控制字線研磨工藝的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種控制字線研磨工藝的方法。
【背景技術】
[0002]當前的閃存工藝中，研磨工藝的工藝窗口很有限。例如，研磨工藝的規格可能是
0.21 ±0.04nm。但是，即使采用更加嚴格的規格0.21 ±0.02nm，后續的氮化硅SiN去除步驟中有時候會由于氫氟酸HF溶液不能完全去除氧化物而產生殘留雜質。
[0003]在關鍵尺寸較大時，氧化物可能會在溶液中浸泡得不夠。或者，在關鍵尺寸較小時，氮化硅SiN隔離物會在氮化硅SiN去除步驟中被一并去除。這都會導致缺陷。
[0004]因此，希望能夠提供一種能夠有效控制字線研磨工藝的方法。
【發明內容】
[0005]本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠有效控制字線研磨工藝的方法，其中既能夠有效去除氧化物從而減小殘留風險，同時能夠防止氮化硅隔離物被不小心去除。
[0006]為了實現上述技術目的，根據本發明，提供了一種控制字線研磨工藝的方法，包括:針對具有不同研磨關鍵尺寸的多個測試晶圓執行研磨處理；使得所述多個測試晶圓在氫氟酸溶液中浸泡預定時間，以便通過濕法刻蝕對所述多個測試晶圓執行氮化物去除工藝，并隨后取出所述多個測試晶圓；檢查所述多個測試晶圓上的氮化物的刻蝕情況，并根據所述刻蝕情況來針對不同研磨關鍵尺寸設置待處理晶圓在氮化物去除工藝中在氫氟酸溶液中的浸泡時間。
[0007]優選地，所述方法用于控制閃存存儲器的字線研磨工藝。
[0008]優選地，所述不同研磨關鍵尺寸包括0.18nm和0.225nm。
[0009]優選地，所述研磨處理是化學機械研磨處理。
[0010]優選地，所述預定時間介于100秒至500秒之間。
[0011]優選地，所述預定時間為150秒。
[0012]優選地，氫氟酸溶液的濃度介于0.49%?2%之間。
[0013]優選地，氫氟酸溶液的濃度為I %。
[0014]優選地，所述氮化物是氮化硅。
[0015]優選地，所述刻蝕情況指的是氮化物是否存在過刻蝕以及氮化物是否存在刻蝕不足。
[0016]由此，本發明提供了提供一種能夠有效控制字線研磨工藝的方法，其中既能夠有效去除氧化物從而減小殘留風險，同時能夠防止氮化硅隔離物被不小心去除。而且，本發明的方法易于操作，處理過程穩定，而且能夠提高各批次晶圓處理的良率。
【附圖說明】
[0017]結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中:
[0018]圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的控制字線研磨工藝的方法的流程圖。
[0019]需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
【具體實施方式】
[0020]為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。
[0021]圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的控制字線研磨工藝的方法的流程圖。例如，所述方法可用于控制閃存存儲器的字線研磨工藝。當然，本發明也適用于其它類型的存儲器。
[0022]如圖1示所示，根據本發明優選實施例的控制字線研磨工藝的方法包括:
[0023]第一步驟S1:針對具有不同研磨關鍵尺寸的多個測試晶圓執行研磨處理；例如，所述不同研磨關鍵尺寸包括0.1Snm和0.225nm。而且，一般，所述研磨處理是化學機械研磨處理。
[0024]第二步驟S2:使得所述多個測試晶圓在氫氟酸溶液中浸泡預定時間，以便通過濕法刻蝕對所述多個測試晶圓執行氮化物去除工藝，并隨后取出所述多個測試晶圓；所述預定時間介于100秒至500秒之間。例如，所述預定時間為150秒。優選地，氫氟酸溶液的濃度介于0.49%?2%之間。例如，選用的氫氟酸溶液的濃度為1%。例如，所述氮化物是氮化娃。
[0025]第三步驟S3:檢查所述多個測試晶圓上的氮化物的刻蝕情況(即，氮化物是否存在過刻蝕以及氮化物是否存在刻蝕不足)，并根據所述刻蝕情況來針對不同研磨關鍵尺寸設置待處理晶圓在氮化物去除工藝中在氫氟酸溶液中的浸泡時間。
