一種新型電容器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子元件技術領域，具體為一種新型電容器。
【背景技術】
[0002]電容器是應用極為廣泛的電子元件。隨著技術的發展，為了使電容器的應用范圍更廣，比如，使一個電容器的電容值能夠根據使用需要而變化，則出現了組合式電容器。但是，多數組合式電容器的結構或較為復雜，或不能充分利用其殼體內的空間；而且目前用于制造薄膜電容器的金屬化薄膜均為復合鋅鋁金屬化薄膜。鍍鋁金屬化薄膜具有較好的附著性能，且生產過程易于處理，但是鍍鋁金屬化薄膜在空氣中容易被氧化而形成以三氧化二鋁為主要成份致密氧化層，該氧化層雖然能夠阻止金屬化薄膜進一步被氧化，但是在交流高壓大電流下工作時，該氧化層會導致電容器的容量迅速下降；為此，在金屬化薄膜鍍鋁的基礎上再鍍一層鋅能夠很好地防止內層鍍鋁層形成氧化層，從而不會發生電容器的容量迅速下降的情況，但是金屬化薄膜鍍鋅層還原性更強，在空氣中被氧化的速率更快且氧化形成的氧化鋅具有蓬松的結構，難以阻止進一步氧化的發生，因此金屬化薄膜鍍鋅層不僅在加工時難以處理，而且容易導致電容器發生發熱甚至擊穿的事故。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于提供一種新型電容器，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
[0005]一種新型電容器，包括殼體，該殼體的上端設有相互獨立絕緣設置的第一左接腳、第二左接腳、第一右接腳、第二右接腳；殼體的內部設有呈豎向的空心芯棒，該芯棒采用塑料等絕緣材料制備，該芯棒上纏繞有第一金屬化薄膜；該第一左接腳通過連線電連接至該第一金屬化薄膜的上端、該第二左接腳通過從該芯棒內穿過的連線電連接至該第一金屬化薄膜的下端，即該第一金屬化薄膜以及與其電連接的第一左接腳、第二左接腳形成了第一個獨立的電容，設定為左電容；所述第一金屬化薄膜的外部纏繞有絕緣材料層；該絕緣材料層的外部纏繞有第二金屬化薄膜，且該第一右接腳通過連線電連接至該第二金屬化薄膜的上端、該第二右接腳通過從該芯棒內穿過的連線電連接至該第二金屬化薄膜的下端；即該第二金屬化薄膜以及與其電連接的第一右接腳、第二右接腳形成了第二個獨立的電容；所述第一金屬化薄膜與第二金屬化薄膜的結構相同，包括:金屬鍍層和分別位于金屬鍍層兩面的塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層；所述塑料薄膜頂層具有與所述金屬鍍層接觸的接觸底面，所述塑料薄膜底層具有與所述金屬鍍層接觸的接觸頂面，所述接觸底面和所述接觸頂面具有相同的表面電荷密度。
[0006]進一步的，所述第一左接腳、第二左接腳位于該殼體的上端的左部，該第一右接腳、第二右接腳位于該殼體的上端的右部。
[0007]進一步的，所述塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層材料為聚烯烴。
[0008]進一步的，所述金屬鍍層材料為鋅或鋁。
[0009]與現有技術相比，本發明結構簡單，且較好的利用了殼體內的空間，本發明由通過依次纏繞在同一個芯棒外部的金屬化薄膜層組成，從而結構簡單。同時，本發明中的金屬化薄膜有效地降低金屬鍍層在垂直方向上輸送電勢的能力，從而降低了空氣中的具有氧化性的帶電粒子對塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層的穿透性，并且進一步提高了塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層介電性能，降低擊穿發生幾率，因此相對于現有技術可以進一步降低塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層的厚度，以抵消增設塑料薄膜頂層所造成的原料成本增加，經綜合測試和對比，因而本發明電容器還具有成本低、損耗少、自愈性能好、使用壽命長、安全防護等級尚等優點。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發明一種新型電容器的結構示意圖。
