顯示基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,屬于顯示技術領域。本發明的顯示基板的制備方法,包括:通過構圖工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形;通過所述輔助對位標記進行對位,并通過構圖工藝在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形。在本發明的顯示基板的制備方法中,由于在形成第二膜層時需要采用輔助對位標記進行對位,也就是說,在形成第二膜層時需要兩次對位。因此,本發明的制備方法所形成的圖案較為精準,故可以制備出良率較高的產品。
【專利說明】
顯示基板及其制備方法、顯示裝置
技術領域
[0001]本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]OLED(有機電致發光器件:0rganic Light-Emitting Device,簡稱0LED)是一種利用有機固態半導體作為發光材料的發光器件,由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發光亮度高、工作溫度范圍廣等優點,使其具有廣闊的應用前景。
[0003]現有的OLED器件的結構通常包括陽極層、陰極層以及設置在陽極層和陰極層之間的有機功能層,所述有機功能層沿陽極層朝向陰極層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、以及電子注入層。其中,空穴注入層與陽極層相鄰,電子注入層與陰極層相鄰。
[0004]OLED器件的發光機理為:當陽極層和陰極層之間施加有外界電壓時,在外界電壓的驅動下,由陽極層注入的空穴通過空穴注入層和空穴傳輸層進入發光層中,由陰極層注入的電子通過電子注入層和電子傳輸層進入發光層中,進入到發光層中的空穴和電子在復合區復合形成激子,激子輻射躍迀發光而產生發光現象,即形成電致發光。
[0005]發明人發現現有技術中至少存在如下問題:顯示基板上各個OLED器件的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層均是形成為一體的結構,也即為整層結構,故在采用蒸鍍工藝形成的時,僅需將掩模板的四角位置上的對位標記與基底四角位置上的對位標記進行對位即可,但是顯示基板上的各個OLED器件的發光顏色不是全部相同,因此在,蒸鍍OLED器件的發光層時,則不能同時將所有的OLED器件的發光層蒸鍍,也就是說各個OLED器件的發光層為獨立的結構,但是在現有技術中在蒸鍍發光層時,也僅是將掩模板的四角位置上的對位標記與基底四角位置上的對位標記進行對位,此時則會造成蒸鍍不準確的現象,進而導致顯示基板顯示不良等問題。
【發明內容】
[0006]本發明所要解決的技術問題包括,針對現有的顯示基板的制備方法中存在的上述的問題,提供一種對位精度高的顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
[0007]解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示基板的制備方法,包括:
[0008]通過構圖工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形;
[0009]通過所述輔助對位標記進行對位,并通過構圖工藝在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形。
[0010]優選的是,所述通過構圖工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形,具體包括:
[0011 ]將第一掩模板上位于四角位置的對位標記,與所述基底上位于四角位置的對位標記進行第一次對位,并通過蒸鍍工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形。
[0012]進一步優選的是,所述第一次對位是采用白光照射進行對位的。
[0013]優選的是,所述第一膜層為空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層中的任意一種。
[0014]優選的是,所述通過所述輔助對位標記進行對位,并通過構圖工藝在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形,具體包括:
[0015]將第二掩模板上位于四角位置的對位標記,與所述基底上位于四角位置的對位標記進行第二次對位;
[0016]將所述第二掩模板上的輔助對位標記,與所述基底上的輔助對位標記進行第三次對位;
[0017]通過蒸鍍工藝,在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形。
[0018]進一步優選的是,所述第二次對位是采用白光照射進行對位的。
[0019]進一步優選的是,所述第三次對位是采用白光或者UV光照射進行對位的。
[0020]優選的是,所述第二膜層為有機電致發光材料層。
[0021]優選的是,所述中間區域劃分為多個像素區,各個所述像素區呈矩陣排布;所述基底上的輔助對位標記形成在所述像素區的行方向和/或列方向的延長線上。
[0022]解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示基板,其至少包括依次設置在基底的中間區域上的第一膜層和第二膜層所述顯示基板還包括位于周邊區域且與所述第一膜層同層設置的輔助對位標記;其中,
[0023]所述輔助對位標記,用于形成第二膜層的圖形時進行對位。
