一種大功率led多芯片光源模組的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種大功率LED多芯片光源模組，包括具有內部電路設計的LED模組基板以及多顆LED芯片，所述LED模組基板的一個模組中具有倒梯形臺或倒錐形臺結構，所述多顆LED芯片封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部。本發明在LED模組基板的一個模組中設計倒梯形臺或倒錐形臺結構，使多顆LED芯片可以封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部，一方面可以解決2?9W光源模組的批量生產，同時方便光源模組的更換，另一方面由于倒梯形臺或倒錐形臺結構的側面傾斜一定的角度，從而形成坡度，由于坡度的影響，可以將LED芯片發出的光集中起來，并向上散發出去，以提高LED芯片的發光效率，同時可以有效地提高模組光源的顯色性和定向性。
【專利說明】
一種大功率LED多芯片光源模組
技術領域
[0001 ] 本發明涉及一種光源模組，尤其是一種大功率LED多芯片光源模組，屬于LED光源領域。
【背景技術】
[0002]目前LED光源結構主要有兩種，一種是單顆芯片封裝的光源，如303、4040、5050、5730等，這種光源由于芯片尺寸大小和功率的限制，市場上所使用一般最大功率為1W。第二種是以超大功率芯片為主的光源，雖然光源的功率可以做的比較大(最大可以做到9W)，但是由于芯片是一個整體，芯片之間的光學設計無法滿足高光效抽光的要求或者整體光效偏低，因此在推廣中存在一定的問題。而對于COB光源，其尺寸和功率都偏大，無法滿足超小尺寸2-6w功率光源的需求。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是為了解決上述現有技術的缺陷，提供了一種結構簡單、可以提高LED芯片發光效率，并能規模化生產的大功率LED多芯片光源模組。
[0004]本發明的目的可以通過采取如下技術方案達到:
[0005]—種大功率LED多芯片光源模組，包括具有內部電路設計的LED模組基板以及多顆LED芯片，所述LED模組基板的一個模組中具有倒梯形臺或倒錐形臺結構，所述多顆LED芯片封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部。
[0006]作為一種優選方案，所述多顆LED芯片封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部的3?5mm2的面積范圍內，并排成至少兩排。
[0007]作為一種優選方案，所述多顆LED芯片在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部圍成兩個相互對稱的正三角形。
[0008 ]作為一種優選方案，所述倒梯形臺或倒錐形臺結構的側面傾斜的角度為4 5?8 O度。
[0009]作為一種優選方案，所述倒梯形臺或倒錐形臺結構的高度為一顆LED芯片厚度的2
?4倍。
[0010]作為一種優選方案，所述倒梯形臺或倒錐形臺結構的各個面為光滑的金屬面。
[0011]作為一種優選方案，所述倒梯形臺或倒錐形臺結構內部開有多個凹槽，每個凹槽封裝一顆LED芯片，每個凹槽的厚度為一顆LED芯片厚度的2倍以上。
[0012]作為一種優選方案，所述每個凹槽的厚度為一顆LED芯片厚度的3倍?5倍。
[0013]作為一種優選方案，還包括透明光學罩，所述透明光學罩安裝在LED模組基板的頂部。
[0014]作為一種優選方案，所述透明光學罩底面的面積大于倒梯形臺或倒錐形臺結構頂面的面積。
[0015]本發明相對于現有技術具有如下的有益效果:
[0016]1、本發明在LED模組基板的一個模組中設計倒梯形臺或倒錐形臺結構，使多顆LED芯片可以封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部，一方面可以解決2-9W光源模組的批量生產，同時方便光源模組的更換，另一方面由于倒梯形臺或倒錐形臺結構的側面傾斜一定的角度，從而形成坡度，由于坡度的影響，可以將LED芯片發出的光集中起來，并向上散發出去，以提高LED芯片的發光效率，同時可以有效地提高模組光源的顯色性和定向性，并且便于光導出和光色設計的點膠工藝的實施，從而產生最大光輸出。
[0017]2、本發明的倒梯形臺或倒錐形臺結構，各個面均為光滑的金屬面，通過反射的作用，可以提高LED芯片的光線散發效果。
[0018]3、本發明將多顆L E D芯片封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部的3?5 mm2的面積范圍內，并排成至少兩排，使得每兩顆LED芯片之間保持一定的間距，從而使每顆LED芯片側邊發出全部的光，以進一步提高LED芯片發光的效率。
[0019]4、本發明在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部開有多個凹槽，每個凹槽封裝一顆LED芯片，每個凹槽的厚度為一顆LED芯片厚度的2倍以上，優選采用3?5倍，可以避免凹槽由于過厚而形成一個大坑，導致LED芯片的光線不能順利發射出去。
[0020]5、本發明可以廣泛應用于壁燈、洗墻燈、小型投射燈、吸頂燈、小功率球泡燈、路燈等LED照明產品的應用，方便維護和更換。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。
[0022]圖1為本發明實施例1的LED光源模組俯視結構示意圖。
[0023]圖2為本發明實施例1的LED光源模組側面結構示意圖。
[0024]圖3為本發明實施例1的LED光源模組組合示意圖。
[0025]圖4為本發明實施例2的LED光源模組俯視結構示意圖。
[0026]圖5為本發明實施例2的LED光源模組側面結構示意圖。
[0027]圖6為本發明實施例2的LED光源模組組合示意圖。
[0028]其中，1-模組基板，2-LED芯片，3-倒梯形臺結構，4-倒錐形臺結構。
【具體實施方式】
[0029]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
[0030]實施例1:
[0031 ] 如圖1和圖2所示，本實施例的LED光源模組包括LED模組基板I以及四顆LED芯片2，所述LED模組基板I的一個模組中具有倒梯形臺結構3，所述四顆LED芯片2封裝在倒梯形臺結構3內部；
