一種顯示面板及其制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種顯示面板及其制作方法，顯示面板具有顯示區以及邊框區，顯示面板包括：相對設置的蓋板以及顯示基板；蓋板具有第一導電層；顯示基板包括：TFT基板以及設置在TFT基板朝向蓋板一側的像素定義層；像素定義層具有開口區以及非開口區；開口區設置有發光功能層，發光功能層與TFT基板之間設置有第一電極；非開口區具有朝向蓋板的凸起結構；發光功能層以及凸起結構表面設置有第二電極層，第二電極層在對應凸起結構的位置與第一導電層電連接；顯示基板對應邊框區的預設區域設置有走線，走線用于提供第二電極層的工作電壓；第一導電層與走線電連接。所述顯示面板降低了邊框區寬度，且避免了第二電極層的電壓下降問題。
【專利說明】
一種顯示面板及其制作方法
技術領域
[0001]本發明涉及顯示裝置技術領域，更具體的說，涉及一種顯示面板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]隨著科學技術的不斷發展，越來越多的具有顯示功能的電子設備被廣泛的應用于人們的日常生活以及工作當中，為人們的日常生活以及工作帶來了巨大的便利，成為當前人們不可或缺的重要工具。電子設備實現顯示功能的主要部件是顯示面板，OLED顯示面板是當前主流的顯示面板之一。
[0003]參考圖1，圖1為現有技術中常見的一種OLED面板的結構示意圖，該OLED顯示面板包括:相對設置的蓋板12以及陣列基板U。所述OLED顯示面板具有顯示區A以及邊框區B。陣列基板11包括襯底117。陣列基板11還包括TFT器件111以及顯示單元。TFT器件111位于顯示單元與襯底117之間。TFT器件111與顯示單元位于顯示區A。顯示單元包括:陽極112、發光功能層113以及陰極114。其中，陽極112朝向TFT器件111設置，陽極112與TFT器件111與之間具有介質層118。陽極112通過第一通孔Vial與TFT器件111的漏極連接，通過第一通孔TFT器件111為陽極112提供陽極電壓。陰極114延伸至邊框區B，陰極114在邊框區B通過設置在像素定義層116上的第二通孔Via2與位于邊框區B的走線115連接，走線115用于為陰極114提供陰極電壓PVEE。
[0004]由圖1可知，現有的OELD顯示面板，需要在邊框區B的像素定義層116上設置第二通孔Via2，以便于使得陰極114與走線115連接，制作工藝復雜，且第二通孔Via的設置不便于OLED顯示面板窄邊框的設計。而且隨著顯示面板尺寸的不斷增加，顯示面板中像素單元的個數越來越多，現有技術中整個陰極層僅在邊框區實現與提供陰極電壓的走線連接，導致陰極的電壓下降(IR drop)明顯增大，影響顯示效果。
【發明內容】
[0005]為解決上述問題，本發明提供了一種顯示面板及其制作方法，所述顯示面板在蓋板朝向顯示面板的一側表面設置有第一導電層，通過使得第二電極層與第一導電層電連接，并使得第一導電層與用于提供第二電極層的工作電壓的走線連接，避免了設置通孔使得第二電極層與所述走線連接，無需打孔工藝，制作工藝簡單，且便于窄邊框設計;且所述顯示面板在顯示區內通過第一導電層與第二電極連接，為第二電極提供工作電壓，避免了電壓下降問題。
[0006]為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案
[0007]—種顯示面板，所述顯示面板具有顯示區以及邊框區，所述顯示面板包括:相對設置的蓋板以及顯示基板；
[0008]所述蓋板包括:第一襯底以及設置在所述第一襯底朝向所述顯示基板一側的第一導電層；
[0009]所述顯示基板包括:TFT基板以及設置在所述TFT基板朝向所述蓋板一側的像素定義層;所述像素定義層具有開口區以及非開口區；
[0010]所述開口區設置有發光功能層，所述發光功能層與所述TFT基板之間設置有第一電極;所述非開口區具有朝向所述蓋板的凸起結構;所述發光功能層以及所述凸起結構表面設置有第二電極層，所述第二電極層在對應所述凸起結構的位置與所述第一導電層電連接；
[0011]其中，所述顯示基板對應所述邊框區的預設區域設置有走線，所述走線用于提供第二電極層的工作電壓;所述第一導電層與所述走線電連接。
