硅基板的分斷方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種硅基板的分斷方法，在硅基板上形成槽而進行分斷。
【背景技術】
[0002]以往，在分斷硅基板時，大多是使用切割鋸等進行分斷。此外，在專利文獻I中提出一種玻璃陶瓷基板的分斷方法，以輕荷重對玻璃陶瓷基板進行多次劃線后使其斷裂。
[0003][【背景技術】文獻]
[0004][專利文獻]
[0005][專利文獻I]日本專利特開2001-113521號公報
【發明內容】
[0006][發明要解決的問題]
[0007]專利文獻I中是對玻璃陶瓷基板進行多次劃線，但并非分斷硅基板的方法。此外，在分斷玻璃板時，廣泛使用的方法是，利用劃線裝置在玻璃板上形成刻劃線，沿著刻劃線使其斷裂，由此進行分斷，從而考慮將該分斷方法應用于硅基板。
[0008]例如，如圖1 (a)所示，在硅基板10上利用劃線輪11進行劃線。然后，翻轉硅基板10，以刻劃線S位于一對支撐構件12a、12b中間的方式配置硅基板10。接著，若使斷裂桿13從上部垂直地下降，沿著下方刻劃線S的龜裂便會向上方進展，如圖1 (c)所示，可與玻璃板同樣地進行分斷。
[0009]但是，將該分斷方法應用于分斷硅基板時，如圖1(d)所示，有分斷端面容易產生毛邊等而端面的垂直性下降之類的問題。
[0010]本發明的目的在于，通過劃線及斷裂來分斷硅基板時，能夠提升端面精度地進行分斷。
[0011][解決問題的技術手段]
[0012]為了解決所述問題，本發明的硅基板的分斷方法為，在所述硅基板的一面沿著分斷預定線形成槽，從所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿著與所述槽對應的線形成刻劃線，將斷裂桿沿著所述刻劃線抵壓于所述硅基板的形成有槽的面并使其斷裂，由此沿著刻劃線進行分斷。
[0013]于此，所述硅基板的槽可通過照射激光而形成。
[0014]所述硅基板的槽可以具有至少10 μ m的深度。
[0015][發明效果]
[0016]根據具有此種特征的本發明，預先沿著硅基板的分斷預定線形成槽，沿著此槽而在相反面形成刻劃線，從槽部分按下斷裂桿使其斷裂，由此使硅基板斷裂。這樣，沿著刻劃線的龜裂會朝向槽深入，因此獲得能提升端面精度的效果。
【附圖說明】
[0017]圖1 (a)-(d)是表示以往分斷硅基板的一個例子的圖。
[0018]圖2(a)_(e)是表示本發明的實施方式的硅基板的分斷處理的圖。
[0019]圖3(a)_(c)是表示本發明的實施方式的硅基板上形成的槽的不同例子的放大剖視圖。
【具體實施方式】
[0020]接下來，說明本發明的實施方式。圖2(a)是表示本發明的實施方式的成為分斷對象的娃基板20的圖。該基板為具有例如0.4mm厚度的娃基板。
[0021]而且，以特定圖案分斷該硅基板20時，首先，如圖2 (b)所示，沿著分斷預定線形成槽21。形成該槽21時利用激光或蝕刻而形成。本實施方式中是使用YAG激光作為激光，使例如3倍波(355nm)波長的YAG激光脈沖振蕩后照射至成為槽的部分，由此沿著分斷預定線形成槽21。如圖3(a)所示，例如槽21的寬度w為10?15 μ m、深度d為30 μπι。
[0022]接著，如圖2(c)所示，翻轉硅基板20，從槽21的相反面利用未圖示的劃線裝置按壓并轉動劃線輪11，而沿著槽21進行劃線。這樣形成的刻劃線為刻劃線S。此時使用的劃線輪11可以是最外周邊部的脊線處未形成切口或槽的常規劃線輪(普通劃線輪)，也可以是刀尖形成這切口或槽的高滲透型或非高滲透型的劃線輪(日本專利文獻3074143號、日本專利文獻5022602號、日本專利文獻5078354號、日本專利文獻5055119號等)。
[0023]接下來，如圖2(d)所示，翻轉硅基板20，以刻劃線S位于未圖示的斷裂裝置的一對支撐構件12a、12b中間的方式配置硅基板20。然后，從刻劃線S的正上方下壓斷裂桿13，進行斷裂。
[0024]這樣，如圖2 (e)所示，可以沿著刻劃線S將硅基板20完全地分斷而單片化，從而可提升端面精度。且若呈格子狀分斷硅基板，便能獲得大體正方形的個別芯片。
[0025]所述實施方式中，是照射3倍波的YAG激光而在硅基板形成槽，但并不限定于此，也可以利用其他形式的激光來形成槽。此外，還可以使用等離子蝕刻等干式蝕刻、或濕式蝕刻來形成槽。
[0026]此外，所述實施方式中，是將槽21的形狀形成為例如剖面大體正方形狀，但如圖3(b)所示，也可以是底面彎曲的形狀的槽。此外，如圖3(c)所示，還可以是剖面為V字狀的槽。
[0027]此外，所述實施方式中，對于0.4mm厚度的娃基板，槽21的深度d設為30 μπι，通過將深度設為至少1ym以上，分斷時可以提升端面的直線性。若硅基板的厚度變大，需要使槽的深度d更深。
[0028][工業上的可利用性]
[0029]本發明可以使用劃線裝置和斷裂裝置容易地分斷硅基板，對于微小硅基板的制造有效。
[0030][符號說明]
[0031]10,20 硅基板
[0032]11劃線輪
[0033]12a、12b 支撐構件
[0034]13斷裂桿
[0035]21槽
[0036]S刻劃線
【主權項】
1.一種硅基板的分斷方法， 在所述硅基板的一面沿著分斷預定線形成槽， 從所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿著與所述槽對應的線形成刻劃線， 沿著所述刻劃線，將斷裂桿抵壓于所述硅基板的形成著槽的面而使其斷裂，由此沿著刻劃線進行分斷。2.根據權利要求1所述的硅基板的分斷方法，其中所述硅基板的槽是通過照射激光而形成。3.根據權利要求1所述的硅基板的分斷方法，其中所述硅基板的槽具有至少10μπι的深度。
【專利摘要】本發明涉及硅基板的分斷方法，課題為分斷硅基板時提升端面的垂直性。在硅基板(20)的一面沿著分斷預定線形成槽(21)。然后，從所述槽(21)的相反面沿著槽(21)而利用劃線裝置形成刻劃線(S)。接著，翻轉硅基板(20)，從具有槽(21)的面起，沿著槽下降斷裂桿(13)而使其斷裂。這樣，沿著刻劃線的龜裂朝向槽深入，因此能將硅基板(20)完全地分斷，從而可提升端面的精度。
【IPC分類】H01L21/78
【公開號】CN104952793
【申請號】CN201410803206
【發明人】武田真和, 村上健二, 木山直哉, 田村健太
【申請人】三星鉆石工業股份有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年12月19日