一種鋁面低壓平面式mos肖特基二極管的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及二極管，特別涉及一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管。
【背景技術】
[0002]肖特基二極管，又稱肖特基勢皇二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。傳統(tǒng)的肖特基二極管，隨著器件反偏電壓的增加，在高電場條件下肖特基勢皇降低，從而導致二極管漏電流的增大，而且傳統(tǒng)的肖特基二極管的管腳較長，在運輸過程中容易折斷或折彎。
【發(fā)明內容】
[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，解決了傳統(tǒng)的肖特基二極管，隨著器件反偏電壓的增加，在高電場條件下肖特基勢皇降低，從而導致二極管漏電流的增大，而且傳統(tǒng)的肖特基二極管的管腳較長，在運輸過程中容易折斷或折彎。
[0004]為實現上述目的，本發(fā)明提供以下的技術方案:一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其中，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內部設有多個導電填充塊，所述導電填充塊外側包裹有所述P型阱區(qū)，所述二氧化硅層上設有空心陽極棒，所述空心陽極棒至少部分與所述硅片層連接，所述空心陽極棒內設有第一管腳，所述第一管腳的一端通過第一彈簧連接所述空心陽極棒的內壁，所述陰極金屬層上連接有陰極空心棒，所述空心陰極棒內設有第二管腳，所述第二管腳的一端通過第二彈簧連接所述空心陰極棒的內壁。
[0005]優(yōu)選的，所述空心陽極棒和所述陰極空心棒都為一端設有開口且另一端封閉的結構，且所述開口塞有橡膠塞。
[0006]優(yōu)選的，所述導電填充塊的數量為2-4個。
[0007]優(yōu)選的，所述導電填充塊在所述硅片層內等距分布。
[0008]優(yōu)選的，所述導電填充塊為多晶硅。
[0009]有益效果:本發(fā)明提供了一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內部設有多個導電填充塊，所述導電填充塊外側包裹有所述P型阱區(qū)，P型阱區(qū)包裹的導電填充塊能在器件反向耐壓時形成有效耗盡，從而減小漏電流，所述肖特基二極管的陰極和陽極管腳分別設于空心棒內，使用時，將空心棒口的橡膠塞去除，陰極和陽極管腳會從空心棒彈出，這種結構能在運輸過程中有效的保護管腳，防止管腳折斷或折彎。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的結構示意圖。
[0011 ]圖2是本發(fā)明的工作時的結構示意圖。
[0012]其中，I硅片層、2二氧化硅層、3第一彈簧、4第一管腳、5空心陽極棒、6橡膠塞、7P型阱區(qū)、8導電填充塊、31第二彈簧、41第二管腳、51空心陰極棒。
[0013]具體室施方式
下面結合附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0014]圖1和圖2出示本發(fā)明的【具體實施方式】:一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其中，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層1、陰極金屬層、二氧化硅層2、導電填充塊8和P型阱區(qū)7，所述硅片層I上方連接所述二氧化硅層2，所述硅片層I下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層I內部設有多個導電填充塊8，所述導電填充塊8外側包裹有所述P型阱區(qū)7，所述二氧化硅層2上設有空心陽極棒5，所述空心陽極棒5至少部分與所述硅片層I連接，所述空心陽極棒5內設有第一管腳4，所述第一管腳4的一端通過第一彈簧3連接所述空心陽極棒5的內壁，所述陰極金屬層上連接有陰極空心棒51，所述空心陰極棒51內設有第二管腳41，所述第二管腳41的一端通過第二彈簧31連接所述空心陰極棒51的內壁。
[0015]其中，所述空心陽極棒5和所述陰極空心棒51都為一端設有開口且另一端封閉的結構，且所述開口塞有橡膠塞6，所述導電填充塊8的數量為2-4個，所述導電填充塊8在所述硅片層2內等距分布，所述導電填充塊8為多晶硅。
[0016]本發(fā)明提供了一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內部設有多個導電填充塊，所述導電填充塊外側包裹有所述P型阱區(qū)，P型阱區(qū)包裹的導電填充塊能在器件反向耐壓時形成有效耗盡，從而減小漏電流，所述肖特基二極管的陰極和陽極管腳分別設于空心棒內，使用時，將空心棒口的橡膠塞去除，陰極和陽極管腳會從空心棒彈出，這種結構能在運輸過程中有效的保護管腳，防止管腳折斷或折彎。
[0017]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內部設有多個導電填充塊，所述導電填充塊外側包裹有所述P型阱區(qū)，所述二氧化硅層上設有空心陽極棒，所述空心陽極棒至少部分與所述硅片層連接，所述空心陽極棒內設有第一管腳，所述第一管腳的一端通過第一彈簧連接所述空心陽極棒的內壁，所述陰極金屬層上連接有陰極空心棒，所述空心陰極棒內設有第二管腳，所述第二管腳的一端通過第二彈簧連接所述空心陰極棒的內壁。2.根據權利要求1所述的鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述空心陽極棒和所述陰極空心棒都為一端設有開口且另一端封閉的結構，且所述開口塞有橡膠塞。3.根據權利要求2所述的鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述導電填充塊的數量為2-4個。4.根據權利要求3所述的鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述導電填充塊在所述硅片層內等距分布。5.根據權利要求1所述的鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述導電填充塊為多晶娃D
【專利摘要】本<b>發(fā)明</b>提供了<b>一種鋁面低壓平面式</b><b>MOS</b><b>肖特基二極管</b>，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內部設有多個導電填充塊，所述導電填充塊外側包裹有所述P型阱區(qū)，P型阱區(qū)包裹的導電填充塊能在器件反向耐壓時形成有效耗盡，從而減小漏電流，所述肖特基二極管的陰極和陽極管腳分別設于空心棒內，使用時，將空心棒口的橡膠塞去除，陰極和陽極管腳會從空心棒彈出，這種結構能在運輸過程中有效的保護管腳，防止管腳折斷或折彎。
【IPC分類】H01L29/872
【公開號】CN105514177
【申請?zhí)枴緾N201610075444
【發(fā)明人】黃仲濬, 蔣文甄
【申請人】泰州優(yōu)賓晶圓科技有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年2月3日