[0012]本發明還提供了一種顯示面板的制作方法，用于制作上述顯示面板，其特征在于，該制作方法包括:
[0013]提供一TFT基板以及蓋板；
[0014]在所述TFT基板表面形成第一電極層；
[0015]圖案化所述第一電極層形成第一電極以及走線;其中，所述第一電極位于顯示區，走線位于邊框區；
[0016]形成覆蓋所述第一電極以及所述TFT基板的像素定義層;所述像素定義層具有開口區以及非開口區；
[0017]圖案化所述像素定義層，在所述開口區形成開口，在所述非開口區形成凸起結構；其中，所述開口用于露出所述第一電極；
[0018]在所述第一電極表面形成發光功能層；
[0019]形成覆蓋所述發光功能層以及所述凸起結構的第二電極層；
[0020]通過一蓋板進行封裝保護，所述蓋板設置在所述第二電極層背離所述TFT基板的一側;其中，所述蓋板包括:第一襯底以及設置在所述第一襯底朝向所述顯示基板一側的第一導電層;所述第二電極層在對應所述凸起結構的位置與所述第一導電層電連接;所述走線用于提供第二電極層的工作電壓;所述第一導電層與所述走線電連接。
[0021]通過上述描述可知，本發明技術方案提供的顯示面板在蓋板上設置第一導電層，可以顯示面板上的第二電極層通過像素定義層上的凸起結構直接與第一導電層電連接，第一導電層與提供第二電極層的工作電壓的走線連接，這樣，無需設置通孔即可實現第二電極層與所述走線之間電連接，制作工藝簡單，便于窄邊框設計。
[0022]本發明提供的用于制作上述顯示面板的制作方法，可以在圖案化所述像素定義層的同時形成所述凸起結構，凸起結構形成無需增加工藝流程。而蓋板上第一導電層的形成可以采用蒸鍍工藝形成，制作工藝簡單。第一導電層與走線的電連接可以通過金屬球或是柔性線路板實現。可見，為了實現第二導電層與所述走線的電連接，本發明技術方案所述制作方法工藝簡單，制作成本低。如果以第二電極層為陰極，現有技術的第二電極的供電接觸點在位于邊框區的第二通孔對應位置，需要由位于邊框區的供電接觸點向整個顯示面板的第二電極供電，導致顯示區靠近第二通孔的一端電壓下降較小，而遠離第二通孔的一端電壓下降較大，即導致第二電極層的電壓下降明顯增大。而本發明實施例所述顯示面板，通過多個均勻分布在顯示區的凸起結構實現電接觸，可以有效避免電壓下降增大的問題，保證了顯示效果。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為現有技術中常見的一種OLED面板的結構示意圖；
[0025]圖2為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖；
[0026]圖3為本發明實施例提供的一種顯示面板制作方法的方法流程圖；
[0027]圖4-圖9為本發明實施例提供的一種顯示面板制作方法的原理示意圖。
【具體實施方式】
[0028]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0029]正如【背景技術】中所述，現有技術為了OLED顯示面板的陰極114與提供陰極電壓的走線115電連接，需要進行打孔，形成第二通孔Via2，制作工藝復雜，制作成本高。且在邊框區B設置第二通孔Via2時，為了減小陰極114與走線115之間的接觸電阻，需要設置較大寬度的第二通孔Via2，增加邊框區B的寬度，不便于窄邊框設計。
[0030]且在制作所述顯示面板時，需要通過蒸鍍工藝形成OLED的發光功能層113，為了避免發光功能層113蒸鍍到第二通孔Via2內，影響陰極114與走線115的電接觸，顯示面板的顯示區與通孔之間需要設置較寬的預留距離，以避免蒸鍍過程中對通孔區域造成污染。這樣，所述預留距離會增大邊框區的寬度，不便于窄邊框設計。
[0031]而且隨著顯示面板尺寸的不斷增加，顯示面板中像素單元的個數越來越多，現有技術中整個陰極層僅在邊框區實現與提供陰極電壓的走線連接，導致陰極的電壓下降(IRdrop)明顯增大，影響顯示效果。
[0032]需要說明的是，一般的邊框區B包括走線區以及封裝區。走線區包圍顯示區。封裝區包圍走線區。所述走線設置在所述走線區。所述封裝區用于設置封裝膠，對蓋板以及顯示基板進行密封保護，圖1中未示出封裝區以及封裝膠。
