薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法，屬于顯示技術領域。所述薄膜晶體管包括：基板、設置于所述基板上且經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層、設置于所述第一金屬氧化物薄膜層上且未經過退火處理的第二金屬氧化物薄膜層以及設置于所述第二金屬氧化物薄膜層上的源電極和漏電極。解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，導致薄膜晶體管穩定性下降的問題。
【專利說明】
薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法。
【背景技術】
[0002]金屬氧化物薄膜晶體管是當前薄膜晶體管領域的研究熱點，例如銦鎵鋅氧化物IGZO薄膜晶體管。
[0003]金屬氧化物薄膜晶體管通常包括基板、設于基板上的金屬氧化物薄膜(有源層)和漏源極(漏電極和源電極)。在金屬氧化物薄膜晶體管中，氧空位是載流子的主要來源，但過多的氧空位會導致金屬氧化物薄膜內部缺陷態增多，進而影響載流子密度、迀移率和半導體的可靠性。為了解決氧空位造成的金屬氧化物薄膜內部缺陷態增多的問題，常用的手段是對金屬氧化物薄膜進行退火處理。但在退火處理過的金屬氧化物薄膜上制備漏源極后，漏源極的金屬原子很容易與金屬氧化物薄膜中的氧形成接觸氧化，發生肖特基(schottky)接觸，產生肖特基電阻，肖特基電阻會導致金屬氧化物薄膜晶體管開態電流不足、亞閾值擺幅過大等問題，導致薄膜晶體管穩定性下降。
【發明內容】
[0004]為了解決退火處理的金屬氧化物薄膜與漏源極接觸產生肖特基電阻，影響顯示品質的問題，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法。所述技術方案如下:
[0005]第一方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:基板、設置于所述基板上且經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層、設置于所述第一金屬氧化物薄膜層上且未經過退火處理的第二金屬氧化物薄膜層以及設置于所述第二金屬氧化物薄膜層上的源電極和漏電極。
[0006]在本發明實施例的一種實現方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層和所述第二金屬氧化物薄膜層均為銦鎵鋅氧化物IGZO薄膜層。
[0007]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為500-900埃。
[0008]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層的退火溫度為300-500度，退火氣氛為空氣、氧氣或N2O，退火時間為0.5-2小時。
[0009]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為200-1000埃。
[0010]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第二金屬氧化物薄膜層為表面經過氫等離子處理或氫摻雜處理的金屬氧化物薄膜層，所述表面為所述第二金屬氧化物薄膜層朝向所述源電極和漏電極的一面。
[0011]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述薄膜晶體管還包括:柵極和柵絕緣層；所述柵極和所述柵絕緣層依次設置在所述基板與所述第一金屬氧化物薄膜層之間；或者，所述柵絕緣層和所述柵極依次設置在所述源電極和漏電極之上。
[0012]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述柵絕緣層包括與所述柵極接觸的SiNx層，與所述第一金屬氧化物薄膜層或所述第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，以及設置在所述SiNx層和所述S1y層之間的S1N層，X和y均為正數。
[0013]第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括第一方面任一項所述的薄膜晶體管。
[0014]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第二方面所述的陣列基板。
[0015]第四方面，提供一種薄膜晶體管制作方法，所述方法包括:
[0016]提供一基板；
[0017]在所述基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對所述第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理；
[0018]在所述第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層；
[0019]在所述第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0020]在本發明實施例的一種實現方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層均為IGZO薄膜層。
[0021]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為500-900埃。
[0022]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述對所述第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理，包括:
[0023]在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對所述第一金屬氧化物薄膜層退火0.5-2小時。
[0024]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為200-1000埃。
[0025]在本發明實施例的另一種實現方式中，所述方法還包括:
[0026]對所述第二金屬氧化物薄膜層進行表面氫等離子處理或氫摻雜處理。
