一種納米膜復合鋁合金帶的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種電纜屏蔽技術，具體說是一種納米膜復合鋁合金帶。
【背景技術】
[0002]目前，隨著科技的進步，新型材料在電纜的應用也愈加廣泛。傳統的電纜屏蔽導體主要采用銅材，但銅材由于緊缺成本過高，于是人們逐漸用鋁材來代替銅材，尤其是電子行業。但鋁材最大的缺點就是容易氧化和腐蝕。因此，目前應用較多的為銅包鋁產品，即在鋁材表面包銅或鍍銅。既保證了產品的表面是銅的顏色，又具有一定的防腐能力。市面上還有應用銅鋅合金或其它合金金屬的同類產品。
[0003]現有的同類產品和銅包鋁產品存在如下不足:由于它們都由兩種或多種金屬組成，特別是銅包鋁產品，銅鋁電極電位相差懸殊，銅材表面破損時，極易腐蝕甚至腐爛，大大影響產品的使用效果。同時，應用其它合金材料的產品存在電阻偏高，有的還帶有磁性，質量不穩定，防腐性差，不耐磨等等。
【發明內容】
[0004]針對上述現有技術所存在的問題，本發明的目的是提供一種防腐蝕、耐磨、不帶磁性且電阻率低的納米膜復合鋁合金帶。
[0005]為達到上述目的，本發明所采用的技術方案是:一種納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層，其特點是所述鋁合金基礎材料層的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層和染色層，所述鋁氧化層為在所述鋁合金基礎材料層上下表面進行氧化而形成的氧化層，所述染色層為在所述鋁氧化層表面染色后封孔而形成。
[0006]其中，所述鋁氧化層為化學氧化處理或電解液陽極氧化處理的氧化膜。
[0007]為了使該鋁氧化層具有良好的導電性能，所述鋁氧化層在電解液陽極氧化處理過程中加入了膜層改性導電劑而使其改性成為半導體膜。
[0008]本發明染色層為采用染色液對鋁氧化層進行染色而形成的顏色層，其染色方式可以吸附染色、電解染色或者其他的染色方式，最后通過封孔操作進行封閉，以更好的保護該染色層。
[0009]為了達到更好的耐磨性，所述鋁合金基礎材料層上還設有具有導電性能的薄膜層，所述薄膜層覆蓋在染色并封孔后的所述染色層的表面上。
[0010]進一步的，所述薄膜層為有機高分子薄膜、類金剛石薄膜或石墨烯薄膜中的一種，也可以是兩種或兩種以上的組合，當然也不排除其他可以達到相同或相似效果的薄膜。
[0011]本發明的類金剛石膜為含有碳碳鍵SP2和碳碳鍵SP3結合的薄膜。
[0012]為了達到最為理想的耐磨性，提高鋁合金帶的使用壽命，所述鋁合金基礎材料層上可以同時設有高分子膜層和類金剛石膜層，所述高分子膜層覆蓋在染色并封孔后的所述染色層的表面上，所述類金剛石膜層覆蓋在所述高分子膜層的表面上。
[0013]本發明由于采用在鋁合金基礎材料層的表面進行氧化形成鋁氧化層，并進行染色后封孔而形成染色層，從而使該鋁合金帶具有更為良好的散熱性和防腐性;進一步的該鋁氧化層在陽極氧化處理過程中在電解溶液中添加適量的膜層改性導電劑，從而使鋁氧化膜改性為半導體膜，有效提高了該鋁氧化層的導電性能，同時又保持陽極氧化膜的散熱性和防腐性;并且可隨封孔質量要求，增加高分子膜層和/或類金剛石膜層于染色層的表面，然后再封孔，故使得該鋁合金帶的表面耐磨性更好，不容易劃傷；即使在嚴格的扭絞實驗中，也不會像現有的合金帶制品那樣出現脫離、開裂或剝落等現象，安全性能極佳。
[0014]下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。
【附圖說明】
[0015]圖1為實施例一的截面結構局部放大示意圖。
[0016]圖2為實施例二的截面結構局部放大示意圖。
[0017]圖3為實施例三的截面結構局部放大示意圖。
【具體實施方式】
[0018]如圖1至圖3所示，本發明的納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層I，該鋁合金基礎材料層為帶狀體，該鋁合金基礎材料層I的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層2和染色層3，該鋁氧化層2為在鋁合金基礎材料層上下表面進行氧化而形成的氧化層，染色層3為在所述鋁氧化層表面染色后封孔而形成，從而使該鋁合金帶具有更為良好的散熱性和防腐性。
[0019]實施例一:
如圖1所示，該實施例的納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層I，在該鋁合金基礎材料層I的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層2和染色層3，其中該鋁氧化層2為在鋁合金基礎材料層上下表面進行化學氧化處理或電解液陽極氧化處理而形成的，其中若采用化學氧化，那么該鋁氧化層2本身能導電；而若采用電解液陽極氧化，那么該鋁氧化層2為非導電的，但由于該鋁氧化層2為非常薄的氧化膜，所以其絕緣性能幾乎可以忽略。為了使陽極氧化的氧化層具有良好的導電性能，以符合產品要求，該實施例的較為理想方案是:在進行陽極氧化處理過程中，在電解溶液中添加適量的膜層改性導電劑，從而使鋁氧化膜改性為半導體膜，有效提高了該鋁氧化層2的導電性能，同時又保持該鋁氧化層2的散熱性和防腐性。該實施例的染色層3為在鋁氧化層2表面染色后封孔而形成，封孔是為了更好的保護染色層，使其不易被磨損、刮損，其封孔可以是采用含鎳封閉劑進行封孔;該染色層是采用染色液對鋁氧化層進行染色的，其染色方式可以虹吸染色、電解染色或者其他的染色方式。該實施例中鋁氧化層2和染色層3的總厚不超過lOOOnm。
[0020]實施例二:
