一種端口同向的多層siw濾波器的端口轉接裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于微波、毫米波技術領域，具體涉及一種端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置。
【背景技術】
[0002]隨著雷達、衛星領域的快速發展，對器件的大功率、小型化、集成化提出了一定的要求。基片集成波導(SIW)器件結合了微帶器件的小型化和波導器件的大功率的優點，基于基片集成波導的高功率微波器件則兼具小型化和大功率特性，而被廣泛應用于微波集成系統中。
[0003]傳統的基片集成波導微波器件為單層結構，隨著器件小型化的需求，設計出多層基片集成波導微波器件，以滿足衛星、飛機、艦艇等裝備上的微波系統集成化的要求。然而，目前SIW多層微波器件的端口通常在不同的介質基板層，且位于同一方向，即端口同向異層的多層微波器件；該結構的多層微波器件的封裝和測試難度大，大大限制了其使用范圍。
【發明內容】
[0004]本發明針對【背景技術】存在的缺陷，提出了一種針對同向異層端口的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，該裝置可實現多層SIW濾波器的同向異層端口向同平面雙向端口的轉換，使得該類多層Siw濾波器能適用于多種測試平臺，便于濾波器的測試和使用；同時，減小了器件的封裝體積、器件的焊接面積、高功率集成系統的體積。
[0005]本發明的技術方案如下:
[0006]一種端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，其特征在于，包括端口同向的多層SIW濾波器、第一端口引出微帶線、第二端口引出微帶線、第一端口轉向微帶線、第二端口轉向微帶線；所述第一端口引出微帶線與多層Siw濾波器的一個端口固定連接，以將端口引出，所述第二端口引出微帶線與多層Siw濾波器的另一個端口固定連接，以將另一個端口引出；所述第一端口引出微帶線與第一端口轉向微帶線垂直，以將多層SIW濾波器的一個端口引出并轉到第一端口轉向微帶線平面，所述第二端口引出微帶線與第二端口轉向微帶線垂直，以將多層SIW濾波器的另一個端口引出并轉到第二端口轉向微帶線平面，所述第一端口轉向微帶線與第二端口轉向微帶線位于同一平面，所述第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線底部為同一接地金屬板。
[0007]進一步地，所述第一端口引出微帶線和第二端口引出微帶線為50歐姆微帶線或梯形微帶線等。
[0008]進一步地，所述第一端口轉向微帶線、第二端口轉向微帶線為50歐姆微帶線。
[0009]進一步地，所述第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線中的傳輸線位于一條直線上。
[0010]進一步地，所述多層SIW濾波器為η層PCB介質基板疊加，每層PCB介質基板的諧振腔可根據需求設計，兩端口也可根據需求調節。
[0011]本發明的有益效果為:本發明提供的一種端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，可實現多層Siw濾波器的同向異層端口向同平面雙向端口的轉換，使得該類多層SIW濾波器能適用于多種測試平臺，便于濾波器的測試和使用；同時，減小了器件的封裝體積、器件的焊接面積、高功率集成系統的體積。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發明端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置示意圖；其中，I為端口同向的多層SIW濾波器，2為第一端口引出微帶線，3為第一端口轉向微帶線，4為第二端口引出微帶線，5為第二端口轉向微帶線；
[0013]圖2為實施例多層SIW濾波器覆銅結構示意圖；
[0014]圖3為實施例多層SIW濾波器中間層覆銅結構示意圖；
[0015]圖4為實施例端口同向的多層SIW濾波器及其端口引出微帶線的示意圖；
[0016]圖5為采用本發明端口轉接裝置對多層SIW濾波器的S參數仿真圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖對本發明技術方案做進一步地介紹。
[0018]實施例
[0019]一種端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，如圖1所示，包括端口同向的多層SIW濾波器1、第一端口引出微帶線2、第二端口引出微帶線4、第一端口轉向微帶線3、第二端口轉向微帶線5 ;所述第一端口引出微帶線2與多層SIW濾波器的一個端口固定連接，將端口通過第一端口引出微帶線引出，所述第二端口引出微帶線4與多層SIW濾波器的另一個端口固定連接，將另一個端口通過第二端口引出微帶線引出；所述第一端口引出微帶線與第一端口轉向微帶線垂直，將多層SIW濾波器的一個端口引出并轉到第一端口轉向微帶線平面，所述第二端口引出微帶線與第二端口轉向微帶線垂直，將多層SIW濾波器的另一個端口引出并轉到第二端口轉向微帶線平面，所述第一端口轉向微帶線與第二端口轉向微帶線位于同一平面，所述第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線底部為同一接地金屬。
