一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法
【專利摘要】本發明提供一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，在藍寶石襯底上MOCVD生長GaN基LED外延材料，形成藍寶石/GaN基LED外延材料/Si的三層結構，加熱所述藍寶石/GaN基LED外延材料/Si三層結構去除藍寶石襯底，將GaN基LED外延材料和金剛石熱沉片低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構；去除所述金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構中的Si臨時支撐材料，ICP刻蝕GaN基LED外延材料，進行器件隔離，制作器件電極；本發明采用高熱導率的金剛石做熱沉，散熱效果優于傳統的襯底，鍵合方法屬于低溫工作，有效避免了傳統的高溫鍵合對材料性能的損傷，制作方法工藝簡單、容易實現，重復性好。
【專利說明】
一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及LED散熱技術領域，具體涉及一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法。
【【背景技術】】
[0002]GaN基LED作為第四代照明光源，具有高效、使用壽命長、節能、環保等優點，成為國內外重點發展的戰略性新興產業。然而隨著照明功率不斷地提高，LED產生的熱量將急劇升高，如果這些熱量沒有及時散發出去，LED內部因發熱產生的高溫將嚴重影響LED的壽命和照明性能，因此，散熱成為LED照明技術領域一個亟待解決的關鍵性課題。
[0003]傳統的解決LED散熱的方法是采用倒裝焊技術給LED外加鋁或者銅散熱基板，利用散熱基板來導熱，一方面由于倒裝焊技術工藝比較復雜；另一方面由于鋁(237W/m.K)和銅(400ff/m.K)有限的熱導率，很難滿足大功率LED照明的散熱需求。金剛石具有極高的熱導率，IIa型天然單晶金剛石的室溫熱導率高達2000W/m.K，采用金剛石作熱沉可以有效地解決LED的散熱問題。
【
【發明內容】
】
[0004]針對現有技術的不足，本發明目的在于提出一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，形成以金剛石襯底做熱沉的GaN基LED，利用金剛石的高熱導率來解決GaN基LED大功率照明散熱冋題。
[0005]為達到上述目的，本發明采用以下技術方案:
[0006]—種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，包括以下步驟:
[0007](I)在藍寶石襯底上MOCVD生長GaN基LED外延材料；
[0008](2)取一塊Si (111)的晶片作為Si臨時支撐材料，用粘合劑將所述Si臨時支撐材料粘到所述GaN基LED外延材料上，形成藍寶石/GaN基LED外延材料/Si的三層結構；
[0009](3)用脈沖激光從藍寶石一面掃描整個樣品；加熱所述藍寶石/GaN基LED外延材料/Si三層結構去除藍寶石襯底，得到GaN基LED外延材料/Si兩層結構；
[0010](4)刻蝕、拋光暴露的GaN基LED外延材料，拋光到納米級表面粗糙度，為晶片鍵合做準備；同時取一塊金剛石熱沉片進行拋光；
[0011](5)在所述暴露的GaN基LED外延材料和金剛石熱沉片表面淀積一薄層鍵合粘合劑，將兩部分緊密接觸進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構；
[0012](6)去除所述金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構中的Si臨時支撐材料(6)，得到金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構；
[0013](7)ICP刻蝕金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構，進行器件隔離；
[0014](8)制作器件電極。
[0015]進一步，所述步驟(I)具體如下:
[0016](1.1)清洗藍寶石襯底，用丙酮、去離子水各超聲清洗2分鐘；
[0017](1.2)將藍寶石襯底在1000°C的出氣氛下進行烘烤，除去表面吸附雜質；
[0018](1.3)以三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)分別作為Ga源和咐原，犯和H2作為載氣，530 °C下采用MOCVD技術在藍寶石襯底上低溫生長50nm本征GaN緩沖層；
[0019](1.4)接著以SiH4為η型摻雜劑，三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作Ga源和對原皿)00)生長n-GaN層，摻雜濃度I X 1018cm—3 ；
[0020](1.5)以三甲基鎵(TMGa)，三甲基銦(TMIn)和氨氣(NH3)分別作為Ga源、In源和N源，N2和H2作為載氣MOCVD交替生長GaN/InGaN多量子阱；