如圖2所示，該實施例的納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層I，在該鋁合金基礎材料層I的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層2、染色層3和高分子膜層4，其中該鋁氧化層2為在鋁合金基礎材料層上下表面進行化學氧化處理或電解液陽極氧化處理而形成的，其中若采用化學氧化，那么該鋁氧化層2本身能導電；而若采用電解液陽極氧化，那么該鋁氧化層2為非導電的，但由于該鋁氧化層2為非常薄的氧化膜，所以其絕緣性能幾乎可以忽略。為了使陽極氧化的氧化層具有良好的導電性能，以符合產品要求，該實施例的較為理想方案是:在進行陽極氧化處理過程中，在電解溶液中添加適量的膜層改性導電劑，從而使鋁氧化膜改性為半導體膜，有效提高了該鋁氧化層2的導電性能，同時又保持該鋁氧化層2的散熱性和防腐性。該實施例的染色層3為在鋁氧化層2表面染色后封孔而形成，封孔是為了更好的保護染色層，使其不易被磨損、刮損，其封孔可以是采用含鎳封閉劑進行封孔;該染色層是采用染色液對鋁氧化層進行染色的，其染色方式可以虹吸染色、電解染色或者其他的染色方式。該實施例的高分子膜層4設置在染色層3的表面，該高分子膜層是通過浸涂的方式固定在染色層3上的。該實施例的有機高分子薄膜層4還可以用類金剛石薄膜層5或者是石墨烯薄膜層來代替，所起到的作用相同且相對還較好一些，都是進一步提高表面的耐磨性，該實施例的類金剛石薄膜層5為含有碳碳鍵SP2和碳碳鍵SP3結合的薄膜，并可以摻雜有鎳、銅等成份。該實施例中鋁氧化層2、染色層3和高分子膜層4的總厚不超過lOOOnm。
[0021]實施例三:
如圖3所示，該實施例的納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層I，在該鋁合金基礎材料層I的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層2、染色層3、高分子薄膜層4和類金剛石薄膜層5，其中該鋁氧化層2和染色層3的形成與上述實施例二相同，不再贅述。該實施例的高分子薄膜層4設置在染色層3的表面，而類金剛石薄膜層5則設置在該高分子薄膜層4的表面，這兩個膜層都是通過浸涂的方式固定的。同時設置高分子膜和類金剛石膜，故其表面耐磨性效果更優，可有效提高該鋁合金帶的使用壽命。該實施例的類金剛石薄膜層5為含有碳碳鍵SP2和碳碳鍵SP3結合的薄膜，并可以摻雜有鎳、銅等成份。該實施例中鋁氧化層2、染色層3、高分子薄膜層4和類金剛石薄膜層5的總厚不超過lOOOnm。
[0022]盡管本發明是參照具體實施例來描述，但這種描述并不意味著對本發明構成限制。參照本發明的描述，所公開的實施例的其他變化，對于本領域技術人員都是可以預料的，這種的變化應屬于所屬權利要求所限定的范圍內。
【主權項】
1.一種納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層(I)，其特征在于:所述鋁合金基礎材料層(I)的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層(2)和染色層(3)，所述鋁氧化層(2)為在所述鋁合金基礎材料層(I)上下表面進行氧化而形成的氧化層，所述染色層(3)為在所述鋁氧化層(2)表面染色后封孔而形成。2.根據權利要求1所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述鋁氧化層(2)為化學氧化處理或電解液陽極氧化處理的氧化膜。3.根據權利要求2所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述鋁氧化層(2)在電解液陽極氧化處理過程中加入了膜層改性導電劑而使其改性成為半導體膜。4.根據權利要求1所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述染色層(3)為采用染色液對鋁氧化層(2)進行染色而形成的顏色層，并通過封孔操作進行封閉。5.根據權利要求1所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述鋁合金基礎材料層(I)上還設有具有導電性能的薄膜層(4)，所述薄膜層(4)覆蓋在染色并封孔后的所述染色層(3)的表面上。6.根據權利要求5所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述薄膜層為有機高分子薄膜、類金剛石薄膜或石墨烯薄膜中的一種。7.根據權利要求6所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述類金剛石薄膜為含有碳碳鍵SP2和碳碳鍵SP3結合的薄膜。8.根據權利要求1所述的納米膜復合鋁合金帶，其特征在于:所述鋁合金基礎材料層(I)上還設有高分子薄膜層(4)和類金剛石薄膜層(5)，所述高分子薄膜層(4)覆蓋在染色并封孔后的所述染色層(3)的表面上，所述類金剛石薄膜層(5)覆蓋在所述高分子薄膜層(4)的表面上。
【專利摘要】本發明公開了一種納米膜復合鋁合金帶，包括有鋁合金基礎材料層，該鋁合金基礎材料層為帶狀體，該鋁合金基礎材料層的上、下表面分別對稱設有由內而外的鋁氧化層和染色層，該鋁氧化層為在鋁合金基礎材料層上下表面進行氧化而形成的氧化層，染色層為在所述鋁氧化層表面染色后封孔而形成，從而使該鋁合金帶具有更為良好的散熱性和防腐性；在陽極氧化處理過程中加入了膜層改性導電劑而使形成具有半導體特征的氧化鋁層；還可以增設高分子膜層和/或類金剛石膜層于染色層的表面，故使得該鋁合金帶的表面耐磨性更好，不容易劃傷。
【IPC分類】H01B1/22
【公開號】CN105513671
【申請號】CN201610022881
【發明人】崔建欣
【申請人】薛愛芳
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年1月14日