[0024]優選的是,所述顯示基板為有機電致發光二極管基板,所述第一膜層為空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層中的任意一種;第二膜層為有機電致發光材料層。
[0025]解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置,其包括上述的顯示基板。
[0026]本發明具有如下有益效果:
[0027]在本發明的顯示基板的制備方法中,由于在基底的中間區域形成第一膜層的同時還形成基底的周邊區域還形成輔助對位標記的圖形,而且在形成第二膜層時需要采用輔助對位標記進行對位,也就是說在形成第二膜層時需要兩次對位,即粗對位,將掩模板的四角上的對位標記與基底四角上的對位標記進行對位;精準對位,將掩模板周邊區域的輔助對位標記與基底周邊區域的輔助對位標記進行對位。因此,采用本發明的顯示基板的制備方法所形成的圖案較為精準,故可以制備出良率較高的產品。
【附圖說明】
[0028]圖1為本發明的實施例1和2的顯不基板的平面不意圖;
[0029]圖2為本發明的實施例1的顯示基板的制備方法的流程圖;
[0030]圖3為本發明的實施例1的有機電致發光二極管基板的制備方法的流程圖。
[0031 ] 其中附圖標記為:1、對位標記;2、輔助對位標記;1、中間區域;20、周邊區域;11、
像素區。【具體實施方式】
[0032]為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案,下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細描述。
[0033]實施例1:
[0034]結合圖1和2所示,本實施例提供一種顯示基板的制備方法,其包括:通過構圖工藝,在基底上形成包括位于中間區域10的第一膜層和位于周邊區域20的輔助對位標記2的圖形;通過所述輔助對位標記2進行對位,并通過構圖工藝在所述基底的中間區域10形成包括第二膜層的圖形。
[0035]在此需要說明的是,本實施例中構圖工藝,可只包括光刻工藝,或,包括光刻工藝以及刻蝕步驟,同時還可以包括蒸鍍、打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝;光刻工藝,是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。可根據本實施例中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。
[0036]本領域技術人員公知的是,通過構圖工藝在基底上形成圖案時,首先需要將掩模板四角上的對位標記與基底四角上的對位標記I的掩模板進行對位,之后才會通過其他步驟(包括曝光、顯影、刻蝕或者包括蒸鍍)形成相應的圖案。而在本實施例的顯示基板的制備方法中,由于在基底的中間區域10形成第一膜層的同時還形成基底的周邊區域20還形成輔助對位標記2的圖形,而且在形成第二膜層時需要采用輔助對位標記2進行對位,也就是說在形成第二膜層時需要兩次對位,即粗對位,將掩模板的四角上的對位標記與基底四角上的對位標記I進行對位;精準對位,將掩模板的周邊區域的輔助對位標記2與基底周邊區域20的輔助對位標記2進行對位。因此,采用本實施例的顯示基板的制備方法所形成的圖案較為精準,故可以制備出良率$父尚的廣品。
[0037]以下,提供一種有機電致發光二極管(OLED)基板的制備方法,對本實施例進行進一步的說明。如圖3所示,該制備方法具體包括如下步驟:
[0038]I)在基底上采用濺射陽極導電薄膜,并通過構圖工藝形成包括各個OLED器件的陽極層的圖形。
[0039]其中,基底作為有機電致發光器件中電極層和有機功能薄膜層的依托,它在可見光區域有著良好的透光性能以及一定的防水汽和氧氣滲透的能力,并具有較好的表面平整性,一般可以采用玻璃、或柔性基片、或陣列基板等制成。如果選用柔性基片,可采用聚酯類,聚酞亞胺或者較薄的金屬制成。
[0040]陽極層作為有機電致發光器件正向電壓的連接層,具有較好的導電性能、可見光區域的透光性以及較高的功函數。陽極層通常采用無機金屬氧化物(比如:氧化銦錫ΙΤ0,氧化鋅ZnO等)、有機導電聚合物(比如:聚3,4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽PED0T:PSS,聚苯胺PANI等)或高功函數金屬材料(比如:金、銅、銀、鉑等)制成。陽極層的厚度范圍為10?200nmo
[0041 ] 2)在形成有各個OLED器件的陽極層的基底上,采用真空蒸鍍工藝制備空穴注入層。其中,各個OLED器件的空穴注入層為形成為一體的結構,也就是說空穴注入層為位于基底中間區域10上的整層結構,因此在形成空穴注入層時,僅需將掩模板與基底四角位置處的對位標記I進行對位即可。其中,在對位過程中可以采用白光CCD鏡頭進行照射。
[0042]其中,空穴注入層的材料包括2,3,6,7,10,11_六氰基_1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲(HAT-CN) ,2,3,5,6_四氟_7,7’,8,8’-四氰二甲基對苯(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯銻酸銨(TBAHA)中的任意一種。空穴注入層的厚度為I?5nm。
[0043]3)在形成有空穴注入層的基底上,采用真空蒸鍍工藝在基底的中間區域10形成空穴傳輸層,同時在基底的周邊區域20形成輔助對位標記2。其中,各個OLED器件的空穴傳輸層為形成為一體的結構,也就是說空傳輸入層為位于基底中間區域10上的整層結構,因此在形成空穴注入層時,僅需將掩模板與基底四角位置處的對位標記I進行對位(第一次對位)即可。其中,在對位過程中可以采用白光CCD鏡頭進行照射。