[0021](1.6)以CP2Mg為P型摻雜劑，三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作Ga源和咐原皿)00)生長P-GaN層，摻雜濃度2 X 117Cnf3，850°C退火激活雜質。
[0022]進一步，所述藍寶石襯底厚度為500μπι，本征GaN緩沖層厚度為50nm，n-GaN層厚度為2μ??，10對GaN/InGaN量子阱，p_GaN層5厚度為0.2μπι。
[0023]進一步，所述步驟中用波長248nm，脈沖寬度38ns的脈沖激光從藍寶石一面掃描整個樣品；加熱襯底到Ga的熔點29 °C以上去除藍寶石襯底，得到所述GaN基LED外延材料/Si兩層結構。
[0024]進一步，所述步驟(5)具體如下:
[0025](5.1)用Κ0Η:乙二醇按5:3配置的溶液去除本征GaN緩沖層，漏出n_GaN層；
[0026](5.2)刻蝕、拋光所述暴露的n-GaN層，拋光到納米級表面粗糙度，為晶片鍵合做準備;
[0027](5.3)在所述暴露的n-GaN層表面和金剛石熱沉片拋光淀積一薄層鍵合粘合劑，將兩部分緊密接觸進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構。
[0028]進一步，所述金剛石熱沉片為多晶金剛石，厚度0.3mm，粘合劑為苯并環丁烯(BCB)，鍵合時間30min，鍵合、固化溫度低于150°C。
[0029]進一步，所述步驟(7)具體如下:
[0030](7.1)清洗金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構，用三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗各5分鐘，用氮氣吹干；
[0031 ] (7.2)以SiH4 = N2O等于130:65sccm為反應氣采用PECVD工藝淀積S12掩蔽膜，其厚度2.5μ??，淀積溫度350 0C，功率200W，壓強5Pa，時間60min;
[0032](7.3)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成隔離槽光刻圖樣，曝光功率10mW、時間50s，顯影時間45s ；
[0033](7.4)將HF:NH4F:H2O按1:2:3配置成BOE溶液，采用BOE溶液腐蝕未被光刻膠覆蓋的S12掩蔽膜形成隔離槽刻蝕窗口，腐蝕時間85s;采用ICP干法刻蝕隔形成離槽，刻蝕氣體采用He: Ch: BCb = 10:45:15sccm的混合氣體，刻蝕時間38min。
[0034](7.5)以SiH4 = N2O等于130:65sccm為反應氣采用PECVD工藝淀積S12掩蔽膜，其厚度2.5μ??，淀積溫度350 0C，功率200W，壓強5Pa，時間60min。
[0035](7.6)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成η型臺面光刻圖樣，曝光功率10mW、時間50s，顯影時間45。
[0036](7.7)將HF: NH4F: H2O按1:2:3配置成BOE溶液，采用BOE溶液腐蝕未被光刻膠覆蓋的S12掩蔽膜形成η型臺面刻蝕窗口，腐蝕時間85s ；采用ICP干法刻蝕形成η型臺面，刻蝕氣體采用He: Ch: BCb = 10:45:15sccm的混合氣體，刻蝕時間5min。
[0037]進一步，所述步驟(8)具體如下:
[0038](8.1)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成光刻陽極電極光刻圖樣;磁控派射Ni/Au，厚度分別為50nm/120nm，550°C退火；金屬Lift-off剝離形成陽極電極；
[0039](8.2)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成陰極電極光刻圖樣;磁控派射 Ti/Al/Ti/Au，厚度 30nm/250nm/90nm/20nm，850 °C 退火；金屬 Lift-off 剝離形成陰極電極；
[0040](8.3)PECVD 淀積 Si3N4 鈍化層；
[0041](8.4)電極 ICP 刻孔;
[0042 ] (8.5)磁控濺射Ni /Au，加厚電極；
[0043](8.6)劃片。
[0044]本發明與現有的技術相比的優點在于:
[0045](I)所述發明方法采用高熱導率的金剛石做熱沉，散熱效果優于傳統的襯底。
[0046](2)所述鍵合方法屬于低溫工作，有效避免了傳統的高溫鍵合對材料性能的損傷。
[0047](3)所述藍寶石襯底激光剝離過程中，先把GaN基LED外延材料倒轉到Si臨時支撐材料上，有效避免了激光剝離對GaN基LED外延材料性能的影響。
[0048](4)所述制作方法工藝簡單、容易實現，重復性好。
【【附圖說明】】
[0049]圖1為實施例1藍寶石襯底GaN基LED外延材料剖面圖。
[0050]圖2為實施例2藍寶石襯底GaN基LED外延材料向Si臨時支撐材料轉移示意圖。