[0027]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0028]本發明的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層上設置有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，導致薄膜晶體管穩定性下降的問題。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1是本發明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0031]圖2是本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0032]圖3是本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0033]圖4是本發明實施例提供的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0034]圖5是本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0035]圖6是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0036]圖7是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0037]圖8是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0038]圖9是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0039]圖10是本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0040]圖11是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0041]圖12是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0042]圖13是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖；
[0043]圖14是本發明實施例提供的薄膜晶體管制作過程中的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0044]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0045]圖1是本發明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖，參見圖1，薄膜晶體管包括:基板100、設置于基板100上且經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層101、設置于第一金屬氧化物薄膜層101上且未經過退火處理的第二金屬氧化物薄膜層102以及設置于第二金屬氧化物薄膜層102上的源電極103和漏電極104。
[0046]本發明的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層101，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層101作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層101上設置有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層102，使得第二金屬氧化物薄膜層102具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層102作為第一金屬氧化物薄膜層101與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層101之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，影響顯示品質的問題。
[0047]其中，基板100可以是玻璃基板。源電極103和漏電極104可以是Al(鋁)、Cu(銅)、Mo(鉬)、Cr(絡)、Ti(鈦)等電極。
[0048]其中，第一金屬氧化物薄膜層101和第二金屬氧化物薄膜層102可以為IGZO(銦鎵鋅氧化物)薄膜層。當然，該第一金屬氧化物薄膜層101和第二金屬氧化物薄膜層102還可以為IZO(銦鋅氧化物)等其他金屬氧化物薄膜層。
[0049]在本發明實施例中，第一金屬氧化物薄膜層101的厚度可以為500-900埃。優選地，第一金屬氧化物薄膜層101的厚度為700埃，采用上述優選值可以避免第一金屬氧化物薄膜層101厚度過大，導致薄膜晶體管整體尺寸大的問題;厚度過小，對刻蝕等工藝要求較高，且容易被刻穿的問題。
[0050]在本發明實施例中，第一金屬氧化物薄膜層101的退火溫度可以為300-500度，退火氣氛可以為空氣、氧氣或犯0( —氧化二氮)，退火時間可以為0.5-2小時。優選地，退火溫度可以為260-320度，退火時間可以為I小時，采用上述優選值可以避免退火溫度過低或時間過短，不能達到消除金屬氧化物中過多的氧空位的效果，同時可以避免溫度過高或時間過長，破壞薄膜結構的問題。
[0051 ]在本發明實施例中，第二金屬氧化物薄膜層102的厚度可以為200-1000埃。優選地，第二金屬氧化物薄膜層102的厚度為500埃，采用上述優選值可以避免第二金屬氧化物薄膜層102厚度過大，導致薄膜晶體管整體尺寸大的問題;第二金屬氧化物薄膜層102厚度過小，又不能起到緩沖層的效果的問題。
[0052]在本發明實施例中，第二金屬氧化物薄膜層102為表面經過氫等離子(Plasma)處理或氫摻雜處理的金屬氧化物薄膜層，第二金屬氧化物薄膜層102的表面為第二金屬氧化物薄膜層102朝向源電極103和漏電極104的一面。第二金屬氧化物薄膜層102表面經過氫Plasma處理或摻雜處理，可以進一步降低與漏源極接觸表面的含氧量，另外，可以提高第二金屬氧化物薄膜層102的致密性，有利于后續刻蝕工藝的進行。
[0053]圖2顯示了一種底柵結構的薄膜晶體管，如圖2所示，柵極105和柵絕緣層106依次設置在基板100與第一金屬氧化物薄膜層101之間。而圖3顯示了一種頂柵結構的薄膜晶體管，如圖3所示，柵絕緣層106和柵極105依次設置在源電極103和漏電極104之上。
[0054]在圖2和圖3提供的薄膜晶體管中，柵絕緣層106包括與柵極105接觸的SiNx層，與第一金屬氧化物薄膜層101或第二金屬氧化物薄膜層102接觸的S1y層，設置在SiNx層和S1y層之間的S1N層，X和y均為正數。SiNx層與柵極105接觸，保證整個柵絕緣層106的致密性，S1y與金屬氧化物接觸(在底柵結構中接觸第一金屬氧化物薄膜層101，在頂柵結構中接觸第二金屬氧化物薄膜層102)，防止金屬氧化物與SiNx的氫(沉積SiNx的過程中需要用到氫氣)接觸，中間設置S1N層增加SiNx層和S1y層的結合力。