[0044]其中,中間區域10劃分為多個像素區11,各個所述像素區11呈矩陣排布;而OLED器件是設置在像素區11中,此時OLED器件也是呈矩陣排布的,優選的基底上所形成的輔助對位標記2形成在所述像素區11的行方向和/或列方向的延長線上。也就是,基底的周邊區域20與在每一行和每一列像素區11的對應位置形成有輔助對位標記2,以便后續形成OLED器件的發光層時用。
[0045]其中,空穴傳輸層的材料為空穴傳輸層的材料為空穴迀移率大于10—5cm2/V.S的材料,可以采用芳香族二胺類化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺類化合物、聯苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金屬配合物、或者咔唑類聚合物制成,優選為:N,M -二(1-萘基)-N,g -二苯基-1,I7 -聯苯-4-V -二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、TPTE、I,3,5_三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)中的任意一種。空穴傳輸層7的厚度為10?200nm。
[0046]4)在形成有空穴傳輸層的基底上,采用真空蒸鍍工藝形成發光層。
[0047]該步驟具體包括:
[0048]首先,將掩模板四角位置處的對位標記I與基底四角位置處的對位標記I進行粗對位(第二次對位);在對位過程中所采用的CCD鏡頭為白光光源或者紫外光的CCD鏡頭。
[0049]之后,將掩模板周邊區域上的輔助對位標記2與基底周邊區域20的輔助對位標記2進行精準對位(第三次對位);在對位過程中所采用的CCD鏡頭為白光光源或者紫外光的CCD鏡頭。之所以要進行精準對位的原因是,各個OLED器件的發光層是與各自像素區11對應的獨立結構,因為在行方向上兩相鄰的OLED器件的發光顏色不同,因此要單獨進行蒸鍍,從而要求掩模板上的開口區要與像素區11之間精準的對位,才能保證所蒸鍍得到OLED器件的良率高。
[0050]最后,依次對各個像素區11進行蒸鍍,形成各個OLED器件的發光層。
[0051]其中,粗對位和精準對位均最優采用紫外光的CCD鏡頭進行照射,此時可以更清楚的觀看到基底上的對位標記I和輔助對位標記2,使得混色等不良的發生概率降低。
[0052]其中,發光層可以由具有空穴傳輸能力不低于電子傳輸能力的發光材料組成無摻雜的熒光發光的有機材料制成,或采用由熒光摻雜劑與基質材料組成的摻雜熒光材料的有機材料制成,或采用由磷光摻雜劑與基質材料組成的摻雜磷光材料的有機材料制成。發光層的厚度范圍為10?50nmo
[0053]5)在形成有發光層的基底上,采用真空蒸鍍工藝形成電子傳輸層。其中,電子傳輸層的材料包括電子迀移率大于10—3cm2/V.S的材料。
[0054]優選的,電子傳輸層的材料包括2-(4-聯苯基)-5_苯基惡二唑(PBD)、2,5_二(1-萘基)_1,3,5-惡二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一種。優選的,電子傳輸層的厚度為10?30nmo
[0055]6)在形成有電子傳輸層的基底上,采用真空蒸鍍工藝形成電子注入層。
[0056]其中,電子注入層的材料為氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化銣、氟化銫、氧化鋰、偏硼酸鋰中的任意一種。電子注入層的厚度為I?5nm。
[0057]7)在形成有電子注入層的基底上,采用真空蒸鍍工藝形成陰極層。
[0058]其中,陰極層作為有機電致發光器件負向電壓的連接層,具有較好的導電性能和較低的功函數。陰極層通常采用低功函數金屬材料,比如:鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等或上述金屬與銅、金、銀的合金制成;或者采用一層很薄的緩沖絕緣層(如氟化鋰LiF、碳酸銫CsCO3等)和上述金屬或合金制成。陰極層的厚度范圍為10?20nm。
[0059]至此完成本實施例的有機電致發光器件的制備。
[0060]在此需要說明的是,其中也可以在形成空穴注入層時,在基底的周邊區域20形成輔助對位標記2,其形成方法與上述的方法相同,在此不再詳細描述。當然,如果本實施例中所形成OLED器件時,先形成陰極層,因此還可以在形成電子注入層或者電子傳輸層時,在基底的周邊區域20形成輔助對位標記2,只要保證在形成發光層之間形成輔助對位標記2,以供形成發光層時使用即可。
[0061 ] 實施例2:
[0062]如圖1所示,本實施例提供一種顯示基板,該顯示基板可以采用實施例1中的制備方法制備得到。該顯示基板,至少包括依次設置在基底的中間區域10上的第一膜層和第二膜層,所述顯示基板還包括位于周邊區域20且與所述第一膜層同層設置的輔助對位標記2;其中,所述輔助對位標記2,用于形成第二膜層的圖形時進行對位。
[0063]本領域技術人員公知的是,通過構圖工藝在基底上形成圖案時,首先需要將掩模板四角上的對位標記I與基底四角上的掩模板進行對位,之后才會通過其他步驟(包括曝光、顯影、刻蝕或者包括蒸鍍)形成相應的圖案。而在本實施例的顯示基板中,由于在基底的周邊區域20設置有與基底的中間區域10的第一膜層同層的輔助對位標記2的圖形,而且在形成第二膜層時需要采用輔助對位標記2進行對位,也就是說在形成第二膜層時需要兩次對位,即第一次對位(粗對位),將掩模板的四角上的對位標記I與基底四角上的對位標記I進行對位;第二次對位(精準對位),將掩模板的周邊區域的輔助對位標記2與基底的周邊區域20的輔助對位標記2進行對位。故本實施例的顯示基板的良率較高。
