化鑭閃爍體I兩側的厚度為0.8μηι，在摻鈰溴化鑭閃爍體I上方的厚度為0.3μηι，在兩側的本征吸收層5上方的厚度為0.3μπι，如圖3e所示；
[0053]第5步，采用濕法刻蝕在S12反射層覆蓋本征吸收層5的兩側區域的Si02，即選用濃度為5%的緩沖HF酸腐蝕10秒，將S12反射層兩側區域表面的S12刻蝕掉，如圖3f所示；
[0054]第6步，在兩側的本征吸收層5上外延一層厚度為0.Ιμπι的碳化硅，采用離子注入進行摻雜，形成摻雜濃度為I.0 X 119Cnf3的P+型薄層4，如圖3g所示；
[0055]第7步，通過磁控派射，在兩側P+薄層區域形成厚度為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金；同時在襯底背面通過磁控派射形成厚度為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金；
[0056]第8步，在高溫下進行退火處理，形成P型歐姆接觸電極3和N型歐姆接觸電極8，如圖3h所示，完成基于PIN二極管的γ射線閃爍體探測器的制作。
[0057]實施例2:制作摻鈰溴化鑭閃爍體埋入深度為1.Ομπι的γ輻照探測器。
[0058]步驟一，外延N型緩沖層6，如圖3a所示；
[0059]選用摻雜濃度為5.0 X 10'm—3的N型4H-SiC基片作襯底7，清洗后，用低壓熱壁化學氣相淀積法LPCVD，在襯底上外延生長厚度為1.5μπι，摻雜濃度為5.0 X 118Cnf3的4H-SiC的N型緩沖層6;
[0060]其外延工藝條件:溫度為1570°C，壓力為lOOmbar，生長氣體為C3H8、SiH4和H2;
[0061 ]步驟二，外延本征吸收層5，如圖3b所示。
[0062]用低壓熱壁化學氣象淀積法LPCVD，在N型緩沖層6上外延一層厚度為1.7μπι，摻雜濃度為I.0 X 116Cnf3的本征吸收層5。
[0063]其外延工藝條件:溫度為1570°C，壓力為lOOmbar，生長氣體為C3H8、SiH4和H2;
[0064]步驟三，開窗并埋入摻鈰溴化鑭閃爍體，如圖3c、3d所示。
[0065]在本征吸收層5中心區域光刻出深度為Ι.Ομπι，寬度為7.0μπι的窗口，并在窗口中心區域通過PVD濺射厚度為1.Ομπι的摻鈰溴化鑭LaBr3(Ce)I。
[ΟΟ??]步驟四，淀積Si02反射層，如圖3e所示。
[0067]通過PECVD在整個本征吸收層5和窗口區域淀積S12反射層2，其在摻鈰溴化鑭閃爍體I兩側的厚度為1.4 μπι，在摻鈰溴化鑭閃爍體I上方的厚度為0.4 μπι，在兩側的本征吸收層5上方的厚度為0.4μπι;
[0068]步驟五，刻蝕在S12反射層覆蓋本征吸收層5的兩側區域的S12,如圖3f所示。
[0069]采用濕法刻蝕，選用濃度為5%的緩沖HF酸腐蝕10秒，將S12反射層兩側區域表面的S12刻蝕掉。
[0070]步驟六，夕卜延P+薄層，如圖3g所示。
[0071]在本征吸收層5的兩側上外延一層厚度為0.3μπι的碳化硅，采用離子注入進行摻雜，形成摻雜濃度為5.0 X 119Cnf3的P+型薄層4。
[0072]其外延工藝條件:溫度為1570°C，壓力為lOOmbar，生長氣體為C3H8、SiH4和Η2。
[0073]步驟七，制作電極，如圖3h所示。
[0074]I)制作通過磁控派射，在P+薄層區域上方形成厚度為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金；同時在襯底背面通過磁控派射形成厚度為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金。
[0075]2)在高溫下進行退火處理，形成P型歐姆接觸電極3和N型歐姆接觸電極8，完成基于PIN二極管的γ射線閃爍體探測器的制作。
[0076]實施例3:制作摻鈰溴化鑭閃爍體埋入深度為1.5μπι的γ輻照探測器；
[0077]第A步，N型緩沖層。
[0078]選用摻雜濃度為1.0 X 121Cnf3的N型4H_SiC基片作襯底7，并清洗；
[0079]用低壓熱壁化學氣相淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar，生長氣體為03!18、3丨!14和!12的條件下，在襯底上外延生長厚度為2.(^111，摻雜濃度為1.0\1019011一3的4H-SiC的N型緩沖層6，如圖3a所示。
[0080]第B步，本征吸收層。
[0081]用低壓熱壁化學氣象淀積法LPCVD，在外延溫度為1570°C，壓力lOOmbar，生長氣體為C3H8、SiH4和出的條件下，在N型緩沖層6上外延一層厚度為2.Ομπι，摻雜濃度為5.0 X116Cnf3的本征吸收層5，如圖3b所示。
[0082]第C步，開窗并埋入摻鈰溴化鑭閃爍體。
[0083]在本征吸收層5中心區域光刻出深為1.5μηι，寬度為8.Ομπι的窗口，如圖3c所示；
[0084]在窗口中心區域通過PVD濺射厚度為1.5μπι的摻鈰溴化鑭LaBr3 (Ce) I，如圖3d所不O
[0085]第D步，淀積S12反射層。
