干式蝕刻裝置及陣列基板干式蝕刻去除靜電方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及蝕刻制造技術領域，尤其涉及一種干式蝕刻裝置及陣列基板干式蝕刻去除靜電方法。
【背景技術】
[0002]在目前的液晶顯示面板陣列基板制造過程中，對各層的薄膜刻蝕有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，對于一般的a-s1、SiNx, S1x以及一些金屬膜的刻蝕，多采用干法刻蝕。但是，在干法刻蝕機刻蝕過程中，基板表面靜電累積過多時，會發生異常放電，造成靜電擊傷基板；而且干法刻蝕機下部電極上的吸附，是利用靜電進行吸附基板，若刻蝕完成后，靜電卸載不完全時，頂針在上升過程易造成基板破裂。
【發明內容】
[0003]本發明涉及一種干式蝕刻裝置及陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，可降低陣列基板薄膜在蝕刻時受靜電的損壞。
[0004]本發明提供一種干式蝕刻裝置，用于陣列基板的蝕刻，所述干式蝕刻裝置包括機體、設于機體內的反應腔體、第一電極、第二電極及兩個導接體，所述反應腔體包括頂壁及與頂壁相對設置的底壁，所述第一電極設于頂壁上，所述第二電極設于底壁上，所述兩個導接體間隔設置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導接體可相對所述反應腔體伸縮，所述導接體包括絕緣套及位于絕緣套內的導電體，所述導電體接地設置。
[0005]其中，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側位置設有絕緣擋板。
[0006]其中，所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設有抽氣孔。
[0007]其中，所述反應腔體還包括兩個相對的側壁，所述兩個側壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側壁上朝向腔體的表面設有數個保護板。
[0008]其中，所述導電體為金屬針體。
[0009]其中，所述絕緣擋板為陶瓷材料制成。
[0010]一種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，所述方法包括，提供一干式蝕刻裝置，其包括機體、設于機體內的反應腔體、第一電極、第二電極及兩個導接體，所述反應腔體包括頂壁及與頂壁相對設置的底壁，所述第一電極設于頂壁上，所述第二電極設于底壁上，所述兩個導接體間隔設置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導接體可相對所述反應腔體伸縮，所述導接體包括絕緣套及位于絕緣套內的導電體，所述導電體接地設置；
[0011]使所述兩個導接體伸入所述反應腔體內；
[0012]通過運送機構將一基板放入所述反應腔體內，所述兩個導接體抵接并承載所述基板；
[0013]所述基板在所述反應腔體內進行蝕刻后，向反應腔體內注入等離子體，以去除基板上的靜電；
[0014]使兩個導接體伸出所述絕緣套將所述基板重新頂起，并且所述導電體接地導通。其中，所述導電體為金屬針體。
[0015]其中，所述反應腔體還包括兩個相對的側壁，所述兩個側壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側壁上朝向反應腔體的表面設有數個保護板。
[0016]其中，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側位置設有絕緣擋板；所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設有抽氣孔。
[0017]本發明的干式蝕刻裝置在反應腔體內設置導電功能的導電體放入絕緣套內，與絕緣套同時支撐基板，而在裝入與卸載基板時，所述導電體均對基板上的靜電進行移除，進而使基板在蝕刻后共進行了三次靜電移除，可以有效的干凈的去除基板的靜電，有效防止基板收到損壞或異常的發生。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1是本發明較佳實施方式中的干式蝕刻裝置示意圖。
[0020]圖2本發明的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法流程圖。
【具體實施方式】
[0021]下面將結合本發明實施方式中的附圖，對本發明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述。
[0022]請參閱圖1，本發明的較佳實施例提供了一種干式蝕刻裝置10，用于陣列基板19的蝕刻。所述干式蝕刻裝置10包括機體、設于機體內的反應腔體12、第一電極13、第二電極14及兩個導電體15，所述反應腔體12包括頂壁121及與頂壁121相對設置的底壁122，所述第一電極13設于頂壁121上，所述第二電極14設于底壁122上，所述兩個導接體15間隔設置且貫穿所述底壁122及第二電極14，所述導接體15可相對所述反應腔體12伸縮，所述導接體15包括絕緣套151及位于絕緣套151內的導電體152，所述導電體152接地設置。
[0023]本實施例中，所述反應腔體12為矩形空腔，其還包括兩個相對的側壁123。所述兩個側壁123連接所述頂壁121與所述底壁122。所述第一電極13設于頂壁121上中部位置。所述第二電極14設于底壁122上中部位置。
[0024]所述兩個導接體15為柱狀體，分別穿過所述底壁12及所述第二電極14露出反應腔體12內并可相對反應腔體12伸縮，用于支撐陣列基板19。所述絕緣套151為橡膠或塑膠材質制成。所述導電體152為金屬針體，具體為頂針，所述導電體152與接地點20連接，用于將與去接觸的陣列基板19的靜電導出。在其它實施方式中，可以通過改變導電體152的形狀使導電體152相對所述絕緣套151伸縮。
[0025]所述底壁122上位于所述所述第二電極14的兩側位置設有絕緣擋板16。所述絕緣擋板16為陶瓷材料制成。所述絕緣擋板16用于防止腔體內放電擊傷第二電極14。
[0026]所述底壁122上與所述絕緣擋板16相鄰位置設有抽氣孔17。所述抽氣孔17用于控制反應清涕內的壓力并在完成制程后反應腔體內的殘余廢氣。