[0033]為了解決上述問題，本發明實施例提供了一種顯示面板，該顯示面板具有顯示區以及邊框區，所述顯示面板包括:
[0034]所述蓋板包括:第一襯底以及設置在所述第一襯底朝向所述顯示基板一側的第一導電層；
[0035]所述顯示基板包括:TFT基板以及設置在所述TFT基板朝向所述蓋板一側的像素定義層;所述像素定義層具有開口區以及非開口區；
[0036]所述開口區設置有發光功能層，所述發光功能層與所述TFT基板之間設置有第一電極;所述非開口區具有朝向所述蓋板的凸起結構;所述發光功能層以及所述凸起結構表面設置有第二電極層，所述第二電極層在對應所述凸起結構的位置與所述第一導電層電連接；
[0037]其中，所述顯示基板對應所述邊框區的預設區域設置有走線，所述走線用于提供第二電極層的工作電壓;所述第一導電層與所述走線電連接。
[0038]本發明實施例所述顯示面板在蓋板上設置第一導電層，顯示面板上的第二電極層可以通過像素定義層上的凸起結構直接與第一導電層電連接，第一導電層與提供第二電極層的工作電壓的走線連接，這樣，無需設置通孔即可實現第二電極層與所述走線之間電連接，制作工藝簡單，便于窄邊框設計。
[0039]而且，由于無需設置通孔，故在蒸鍍發光功能層時，不存在蒸鍍對通孔的污染問題，即無需設置較寬的預留位置，進一步減小了邊框區的寬度，便于窄邊框設計。
[0040]同時，所述顯示面板在顯示區對應像素定義層的非開口區設置凸起結構，實現第二電極層與第一導電層的電連接，進而通過第一導電層實現第二電極層與所述走線的電連接。第二電極層的供電接觸點在位于顯示區的凸起結構對應位置，第二電極通過所述電接觸點獲取第二電極層的工作電壓，這樣，可以有效避免電壓下降增大的問題，保證了顯示效果O
[0041]為了使本發明實施例提供的技術方案更加清楚，下面結合附圖對上述方案進行詳細描述。
[0042]參考圖2，圖2為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖，所述顯示面板具有顯示區Al以及邊框區BI，該顯示面板包括:相對設置的蓋板22以及顯示基板21。
[0043]所述蓋板22包括:第一襯底221以及設置在所述第一襯底221朝向所述顯示基板21一側的第一導電層222。所述第一襯底221透明。所述第一襯底221可以是玻璃襯底或是透明塑料襯底。所述第一導電層222設置在所述第一襯底221的表面。所述第一導電層222透明。
[0044]所述顯示基板21包括:TFT基板以及設置在所述TFT基板朝向所述蓋板一側的像素定義層216;所述像素定義層216具有開口區以及非開口區。
[0045]所述開口區設置有發光功能層213，所述發光功能層213與所述TFT基板之間設置有第一電極212。所述非開口區具有朝向所述蓋板22的凸起結構219。所述發光功能層213以及所述凸起結構219表面設置有第二電極層214，所述第二電極層214在對應所述凸起結構219的位置與所述第一導電層222電連接。
[0046]其中，所述顯示基板21對應所述邊框區的預設區域設置有走線215，所述走線215用于提供第二電極層214的工作電壓;所述第一導電層222與所述走線215電連接。
[0047]可選的，所述凸起結構219與所述像素定義層216可以采用同一層介質層制備，也可以采用不同介質層制備。
[0048]—般的，凸起結構219與所述像素定義層216為同一介質層制備。可以采用不同區域透射率不同的半色調掩膜對所述介質層進行曝光顯影，通過一次性光刻工藝圖案化所述介質層，以在所述介質層上設定區域形成所述凸起結構以及所述開口。還可以通過兩次光刻工藝，分別形成所述開口以及所述凸起結構。
[0049]在圖2所示實施方式中，所述第一導電層222通過設置在所述蓋板22與所述顯示基板21之間的金屬球23與所述走線215電連接;所述金屬球215設置在所述邊框區BI。
[0050]所述邊框區BI包括:走線區以及封裝區。其中，所述走線區包圍所述顯示區A;所述封裝區包圍所述走線區。所述走線215設置在所述走線區；所述金屬球23位于所述走線區，所述金屬球23的一端與所述第一導電層222電連接，另一端與所述走線215電連接。
