一種晶圓級封裝用保護封蓋及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明公開了一種晶圓級封裝用保護封蓋，本發明屬于半導體封裝技術領域。
【背景技術】
[0002]晶圓級封裝一般要對晶圓背部進行互聯工藝，包括減薄，研磨，刻蝕及切割等工藝，很容易傷害晶圓的正面區域，因此在晶圓級封裝之前，會先用一層玻璃之類的封蓋鍵合在晶圓的正面，一是起到保護晶圓正面的作用，二是為后面的研磨和切割工藝提供負載作用。
[0003]但是隨著人們對芯片的功能要求越來越嚴格，對于很多高靈敏度的芯片來說，這層封蓋多少會影響到正常的工作能力。例如當影像傳感器像素超過500萬以后，像素尺寸變小，這樣就需要其光響應能力增強，此時在外面加一層玻璃封蓋則會影響到芯片的保真能力。而對于某些MEMS傳感器來說，在其外面加一層封蓋會影響其敏感度，尤其是對于氣體感應類的傳感器來說，則完全不能有封蓋遮擋。因此對于晶圓級封裝來說，在封裝的最后流程中使晶粒和封蓋分離就成為必要程序。
[0004]因為封蓋是以打膠的方式跟晶圓臨時鍵合在一起的，對該封蓋進行分離，一般采用激光類對膠進行去鍵合作業，利用激光的高能量將膠的化學鍵打斷，使其喪失粘合能力。但是激光能量很高，像圖像傳感器和MEMS這樣具有高靈敏度感應區域的芯片，一旦其感應區域被激光掃到，就會產生無法修復的損傷。因此在去鍵合時，封蓋打膠的區域要能夠透過激光，這樣才能正常去鍵合，同時該封蓋對于芯片的感應區域又要有防止激光透過的能力。
【發明內容】
[0005]本發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種只有指定區域能透過激光的一種晶圓級封裝用保護封蓋。
[0006]按照本發明提供的技術方案，所述一種晶圓級封裝用保護封蓋，它包括封蓋與阻擋激光薄膜；阻擋激光薄膜安裝在封蓋上，相鄰兩片阻擋激光薄膜在水平方向上具有間隙。
[0007]作為優選:所述阻擋激光薄膜間隔黏貼在封蓋的上表面。
[0008]作為優選:所述阻擋激光薄膜位于封蓋內。
[0009]作為優選:所述封蓋的材質是S12玻璃、樹脂玻璃、氧化鋁薄膜或者氧化鋯陶瓷。所述封蓋的厚度為30um~500um。
[0010]作為優選:所述阻擋激光薄膜為氧化鋁薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、酚醛樹脂或者環氧樹脂。所述阻擋激光薄膜的厚度為10nm~100um。
[0011]本發明的封蓋只在相鄰兩片阻擋激光薄膜之間能透過激光，其他位置不透激光，因此本封蓋在晶圓級封裝作業完成后通過激光去鍵合的方式與切割好的芯片進行分離，同時又保護了芯片的感應區域免受激光的損傷。
【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1是本發明實施例1的結構示意圖。
[0014]圖2是本發明實施例2的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結合具體實施例對本發明作進一步說明。
[0016]以下將結合附圖所示的【具體實施方式】對本發明進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本發明，本領域的普通技術人員根據這些實施方式所做出的結構、方法、或功能上的變換均包含在本發明的保護范圍內。
[0017]此外，在不同的實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間具有任何關聯性。
[0018]本發明的各實施方式中提到的有關于步驟的標號，僅僅是為了描述的方便，而沒有實質上先后順序的聯系。各【具體實施方式】中的不同步驟，可以進行不同先后順序的組合，實現本發明的發明目的。
[0019]實施例1
一種晶圓級封裝用保護封蓋，它包括封蓋I與阻擋激光薄膜2 ;阻擋激光薄膜2安裝在封蓋I上，相鄰兩片阻擋激光薄膜2在水平方向上具有間隙，所述阻擋激光薄膜2間隔黏貼在封蓋I的上表面。
[0020]所述封蓋I的材質是S12玻璃，封蓋I的厚度為30 um。
[0021]所述阻擋激光薄膜2的材質為聚丙烯酸酯薄膜，阻擋激光薄膜2的厚度為10nm。
[0022]實施例2
一種晶圓級封裝用保護封蓋，它包括封蓋I與阻擋激光薄膜2 ;阻擋激光薄膜2安裝在封蓋I上，相鄰兩片阻擋激光薄膜2在水平方向上具有間隙，所述阻擋激光薄膜2間隔黏貼在封蓋I的上表面。
[0023]所述封蓋I的材質是樹脂玻璃，封蓋I的厚度為100 um。
[0024]所述阻擋激光薄膜2的材質為氧化鋁薄膜，阻擋激光薄膜2的厚度為40nm。