[0086]通過PECVD在整個本征吸收層5和窗口區域淀積S12反射層2，其在摻鈰溴化鑭閃爍體I兩側的厚度為2.0 μπι，在摻鈰溴化鑭閃爍體I上方的厚度為0.5 μπι，在兩側的本征吸收層5上方的厚度為0.5μπι，如圖3e所示。
[0087]第E步，刻蝕多余S12。
[0088]采用濕法刻蝕在S12反射層覆蓋本征吸收層5的兩側區域的S12,即選用濃度為5%的緩沖HF酸腐蝕10秒，將S12反射層兩側區域表面的S12刻蝕掉，如圖3f所示。
[0089]第F步，P+型薄層。
[0090]在本征吸收層5的兩側上方外延一層厚度為0.5μηι的碳化娃；
[0091 ]采用離子注入對碳化硅進行摻雜，形成摻雜濃度為1.0 X 102()Cm—3的P+型薄層4，如圖3g所示。
[0092]第G步，建設合金。
[0093]通過磁控派射，在P+薄層區域形成厚度為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金；
[0094]通過磁控派射，在襯底背面形成厚度為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金。
[0095]第H步，形成電極。
[0096]在高溫下進行退火處理，形成P型歐姆接觸電極3和N型歐姆接觸電極8，如圖3h所示，完成基于PIN二極管的γ射線閃爍體探測器的制作。
[0097]以上描述僅是本發明的幾個具體實例，不構成對本發明的任何限制。顯然對于本領域的專業人員來說，在了解了本
【發明內容】
和原理后，都可能在不背離本發明原理、結構的情況下，進行形式和細節上的各種修正和改變，但是這些基于本發明思想的修正和改變仍在本發明的權利要求保護范圍之內。
【主權項】
1.一種基于碳化硅PIN二極管結構的γ輻照探測器，包括摻鈰溴化鑭閃爍體(I)、S12反射層(2)、Ρ型歐姆接觸電極(3)，？+型薄層(4)、本征吸收層(5)。型緩沖層(6)4型襯底(7)和N型歐姆接觸電極(8); 所述本征吸收層(5)、Ν型緩沖層(6)、Ν型襯底(7)和N型歐姆接觸電極(8)自上而下依次排列； 所述P+型薄層(4)位于本征吸收層(5)兩側上方，P型歐姆電極(3)位于P+型薄層(4)的上方； 其特征在于: 本征吸收層(5)的中間區域開有深度為0.5μηι?1.5μηι、寬度為6.0ym?8.0ym的窗口，摻鈰溴化鑭閃爍體(I)埋入該窗口區域內，Si02反射層(2)淀積在整個窗口區域內及窗口的上方。2.根據權利要求1所述的γ輻照探測器，其特征在于摻鈰溴化鑭閃爍體(I)的厚度為0.5μπι?1.5μπι03.根據權利要求1所述的γ輻照探測器，其特征在于窗口兩側的Si02反射層在閃爍體兩側的厚度為0.8μηι?2.Ομπι，在閃爍體上方的厚度為0.3μηι?0.5μηι。4.根據權利要求1所述的γ輻照探測器，其特征在于P型歐姆接觸層(3)為厚度為50nm/5.根據權利要求1所述的γ輻照探測器，其特征在于N型歐姆接觸層(8)為厚度為200nm/50nm/100nm 的 Ni/Cr/Au 合金。6.—種基于碳化硅PIN二極管的γ輻照探測器的制造方法，包括如下步驟: 1)在摻雜濃度為1.0X 1020cm-3?1.0 X 1021cm_3的N型4H_SiC襯底(7)上外延一層厚度為Ι.Ομπι?2.0μπι，摻雜濃度為1.0X1018cm-3?1.0X1019cm-3的N型緩沖層(6); 2)在~型緩沖層(6)上外延一層厚為1.54111?2.(^111，摻雜濃度1.0\1015011-3?5.0\1016cm-3的本征吸收層(5)； 3)在本征吸收層(5)中心區域光刻出深0.5μπι?1.5μπι的窗口，并在窗口中心區域通過PVD工藝濺射厚度為0.5μπι?1.5μπι的摻鈰溴化鑭LaBr3(Ce)閃爍體(I)； 4)在包括窗口區域的整個本征吸收層(5)上方通過PECVD工藝淀積Si02反射層(2)，窗口兩側的Si02反射層在閃爍體兩側的厚度為0.8μηι?2.0ym，在閃爍體上方的厚度為0.3μηι?0.5μπι； 5)采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉兩側的本征吸收層(5)上方的Si02; 6)在兩側的本征吸收層(5)上外延一層厚度為0.Ιμπι?0.5μηι，摻雜濃度為1.0 X1019cm-3?I.0X 1020cm_3的P+型薄層(4)； 7)通過磁控派射，在兩側P+薄層區域形成厚度分別為50nm/100nm/100nm的Ti/Al/Au合金；同時在器件背面通過磁控派射形成厚度分別為200nm/50nm/100nm的Ni/Cr/Au合金； 8)在高溫下進行退火處理，形成P型歐姆接觸電極(3)和N型歐姆接觸電極(8)。7.根據權利要求4所述的γ輻照探測器的制造方法，其中步驟(I)、(2)、(6)中所涉及的外延，均采用如下工藝條件: 溫度為1570 °C， 壓力為10Mbar， 生長氣體為C3H8、SiH4和H2。
【文檔編號】H01L31/18GK105845746SQ201610203362
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年4月1日
【發明人】郭輝, 劉博睿, 張玉明, 陳小青, 張晨旭
【申請人】西安電子科技大學