一種高效節能的太陽能電池制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種電池制造技術，特別涉及一種高效節能的太陽能電池制作方法，屬于太陽能節能技術領域。
【背景技術】
[0002]太陽能電池是一種可以將能量轉換的光電元件，其基本構造是運用P型與N型半導體接合而成的。半導體最基本的材料是“硅”，它是不導電的，但如果在半導體中摻入不同的雜質，就可以做成P型與N型半導體，再利用P型半導體有個空穴(P型半導體少了一個帶負電荷的電子，可視為多了一個正電荷)，與N型半導體多了一個自由電子的電位差來產生電流，所以當太陽光照射時，光能將硅原子中的電子激發出來，而產生電子和空穴的對流，這些電子和空穴均會受到內建電位的影響，分別被N型及P型半導體吸引，而聚集在兩端。此時外部如果用電極連接起來，形成一個回路，這就是太陽能電池發電的原理，主要來自于PN行半導體的內建電場驅使電子電洞移動，并收集起來。因此，在電子與電洞移動的路徑上的缺陷密度將會對于光電流的產生有絕對的影響簡單的說，太陽光電的發電原理，是利用太陽能電池吸收0.4 μ m?1.1 μ m波長(針對硅晶)的太陽光，將光能直接轉變成電能輸出的一種發電方式。
[0003]由于太陽能電池產生的電是直流電，因此若需提供電力給家電用品或各式電器則需加裝直/交流轉換器，換成交流電，才能供電至家庭用電或工業用電。
【發明內容】
[0004]本發明基于現有的太陽能電池的制造技術，采用創新性的科學原理，提出了一種高效節能的太陽能電池制作方法，其設計符合理論，流程簡單可行，材料利用率高，不僅極大節省了成本，而且在一定程度上，延長了太陽能電池的使用壽命。
[0005]本發明解決其技術問題采用的技術方案是:一種高效節能的太陽能電池制作方法，所述的硅片依次進行制絨、擴散、刻蝕和去PSG工藝；將硅片置于加熱的堿液中進行背面拋光處理，堿液為質量比1% — 5%的NaOH溶液，加熱的溫度為75—85°C，拋光處理的延續時間為10—15分鐘；進行PECVD工藝，PECVD工藝采用流量比為0.09——0.15的SiHjPNH3沉積至少兩層總厚度為85——95nm的氮化硅薄膜，PECVD工藝過程中的溫度為430—470°C，持續時間為10——15分鐘；
所述未附氮化硅薄膜的一面通過絲網印刷工藝印制背電場和背電極，并燒結，背電場通過絲網印刷鋁漿制成，背電極通過絲網印刷銀漿制成；
所述附有所述氮化硅薄膜的一面均勻涂覆一層磷液，采用激光按工藝要求的圖形在氮化硅薄膜上掃描，形成細柵開槽，并在該細柵開槽處形成重摻雜發射極，磷液為包含有磷酸、酒精、水和丙酮的混合液，其中，磷酸的質量比為30—45%，涂覆為旋涂或噴涂方式。
[0006]本發明的有益效果:本發明提出的一種高效節能的太陽能電池制作方法，其設計符合理論，流程簡單可行，材料利用率高，不僅極大節省了成本，而且在一定程度上，延長了太陽能電池的使用壽命，具有較大的推廣價值。
【具體實施方式】
[0007]下面結合具體實例對本發明作進一步說明。
[0008]一種高效節能的太陽能電池制作方法，所述的硅片依次進行制絨、擴散、刻蝕和去PSG工藝；將硅片置于加熱的堿液中進行背面拋光處理，堿液為質量比1% — 5%的NaOH溶液，加熱的溫度為75— 85°C，拋光處理的延續時間為10 —15分鐘；進行PECVD工藝，PECVD工藝采用流量比為0.09——0.15的SiHJP NH3沉積至少兩層總厚度為85——95nm的氮化硅薄膜，PECVD工藝過程中的溫度為430—470°C，持續時間為10——15分鐘；
所述未附氮化硅薄膜的一面通過絲網印刷工藝印制背電場和背電極，并燒結，背電場通過絲網印刷鋁漿制成，背電極通過絲網印刷銀漿制成；
所述附有所述氮化硅薄膜的一面均勻涂覆一層磷液，采用激光按工藝要求的圖形在氮化硅薄膜上掃描，形成細柵開槽，并在該細柵開槽處形成重摻雜發射極，磷液為包含有磷酸、酒精、水和丙酮的混合液，其中，磷酸的質量比為30—45%，涂覆為旋涂或噴涂方式。
[0009]以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。
【主權項】
1.一種高效節能的太陽能電池制作方法，其特征在于:所述的硅片依次進行制絨、擴散、刻蝕和去PSG工藝；將硅片置于加熱的堿液中進行背面拋光處理，堿液為質量比1% — 5%的NaOH溶液，加熱的溫度為75—85°C，拋光處理的延續時間為10 —15分鐘；進行PECVD工藝，PECVD工藝采用流量比為0.09——0.15的SiH、和NH3沉積至少兩層總厚度為85——95nm的氮化硅薄膜，PECVD工藝過程中的溫度為430—470°C，持續時間為10——15分鐘。2.根據權利要求1所述的一種高效節能的太陽能電池制作方法，其特征在于:所述未附氮化硅薄膜的一面通過絲網印刷工藝印制背電場和背電極，并燒結，背電場通過絲網印刷鋁漿制成，背電極通過絲網印刷銀漿制成。3.根據權利要求1所述的一種高效節能的太陽能電池制作方法，其特征在于:所述附有所述氮化硅薄膜的一面均勻涂覆一層磷液，采用激光按工藝要求的圖形在氮化硅薄膜上掃描，形成細柵開槽，并在該細柵開槽處形成重摻雜發射極，磷液為包含有磷酸、酒精、水和丙酮的混合液，其中，磷酸的質量比為30—45%，涂覆為旋涂或噴涂方式。
【專利摘要】本發明公開了一種高效節能的太陽能電池制作方法，所述的硅片依次進行制絨、擴散、刻蝕和去PSG工藝；將硅片置于加熱的堿液中進行背面拋光處理，堿液為質量比1%—5%的NaOH溶液，加熱的溫度為75—85℃，拋光處理的延續時間為10—15分鐘；進行PECVD工藝，PECVD工藝采用流量比為0.09—0.15的SiH、和NH3沉積至少兩層總厚度為85—95nm的氮化硅薄膜，PECVD工藝過程中的溫度為430—470℃，持續時間為10—15分鐘。本發明提出其設計符合理論，流程簡單可行，材料利用率高，不僅極大節省了成本，而且在一定程度上，延長了太陽能電池的使用壽命，具有較大的推廣價值。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN104979422
【申請號】CN201410132870
【發明人】王曉蕊
【申請人】哈爾濱市宏天銳達科技有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2014年4月3日