一種太陽電池光誘導電鍍方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于光伏產業制備領域，尤其涉及一種太陽電池光誘導電鍍方法。
【背景技術】
[0002]隨著能源危機的日益突出，對于清潔能源的使用越來越多，對其的科研投入也在逐步增大。太陽能發電成為最具發展的研究領域。太陽電池的研制和開發進展神速，其中晶體硅太陽電池制造技術最為成熟，已經實現大規模的生產及應用。近年來，高效晶體硅電池取得巨大成就，使光伏產業在未來發展中的地位和前景更為樂觀。就目前的技術水平而言，傳統的絲網印刷技術細柵線的高寬比難以有效提高。
【發明內容】
[0003]本發明旨在解決上述問題，提供一種太陽電池光誘導電鍍方法。
[0004]一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于包括如下步驟:
(1)采用單晶硅對其表面堿腐蝕，制絨同時去掉表面損傷層，再進行磷擴散；
(2)擴散后，采用濕化學法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技術在正面鍍氮化硅減反射膜；
(3)再在非鍍膜面采用絲網印刷技術印刷背電極和背電場，然后在鍍膜面印刷銀漿種子層，進行燒結；
(4)最后采用LIP技術在種子層上制備電池電極。
[0005]本發明所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(I)中采用單晶硅片的規格為156_X 156mm的P型，電阻率為I?3 Ω.cm，厚約200±20 μ m。
[0006]本發明所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(3)中采用的印刷絲網版參數為90線，設計線寬45 μ m，網版膜厚16 μ m，3條主電極，主電極寬1.5mm。
[0007]本發明所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(2)中減反射膜為硅片P-n結面鍍80 am厚的減反射膜。
[0008]本發明所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(3)中種子層銀漿濕重使用量為0.06g。
[0009]本發明所述太陽電池光誘導電鍍方法，通過絲網印刷銀漿作為該電極種子層然后進行電鍍。使得銀漿使用量降低了 0.05g,比絲網印刷技術銀漿使用成本降低，電池轉換率得到提高，本發明所述太陽電池光誘導電鍍方法操作簡單，易于推廣。
【具體實施方式】
[0010]一種太陽電池光誘導電鍍方法，包括如下步驟:
(1)采用單晶硅對其表面堿腐蝕，制絨同時去掉表面損傷層，再進行磷擴散；
(2)擴散后，采用濕化學法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技術在正面鍍氮化硅減反射膜； (3)再在非鍍膜面采用絲網印刷技術印刷背電極和背電場，然后在鍍膜面印刷銀漿種子層，進行燒結；
(4)最后采用LIP技術在種子層上制備電池電極。
[0011]本發明所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，所述步驟(I)中采用單晶硅片的規格為156mmX156mm的P型，電阻率為I?3 Ω.cm，厚約200±20 μ m。所述步驟(3)中采用的印刷絲網版參數為90線，設計線寬45 μ m，網版膜厚16 μ m，3條主電極，主電極寬1.5mm。在絲網印刷工藝中我們設計了 45 1.tm線寬的網版，經過印刷燒結后柵線寬度在100?110 gm。在LIP技術中種子層采用40 gm線寬的網版，由于控制了印刷過程中銀衆使用量，使柵線塌陷寬度降低，燒結后柵線寬度在75?80 gm, LIP工藝以后總體柵線寬度在85?90 Um0從電鍍前后柵線的擴展情況來看，電鍍的銀較好地集聚在種子層上，沒有引起過多外延，且有效降低電池表面遮光率。所述步驟(2)中減反射膜為硅片p-n的結面鍍80 am厚的減反射膜。電極主要用來收集電池p-n結在光照條件下產生的光生電流。而在實際情況中，由于正面電極附著在電池的正面，因此在受光照隋況下，電池表面會有一部分光被正電極遮蔽掉瞪。同時，由于正電極柵線很細，導致截面積較小，電阻率會增大，因此，在電極制作中要求將電極制作的又高又細，通常采用高寬比來衡量。所述步驟(3)中種子層銀漿濕重使用量為0.06g。
【主權項】
1.一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于包括如下步驟: (1)采用單晶硅對其表面堿腐蝕，制絨同時去掉表面損傷層，再進行磷擴散； (2)擴散后，采用濕化學法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技術在正面鍍氮化硅減反射膜； (3)再在非鍍膜面采用絲網印刷技術印刷背電極和背電場，然后在鍍膜面印刷銀漿種子層，進行燒結； (4)最后采用LIP技術在種子層上制備電池電極。2.如權利要求1所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(I)中采用單晶硅片的規格為156mmX 156mm的P型，電阻率為I?3 Ω.cm，厚約200 ±20 μ m。3.如權利要求1所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(3)中采用的印刷絲網版參數為90線，設計線寬45 μ m，網版膜厚16 μ m，3條主電極，主電極寬1.5mm。4.如權利要求1所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(2)中減反射膜為硅片p-n結面鍍80 am厚的減反射膜。5.如權利要求1所述的一種太陽電池光誘導電鍍方法，其特征在于所述步驟(3)中種子層銀漿濕重使用量為0.06g。
【專利摘要】一種太陽電池光誘導電鍍方法，屬于光伏產業制備領域。采用單晶硅對其表面堿腐蝕，制絨同時去掉表面損傷層，再進行磷擴散；擴散后，采用濕化學法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技術在正面鍍氮化硅減反射膜；再在非鍍膜面采用絲網印刷技術印刷背電極和背電場，然后在鍍膜面印刷銀漿種子層，進行燒結；最后采用LIP技術在種子層上制備電池電極。通過絲網印刷銀漿作為該電極種子層然后進行電鍍。使得銀漿使用量降低了0.05g，比絲網印刷技術銀漿使用成本降低，電池轉換率得到提高，本發明所述太陽電池光誘導電鍍方法操作簡單，易于推廣。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN105633195
【申請號】CN201410603295
【發明人】劉秋麗
【申請人】陜西高華知本化工科技有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月31日