晶圓背膠的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶圓背膠的制備方法。
【背景技術】
[0002]在集成電路后續封裝過程中，需要進行晶圓背面減薄、分片、貼片、引線鍵合等工藝，在對晶圓進行分片之前，需要在晶圓的背面標記每個芯片的信息，目前，通常在晶圓背面形成一層聚合物，并且經過加熱處理等工藝之后形成一層背膠，在背膠上用激光進行標記。
[0003]形成背膠的具體過程為，將晶圓反向放置，使用刮刀等工具將聚合物涂在晶圓背面形成聚合物薄膜，并且控制聚合物薄膜的厚度在20微米-25微米，之后將晶圓放在烘烤箱中烘烤約2小時，烤箱的溫度控制在135°C -150°C。經過烘烤之后的聚合物薄膜形成一層硬度較大的薄膜，即為背膠。形成背膠之后，即可在背膠上進行激光標記。
[0004]但是，由于刮刀在刮制過程中的壓力、速率等，聚合物本身的粘稠度以及環境中顆粒等因素的影響，形成的背膠的厚度、平整度等難以控制，需要反復調試。而且，由于聚合物使用時的解凍時間、暴露在空氣中的時間等難以控制，使得聚合物自身的粘稠度不能確定。晶圓的背膠的平整度的差異，使得后續的工藝不穩定，導致廢片率較高。因此，需要一種可控性好的形成晶圓背膠的方法。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于，提供一種可控的晶圓背膠的制備方法，使得制備的晶圓背膠的平整度、厚度、粘稠度可以提前預定，提高工藝可靠性。
[0006]為解決上述技術問題，本發明提供一種晶圓背膠的制備方法，包括:
[0007]提供晶圓以及預制膜；
[0008]使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面；
[0009]對所述預制膜進行加熱處理，形成背膠；以及
[0010]在所述背膠上標記所述晶圓的信息。
[0011]可選的，所述預制膜的兩面均覆蓋有一防止所述預制膜被污染的保護層。
[0012]可選的，所述晶圓背膠的制備方法還包括:
[0013]在使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟之前，將所述預制膜的一側的所述保護層撕下來；
[0014]在使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟中，將所述預制膜的一側面向所述晶圓的背面放置。
[0015]可選的，所述晶圓背膠的制備方法還包括:
[0016]在使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟之后，將所述預制膜的另一側的所述保護層撕下來。
[0017]可選的，所述預制膜的厚度和粘稠度根據要求預先制定。
[0018]可選的，所述預制膜的為平整度小于等于5%。
[0019]可選的，加熱處理所述預制膜的過程中采用的溫度為130°C _150°C。
[0020]可選的，加熱處理所述預制膜的過程中處理的時間為100min-120min。
[0021 ] 可選的，采用激光標記的方法在所述背膠上標記所述晶圓的信息。
[0022]可選的，所述信息包括輸出電壓、輸出功率的信息。
[0023]與現有技術相比，本發明晶圓背膠的制備方法具有以下優點:
[0024]本發明提供的晶圓背膠的制備方法中，包括:提供晶圓以及預制膜；使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面；對所述預制膜進行加熱處理，形成背膠；在所述背膠上標記所述晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，采用壓制預制膜的方法，所述預制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根據要求預先制定，而且所述預制膜兩面均覆蓋有一防止所述預制膜被污染的保護層，使得所述預制膜不會被環境中的顆粒污染，之后在形成的背膠上標記晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，實現晶圓背膠的可控制備，提高工藝的可靠性。
【附圖說明】
[0025]圖1為本發明一實施例中晶圓背膠制備方法的流程圖；
[0026]圖2為本發明一實施例中晶圓背膠制備方法壓制預制膜的示意圖；
[0027]圖3為本發明一實施例中在晶圓背膠上標記信息之后的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]下面將結合示意圖對本發明的晶圓背膠的制備方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。
[0029]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0030]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0031]本發明的核心思想在于，提供的晶圓背膠的制備方法中，包括:提供晶圓以及預制膜；使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面；對所述預制膜進行加熱處理，形成背膠；在所述背膠上標記所述晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，采用壓制預制膜的方法，所述預制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根據要求預先制定，而且所述預制膜兩面均覆蓋有一防止所述預制膜被污染的保護層，使得所述預制膜不會被環境中的顆粒污染，之后在形成的背膠上標記晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，實現晶圓背膠的可控制備，提高工藝的可靠性。
[0032]具體的，結合上述核心思想，本發明的晶圓背膠的制備方法的流程圖參考圖1所示，并結合圖2進行具體說明。