[0055]其中，柵極105可以是Al、Cu、Mo、Cr、Ti等電極。
[0056]如圖2或3所示，該薄膜晶體管還可以包括鈍化層107或其他常見膜層。其中，鈍化層的材質通常為氮化硅或者氧化硅。
[0057]本發明實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括圖1?3所示出的薄膜晶體管。
[0058]本發明的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層上設置有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，影響顯示品質的問題。
[0059]本發明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板。
[0060]在具體實施時，本發明實施例提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0061]本發明的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層上設置有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，影響顯示品質的問題。
[0062]圖4是本發明實施例提供的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，該方法用于制作圖1至圖3所示的陣列基板，參見圖4，方法包括:
[0063]步驟401:提供一基板。
[0064]步驟402:在基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理。
[0065]步驟403:在第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層。
[0066]步驟404:在第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0067]本發明的制成的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層上形成有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，導致薄膜晶體管穩定性下降的問題。
[0068]圖5是本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，該方法用于制作圖2所示的陣列基板，參見圖5，方法包括:
[0069]步驟501:提供一基板。
[0070]步驟502:在基板上依次形成柵極和柵絕緣層。
[0071]其中，形成柵絕緣層可以包括:分別形成與柵極接觸的SiNx層，與第一金屬氧化物薄膜層或第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，設置在SiNx層和S1y層之間的S1N層，X和y均為正數。SiNx層與柵極接觸，保證整個柵絕緣層的致密性，S1y層與金屬氧化物接觸(在底柵結構中接觸第一金屬氧化物薄膜層，在頂柵結構中接觸第二金屬氧化物薄膜層)，防止金屬氧化物與SiNx的氫(沉積SiNx的過程中需要用到氫氣)接觸，中間設置S1N層增加SiNx層和S1y層的結合力。
[0072]如圖6所示，在基板100上依次形成柵極105和柵絕緣層106。
[0073]步驟503:在柵絕緣層上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理。
[0074]如圖7所示，在柵絕緣層106上形成第一金屬氧化物薄膜層101。
[0075]在本發明實施例中，對第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理，包括:
[0076]在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對第一金屬氧化物薄膜層退火
0.5-2小時。
[0077]步驟504:在第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層。
[0078]其中，第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層可以為IGZO薄膜層。
[0079]在本發明實施例中，第一金屬氧化物薄膜層的厚度可以為500-900埃。
[0080]在本發明實施例中，第二金屬氧化物薄膜層的厚度可以為200-1000埃。
[0081]如圖8所示，在第一金屬氧化物薄膜層101上形成第二金屬氧化物薄膜層102。
[0082]步驟505:對第二金屬氧化物薄膜層進行表面氫Plasma處理或氫摻雜處理，第二金屬氧化物薄膜層的表面為第二金屬氧化物薄膜層朝向源電極和漏電極的一面。
[0083]由于第二金屬氧化物薄膜層的厚度較厚，可以采用兩步制作第二金屬氧化物薄膜層，即先制作一層金屬氧化物薄膜層，然后再制作一層金屬氧化物薄膜層，并在第二層金屬氧化物薄膜層的表面進行氫Plasma處理或氫摻雜處理。
[0084]步驟506:在第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0085]如圖9所示，在第二金屬氧化物薄膜層102上形成源電極103和漏電極104。
[0086]步驟507:在源電極和漏電極上形成鈍化層。
[0087]在源電極103和漏電極104上形成鈍化層107，結構如圖2所示。
[0088]本發明的制成的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層上形成有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，導致薄膜晶體管穩定性下降的問題。
[0089]圖10是本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，該方法用于制作圖3所示的陣列基板，參見圖10，方法包括:
[0090]步驟601:提供一基板。
[0091 ]步驟602:在基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理。
[0092]如圖11所示，在基板100上形成第一金屬氧化物薄膜層101。
[0093]在本發明實施例中，對第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理，包括:
[0094]在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對第一金屬氧化物薄膜層退火
