一種陶瓷薄膜電阻的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及膜電阻產品，特別涉及一種具有較佳散熱率與穩定性的陶瓷電阻，屬于電子元件領域。
【背景技術】
[0002]隨著電子產品日漸微小化的趨勢，所有主動元件、被動元件也必須隨著電路板尺寸的縮小而加以縮減其體積，以適應電子產品微小化的潮流。以被動元件的薄膜電阻為例，由于其體積極小，因此其所能容許的制程誤差將更為嚴格，對于小尺寸且單價又低的被動元件而言，如何維持產品的導通性及穩定性，成為業者最關切的課題。
[0003]陶瓷電阻長時間處于高溫作業環境，熱量未及時導離的話，會蓄積在陶瓷電阻層，導致電阻層隆起形變，限制了陶瓷電阻于大功率發熱體中的應用。而且陶瓷電阻端面與金屬件的接觸性能不好，也有可能導致導通性較差。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于提供一種熱穩定性能及導通性能良好，可在大功率發熱體上應用的的陶瓷薄膜電阻。
[0005]本發明的陶瓷薄膜電阻，包括:陶瓷基層、設置于陶瓷基層上的雙層鍍膜電阻層、以及噴涂于雙層鍍膜電阻層兩側端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層，電阻體外包覆環氧樹脂。
[0006]所述雙層鍍膜電阻層直接與陶瓷基層結合的是金屬鉭層，表層是氮化鉭層，該雙電阻膜層的厚度為0.5-1.5/te。
[0007]所述金屬外膜層為銅或鋁。
[0008]本發明的有益之處在于:設置于電阻底層和側端面的金屬外膜層，大大優化了電阻的散熱性能，使得薄膜電阻的熱穩定性更好；同時，金屬外膜層與陶瓷基層的接觸面積加大，使得導通性能更良好，而且這種半包覆狀態的電阻結構強度好，不易形變或損壞。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發明電阻的結構示意圖。
[0010]其中，I為陶瓷基層，2為金屬鉭層，3為氮化鉭層，4為金屬外膜層。
【具體實施方式】
[0011]如圖1所示，本發明的陶瓷薄膜電阻，包括陶瓷基層1，設置于陶瓷基層I上的金屬鉭層2，和鍍于表層的氮化鉭層3，以及噴涂于該金屬鉭層2和氮化鉭層3兩側端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層4。
【主權項】
1.一種陶瓷薄膜電阻，其特征在于，包括陶瓷基層(I)和設置于陶瓷基層上的雙層鍍膜電阻層，所述雙層鍍膜電阻層與陶瓷基層結合的是金屬鉭層(2)，表層是氮化鉭層(3)，還包括噴涂于雙層鍍膜電阻層兩側端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層(4)，電阻體外包覆環氧樹脂。2.根據權利要求1所述的一種陶瓷薄膜電阻，其特征在于，所述雙電阻膜層的厚度為0.5?1.5細。3.根據權利要求1所述的一種陶瓷薄膜電阻，其特征在于，所述金屬外膜層為銅或招O
【專利摘要】本發明公開了一種陶瓷薄膜電阻，包括陶瓷基層、設置于陶瓷基層上的雙層鍍膜電阻層、以及噴涂于雙層鍍膜電阻層兩側端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層。設置于電阻底層和側端面的金屬外膜層，大大優化了電阻的散熱性能，同時，金屬外膜層與陶瓷基層的接觸面積加大，使得導通性能更良好。
【IPC分類】H01C7/00, H01C1/084
【公開號】CN104952567
【申請號】CN201510267568
【發明人】王良偉
【申請人】南京新輝科教儀器有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年5月25日