[0033]執行步驟S1:提供晶圓I以及預制膜2。在本實施例中，所述晶圓I的內部包含不同的器件結構，需要將晶圓進行切割分片，形成一個個單獨的芯片。但是將晶圓切割之前需要在晶圓的背面形成背膠，并且在背膠上利用激光進行標記，標記信息主要包括輸出電壓、輸出功率等信息。所述預制膜2為根據要求預先制定的，使得所述預制膜2的厚度、平整度以及粘稠度可以預知。例如，本發明中，所述預制膜的平整度控制在小于5%，厚度為25微末。在本實施例中，所述預制膜2的兩側均有一層保護層，防止所述預制膜被周圍環境污染，形成顆粒等污染物。
[0034]執行步驟S2:使用壓膜機將所述預制膜2壓制在所述晶圓I的背面。一般的，在使用壓膜機將所述預制膜2壓制在所述晶圓I的背面之前，將所述預制膜2 —側的所述保護層撕下來，在所述預制膜2壓制的所述晶圓I的過程中，將所述預制膜的一側面向所述晶圓I放置，使用壓膜機將所述預制膜2壓制在所述晶圓I的背面，并且在進行接下來的操作之前，再將另一側的所述保護層撕下來。
[0035]執行步驟S3:對所述預制膜2進行加熱處理，形成背膠。在本實施例中，在烘烤箱中對所述預制膜進行加熱處理，處理過程中，處理的溫度控制在130°C _150°C，處理時間為100min-120min，例如，采用135°C烘烤120min。經過加熱處理之后，所述預制膜2會形成較為堅硬的背膠3，參考圖3所示。采用壓制預制膜的方法制備形成的背膠，由于所述預制膜2的厚度、平整度以及粘稠度等可以預先制定，因此，形成的所述背膠3的厚度、平整度以及粘稠度等可以控制。
[0036]執行步驟S4:在所述背膠3上標記所述晶圓I的信息4。在本實施例中，采用激光標記的方法在所述背膠3上進行標記，在所述背膠3上進行標記時，對每個區域進行單獨標記，使得經過后續的切割之后，每個單獨的芯片的背面含有該芯片所需要的標記信息。標記的所述信息包括有該區域的輸出功率、輸出電壓等信息。
[0037]綜上所述，本發明提供的晶圓背膠的制備方法中，包括:提供晶圓以及預制膜；使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面；對所述預制膜進行加熱處理，形成背膠；在所述背膠上標記所述晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，采用壓制預制膜的方法，所述預制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根據要求預先制定，而且所述預制膜兩面均覆蓋有一防止所述預制膜被污染的保護層，使得所述預制膜不會被環境中的顆粒污染，之后在形成的背膠上標記晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，實現晶圓背膠的可控制備，提尚工藝的可靠性。
[0038]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種晶圓背膠的制備方法，其特征在于，包括: 提供晶圓以及預制膜； 使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面； 對所述預制膜進行加熱處理，形成背膠；以及 在所述背膠上標記所述晶圓的信息。2.如權利要求1所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，所述預制膜的兩面均覆蓋有一防止所述預制膜被污染的保護層。3.如權利要求2所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，所述晶圓背膠的制備方法還包括: 在使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟之前，將所述預制膜的一側的所述保護層撕下來； 在使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟中，將所述預制膜的一側面向所述晶圓的背面放置。4.如權利要求2所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，所述晶圓背膠的制備方法還包括: 在使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟之后，將所述預制膜的另一側的所述保護層撕下來。5.如權利要求1所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，所述預制膜的厚度和粘稠度根據要求預先制定。6.如權利要求5所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，所述預制膜的平整度小于等于5%。7.如權利要求1所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，加熱處理所述預制膜的過程中采用的溫度為130°C -140°C。8.如權利要求6所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，加熱處理所述預制膜的過程中處理的時間為100min-120min。9.如權利要求1所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，采用激光標記的方法在所述背膠上標記所述晶圓的信息。10.如權利要求9所述的晶圓背膠的制備方法，其特征在于，所述信息包括輸出電壓、輸出功率的信息。
【專利摘要】本發明的晶圓背膠的制備方法中，包括：提供晶圓以及預制膜；使用壓膜機將所述預制膜壓制在所述晶圓的背面；對所述預制膜進行加熱處理，形成背膠；在所述背膠上標記所述晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，采用壓制預制膜的方法，所述預制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根據要求預先制定，而且所述預制膜兩面均覆蓋有一防止所述預制膜被污染的保護層，使得所述預制膜不會被環境中的顆粒污染，之后在形成的背膠上標記晶圓的信息。本發明的晶圓背膠的制備方法，實現晶圓背膠的可控制備，提高工藝的可靠性。
【IPC分類】H01L21/56
【公開號】CN105632945
【申請號】CN201410616537
【發明人】張紀闊, 章國偉
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年11月5日