0.5-2小時。
[0095]步驟603:在第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層。
[0096]其中，第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層可以為IGZO薄膜層。
[0097]在本發明實施例中，第一金屬氧化物薄膜層的厚度可以為500-900埃。
[0098]在本發明實施例中，第二金屬氧化物薄膜層的厚度可以為200-1000埃。
[0099]如圖12所示，在第一金屬氧化物薄膜層101上形成第二金屬氧化物薄膜層102。
[0100]步驟604:對第二金屬氧化物薄膜層進行表面氫Plasma處理或氫摻雜處理，第二金屬氧化物薄膜層的表面為第二金屬氧化物薄膜層朝向源電極和漏電極的一面。
[0101]步驟605:在第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0102]如圖13所示，在第二金屬氧化物薄膜層102上形成源電極103和漏電極104。
[0103]步驟606:在基板上依次形成柵絕緣層和柵極。
[0104]其中，形成柵絕緣層可以包括:分別形成與柵極接觸的SiNx層，與第一金屬氧化物薄膜層或第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，設置在SiNx層和S1y層之間的S1N層，X和y均為正數。SiNx層與柵極接觸，保證整個柵絕緣層的致密性，S1y層與金屬氧化物接觸(在底柵結構中接觸第一金屬氧化物薄膜層，在頂柵結構中接觸第二金屬氧化物薄膜層)，防止金屬氧化物與SiNx的氫(沉積SiNx的過程中需要用到氫氣)接觸，中間設置S1N層增加SiNx層和S1y層的結合力。
[0105]如圖14所示，在源電極103和漏電極104上依次形成柵絕緣層106和柵極105。
[0106]步驟607:在柵極上形成鈍化層。
[0107]在柵絕緣層106上形成鈍化層107，結構如圖3所示。
[0108]本發明的制成的薄膜晶體管包括經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內部缺陷態減少，在第一金屬氧化物薄膜層上形成有未經過退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產生肖特基電阻，導致薄膜晶體管穩定性下降的問題。
[0109]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括:基板、設置于所述基板上且經過退火處理的第一金屬氧化物薄膜層、設置于所述第一金屬氧化物薄膜層上且未經過退火處理的第二金屬氧化物薄膜層以及設置于所述第二金屬氧化物薄膜層上的源電極和漏電極。2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層和所述第二金屬氧化物薄膜層均為銦鎵鋅氧化物薄膜層。3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為 500-900埃。4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層的退火溫度為300-500度，退火氣氛為空氣、氧氣或N2O，退火時間為0.5-2小時。5.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為 200-1000埃。6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二金屬氧化物薄膜層為表面經過氫等離子處理或氫摻雜處理的金屬氧化物薄膜層，所述表面為所述第二金屬氧化物薄膜層朝向所述源電極和漏電極的一面。7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括:柵極和柵絕緣層;所述柵極和所述柵絕緣層依次設置在所述基板與所述第一金屬氧化物薄膜層之間；或者，所述柵絕緣層和所述柵極依次設置在所述源電極和漏電極之上。8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層包括與所述柵極接觸的SiNx層，與所述第一金屬氧化物薄膜層或所述第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，以及設置在所述SiNx層和所述S1y層之間的S1N層，X和y均為正數。9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求1-8任一項所述的薄膜晶體管。10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求9所述的陣列基板。11.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一基板； 在所述基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對所述第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理； 在所述第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層； 在所述第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層均為IGZO薄膜層。13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為500-900埃。14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述對所述第一金屬氧化物薄膜層進行退火處理，包括: 在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對所述第一金屬氧化物薄膜層退火0.5-2小時。15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為200-1000埃。16.根據權利要求11-15任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 對所述第二金屬氧化物薄膜層進行表面氫等離子處理或氫摻雜處理。
【文檔編號】H01L21/77GK105826250SQ201610327597
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年5月17日
【發明人】黎午升, 曹占鋒
【申請人】京東方科技集團股份有限公司