[0064]作為本實施例的一種優選的結構,該顯示基板為有機電致發光二極管基板,所述第一膜層為空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層中的任意一種;第二膜層為有機電致發光材料層。
[0065]具體的,有機電致發光二極管基板包括基底,依次設置在基底上的各個OLED器件的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。其中,在基底的周邊區域20與空穴注入層或者空穴傳輸層同層還設置有輔助對位標記2,以供形成發光層時用,從而大大提高形成OLED器件的發光層時的對位精度。
[0066]或者,有機電致發光二極管基板包括基底,依次設置在基底上的各個OLED器件的陰極層、電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層、陽極層。其中,在基底的周邊區域20與電子注入層或電子傳輸層同層還設置有輔助對位標記2,以供形成發光層時用,從而大大提高形成OLED器件的發光層時的對位精度。
[0067]實施例3:
[0068]本實施例提供一種顯示裝置,其包括實施例2所述的顯示基板。
[0069]該顯示裝置可以為:電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0070]可以理解的是,以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式,然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言,在不脫離本發明的精神和實質的情況下,可以做出各種變型和改進,這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括: 通過構圖工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形; 通過所述輔助對位標記進行對位,并通過構圖工藝在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形。2.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述通過構圖工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形,具體包括: 將第一掩模板上位于四角位置的對位標記,與所述基底上位于四角位置的對位標記進行第一次對位,并通過蒸鍍工藝,在基底上形成包括位于中間區域的第一膜層和位于周邊區域的輔助對位標記的圖形。3.根據權利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第一次對位是采用白光照射進行對位的。4.根據權利要求1-3中任一項所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第一膜層為空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層中的任意一種。5.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述通過所述輔助對位標記進行對位,并通過構圖工藝在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形,具體包括: 將第二掩模板上位于四角位置的對位標記,與所述基底上位于四角位置的對位標記進行第二次對位; 將所述第二掩模板上的輔助對位標記,與所述基底上的輔助對位標記進行第三次對位; 通過蒸鍍工藝,在所述基底的中間區域形成包括第二膜層的圖形。6.根據權利要求5所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第二次對位是采用白光照射進行對位的。7.根據權利要求5所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第三次對位是采用白光或者UV光照射進行對位的。8.根據權利要求1-3、5-7中任一項所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第二膜層為有機電致發光材料層。9.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述中間區域劃分為多個像素區,各個所述像素區呈矩陣排布;所述基底上的輔助對位標記形成在所述像素區的行方向和/或列方向的延長線上。10.—種顯示基板,至少包括依次設置在基底的中間區域上的第一膜層和第二膜層,其特征在于,所述顯示基板還包括位于周邊區域且與所述第一膜層同層設置的輔助對位標記;其中, 所述輔助對位標記,用于形成第二膜層的圖形時進行對位。11.根據權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板為有機電致發光二極管基板,所述第一膜層為空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層中的任意一種;第二膜層為有機電致發光材料層。12.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求10或11所述的顯示基板。
【文檔編號】H01L23/544GK105845710SQ201610320018
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月13日
【發明人】王德志
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司