[0051 ]圖3為實施例2脈沖激光掃描藍寶石襯底示意圖。
[0052]圖4為實施例2藍寶石襯底剝離示意圖。
[0053]圖5為實施例3去除本征GaN緩沖層示意圖。
[0054]圖6為實施例3GaN基LED外延材料與金剛石熱沉襯底鍵合示意圖。
[0055]圖7為實施例3去除Si臨時支撐材料示意圖。
[0056]圖8為實施例4ICP刻蝕示意圖。
[0057]圖9為實施例4制作器件電極示意圖。
[0058]圖中標記:1-藍寶石襯底，2-本征GaN緩沖層，3_n_GaN層，4_GaN/InGaN多量子阱，5-p-GaN層，6-Si臨時支撐材料，7-粘合劑苯并環丁烯(BCB)，8-金剛石熱沉襯底，9-陽極電極，10-陰極電極，ΙΙ-Ti/Al/Ti/Au鈍化層。
【【具體實施方式】】
[0059]下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。但不應將此理解為本發明上述主題的范圍僅限于以下實施例，凡基于上述
【發明內容】
所實現的技術均屬于本發明的范圍。
[0060]實施例1
[0061 ]實施例1所述藍寶石襯底GaN基LED外延材料如圖1，藍寶石襯底I單面拋光，厚度500μπι，本征GaN緩沖層2厚度50nm，n_GaN層3厚度2μπι，10對GaN/InGaN量子阱4，ρ-GaN層5厚度0.2μπι，實施例1主要是藍寶石襯底上外延生長GaN基LED外延材料，包括以下步驟:
[0062](I)藍寶石襯底I清洗，丙酮、去離子水超聲各2分鐘。
[0063](2)將藍寶石襯底I在1000°(:的!12氣氛下進行烘烤，除去表面吸附雜質。
[0064](3)以三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)分別作為Ga源和對原，N2和H2作為載氣，530 °C下采用MOCVD技術在藍寶石襯底上低溫生長50nmGaN緩沖層2。
[0065](4)接著以SiH4為η型摻雜劑，三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作Ga源和對原皿)00)生長n-GaN層3，摻雜濃度I X 1018cm—3。
[0066](5)以三甲基鎵(TMGa)，三甲基銦(TMIn)和氨氣(NH3)分別作為Ga源、In源和咐原，他和H2作為載氣MOCVD交替生長GaN/InGaN多量子阱4。
[0067](6)以CP2Mg為P型摻雜劑，三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作Ga源和咐原觀00)生長p-GaN層5，摻雜濃度2 X 1017cm—3，850 °C退火激活雜質。
[0068]實施例2
[0069]實施例2所述藍寶石襯底GaN基LED外延材料襯底剝離示意圖，如圖2、圖3、圖4，器件臨時支撐材料為(111)晶向Si的晶片，掃描激光采用波長為248nm，脈沖寬度為38ns KrF脈沖激光。實施例2主要用來完成藍寶石襯底的剝離，包括以下步驟:
[0070](丨)取一塊Si(i i丨)的晶片作為的Si臨時支撐材料6，用粘合劑將所述藍寶石襯底GaN基LED外延材料臨時倒轉到Si支撐材料上，形成藍寶石/GaN基LED外延材料/Si的三層結構；
[0071](2)用一束波長248nm，脈沖寬度38ns KrF脈沖激光從藍寶石一面掃描整個樣品；激光脈沖的能量密度可以由一個焦距40cm的石英透鏡來調節。
[0072](3)加熱所述藍寶石/GaN基LED外延材料/Si三層結構，加熱襯底到Ga的熔點29°C以上，去除藍寶石襯底，得到GaN基LED外延材料/Si兩層結構；
[0073]實施例3
[0074]實施例3中，將藍寶石襯底GaN基LED外延材料與金剛石熱沉襯底8粘合劑鍵合，如圖5、圖6、圖7，金剛石為多晶金剛石，厚度0.3mm，粘合劑為苯并環丁烯(BCB)，鍵合時間30min，鍵合和固化溫度低于150 °C。實施例3主要采用粘合劑低溫鍵合技術來完成GaNHEMTs功率器件與金剛石熱沉襯底低溫鍵合，包括以下步驟:
[0075](I)用KOH:乙二醇=5:3溶液去除本征GaN緩沖層2，漏出η-GaN層3。
[0076](2)刻蝕、拋光所述暴露的n-GaN層3，拋光到納米級表面粗糙度，為晶片鍵合做準備，同時拋光金剛石熱沉片；
[0077](3)在所述暴露的n-GaN層3表面和金剛石熱沉片拋光淀積一薄層鍵合粘合劑苯并環丁烯(BCB) 7，所述兩部分緊密接觸進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構，鍵合、固化溫度不超過150 °C。
[0078](4)去除所述金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構中Si晶片臨時支撐材料，得到金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構，如圖7。
[0079]實施例4
[0080 ] 實施例4所述金剛石熱沉GaN基同側電極LED，如圖8、圖9，陽極電極9采用Ni /Au復合兩層金屬結構，陰極電極10采用Ti/Al/Ti/Au多層技術結構。實施例4主要完成金剛石熱沉GaN基同側電極LED的隔離與電極的制作，包括以下步驟:
[0081](I)所述金剛石/GaN基LED外延材料清洗，三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去離子水超聲各5分鐘，氮氣吹干。
[0082](2)以SiH^N2O= 130:65sccm為反應氣采用PECVD工藝淀積S12掩蔽膜，其厚度2.5μπι，淀積溫度350 °C，功率200W，壓強5Pa，時間60min。
[0083](3)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成隔離槽光刻圖樣，曝光功率10mW、時間50s，顯影時間45s。
[0084](4)采用BOE溶液:HF:NH4F: H2O= 1: 2: 3腐蝕未被光刻膠覆蓋的S12掩蔽膜形成隔離槽刻蝕窗口，腐蝕時間85s;采用ICP干法刻蝕隔離槽，刻蝕氣體采用He:Cl2:BCl3= 10:45:15sccm的混合氣體，刻蝕時間38min。
[0085](5)以SiHuN2O= 130:65sccm為反應氣采用PECVD工藝淀積S12掩蔽膜，其厚度2.5μπι，淀積溫度350 0C，功率200W，壓強5Pa，時間60min。
[0086](6)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成η型臺面光刻圖樣，曝光功率10mW、時間50s，顯影時間45s。
[0087](7)采用BOE溶液:HF: NH4F: H2O = 1:2:3腐蝕未被光刻膠覆蓋的S12掩蔽膜形成η型臺面刻蝕窗口，腐蝕時間85s;采用ICP干法刻蝕η型臺面，刻蝕氣體采用He: Cl2: BCl3=1:45:15sccm的混合氣體，刻蝕時間5min。
[0088](8)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成光刻陽極電極光刻圖樣；磁控派射附/^11，厚度分別為50]1111/12011111，550<€退火；金屬1^;^-(^€剝離形成陽極電極90
[0089](9)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成陰極電極光刻圖樣;磁控派射 Ti/Al/Ti/Au，厚度 30nm/250nm/90nm/20nm，850 °C 退火；金屬 Lift-off 剝離形成陰極電極10.
[0090](10)PECVD淀積Si3N4鈍化層，形成Si3N4鈍化層11。
[0091](11)電極 ICP 刻孔。
[0092 ] (12)磁控濺射N i /Au，加厚電極。
[0093] (13)劃片。
【主權項】
1.一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)在藍寶石襯底(I)上MOCVD生長GaN基LED外延材料； (2)取一塊Si(111)的晶片作為Si臨時支撐材料(6)，用粘合劑將所述Si臨時支撐材料(6)粘到所述GaN基LED外延材料上，形成藍寶石/GaN基LED外延材料/Si的三層結構； (3)用脈沖激光從藍寶石一面掃描整個樣品；加熱所述藍寶石/GaN基LED外延材料/Si三層結構去除藍寶石襯底，得到GaN基LED外延材料/Si兩層結構； (4)刻蝕、拋光暴露的GaN基LED外延材料，拋光到納米級表面粗糙度，為晶片鍵合做準備；同時取一塊金剛石熱沉片(8)進行拋光； (5)在所述暴露的GaN基LED外延材料和金剛石熱沉片(8)表面淀積一薄層鍵合粘合劑，將兩部分緊密接觸進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構； (6)去除所述金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構中的Si臨時支撐材料(6)，得到金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構； (7)ICP刻蝕金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構，進行器件隔離； (8)制作器件電極。2.根據權利要求1所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述步驟(I)具體如下: (I.I)清洗藍寶石襯底(I)，用丙酮、去離子水各超聲清洗2分鐘； (1.2)將藍寶石襯底(1)在1000°(:的!12氣氛下進行烘烤，除去表面吸附雜質； (1.3)以三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)分別作為Ga源和對原，犯和H2作為載氣，530°C下采用MOCVD技術在藍寶石襯底(I)上低溫生長50nm本征GaN緩沖層(2); (1.4)接著以SiH4為η型摻雜劑，三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作Ga源和對原皿)00)生長η_GaN層(3)，摻雜濃度I X 118Cnf3; (I.5)以三甲基鎵(TMGa)，三甲基銦(TMIn)和氨氣(NH3)分別作為Ga源、In源和咐原，N2和H2作為載氣MOCVD交替生長GaN/InGaN多量子阱(4); (I.6)以CP2Mg為P型摻雜劑，三甲基鎵(TMGa)和氨氣(冊3)作6&源和對原皿)00)生長?