[0020]采用介質基板Rogers_3003加工兩層SIW濾波器，介質基板的相對介電常數為3，損耗正切為0.0013，基板厚度h = 0.505mm ;第一介質基板的底層覆銅，第二介質基板的頂層覆銅，覆銅板的圖形及參數如圖2所示；圖3為濾波器中間層覆銅結構圖。覆銅厚度為 0.02mm，具體結構參數:pl = 0.7mm，p2 = 0.679mm，wl = 1.98mm，w2 = 1.59mm，w3.37mm, w4 = 1.37mm, w5 = 1.59mm, w6 = 1.98mm, Dl = 0.4mm, D2 = 0.9mm, LI = 0.6mm,L2 = 1.2mm, si = 2.73mm, s2 = 3.1 7mm, s3 = 3.46mm, s4 = 3.4mm, sO = 3.5mm, wO =
2.89mm，L= 1.5mm, w = 1.27mm ;覆銅之后的第一介質基板與第二介質基板粘接，即形成了端口同向的雙層SIW濾波器；選取兩段長度相同的50歐姆微帶線作為第一端口引出微帶線和第二端口引出微帶線，兩段長度相同的50歐姆微帶線分別與雙層SIW濾波器的兩個端口固定，以實現將兩個端口引出的目的，采用絕緣膠連接微帶線的介質基板與濾波器的介質基板，采用導電膠連接微帶線與濾波器的微帶端口 ；所述兩段長度相同的50歐姆微帶線的一端的微帶線與介質基板邊緣之間均有一定距離D，如圖4所示，D等于第一端口轉向微帶線的厚度(第一端口轉向微帶線與第二端口轉向微帶線厚度相同)，第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線為50歐姆微帶線且位于同一平面，所述第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線的底部為一層銅膜。
[0021]采用上述裝置對實施例雙層SIW濾波器進行仿真，其S參數結構如圖5所示，濾波器帶內插入損耗達到1.2dB，帶內回波損耗達到25dB，帶寬1.1GHZo
【主權項】
1.一種端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，其特征在于，包括端口同向的多層SIW濾波器、第一端口引出微帶線、第二端口引出微帶線、第一端口轉向微帶線、第二端口轉向微帶線；所述第一端口引出微帶線與多層Siw濾波器的一個端口固定連接，以將端口引出，所述第二端口引出微帶線與多層Siw濾波器的另一個端口固定連接，以將另一個端口引出；所述第一端口引出微帶線與第一端口轉向微帶線垂直，以將多層SIW濾波器的一個端口引出并轉到第一端口轉向微帶線平面，所述第二端口引出微帶線與第二端口轉向微帶線垂直，以將多層SIW濾波器的另一個端口引出并轉到第二端口轉向微帶線平面，所述第一端口轉向微帶線與第二端口轉向微帶線位于同一平面，所述第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線底部為同一接地金屬板。2.根據權利要求1所述的端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，其特征在于，所述第一端口引出微帶線和第二端口引出微帶線為50歐姆微帶線或梯形微帶線等。3.根據權利要求1所述的端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，其特征在于，所述第一端口轉向微帶線和第二端口轉向微帶線為50歐姆微帶線。4.根據權利要求1所述的端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，其特征在于，所述多層SIW濾波器為η層PCB介質基板疊加，每層PCB介質基板的諧振腔可根據需求設計。
【專利摘要】一種端口同向的多層SIW濾波器的端口轉接裝置，包括多層SIW濾波器、第一端口引出微帶線、第二端口引出微帶線、第一端口轉向微帶線、第二端口轉向微帶線；第一端口引出微帶線與多層SIW濾波器的一個端口連接，第一端口轉向微帶線與第一端口引出微帶線垂直，以將濾波器的一個端口引出并轉到第一端口轉向微帶線平面；第二端口引出微帶線與多層SIW濾波器另一端口連接，第二端口轉向微帶線與第二端口引出微帶線垂直，以將濾波器的另一端口引出并轉到第二端口轉向微帶線平面；第一端口轉向微帶線與第二端口轉向微帶線位于同一平面且底部為同一接地金屬板。本發明轉接裝置使多層SIW濾波器能適用于多種測試平臺，便于濾波器的測試和使用。
【IPC分類】H01P1/04
【公開號】CN105140598
【申請號】CN201510586886
【發明人】陳良, 張磊, 梁迪飛, 謝海巖, 黃陳, 鄧龍江
【申請人】電子科技大學
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年9月15日