[0051]一般的，所述顯示面板的驅動電路以及各種引線均設置在所述走線區。所述封裝區設置在所述蓋板22與所述顯示基板21的四周邊緣位置，所述封裝區設置封裝膠24，對所述蓋板22以及所述顯示基板21進行密封保護。所述封裝膠一般為玻璃料。
[0052]需要說明的是，所述第一導電層222與所述走線215的電連接方式不局限于圖2所示實施方式，在其他實施方式中，所述第一導電層還可以通過柔性線路板與所述走線電連接。
[0053]如圖2所示，所述TFT基板包括:TFT器件211以及覆蓋所述TFT器件211的第一介質層218。TFT器件211設置在第二襯底217朝向像素定義層216的一側。
[0054]所述第一電極212設置在所述第一介質層218表面;所述第一電極212通過貫穿所述第一介質層218的第一通孔Vial與所述TFT器件211電連接，所述TFT器件211用于為所述第一電極212提供第一電極的工作電壓;所述走線215設置在所述第一介質層218表面。
[0055]可選的，所述第一導電層222為覆蓋所述第一襯底221表面的ITO層。所述第一導電層222不局限于為ITO層，所述第一導電層還可以為采用其他透光性，且導電性能好的材料制備。
[0056]需要說明的是，圖2中僅示出了一個開口區以及一個凸起結構219。一個開口區對應顯示面板的一個像素單元。顯示面板中開口區的個數根據顯示面板的分別率以及尺寸設計。凸起結構219設置在像素定義層216對應顯示區A的非開口區，凸起結構219的個數可以為多個，根據導電需求涉及凸起結構219的個數以及在顯示區的分布位置。
[0057]所述凸起結構219位于所述顯示區。在垂直于所述TFT基板的方向X上，所述凸起結構219與所述第一電極212不交疊，且與所述發光功能層213不交疊。
[0058]需要說明的是，本發明實施例所述顯示面板為OLED顯示面板。其中，第一電極可以為OLED顯示面板的陽極，第二電極層為OLED顯示面板的陰極層。
[0059]本發明實施例所述顯示面板在蓋板上設置第一導電層222，顯示面板上的第二電極層214可以通過像素定義層216上的凸起結構219直接與第一導電層222電連接，第一導電層222與提供第二電極層的工作電壓的走線215連接，這樣，無需設置通孔即可實現第二電極層214與所述走線215之間電連接，制作工藝簡單，便于窄邊框設計。
[0060]而且，由于無需設置通孔，故在蒸鍍發光功能層時，不存在蒸鍍對通孔的污染問題，即無需設置較寬的預留位置，進一步減小了邊框區的寬度，便于窄邊框設計。
[0061]同時，所述顯示面板在顯示區A對應像素定義層216的非開口區設置凸起結構219，實現第二電極層214與第一導電層222的電連接，進而通過第一導電層222實現第二電極層214與所述走線215的電連接。第二電極層214的供電接觸點在位于顯示區的凸起結構對應位置，第二電極通過所述電接觸點獲取第二電極層的工作電壓。可以在像素定義層216的非開口區設置多個凸起結構。所述多個凸起結構可以均勻的分布在顯示區A內。這樣，在每一個凸起結構的位置均對應一個電接觸點，通過所述電接觸點為整個第二電極層214提供第二電極層的工作電壓。
[0062]現有技術的供電接觸點在位于邊框區的第二通孔對應位置，需要在第二通孔所在位置的供電接觸點向整個顯示面板的第二電極供電。顯示區靠近第二通孔的一端電壓下降較小，而遠離第二通孔的一端電壓下降較大。而本發明實施例所述顯示面板，通過多個均勻分布在顯示區的凸起結構實現電接觸點，可以有效避免電壓下降增大的問題，保證了顯示效果。
[0063]基于上述實施例，本發明另一實施例還提供了一種顯示面板的制作方法，用于制作上述實施例所述的顯示面板，該制作方法如3所示。圖3為本發明實施例提供的一種顯示面板制作方法的方法流程圖。該制作方法包括:
[0064]步驟Sll:如圖4所示，提供一TFT基板。
[0065]所述TFT基板的結構如圖4所示，包括:第二襯底217、設置在第二襯底217—側的TFT器件211以及覆蓋所述TFT器件211的第一介質層218 JFT器件211與第二襯底217之間具有絕緣層。第一介質層218設置有第一通孔Vial。
[0066]步驟S12:如圖5所示，在所述TFT基板表面形成第一電極212以及走線215。
[0067]其中，所述第一電極212位于顯示區Al，走線215位于邊框區BI。
