量視該電子組件11的種類而有所不同，例如當電子組件Ila為金氧半導體場效晶體管(MOSFET)時，則具有三個導接端110，亦即如圖5所示的電子組件11a。當電子組件11為電容、電阻或二極管等，則具有兩個導接端110，亦即如圖5所示的為二極管的電子組件11b，及為電容或電阻的電子組件11c。當然，封裝結構5內的多個電子組件11并不局限于圖5所示，可依實際需求來搭配設置。
[0079]此外，由圖5所示可知，為了使多個電子組件11中的每一電子組件11的水平相對兩側皆存在導熱部件14，使每一電子組件11皆可通過水平相對兩側的導熱部件14來進行散熱，因此任兩個相鄰的導熱部件14之間可設置一電子組件11。
[0080]圖6為本發明第六實施例的封裝結構的剖面結構示意圖。相較于圖5所示的第五實施例，本實施例的封裝結構6還具有由金屬所構成的至少一導腳(pin) 60，該導腳60設置且連接于對應的第一導電層12的第一導電圖形120上，其設置方式(可為但不限于)例如是焊錫焊接、超音波焊接、熱壓焊接、電熱焊接或機械嵌入等，借此封裝結構6便可利用導腳60插接于系統電路板上，而當導腳60插接于系統電路板上時，也可利用焊接方式固定于系統電路板上。
[0081]綜上所述，本發明提供一種封裝結構，其通過導電通孔分別連接內埋于絕緣層的電子組件的導接端以及設置于絕緣層的表面的導電層之間，而導熱部件亦部分內埋于絕緣層并設置于電子組件的至少一側邊，例如設置于電子組件的水平相對兩側，使電子組件運作時所產生的熱能可分別通過導電層以及導熱部件而以垂直及水平方向的熱傳導路徑傳導至封裝結構的外部，以提升封裝結構的散熱效率。此外，本發明的封裝結構具有分別設置于絕緣層的頂面的第一導電層以及設置于絕緣層的底面及第二導電層，使得封裝結構可具有雙邊電性連接功能及多邊散熱功能。更甚者,本發明的電子組件直接內埋于絕緣層內，并利用第一導電通孔及第二導電通孔使電子組件的導接端與第一導電圖形以及第二導電圖形相導通，故本發明的封裝結構可降低成本并提升使用壽命。再者，本發明的封裝結構將導熱部件內埋于絕緣層內，并通過導線架來構成導熱部件，因此也可加強封裝結構的整體機械強度，并防止封裝結構的變形。
[0082]本發明得由本領域技術人員任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附權利要求請求保護的專利范圍。
【主權項】
1.一種封裝結構，包含: 一絕緣層，具有至少一第一導電通孔及至少一第二導電通孔； 一第一導電層，設置于該絕緣層的一頂面上，且與該至少一第一導電通孔連接而導通； 一第二導電層，設置于該絕緣層的一底面上，且與對該至少一第二導電通孔連接而導通； 至少一電子組件，內埋于該絕緣層內，且具有多個導接端，其中該多個導接端通過該至少一第一導電通孔及該至少一第二導電通孔而與該第一導電層及該第二導電層相導通；以及 至少一導熱部件，內埋于該絕緣層內，且設置于該至少一電子組件的至少一側邊，該至少一導熱部件部分外露于該絕緣層，以傳導該至少一電子組件產生的熱能至該封裝結構的外部。2.如權利要求1所述的封裝結構，其中該絕緣層具有一第一側面及一第二側面，該第一側面與該第二側面相對，且該至少一導熱部件部分外露于該絕緣層的該第一側面或該第二側面。3.如權利要求1所述的封裝結構，其中該至少一第一導電通孔位于該絕緣層中，并暴露于該絕緣層的頂面且與該第一導電層相接觸，且該至少一第二導電通孔位于該絕緣層中并暴露于該絕緣層的底面且與該第二導電層相接觸。4.如權利要求3所述的封裝結構，其中該至少一電子組件位于該至少一第一導電通孔以及該至少一第二導電通孔之間。