[0025]實施例3
一種晶圓級封裝用保護封蓋，它包括封蓋I與阻擋激光薄膜2 ;阻擋激光薄膜2安裝在封蓋I上，相鄰兩片阻擋激光薄膜2在水平方向上具有間隙，所述阻擋激光薄膜2位于封蓋I內。
[0026]所述封蓋I的材質是氧化鋁薄膜，封蓋I的厚度為300 um。
[0027]所述阻擋激光薄膜2的材質為聚丙烯酸酯薄膜，阻擋激光薄膜2的厚度為70nm。
[0028]實施例4
一種晶圓級封裝用保護封蓋，它包括封蓋I與阻擋激光薄膜2 ;阻擋激光薄膜2安裝在封蓋I上，相鄰兩片阻擋激光薄膜2在水平方向上具有間隙，所述阻擋激光薄膜2位于封蓋I內。
[0029]所述封蓋I的材質是氧化鋯陶瓷，封蓋I的厚度為500 um。
[0030]所述阻擋激光薄膜2的材質為環氧樹脂，阻擋激光薄膜2的厚度為lOOnm。
[0031]本發明中，封蓋I的材質可以是有機玻璃、無機玻璃、樹脂、半導體材料、氧化物晶體、陶瓷、金屬、有機塑料、無機氧化物或者陶瓷材料，該封蓋可以是透明的也可以是不透明的，可以是一層單一物質組成的薄片，也可以是多層同一物質或不同物質組成的薄片；該封蓋I可以被激光穿過，所述封蓋I的厚度為30um~500um。
[0032]本發明中，阻擋激光薄膜2的材質可以是金屬、光阻材料、玻璃、無機玻璃、樹脂、半導體材料、氧化物晶體、陶瓷、金屬、有機塑料、無機氧化物或者陶瓷材料，可以是透明的也可以是不透明的，可以是一層單一物質組成的薄膜，也可以是多層同一物質或不同物質組成的薄膜，其作用是阻擋激光穿過，所述阻擋激光薄膜2的厚度為10nm~100um。
[0033]該阻擋激光薄膜2可以是先整體沉積在封蓋上，然后再通過蝕刻的手段移除要露出區域的部分阻擋激光薄膜2來實現的，也可以是絲網印刷或者直接用膠帶粘在封蓋上的；該阻擋激光薄膜2與封蓋I的結合力較強，可以進行重復使用而不會發生脫落；為了保護該阻擋激光薄膜2不會受到后續工藝的損傷，該阻擋激光薄膜2也可以做在封蓋I的內部位置。
[0034]本領域技術人員而言，顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0035]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【主權項】
1.一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:它包括封蓋(I)與阻擋激光薄膜(2);阻擋激光薄膜(2)安裝在封蓋(I)上，相鄰兩片阻擋激光薄膜(2)在水平方向上具有間隙。2.如權利要求1所述的一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:所述阻擋激光薄膜(2)間隔黏貼在封蓋(I)的上表面。3.如權利要求1所述的一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:所述阻擋激光薄膜(2)位于封蓋(I)內。4.如權利要求1、2或3所述的一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:所述封蓋(I)的材質是S12玻璃、樹脂玻璃、氧化鋁薄膜或者氧化鋯陶瓷。5.如權利要求4所述的一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:所述封蓋(I)的厚度為30um~500umo6.如權利要求1、2或3所述的一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:所述阻擋激光薄膜(2)為氧化鋁薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、酚醛樹脂或者環氧樹脂。7.如權利要求6所述的一種晶圓級封裝用保護封蓋，其特征是:所述阻擋激光薄膜(2)的厚度為10nm~100um。
【專利摘要】本發明公開了一種晶圓級封裝用保護封蓋，它包括封蓋與阻擋激光薄膜；阻擋激光薄膜安裝在封蓋上，相鄰兩片阻擋激光薄膜在水平方向上具有間隙。本發明的封蓋只在相鄰兩片阻擋激光薄膜之間能透過激光，其他位置不透激光，因此本封蓋在晶圓級封裝作業完成后通過激光去鍵合的方式與切割好的芯片進行分離，同時又保護了芯片的感應區域免受激光的損傷。
【IPC分類】H01L21/56, H01L23/28
【公開號】CN104966701
【申請號】CN201510412426
【發明人】馮光建
【申請人】華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年7月14日