[0068]第一電極212與走線215通過同一導電層制備。具體的，可以首先通過蒸鍍工藝形成一導電層，圖案化所述導電層，形成預設電極圖案的第一電極212以及走線215。
[0069]步驟S13:如圖6所示，形成覆蓋所述第一電極212、所述走線215以及所述TFT基板的像素定義層216。
[0070]其中，所述像素定義層216具有開口區以及非開口區。其中，所述開口區為所述像素定義層216在顯示區Al對應所述第一電極212的區域，所述非開口區為所述像素定義層216在顯示區Al除去所述開口區以外的區域。
[0071]步驟S14:如圖7所示，圖案化所述像素定義層216，在所述開口區形成開口K，在所述非開口區形成凸起結構219;其中，所述開口K用于露出所述第一電極212。如上述，所述凸起結構與所述像素定義層可以采用同一介質層之別，可以采用不同區域透射率不同的半色調掩膜對所述介質層進行曝光顯影，通過一次性光刻工藝圖案化所述介質層，以在所述介質層上設定區域形成所述凸起結構219以及所述開口 K。
[0072]在其他實施方式中，所述凸起結構以及所述像素定義層還可以通過兩層介質層制備。通過一層介質層形成具有開口的像素定義層，通過另一層介質層形成凸起結構。
[0073]步驟S15:如圖8所示，在所述第一電極212表面形成發光功能層213。
[0074]—般的，通過蒸鍍工藝形成一層覆蓋所述第一電極212以及所述像素定義層216以及所述凸起結構219的發光功能層，通過刻蝕工藝去除所述開口區K以外的發光功能層，僅保留所述開口區K內的發光功能層
[0075]步驟S16:如圖9所示，形成覆蓋所述發光功能層213以及所述凸起結構219的第二電極層214。
[0076]可以通過蒸鍍工藝形成一層透明導電層作為所述第二電極層214。
[0077]步驟S17:如圖2所示，通過一蓋板22進行封裝保護，所述蓋板22設置在所述第二電極層214背離所述TFT基板的一側。
[0078]通過上述步驟SI 1-步驟S16，在TFT基板上形成顯示單元，以構成顯示基板21。所述顯示單元包括第一電極212、發光功能層213以及第二電極層214。在步驟S17中，通過蓋板222對顯示基板21進行封裝保護。
[0079]其中，所述蓋板22包括:第一襯底221以及設置在所述第一襯底221朝向所述顯示基板21—側的第一導電層222。所述第二電極層214在對應所述凸起結構219的位置與所述第一導電層222電連接;所述走線215用于提供第二電極層214的工作電壓;所述第一導電層222與所述走線214電連接。
[0080]在步驟S17中，在進行封裝保護時，可以通過柔性線路板使得所述第一導電層與所述走線電連接;或，通過設置在所述邊框區的金屬球使得所述第一導電層與所述走線電連接。本發明實施例優選采用金屬球23實現第一導電層222與走線215的電連接。
[0081 ]在進行封裝保護時，還包括:通過封裝膠24密封蓋板22與顯示基板21的四周。
[0082]如上述實施例所述，所述TFT基板包括TFT器件211以及覆蓋所述TFT器件211的第一介質層218;所述在所述TFT基板表面形成第一電極層212包括:在所述第一介質層218表面形成第一通孔Vial;在形成有所述第一通孔Vial的第一介質層218表面形成所述第一電極層212，根據顯示面板的設計需要對所述第一電極層212進行刻蝕，圖案化所述第一電極層 212。
[0083]本申請實施例所述顯示面板可以為OLED顯示面板。可選的，第二電極層可以為陰極，第一電極為陽極。
[0084]通過上述描述可知，本發明實施例所述制作方法制備顯示面板時，第二電極層與設置在改變上的第一導電層電連接，第一導電層與顯示基板邊框區的走線電連接，以通過所述走線為所述第二電極層提供工作電壓，無需形成第二通過，制作工藝簡單，制作成本低，便于窄邊框設計。且在蒸鍍發光功能層時，無需預留間距，進一步降低了邊框寬度。同時第二電極層通過位于顯示區的電接觸點與第一導電層連接，避免了電壓下降問題，保證了顯示面板的顯示效果。