[0011]圖2為本發明一種新型電容器中金屬化薄膜的結構示意圖。
[0012]圖中:1-第二左接腳，2-第一左接腳，3-第一右接腳，4-第二右接腳，5-殼體，6-第一金屬化薄膜，7-絕緣材料層，8-芯棒，9-第二金屬化薄膜，91-金屬鍍層，92-塑料薄膜頂層，93-塑料薄膜底層，921-接觸底面，931-接觸頂面。
【具體實施方式】
[0013]下面結合【具體實施方式】對本專利的技術方案作進一步詳細地說明。
[0014]請參閱圖1?2，一種新型電容器，包括殼體5，該殼體5的上端設有相互獨立絕緣設置的第一左接腳2、第二左接腳1、第一右接腳3、第二右接腳4 ;殼體5的內部設有呈豎向的空心芯棒8，該芯棒8采用塑料等絕緣材料制備，該芯棒8上纏繞有第一金屬化薄膜6 ;該第一左接腳2通過連線電連接至該第一金屬化薄膜6的上端、該第二左接腳I通過從該芯棒8內穿過的連線電連接至該第一金屬化薄膜6的下端，即該第一金屬化薄膜6以及與其電連接的第一左接腳2、第二左接腳I形成了第一個獨立的電容，設定為左電容。同時，該第一金屬化薄膜6的外部纏繞有絕緣材料層7 ;該絕緣材料層7的外部纏繞有第二金屬化薄膜9，且該第一右接腳3通過連線電連接至該第二金屬化薄膜9的上端、該第二右接腳4通過從該芯棒8內穿過的連線電連接至該第二金屬化薄膜9的下端；即該第二金屬化薄膜9以及與其電連接的第一右接腳3、第二右接腳4形成了第二個獨立的電容，設定為右電容。這樣，通過第一左接腳2、第二左接腳1、第一右接腳3、第二右接腳4的不同接線方式，可實現左電容和右電容的并聯和串聯，該組合式電容能夠得到4種不同的電容值；所述第一金屬化薄膜6與第二金屬化薄膜9的結構相同，包括:金屬鍍層91和分別位于金屬鍍層兩面的塑料薄膜頂層92和塑料薄膜底層93，所述金屬鍍層91材料為鋅或鋁，所述塑料薄膜頂層92和塑料薄膜底層93材料為聚烯烴；所述塑料薄膜頂層92具有與所述金屬鍍層91接觸的接觸底面921，所述塑料薄膜底層93具有與所述金屬鍍層91接觸的接觸頂面931，所述接觸底面921和所述接觸頂面931具有相同的表面電荷密度；所述塑料薄膜底層3材料為聚丙烴。
[0015]第一左接腳2、第二左接腳I位于該殼體5的上端的左部，該第一右接腳3、第二右接腳4位于該殼體5的上端的右部；這樣，位于不同部位的接腳便于區分和接線。
[0016]金屬化電容器薄膜其制造方法包括如下步驟:一、對塑料薄膜頂層的接觸底面和塑料薄膜底層的接觸頂面進行表面電荷處理。
[0017]表面電荷處理的方法在現有技術中已經有很多種:
[0018]—方面可以采用等離子表面處理技術增加塑料薄膜頂層的接觸底面和塑料薄膜底層的接觸頂面的電荷密度，直至接觸底面和接觸頂面的電荷密度相一致，具體地如:電暈放電或輝光放電表面處理。電暈放電或輝光放電表面處理技術是一種公知的技術手段，因此本文不贅述。另一方面可以對塑料薄膜頂層的接觸底面和塑料薄膜底層的接觸頂面的電荷密度進行消零處理:在40?60°C恒溫的惰性氣體保護的環境中，通入鹵族元素氣體，并將需要處理的接觸底面和接觸頂面暴露于鹵族元素氣體中，保持5?20min即完成薄膜表面電荷密度消零處理。