5.如權利要求3所述的封裝結構，其中該第一導電層包括至少一個第一導電圖形，該第二導電層包括至少一個第二導電圖形。6.如權利要求5所述的封裝結構，其中該至少一第一導電圖形與該至少一第一導電通孔相連接而導通，且該至少一第二導電圖形與該至少一第二導電通孔相連接而導通。7.如權利要求6所述的封裝結構，其中該電子組件具有一上表面及一下表面，其中位于該電子組件的該上表面的每一個該導接端通過對應的該第一導電通孔與對應的該第一導電圖形導通，且位于該電子組件的該下表面的每一個該導接端通過對應的該第二導電通孔與對應的該第二導電圖形的導通。8.如權利要求5所述的封裝結構，其中該絕緣層還具有一第三導電通孔，該第三導電通孔的一端與對應的該第一導電圖形及對應的該第二導電圖形其中的一相連接，該第三導電通孔的另一端與對應的該至少一導熱部件相連接。9.如權利要求5所述的封裝結構，其中該至少一導熱部件包括多個導熱部件，該多個導熱部件之間彼此獨立而隔離。10.如權利要求9所述的封裝結構，其中該絕緣層還具有一第四導電通孔及一第五導電通孔，該第四導電通孔的一端與對應的該第一導電圖形相連接，該第四導電通孔的另一端與對應的該至少一導熱部件相連接，該第五導電通孔的一端與對應的該第二導電圖形相連接，該第五導電通孔的另一端與對應的該至少一導熱部件相連接。11.如權利要求5所述的封裝結構，其更包括至少一導腳，設置與連接于對應的該第一導電圖形上。12.如權利要求1所述的封裝結構，其中該至少一電子組件包括多個電子組件，且該至少一導熱部件包括多個導熱部件，任兩個相鄰的該導熱部件之間設置一個該電子組件。13.如權利要求1所述的封裝結構，其中該至少一導熱部件由具導電及導熱特性的一金屬材質的導線架或具導熱特性的一陶瓷基板所構成。14.如權利要求1所述的封裝結構，其還包括一散熱裝置，該散熱裝置與該第二導電層相鄰地外接于該封裝結構的一側。15.如權利要求14所述的封裝結構，其中該散熱裝置為有源式散熱裝置或無源式散熱>j-U ρ?α裝直。16.如權利要求14所述的封裝結構，其還包括一絕緣散熱層，設置于該第二導電層與該散熱裝置之間。17.如權利要求16所述的封裝結構，其還包括一金屬層，設置該絕緣散熱層與該散熱裝置之間。18.如權利要求1所述的封裝結構，其中該電子組件為無源組件或有源組件。19.如權利要求1所述的封裝結構，其中該電子組件為芯片、整合性功率組件、金屬氧化物半導體場效晶體管、絕緣柵雙極性晶體管、二極管、電容、電阻、電感或保險絲。
【專利摘要】本發明關于一種封裝結構，包含絕緣層、至少一電子組件、一第一導電層、一第二導電層及至少一導熱部件。絕緣層具有至少一導電通孔及至少一第二導電通孔。第一導電層設置于絕緣層的頂面上且與至少一第一導電通孔連接而導通。第二導電層設置于絕緣層的底面上且與至少一第二導電通孔連接而導通。電子組件內埋于絕緣層內，且具有多個導接端，導接端通過至少一第一導電通孔及至少一第二導電通孔與第一導電層及第二導電層相導通。至少一導熱部件部分內埋于絕緣層內且設置于電子組件的至少一側邊，用以傳導電子組件產生的熱能至封裝結構的外部。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/367
【公開號】CN104900609
【申請號】CN201410127108
【發明人】陳大容
【申請人】臺達電子國際（新加坡）私人有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年3月31日
【公告號】US20150255380