[0085]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種顯示面板，所述顯示面板具有顯示區以及邊框區，其特征在于，所述顯示面板包括:相對設置的蓋板以及顯示基板； 所述蓋板包括:第一襯底以及設置在所述第一襯底朝向所述顯示基板一側的第一導電層； 所述顯示基板包括:TFT基板以及設置在所述TFT基板朝向所述蓋板一側的像素定義層;所述像素定義層具有開口區以及非開口區； 所述開口區設置有發光功能層，所述發光功能層與所述TFT基板之間設置有第一電極；所述非開口區具有朝向所述蓋板的凸起結構;所述發光功能層以及所述凸起結構表面設置有第二電極層，所述第二電極層在對應所述凸起結構的位置與所述第一導電層電連接； 其中，所述顯示基板對應所述邊框區的預設區域設置有走線，所述走線用于提供第二電極層的工作電壓;所述第一導電層與所述走線電連接。2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一導電層通過設置在所述蓋板與所述顯示基板之間的金屬球與所述走線電連接;所述金屬球設置在所述邊框區。3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述邊框區包括:走線區以及封裝區； 其中，所述走線區包圍所述顯示區；所述封裝區包圍所述走線區；所述走線設置在所述走線區;所述金屬球位于所述走線區，所述金屬球的一端與所述第一導電層連接，另一端與所述走線連接。4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一導電層通過柔性線路板與所述走線電連接。5.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT基板包括TFT器件以及覆蓋所述TFT器件的第一介質層； 所述第一電極設置在所述第一介質層表面;所述第一電極通過貫穿所述第一介質層的第一通孔與所述TFT器件電連接，所述TFT器件用于為所述第一電極提供第一電極工作電壓;所述走線設置在所述第一介質層表面。6.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一導電層為覆蓋所述第一襯底表面的ITO層。7.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述凸起結構位于所述顯示區；在垂直于所述TFT基板的方向上，所述凸起結構與所述第一電極不交疊，且與所述發光功能層不交疊。8.—種顯示面板的制作方法，用于制作如權利要求1-7任一項所述的顯示面板，其特征在于，包括: 提供一 TFT基板； 在所述TFT基板表面形成第一電極以及走線；其中，所述第一電極位于顯示區，走線位于邊框區； 形成覆蓋所述第一電極、所述走線以及所述TFT基板的像素定義層;所述像素定義層具有開口區以及非開口區； 圖案化所述像素定義層，在所述開口區形成開口，在所述非開口區形成凸起結構；其中，所述開口用于露出所述第一電極； 在所述第一電極表面形成發光功能層； 形成覆蓋所述發光功能層以及所述凸起結構的第二電極層； 通過一蓋板進行封裝保護，所述蓋板設置在所述第二電極層背離所述TFT基板的一側；其中，所述蓋板包括:第一襯底以及設置在所述第一襯底朝向所述顯示基板一側的第一導電層;所述第二電極層在對應所述凸起結構的位置與所述第一導電層電連接;所述走線用于提供第二電極層的工作電壓;所述第一導電層與所述走線電連接。9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在進行封裝保護時，通過柔性線路板使得所述第一導電層與所述走線電連接； 或，通過設置在所述邊框區的金屬球使得所述第一導電層與所述走線電連接。10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述TFT基板包括TFT器件以及覆蓋所述TFT器件的第一介質層;所述在所述TFT基板表面形成第一電極層包括: 在所述第一介質層表面形成第一通孔； 在形成有所述第一通孔的第一介質層表面形成所述第一電極層。
【文檔編號】H01L51/56GK105845712SQ201610334550
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月19日
【發明人】馬志麗, 錢棟
【申請人】上海天馬有機發光顯示技術有限公司, 天馬微電子股份有限公司