一種太陽能電池片加工工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽能電池片領域，尤其涉及一種太陽能電池片加工工藝。
【背景技術】
[0002]多晶硅太陽電池使用的材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅材料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材料利用率和方便組裝。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉換效率在12%左右，稍低于單晶硅太陽電池，但其材料制造簡便，電耗低，總的生產成本較低，因此得到廣泛應用。但是，傳統的太陽能電池片加工工藝的效率低，殘次率較高。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于通過一種太陽能電池片加工工藝，來解決以上【背景技術】部分提到的問題。
[0004]為達此目的，本發明采用以下技術方案:
[0005]一種太陽能電池片加工工藝，其包括如下步驟:
[0006]S101、切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片；
[0007]S102、清洗:先常規清洗，然后用酸溶液將硅片表面切割損傷層除去；
[0008]S103、制備絨面:用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面；
[0009]S104、磷擴散:采用涂布源進行擴散，制成PN+結，結深0.3 — 0.5um ；
[0010]S105、周邊刻蝕:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層；
[0011]S106、去除背面PN+結:用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結；
[0012]S107、制作上下電極:用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結工藝，先制作下電極，然后制作上電極；
[0013]S108、制作減反射膜:用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法的任一種制作減反射膜；
[0014]S109、燒結:將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。
[0015]特別地，所述太陽能電池片加工工藝還包括:
[0016]S1010、測試分檔:按規定參數規范，測試分類。
[0017]本發明提出的太陽能電池片加工工藝的過程簡單，對設備的要求低，而且效率高，易實現，太陽能電池片的殘次率低。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發明實施例提供的太陽能電池片加工工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部內容。
[0020]請參照圖1所示，圖1為本發明實施例提供的太陽能電池片加工工藝流程圖。本實施例中太陽能電池片加工工藝具體包括如下步驟:
[0021]S101、切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。
[0022]S102、清洗:先常規清洗，然后用酸溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。
[0023]S103、制備絨面:用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。
[0024]S104、磷擴散:采用涂布源進行擴散，制成PN+結，結深0.3 — 0.5um。
[0025]S105、周邊刻蝕:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。
[0026]擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。
[0027]S106、去除背面PN+結:用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結。
[0028]S107、制作上下電極:用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結工藝，先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。
[0029]S108、制作減反射膜:用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法的任一種制作減反射膜。
[0030]S109、燒結:將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。
[0031]S1010、測試分檔:按規定參數規范，測試分類。
[0032]本發明的技術方案降低了傳統工藝的復雜程度，過程簡單，對設備的要求低，而且效率聞，易實現，太陽能電池片的殘次率低。
[0033]注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明，但是本發明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發明的范圍由所附的權利要求范圍決定。
【主權項】
1.一種太陽能電池片加工工藝，其特征在于，包括如下步驟: 5101、切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片； 5102、清洗:先常規清洗，然后用酸溶液將硅片表面切割損傷層除去； 5103、制備絨面:用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面； 5104、磷擴散:采用涂布源進行擴散，制成PN+結，結深0.3 — 0.5um ； 5105、周邊刻蝕:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層； 5106、去除背面PN+結:用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結； 5107、制作上下電極:用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結工藝，先制作下電極，然后制作上電極； 5108、制作減反射膜:用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法的任一種制作減反射膜； 5109、燒結:將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。2.根據權利要求1所述的太陽能電池片加工工藝，其特征在于，還包括: S1010、測試分檔:按規定參數規范，測試分類。
【專利摘要】本發明公開一種太陽能電池片加工工藝，其包括：S101、切片；S102、清洗；S103、制備絨面；S104、磷擴散；S105、周邊刻蝕；S106、去除背面PN+結；S107、制作上下電極；S108、制作減反射膜；S109、燒結：將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。本發明過程簡單，對設備的要求低，而且效率高，易實現，太陽能電池片的殘次率低。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN105576075
【申請號】CN201410551314
【發明人】華源興
【申請人】江蘇凱旋涂裝自動化工程有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月16日