-6&~層(5)，摻雜濃度2X1017cm—3，850°C退火激活雜質。3.根據權利要求2所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述藍寶石襯底(I)厚度為500μπι，本征GaN緩沖層(2)厚度為50nm，n_GaN層(3)厚度為2μπι，10對GaN/InGaN量子阱(4)，p_GaN層5厚度為0.2μπι。4.根據權利要求1所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述步驟(3)中用波長248nm，脈沖寬度38ns的脈沖激光從藍寶石一面掃描整個樣品；加熱襯底到Ga的熔點29°C以上去除藍寶石襯底，得到所述GaN基LED外延材料/Si兩層結構。5.根據權利要求2所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述步驟(5)具體如下: (5.I)用KOH:乙二醇按5:3配置的溶液去除本征GaN緩沖層(2)，漏出η-GaN層(3); (5.2)刻蝕、拋光所述暴露的n-GaN層(3)，拋光到納米級表面粗糙度，為晶片鍵合做準備; (5.3)在所述暴露的n-GaN層(3)表面和金剛石熱沉片拋光淀積一薄層鍵合粘合劑，將兩部分緊密接觸進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基LED外延材料/Si三層結構。6.根據權利要求5所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述金剛石熱沉片為多晶金剛石，厚度0.3mm，粘合劑為苯并環丁稀(BCB)，鍵合時間30min，鍵合、固化溫度低于150 °C。7.根據權利要求1所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述步驟(7)具體如下: (7.1)清洗金剛石/GaN基LED外延材料兩層結構，用三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗各5分鐘，用氮氣吹干； (7.2)以SiH4:N2O等于130:65sccm為反應氣采用PECVD工藝淀積S12掩蔽膜，其厚度2.5μπι，淀積溫度350 0C，功率200W，壓強5Pa，時間60min; (7.3)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成隔離槽光刻圖樣，曝光功率10mW、時間50s，顯影時間45s ； (7.4)將HF:NH4F:H2O按1:2:3配置成BOE溶液，采用BOE溶液腐蝕未被光刻膠覆蓋的S12掩蔽膜形成隔離槽刻蝕窗口，腐蝕時間85s;采用ICP干法刻蝕形成隔離槽，刻蝕氣體采用He: Ch: BCb = 10:45:15sccm的混合氣體，刻蝕時間38min ； (7.5)以SiH4:N2O等于130:65sccm為反應氣采用PECVD工藝淀積S12掩蔽膜，其厚度2.5μπι，淀積溫度350 0C，功率200W，壓強5Pa，時間60min; (7.6)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成η型臺面光刻圖樣，曝光功率10mW、時間50s，顯影時間45s ； (7.7)將HF:NH4F:H2O按1:2:3配置成BOE溶液，采用BOE溶液腐蝕未被光刻膠覆蓋的S12掩蔽膜形成η型臺面刻蝕窗口，腐蝕時間85s;采用ICP干法刻蝕形成η型臺面，刻蝕氣體采用He: Ch: BCb = 10:45:15sccm的混合氣體，刻蝕時間5min。8.根據權利要求7所述的一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法，其特征在于:所述步驟(8)具體如下: (8.1)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成光刻陽極電極光刻圖樣;磁控派射Ni/Au，厚度分別為50nm/120nm，550°C退火；金屬Lift-off剝離形成陽極電極； (8.2)經涂膠、前烘、曝光、顯影、去膠、堅膜等工藝環節形成陰極電極光刻圖樣;磁控濺射1';[/^1/1';[/^11，厚度3011111/25011111/9011111/2011111，850<€退火；金屬1^;1^1:-0€;1^剝離形成陰極電極；(8.3)PECVD 淀積 Si3N4 鈍化層； (8.4)電極ICP刻孔； (8.5)磁控濺射Ni /Au，加厚電極； (8.6)劃片。
【文檔編號】H01L33/00GK105826434SQ201610172206
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年3月23日
【發明人】王進軍
【申請人】陜西科技大學