[0032]所述倒梯形臺結構3的側面傾斜的角度為45?80度最佳角度為70度，高度為一顆LED芯片2厚度的2?4倍，也就是說倒梯形臺結構3的側面形成坡度，一方面可以解決2-9W光源模組的批量生產，同時方便光源模組的更換，另一方面由于坡度的影響，可以將LED芯片2發出的光集中起來，并向上散發出去，以提高LED芯片2的發光效率，同時可以有效地提高模組光源的顯色性和定向性，并且便于光導出和光色設計的點膠工藝的實施，從而產生最大光輸出；此外，倒梯形臺結構3的各個面為光滑的金屬面，通過反射的作用，可以提高LED芯片3的光線散發效果。
[0033]所述四顆LED芯片2封裝在倒梯形臺結構3的3?5mm2的面積范圍內，由于每顆LED芯片2的功率為0.5W?1W，則四顆LED芯片2即可達到2W?4W;本實施例以每排兩個LED芯片2排成兩排，使得每兩顆LED芯片2之間保持一定的間距，從而使每顆LED芯片2側邊發出全部的光，以進一步提高LED芯片2發光的效率。
[0034]本實施例的LED光源模組還可以包括經過光學設計的透明光學罩(圖中未示出)，所述透明光學罩安裝在LED模組基板I的頂部，透明光學罩底面的面積大于倒梯形臺結構3頂面的面積。
[0035]所述倒梯形臺結構內部3開有多個凹槽(圖中未示出)，每個凹槽封裝一顆LED芯片3，每個凹槽的厚度一般為一顆LED芯片2厚度的2倍以上，優選采用3?5倍，可以避免凹槽由于過厚而形成一個大坑，導致LED芯片2的光線不能順利發射出去。
[0036]采用18個本實施例的LED光源模組，將它們組合到一起使用，如圖3所示，每個LED光源模組都具有正電極和負電極。
[0037]實施例2:
[0038]如圖4和圖5所示，本實施例的LED光源模組包括LED模組基板I以及九顆LED芯片2，所述LED模組基板I的一個模組中具有倒錐形臺結構4，所述九顆LED芯片2封裝在倒錐形臺結構4內部；
[0039]所述倒錐形臺結構4的側面傾斜的角度與實施例1相同，也形成了坡度，同樣可以達到與實施例1的效果；
[0040]所述九顆LED芯片3封裝在倒錐形臺結構4內部的3?5mm2的面積范圍內，由于每顆LED芯片3的功率為0.5W?1W，則九顆LED芯片3即可達到4.5W?9W;九顆LED芯片3排成五排，第一排和第五排都是一個LED芯片3，第二排和第四排都是兩顆LED芯片3，第三排是三顆LED芯片3，從圖3中可以看到，正好在基板I上圍成兩個相互對稱的正三角形，使得每兩顆LED芯片3之間保持一定的間距，從而使每顆LED芯片3側邊發出全部的光，以進一步提高LED芯片3發光的效率；
[0041]采用18個本實施例的LED光源模組，將它們組合到一起使用，如圖6所示，每個LED光源模組都具有正電極和負電極。
[0042]綜上所述，本發明在LED模組基板的一個模組中設計倒梯形臺或倒錐形臺結構，使多顆LED芯片可以封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部，一方面可以解決2-9W光源模組的批量生產，同時方便光源模組的更換，另一方面由于倒梯形臺或倒錐形臺結構的側面傾斜一定的角度，從而形成坡度，由于坡度的影響，可以將LED芯片發出的光集中起來，并向上散發出去，以提高LED芯片的發光效率，同時可以有效地提高模組光源的顯色性和定向性，并且便于光導出和光色設計的點膠工藝的實施，從而產生最大光輸出。
[0043]以上所述，僅為本發明專利較佳的實施例，但本發明專利的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明專利所公開的范圍內，根據本發明專利的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都屬于本發明專利的保護范圍。
【主權項】
1.一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:包括具有內部電路設計的LED模組基板以及多顆LED芯片，所述LED模組基板的一個模組中具有倒梯形臺或倒錐形臺結構，所述多顆LED芯片封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部。2.根據權利要求1所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述多顆LED芯片封裝在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部的3?5_2的面積范圍內，并排成至少兩排。3.根據權利要求1所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述多顆LED芯片在倒梯形臺或倒錐形臺結構內部圍成兩個相互對稱的正三角形。4.根據權利要求1所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述倒梯形臺或倒錐形臺結構的側面傾斜的角度為45?80度。5.根據權利要求1所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述倒梯形臺或倒錐形臺結構的高度為一顆LED芯片厚度的2?4倍。6.根據權利要求1所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述倒梯形臺或倒錐形臺結構的各個面均為光滑的金屬面。7.根據權利要求1所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述倒梯形臺或倒錐形臺結構內部開有多個凹槽，每個凹槽封裝一顆LED芯片，每個凹槽的厚度為一顆LED芯片厚度的2倍以上。8.根據權利要求7所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述每個凹槽的厚度為一顆LED芯片厚度的3倍?5倍。9.根據權利要求1-8任一項所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:還包括透明光學罩，所述透明光學罩安裝在LED模組基板的頂部。10.根據權利要求9所述的一種大功率LED多芯片光源模組，其特征在于:所述透明光學罩底面的面積大于倒梯形臺或倒錐形臺結構頂面的面積。
【文檔編號】H01L33/48GK105826310SQ201610158664
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年3月17日
【發明人】馮挺, 王憶, 楊華, 王振興, 楊濤
【申請人】廣東華輝煌光電科技有限公司