電熱分離并集成led芯片的高反射率電路板及制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及LED制造領域,尤其涉及一種LED電路板。
【背景技術】
[0002]隨著LED技術的進步，散熱成為了制約LED技術繼續發展的一個重要瓶頸。傳統工藝中LED基板上具有分為鋁層、絕緣層以及銅箔層；銅和鋁做為金屬材質具備良好的導熱性，但是由于絕緣層的存在，這兩種材料的導熱性大大降低，因此造成了 LED芯片產生的熱量無法及時散發出去，長時間的高溫嚴重縮短了 LED芯片的壽命。
[0003]同時，傳統LED制作工藝中，每一個LED芯均需要連接正負極后單獨封裝，造成了制作成本增加，而且正極與負極會遮擋一部分LED芯片所發出的光，造成發光效率降低。
[0004]此外傳統LED制作工藝中使用環氧樹脂涂層來反射LED芯片所發出的光，但是環氧樹脂涂層的反射效率較低，且會吸收一部LED芯片所發出的光，造成了傳統LED芯片發光效率不聞。
【發明內容】
[0005]本發明所要解決的主要技術問題是提供一種LED電路板，能夠實現高導熱、高反射，并且無需對每個LED芯片單獨進行封裝，增加了 LED芯片的發光效率。
[0006]為了解決上述的技術問題，本發明提供了電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，包括:
[0007]依次壓合的散熱層、絕緣層和電路層；所述散熱層與所述絕緣層接觸的一面為鏡面鋁；所述電路層上具備至少一個連通至所述鏡面鋁的孔槽；
[0008]位于所述孔槽內的鏡面鋁上安裝有至少一個LED芯片；
[0009]所述電路層上設有至少一個LED焊點，所述LED焊點互相獨立且設置在所述孔槽的外部；所述LED芯片的P極和N極分別通過金線與所述LED焊點連接；
[0010]所述電路層上還設有一正極和一負極，所述正極和負極通過電路與每一個所述LED焊點連接。
[0011]在一較佳實施例中:所述電路層的材質為銅箔；所述絕緣層的材質為環氧樹脂。
[0012]在一較佳實施例中:所述LED芯片為倒裝LED芯片。
[0013]電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板的制作方法包括以下步驟:
[0014]1)采用傳統工藝對基板進行電路層的印刷處理；所述電路層包括至少一個LED焊點、電路、一正極以及一負極；所述每個LED焊點互相獨立，所述正極與負極通過電路與每一個所述LED焊點連接；
[0015]2)在所述電路層上制作至少一個連通至散熱層的孔槽；所述散熱層與靠近所述孔槽的一面為鏡面鋁；所述孔槽的外部分布有所述LED焊點；
[0016]3)在所述孔槽內的鏡面鋁上安裝固定LED芯片，所述LED芯片的P極和N極分別通過金線與所述LED焊點連接。
[0017]在一較佳實施例中:所述孔槽通過激光鉆孔的方式制作而成。
[0018]在一較佳實施例中:所述LED芯片采用倒裝工藝固定安裝。
[0019]相較于現有技術，本發明的技術方案具備以下有益效果:
[0020]1.本發明提供的技術方案實現了電熱分離，由于LED芯片直接安裝在散熱層上，故而LED芯片所產生的熱量可以很及時地通過散熱層傳遞出去。
[0021]2.本發明提供的技術方案中，散熱層與絕緣層接觸的一面為鏡面鋁，反射率達到了 100 %，所以LED芯片所發出的光可以被完全反射出去，增加了發光效率。
[0022]3.本發明提供的技術方案中LED芯片共用一個正極和一個負極，所以無需對LED芯片單獨封裝，節約了成本。也避免了正極和負極對LED芯片發光的遮擋，提高了發光效率。
[0023]4.本發明提供的技術方案中LED芯片采用倒裝工藝固定安裝，進一步提高了發光效率。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發明優選實施例中電路板的分層結構圖；
[0025]圖2為本發明優選實施例中電路板的整體結構圖。
【具體實施方式】
[0026]下文結合附圖和【具體實施方式】對本發明做進一步說明。
[0027]參考圖1、圖2。電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，包括:
[0028]依次壓合的散熱層1、絕緣層3和電路層4 ;所述散熱層1與所述絕緣層3接觸的一面為鏡面鋁2 ;所述電路層4上具備至少一個連通至所述鏡面鋁2的孔槽41 ;本實施例中，所述電路層4的材質為銅箔；所述絕緣層3的材質為環氧樹脂。
[0029]位于所述孔槽41內的鏡面鋁2上安裝有至少一個LED芯片43 ;
[0030]所述電路層上設有至少一個LED焊點42,所述LED焊點42互相獨立且設置在所述孔槽41的外部；所述LED芯片43的P極和N極分別通過金線44與所述LED焊點42連接；本實施例中，所述LED芯片43為倒裝LED芯片。
[0031]所述電路層4上還設有一正極45和一負極46,所述正極45和負極46通過電路與每一個所述LED焊點42連接。
[0032]電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板的制作方法包括以下步驟:
[0033]1)采用傳統工藝對基板進行電路層4的印刷處理；所述電路層4包括至少一個LED焊點42、電路、一正極45以及一負極46 ;所述每個LED焊點42互相獨立，所述正極45與負極46通過電路與每一個所述LED焊點42連接；
[0034]2)在所述電路層4上制作至少一個連通至散熱層1的孔槽41 ;所述散熱層1與靠近所述孔槽41的一面為鏡面鋁2 ;所述孔槽41的外部分布有所述LED焊點42 ;所述孔槽41通過激光鉆孔的方式制作而成。
[0035]3)在所述孔槽41內的鏡面鋁2上安裝固定LED芯片43,所述LED芯片43的P極和N極分別通過金線44與所述LED焊點42連接。所述LED芯片采用倒裝工藝固定安裝。
[0036]本實施例中提供的電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，將LED芯片43直接安裝在散熱層1表面，而電極通過金線44連接至電路層4,從而實現了熱電分離，利用散熱層1的高導熱特性，將LED芯片43所產生的熱量快速通過散熱層1導出，大大增加了散熱效果。
[0037]同時，散熱層與絕緣層接觸的一面為鏡面鋁，反射率高達100%，這樣LED芯片所發出光可以完全被鏡面鋁反射，增加了 LED芯片43的發光效率。此外LED芯片43共用一個正極45和一個負極46,所以無需對LED芯片43單獨封裝，節約了成本。也避免了正極和負極對LED芯片43發光的遮擋，進一步提高了發光效率。最后，LED芯片43采用倒裝工藝固定安裝，也提高了發光效率。
[0038]所以，本實施例中提供的電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板對比傳統工藝大大提升了發光效率，從而要達到同樣的光通量，本發明的技術方案所需要的LED燈珠數量大大減少，這樣也減少了 LED燈珠的整體發熱量，增加了 LED芯片的壽命。
[0039]以上所述，僅是發明較佳實施例而已，并非對發明的技術范圍作任何限制，故凡是依據本發明的技術實質對以上實例所作的任何細微修改，等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。
【主權項】
1.電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，其特征在于包括: 依次壓合的散熱層、絕緣層和電路層；所述散熱層與所述絕緣層接觸的一面為鏡面鋁；所述電路層上具備至少一個連通至所述鏡面鋁的孔槽； 位于所述孔槽內的鏡面鋁上安裝有至少一個LED芯片； 所述電路層上設有至少一個LED焊點，所述LED焊點互相獨立且設置在所述孔槽的外部；所述LED芯片的P極和N極分別通過金線與所述LED焊點連接； 所述電路層上還設有一正極和一負極，所述正極和負極通過電路與每一個所述LED焊點連接。2.根據權利要求1所述的電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，其特征在于:所述電路層的材質為銅箔；所述絕緣層的材質為環氧樹脂。3.根據權利要求1所述的電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，其特征在于:所述LED芯片為倒裝LED芯片。4.電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板的制作方法，其特征在于包括以下步驟: 1)采用傳統工藝對基板進行電路層的印刷處理；所述電路層包括至少一個LED焊點、電路、一正極以及一負極；所述每個LED焊點互相獨立，所述正極與負極通過電路與每一個所述LED焊點連接； 2)在所述電路層上制作至少一個連通至散熱層的孔槽；所述散熱層與靠近所述孔槽的一面為鏡面鋁；所述孔槽的外部分布有所述LED焊點； 3)在所述孔槽內的鏡面鋁上安裝固定LED芯片，所述LED芯片的P極和N極分別通過金線與所述LED焊點連接。5.根據權利要求4所述的電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板的制作方法，其特征在于:所述孔槽通過激光鉆孔的方式制作而成。6.根據權利要求4所述的電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板的制作方法，其特征在于:所述LED芯片采用倒裝工藝固定安裝。
【專利摘要】電熱分離并集成LED芯片的高反射率電路板，包括：依次壓合的散熱層、絕緣層和電路層；所述散熱層與所述絕緣層接觸的一面為鏡面鋁；所述電路層上具備至少一個連通至所述鏡面鋁的孔槽；位于所述孔槽內的鏡面鋁上安裝有至少一個LED芯片；所述電路層上設有至少一個LED焊點，所述LED焊點互相獨立且設置在所述孔槽的外部；所述LED芯片的P極和N極分別通過金線與所述LED焊點連接；所述電路層上還設有一正極和一負極，所述正極和負極通過電路與每一個所述LED焊點連接。
【IPC分類】H05K1/18, H01L33/62
【公開號】CN105280794
【申請號】CN201410275601
【發明人】陳諾成
【申請人】廈門匯耕電子工業有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年6月19日