[0027]所述反應腔體12所述側壁123上朝向腔體的表面設有數個保護板18。所述保護板18保護所述側壁123防止在蝕刻時被損壞。
[0028]請參閱圖2，本發明還提供一種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，所述方法包括:
[0029]步驟SI，提供以上所述的干式蝕刻裝置。
[0030]步驟S2，使所述導接體15伸入所述反應腔體12內。
[0031]步驟S3，通過運送機構將一基板19放入所述反應腔體12內，所述兩個導接體15分別與基板19抵接并承載所述基板19。在此步驟中，所述兩個導接體15的導電體152與所述基板抵接的過程中，兩個導電體152將所述基板19上所帶的靜電移除，避免在蝕刻過程中基板的靜電過多而造成基板釋放靜電而損壞基板，此次的移除靜電為第一次靜電移除。
[0032]步驟S4，所述基板在所述反應腔體12內進行蝕刻后，向反應腔體12內注入等離子體，以去除基板19上的靜電。此次去除靜電為第二次靜電移除，主要是向反應腔體內注入氧離子通電后中和所述基板上殘留的靜電。
[0033]步驟S5，使兩個導接體15伸如反應腔體將所述基板19重新頂起，并且所述導電體152接地導通。此步驟主要是卸載蝕刻后的基板，在此過程中進行第三次靜電移除，通過導電體152將蝕刻后的基板頂起，并且將導電體152進行接地，進而將蝕刻后的第二次靜電移除后基板上殘留的靜電移除，進而保證基板上的靜電去除干凈，防止基板的破壞或異常發生。
[0034]本發明的干式蝕刻裝置在反應腔體內設置導電功能的導電體放入絕緣套內，與絕緣套同時支撐基板，而在裝入與卸載基板時，所述導電體均對基板上的靜電進行移除，進而使基板在蝕刻后共進行了三次靜電移除，可以有效的干凈的去除基板的靜電，有效防止基板收到損壞或異常的發生。
[0035]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種干式蝕刻裝置，用于陣列基板的蝕刻，其特征在于，所述干式蝕刻裝置包括機體、設于機體內的反應腔體、第一電極、第二電極及兩個導接體，所述反應腔體包括頂壁及與頂壁相對設置的底壁，所述第一電極設于頂壁上，所述第二電極設于底壁上，所述兩個導接體間隔設置且貫穿所述底壁及第二電極，所述兩個導接體間隔設置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導接體可相對所述反應腔體伸縮，所述導接體包括絕緣套及位于絕緣套內的導電體，所述導電體接地設置。2.如權利要求1所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側位置設有絕緣擋板。3.如權利要求2所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設有抽氣孔。4.如權利要求1所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述反應腔體還包括兩個相對的側壁，所述兩個側壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側壁上朝向腔體的表面設有數個保護板。5.如權利要求1所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述導電體為金屬針體并伸出所述絕緣套露于所述反應腔體內。6.如權利要求2所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述絕緣擋板為陶瓷材料制成。7.—種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，所述方法包括，提供一干式蝕刻裝置，其包括機體、設于機體內的反應腔體、第一電極、第二電極及兩個導接體；其中，所述反應腔體包括頂壁及與頂壁相對設置的底壁，所述第一電極設于頂壁上，所述第二電極設于底壁上，所述兩個導接體間隔設置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導接體可相對所述反應腔體伸縮，所述導接體包括絕緣套及位于絕緣套內的導電體，所述導電體接地設置； 使所述兩個導接體伸入所述反應腔體內； 通過運送機構將一基板放入所述反應腔體內，所述兩個導接體抵接并承載所述基板； 所述基板在所述反應腔體內進行蝕刻后，向反應腔體內注入等離子體，以去除基板上的靜電； 使兩個導接體伸出所述絕緣套將所述基板重新頂起，并且所述導電體接地導通。8.如權利要求7所述的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，其特征在于，所述導電體為金屬針體。9.如權利要求8所述的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，其特征在于，所述反應腔體還包括兩個相對的側壁，所述兩個側壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側壁上朝向腔體的表面設有數個保護板。10.如權利要求9所述的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，其特征在于，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側位置設有絕緣擋板；所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設有抽氣孔。
【專利摘要】本發明提供一種干式蝕刻裝置，用于陣列基板的蝕刻，所述干式蝕刻裝置包括機體、設于機體內的反應腔體、第一電極、第二電極及兩個導接體，所述反應腔體包括頂壁及與頂壁相對設置的底壁，所述第一電極設于頂壁上，所述第二電極設于底壁上，所述兩個導接體間隔設置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導接體可相對所述反應腔體伸縮，所述導接體包括絕緣套及位于絕緣套內的導電體，所述導電體接地設置，本發明還公開了一種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法。
【IPC分類】H01J37/32
【公開號】CN105206495
【申請號】CN201510504223
【發明人】劉思洋
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月17日