半絕緣雙面拋光微波晶片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半絕緣雙面拋光微波晶片。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)單晶硅材質(zhì)的微波片，經(jīng)研磨后，其表面磨傷嚴(yán)重，深度有10 μ m左右，這樣的單晶硅不能直接用來制作器件使用；目前市場上的均是單面拋光，這種單面拋光的微波片電性能不一致，影響產(chǎn)品性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種半絕緣雙面拋光微
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[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種半絕緣雙面拋光微波晶片，包括晶片本體，所述晶片本體的正面設(shè)置有上拋光層，所述晶片本體的背面設(shè)置有下拋光層，所述晶片本體的材質(zhì)為砷化鎵。
[0005]進一步的，所述的上拋光層和下拋光層的厚度< 1.2 μπι。
[0006]進一步的，所述拋光微波片的厚度為450-550 μ m。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:砷化鎵擁有一些較單晶硅還要好的電子特性，使得砷化鎵可以用在高于250GHz的場合。如果等效的砷化鎵和單晶硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會產(chǎn)生較少的聲音。也因為砷化鎵有較高的崩潰壓，所以砷化鎵比同樣的單晶硅元件更適合操作在高功率的場合。
[0008]因為這些特性，砷化鎵電路可以運用在移動電話、衛(wèi)星通訊、微波點對點連線、雷達系統(tǒng)等地方。
【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進一步說明。
[0010]圖1是本發(fā)明半絕緣微波片的示意圖；
[0011 ] 其中，1、晶片本體，2、上拋光層，3、下拋光層。
【具體實施方式】
[0012]現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
[0013]如圖1所示，一種半絕緣雙面拋光微波晶片，包括晶片本體1，晶片本體I的正面設(shè)置有上拋光層2，晶片本體I的背面設(shè)置有下拋光層3，晶片本體I的材質(zhì)為砷化鎵。
[0014]上拋光層2和下拋光層3的厚度< 1.2 μπι。拋光微波片的厚度為450-550 μm。
[0015]砷化鎵擁有一些較單晶硅還要好的電子特性，使得砷化鎵可以用在高于250GHz的場合。如果等效的砷化鎵和單晶硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會產(chǎn)生較少的聲音。也因為砷化鎵有較高的崩潰壓，所以砷化鎵比同樣的單晶硅元件更適合操作在高功率的場入口 O
[0016]因為這些特性，砷化鎵電路可以運用在移動電話、衛(wèi)星通訊、微波點對點連線、雷達系統(tǒng)等地方。
[0017]以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半絕緣雙面拋光微波晶片，其特征是，包括晶片本體(I)，所述晶片本體(I)的正面設(shè)置有上拋光層(2)，所述晶片本體(I)的背面設(shè)置有下拋光層(3)，所述晶片本體(I)的材質(zhì)為砷化鎵。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半絕緣雙面拋光微波晶片，其特征是，所述的上拋光層(2)和下拋光層⑶的厚度< 1.2μηι。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半絕緣雙面拋光微波晶片，其特征是，所述拋光微波片的厚度為 450-550 μπι。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半絕緣雙面拋光微波晶片，包括晶片本體，所述晶片本體的正面設(shè)置有上拋光層，所述晶片本體的背面設(shè)置有下拋光層，所述晶片本體的材質(zhì)為砷化鎵。砷化鎵擁有一些較單晶硅還要好的電子特性，使得砷化鎵可以用在高于250GHz的場合。如果等效的砷化鎵和單晶硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會產(chǎn)生較少的聲音。也因為砷化鎵有較高的崩潰壓，所以砷化鎵比同樣的單晶硅元件更適合操作在高功率的場合。
【IPC分類】H01L29/20
【公開號】CN105226084
【申請?zhí)枴緾N201510622326
【發(fā)明人】戚林
【申請人】江蘇中科晶元信息材料有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年9月25日