一種制備ptc歐姆鋁電極的方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于電子元件的制備領域，尤其涉及一種制備PTC歐姆鋁電極的方法。
【背景技術】
[0002]隨著電子產品的不斷推陳出新，對于電子元器件的要求也越來越多，對于元器件的特有性能的需求也在逐漸增加。在制備PTC歐姆電極的方法中，燒滲Al電極法是應用十分廣泛的一種。其優點是價格便宜，電性能穩定。目前市場上所售的Al電極漿料，品種繁多，性能各異，印燒工藝無統一標準。以此對于此項工藝的制成品的性能有很大的影響。
【發明內容】
[0003]本發明旨在解決上述問題，提供一種制備PTC歐姆鋁電極的方法。
[0004]一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于包括如下步驟:(I)將Al粉，玻璃粉，有機粘合劑和保護劑按比例稱好，混合均勻后調制成漿料；(2)采用絲網漏印法將漿料被覆在PTC瓷片上，進行烘干后冷卻；(3)在PTC瓷片上上電極，之后對其燒制，燒制溫度為6800C ±20°C，燒制8-12min后緩慢冷卻至常溫，即形成歐姆電極。
[0005]本發明所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(I)中的Al粉、玻璃粉、有機粘合劑和保護劑的占比為45%、30%、15%和10%。
[0006]本發明所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(2)中的瓷片為PTC消磁熱敏電阻。
[0007]本發明所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(2)中的絲網目數為220目。
[0008]本發明所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(3)中燒制過程的升溫時間為lOmin。
[0009]本發明所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于所述消磁熱敏電阻的阻值為 9 Ω ,直徑 14mm±0.5mm,厚度為 2mm±0.02mm。
[0010]本發明所述一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，通過對其制備工藝逐步實踐確定各組份的定量、及工藝步驟，所得電極各項性能均能滿足工藝需要，本發明所述制備PTC歐姆鋁電極的方法操作簡單且易于推廣。
【具體實施方式】
[0011]—種制備PTC歐姆鋁電極的方法，包括如下步驟:(I)將Al粉，玻璃粉，有機粘合劑和保護劑按比例稱好，混合均勻后調制成漿料；(2)采用絲網漏印法將漿料被覆在PTC瓷片上，進行烘干后冷卻；(3)在PTC瓷片上上電極，之后對其燒制，燒制溫度為6800C ±20°C，燒制8-12min后緩慢冷卻至常溫，即形成歐姆電極。
[0012]本發明所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，步驟(I)中的Al粉、玻璃粉、有機粘合劑和保護劑的占比為45%、30%、15%和10%。步驟(2)中的瓷片為PTC消磁熱敏電阻。步驟(2)中的絲網目數為220目，歐姆Al電極的厚度對電極性能有非常重要的影響，在絲網印刷條件下，絲網目數越低，印刷的電極厚度越厚。在本方法中絲網目數為220目時電極性能最佳。步驟(3)中燒制過程的升溫時間為lOmin，若升溫速度太快，鋁電極與陶瓷表面吸附氧之間的未反應完全，歐姆接觸尚未完全形成。此外，由于升溫過快，電極漿料中一些高沸點的有機溶劑來不及揮發分解，與金屬Al，玻璃相固化在一起，當瓷片遭受大電流沖擊時，瞬間溫度過高，達到有機溶劑燃點，有機溶劑在局部燃燒，從而導致整個瓷片電極燒毀。隨升溫時間的延長t=10min左右時，有機溶劑揮發徹底，且鋁電極與陶瓷體的歐姆接觸完全形成，鋁電極達到理想的歐姆接觸性能。若此時升溫時間繼續延長超過14 min時，此時鋁電極被空氣中的氧所氧化，從而導致表面電阻上升，綜合以上在不同升溫速度條件下鋁電極歐姆接觸特性及電性能測試結果，最佳升溫時間應為lOmin。燒成溫度越低，保溫時間越短，歐姆接觸特性值越小。但當Θ P=600°C，th=6 min時，電極導電膜層尚未完全形成，膜層致密性差，水煮老化性能惡劣，進行電性能測試時，電極失效情況嚴重。當0p=72O°C，th=14min時雖然此時電極導電網絡已經形成，且水煮老化性能趨于穩定，但電極歐姆接觸特性值則急劇上升，且遠遠大于零，因此，最佳峰值溫度及保溫時間為:ΘΡ=680?，th=10 min。所述消磁熱敏電阻的阻值為9Ω ,直徑14mm±0.5mm,厚度為2mm±0.02mm。
【主權項】
1.一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于包括如下步驟:(I)將Al粉，玻璃粉，有機粘合劑和保護劑按比例稱好，混合均勻后調制成漿料；(2)采用絲網漏印法將漿料被覆在PTC瓷片上，進行烘干后冷卻；(3)在PTC瓷片上上電極，之后對其燒制，燒制溫度為6800C ±20°C，燒制8-12min后緩慢冷卻至常溫，即形成歐姆電極。2.如權利要求1所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(I)中的Al粉、玻璃粉、有機粘合劑和保護劑的占比為45%、30%、15%和10%。3.如權利要求1所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(2)中的瓷片為PTC消磁熱敏電阻。4.如權利要求1所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(2)中的絲網目數為220目。5.如權利要求1所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于步驟(3)中燒制過程的升溫時間為lOmin。6.如權利要求3所述的一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，其特征在于所述消磁熱敏電阻的阻值為9Ω ,直徑14mm±0.5謹,厚度為2mm±0.02謹。
【專利摘要】一種制備PTC歐姆鋁電極的方法，屬于電子元件的制備領域。將Al粉，玻璃粉，有機粘合劑和保護劑按比例稱好，混合均勻后調制成漿料；采用絲網漏印法將漿料被覆在PTC瓷片上，進行烘干后冷卻；在PTC瓷片上上電極，之后對其燒制，燒制溫度為680℃±20℃，燒制8-12min后緩慢冷卻至常溫，即形成歐姆電極。通過對其制備工藝逐步實踐確定各組份的定量、及工藝步驟，所得電極各項性能均能滿足工藝需要，本發明所述制備PTC歐姆鋁電極的方法操作簡單且易于推廣。
【IPC分類】H01C17/065
【公開號】CN105632669
【申請號】CN201410597910
【發明人】劉秋麗
【申請人】陜西高華知本化工科技有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月31日