[0019]二、對步驟一處理后的接觸底面和接觸頂面進行表面電荷密度測量，當接觸底面和接觸頂面表面電荷密度不一致時需再次進行步驟一的操作，直至接觸底面和接觸頂面表面電荷密度一致。表面電荷密度測量的方式已經有很多，主要都是感應探頭法，在專利文獻中也公開了一些對感應探頭法表面電荷密度測量方式做出改進的例子，具體地如公告號為CNlO1515003B的已授權的中國發明專利中公開的記載。
[0020]三、采用濺射鍍膜或真空蒸鍍方式在經步驟二處理的塑料薄膜底層的接觸頂面形成金屬鍍層。濺射鍍膜或真空蒸鍍方式為現有技術中成熟的技術方案，具體地對于本發明而言，濺射鍍膜或真空蒸鍍工藝參數參考值為:冷卻滾筒的表面溫度控制在14?17°C，膜通過冷卻滾筒的速度為3± lm/min，真空室的真空度應當不大于5 X 10 3Pa0
[0021]四、采用熱力壓合的方式將塑料薄膜頂層的接觸底面固定到步驟三加工的金屬鍍層上
[0022]驟上面對本專利的較佳實施方式作了詳細說明，但是本專利并不限于上述實施方式，在本領域的普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本專利宗旨的前提下作出各種變化。
【主權項】
1.一種新型電容器，其特征在于，包括殼體，該殼體的上端設有相互獨立絕緣設置的第一左接腳、第二左接腳、第一右接腳、第二右接腳；殼體的內部設有呈豎向的空心芯棒，該芯棒采用塑料等絕緣材料制備，該芯棒上纏繞有第一金屬化薄膜；該第一左接腳通過連線電連接至該第一金屬化薄膜的上端、該第二左接腳通過從該芯棒內穿過的連線電連接至該第一金屬化薄膜的下端，即該第一金屬化薄膜以及與其電連接的第一左接腳、第二左接腳形成了第一個獨立的電容；所述第一金屬化薄膜的外部纏繞有絕緣材料層；該絕緣材料層的外部纏繞有第二金屬化薄膜，且該第一右接腳通過連線電連接至該第二金屬化薄膜的上端、該第二右接腳通過從該芯棒內穿過的連線電連接至該第二金屬化薄膜的下端；即該第二金屬化薄膜以及與其電連接的第一右接腳、第二右接腳形成了第二個獨立的電容；所述第一金屬化薄膜與第二金屬化薄膜的結構相同，包括:金屬鍍層和分別位于金屬鍍層兩面的塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層；所述塑料薄膜頂層具有與所述金屬鍍層接觸的接觸底面，所述塑料薄膜底層具有與所述金屬鍍層接觸的接觸頂面，所述接觸底面和所述接觸頂面具有相同的表面電荷密度。2.根據權利要求1所述的一種新型電容器，其特征在于，所述第一左接腳、第二左接腳位于該殼體的上端的左部，該第一右接腳、第二右接腳位于該殼體的上端的右部。3.根據權利要求1所述的一種新型電容器，其特征在于，所述塑料薄膜頂層和塑料薄膜底層材料為聚烯烴。4.根據權利要求1所述的一種新型電容器，其特征在于，所述金屬鍍層材料為鋅或鋁。
【專利摘要】本發明公開了一種新型電容器，包括殼體，該殼體的上端設有相互獨立絕緣設置的第一左接腳、第二左接腳、第一右接腳、第二右接腳；殼體的內部設有呈豎向的空心芯棒，該芯棒采用塑料等絕緣材料制備，該芯棒上纏繞有第一金屬化薄膜；該第一左接腳通過連線電連接至該第一金屬化薄膜的上端、該第二左接腳通過從該芯棒內穿過的連線電連接至該第一金屬化薄膜的下端，即該第一金屬化薄膜以及與其電連接的第一左接腳、第二左接腳形成了第一個獨立的電容；本發明電容器具有成本低、損耗少、自愈性能好、使用壽命長、安全防護等級高等優點。
【IPC分類】H01G4/14, H01G4/38, H01G4/005, H01G4/33
【公開號】CN105206425
【申請號】CN201510659515
【發明人】常小燕
【申請人】重慶澤青巨科技發展有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年10月13日