[0026]具體地，例如，將研磨關鍵尺寸分別為0.18nm和0.225nm的兩個測試晶圓在氫氟酸溶液中浸泡150秒，取出這兩個測試晶圓之后發現，研磨關鍵尺寸為0.1Snm的測試晶圓存在氮化硅過度刻蝕的風險，而研磨關鍵尺寸為0.225nm的測試晶圓存在氮化硅刻蝕不足的缺陷。由此，根據這種刻蝕情況，進行這樣的設置:對于研磨關鍵尺寸處于0.20?0.2Inm范圍內的晶圓，使得待處理晶圓在氫氟酸溶液中的浸泡180秒；對于研磨關鍵尺寸處于
0.19?0.20范圍內的晶圓，使得待處理晶圓在氫氟酸溶液中的浸泡100秒；對于研磨關鍵尺寸處于0.21?0.22范圍內的晶圓，使得待處理晶圓在氫氟酸溶液中的浸泡250秒。
[0027]由此，本發明提供了提供一種能夠有效控制字線研磨工藝的方法，其中既能夠有效去除氧化物從而減小殘留風險，同時能夠防止氮化硅隔離物被不小心去除。而且，本發明的方法易于操作，處理過程穩定，而且能夠提高各批次晶圓處理的良率。
[0028]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。
[0029]可以理解的是，雖然本發明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發明技術方案保護的范圍內。
【主權項】
1.一種控制字線研磨工藝的方法，其特征在于包括: 針對具有不同研磨關鍵尺寸的多個測試晶圓執行研磨處理； 使得所述多個測試晶圓在氫氟酸溶液中浸泡預定時間，以便通過濕法刻蝕對所述多個測試晶圓執行氮化物去除工藝，并隨后取出所述多個測試晶圓； 檢查所述多個測試晶圓上的氮化物的刻蝕情況，并根據所述刻蝕情況來針對不同研磨關鍵尺寸設置待處理晶圓在氮化物去除工藝中在氫氟酸溶液中的浸泡時間。2.根據權利要求1所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述方法用于控制閃存存儲器的字線研磨工藝。3.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述不同研磨關鍵尺寸包括0.18nm和0.225nm。4.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述研磨處理是化學機械研磨處理。5.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述預定時間介于100秒至500秒之間。6.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述預定時間為150 秒。7.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，氫氟酸溶液的濃度介于0.49%?2%之間。8.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，氫氟酸溶液的濃度為1%。9.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述氮化物是氮化娃。10.根據權利要求1或2所述的控制字線研磨工藝的方法，其特征在于，所述刻蝕情況指的是氮化物是否存在過刻蝕以及氮化物是否存在刻蝕不足。
【專利摘要】本發明提供了一種控制字線研磨工藝的方法，包括：針對具有不同研磨關鍵尺寸的多個測試晶圓執行研磨處理；使得所述多個測試晶圓在氫氟酸溶液中浸泡預定時間，以便通過濕法刻蝕對所述多個測試晶圓執行氮化物去除工藝，并隨后取出所述多個測試晶圓；檢查所述多個測試晶圓上的氮化物的刻蝕情況，并根據所述刻蝕情況來針對不同研磨關鍵尺寸設置待處理晶圓在氮化物去除工藝中在氫氟酸溶液中的浸泡時間。
【IPC分類】H01L21/8247, H01L21/3105
【公開號】CN105206582
【申請號】CN201510694924
【發明人】沈思杰
【申請人】上海華虹宏力半導體制造有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年10月22日