套刻工藝控制方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體制備工藝，具體涉及一種套刻工藝控制方法。
【背景技術】
[0002]目前，在現有技術的光刻工藝控制(lithography process control)中米用自動工藝控制(Automated Process Control, APC)來避免套刻誤差(overlay error)。按照慣例，套刻誤差是通過顯影后光學檢測(post develop optical metrology)來進行采集,并輸入至APC系統，再由APC系統反饋該批次產品工藝控制的優化設置。
[0003]然而，對于某些特定的工藝層，顯影后的套刻誤差檢測會受一些因素干擾(如光阻涂層不對稱(asymmetric resist coating)等…),不能很好的反應真實情況,而在蝕刻工藝后檢測能更真實的反應套刻誤差，可以得到更精確的檢測結果。
[0004]如圖1所示，為現有技術中蝕刻后套刻自動工藝控制流程，其包含:步驟I’、進行光刻工藝；步驟2’、顯影后進行檢測；步驟3’、進行蝕刻工藝；步驟4’、蝕刻后進行檢測獲取蝕刻后套刻誤差數據并輸出至APC系統；步驟5’、APC系統反饋優化設置，根據APC反饋調整優化設置并跳轉到步驟I，循環進行工藝流程。其中APC系統優化設置的方式是將原套刻工藝參數去除蝕刻后檢測誤差獲得的新套刻工藝參數。
[0005]對于這些特定層，進行蝕刻后套刻誤差檢測，APC基于蝕刻套刻誤差進行反饋，這樣可以消除顯影后套刻誤差檢測數據不真實帶來的偏差，但是對于一個批次(lot)產品的工藝控制來說此時收到針對該批次的APC反饋報告，時間延遲已經過長。
【發明內容】
[0006]本發明提供一種套刻工藝控制方法，可以解決反饋時間延遲過長的問題，可在完成顯影工藝后的檢測工序時快速提供反饋報告，便于工藝控制，降低晶圓返工率。
[0007]為實現上述目的，本發明提供一種套刻工藝控制方法，其特點是，該方法包含以下步驟:
將顯影后檢測獲取的顯影后套刻誤差結果直接發送至自動工藝控制系統；
自動工藝控制系統根據顯影后套刻誤差結果輸出工藝控制的優化設置以改善工藝。
[0008]上述顯影工藝前進行光刻工藝。
[0009]上述顯影后檢測完成后進行蝕刻工藝。
[0010]上述蝕刻工藝完成后進行蝕刻后檢測，將蝕刻后檢測獲取的套準偏移數據發送至自動工藝控制系統；自動工藝控制系統根據該結果對工藝設置作進一步優化。
[0011]上述自動工藝控制系統反饋的優化設置包含:原套刻工藝參數去除顯影后套刻誤差和套準偏移數據所獲得優化后的新套刻工藝參數。
[0012]上述套準偏移數據為蝕刻后套刻誤差與顯影后套刻誤差的差值，且實時更新。
[0013]本發明套刻工藝控制方法和現有技術的套刻控制技術相比，其優點在于，本發明在完成顯影后檢測后直接將誤差結果發送給自動工藝控制系統，實現在一個批次產品在顯影后檢測完成后馬上就可以給套刻控制提供快速的反饋報告，解決反饋時間延遲過長的問題。使套刻工藝控制更穩定，減少套刻工藝的返工率。
【附圖說明】
[0014]圖1為現有技術中套刻工藝的控制流程圖；
圖2為本發明套刻工藝控制方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖，進一步說明本發明的具體實施例。
[0016]如圖2所示，公開了一種套刻工藝控制方法的實施例，該方法包含以下步驟:
步驟1、晶圓進行光刻工藝(Lithography process),并完成光刻顯影(develop)。
[0017]步驟2、對晶圓進行顯影后檢測(post develop metrology)獲取顯影后套刻誤差(post develop overlay error)結果,并直接發送至自動工藝控制系統(APC system)。本發明不在完成蝕刻后才發送誤差結果，實現對套刻工藝控制的不延遲。
[0018]步驟3、完成顯影后檢測后,對晶圓進行套刻蝕刻工藝(Etch process)。
[0019]步驟4、進行蝕刻后檢測(post etch metrology),獲得蝕刻偏差數據(biasdata)，并輸出至自動工藝控制系統。將蝕刻后檢測獲取的套準偏移數據發送至自動工藝控制系統；自動工藝控制系統根據該結果對工藝設置作進一步優化。
[0020]步驟5、自動工藝控制系統獲得顯影后套刻誤差和蝕刻偏差數據，反饋出工藝控制的優化設置以改善工藝。自動工藝控制系統反饋的優化設置包含:原套刻工藝參數去除顯影后套刻誤差和套準偏移數據所獲得優化后的新套刻工藝參數。
[0021]其中，該套準偏移數據是基于蝕刻后套刻誤差和顯影后套刻誤差計算獲得。隨著蝕刻工藝后套刻誤差檢測完成，套準偏移數據為蝕刻后套刻誤差與顯影后套刻誤差的差值實時更新。
[0022]盡管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容后，對于本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護范圍應由所附的權利要求來限定。
【主權項】
1.一種套刻工藝控制方法，其特征在于，該方法包含以下步驟: 將顯影后檢測獲取的顯影后套刻誤差結果直接發送至自動工藝控制系統； 自動工藝控制系統根據顯影后套刻誤差結果輸出工藝控制的優化設置以改善工藝。2.如權利要求1所述的套刻工藝控制方法，其特征在于，所述顯影工藝前進行光刻工藝。3.如權利要求1所述的套刻工藝控制方法，其特征在于，所述顯影后檢測完成后進行蝕刻工藝。4.如權利要求3所述的套刻工藝控制方法，其特征在于，所述蝕刻工藝完成后進行蝕刻后檢測，將蝕刻后檢測獲取的套準偏移數據發送至自動工藝控制系統；自動工藝控制系統根據該結果對工藝設置作進一步優化。5.如權利要求4所述的套刻工藝控制方法，其特征在于，所述自動工藝控制系統反饋的優化設置包含:原套刻工藝參數去除顯影后套刻誤差和套準偏移數據所獲得優化后的新套刻工藝參數。6.如權利要求4或5所述的套刻工藝控制方法，其特征在于，所述套準偏移數據為蝕刻后套刻誤差與顯影后套刻誤差的差值，且實時更新。
【專利摘要】本發明公開一種套刻工藝控制方法，該方法包含以下步驟：將顯影后檢測獲取的顯影后套刻誤差結果直接發送至自動工藝控制系統；自動工藝控制系統根據顯影后套刻誤差結果輸出工藝控制的優化設置以改善工藝；將蝕刻后檢測獲取的套準偏移數據發送至自動工藝控制系統；自動工藝控制系統根據該結果對工藝設置作進一步優化。本發明在完成顯影后檢測后直接將誤差結果發送給自動工藝控制系統，實現在一個批次產品在顯影后檢測完成后馬上就可以給套刻控制提供快速的反饋報告，解決反饋時間延遲過長的問題。使套刻控制更穩定，減少套刻工藝的返工率。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN104934338
【申請號】CN201410099790
【發明人】金樂群, 趙新民, 周孟興
【申請人】上海華虹宏力半導體制造有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2014年3月18日