Igbt器件的散熱結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種IGBT器件的散熱結構。
【背景技術】
[0002]隨著中國經濟的高速發展，高鐵、地鐵、城市軌道交通、風電、太陽能、清潔能源等領域均在不斷發展，在這些領域中，IGBT模塊被廣泛的應用于這些領域的逆變裝置中。同時，由于科學技術的進步和發展，高技術含量、結構復雜的變流裝置專業化分工極強、更加趨于模塊化。如此大規模的模塊化部件生產，對IGBT模塊在產品一致性及可靠性等方面要求極高。IGBT模塊一般包括底板以及散熱結構，其中上述底板和散熱結構對模塊的穩定工作所起的作用尤為重要，但是IGBT模塊為了滿足標準化等需求，其長寬尺寸通常是保持不變，因此在固定尺寸的要求下，無法采用較大尺寸的底板和散熱結構，從而提高產品散熱效果則變的非常困難。
【發明內容】
[0003]有鑒于此，本發明提供了一種IGBT器件的散熱結構，以克服現有的IGBT器件的散熱結構散熱效果不佳的問題。
[0004]為了實現上述目的，本發明實施例提供的技術方案如下:
[0005]一種IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干凹槽，所述底板上設置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。
[0006]作為本發明的進一步改進，所述若干凹槽為錐形槽，所述若干凸起為形狀與所述錐形槽相配合的錐形凸起。
[0007]作為本發明的進一步改進，所述若干凹槽等間距且平行設置于所述散熱結構的表面。
[0008]作為本發明的進一步改進，所述基板為DBC板，所述IGBT芯片通過焊料焊接于所述DBC板上。
[0009]作為本發明的進一步改進，所述底板與所述散熱結構之間設置有導熱硅脂。
[0010]作為本發明的進一步改進，所述凹槽的底面為弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形結構。
[0011]為實現上述發明目的，本發明還提供一種IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干盲孔，所述底板上設置有與所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
[0012]與現有技術相比，本發明的有益效果是:本發明的IGBT器件的散熱結構在IGBT器件尺寸固定的情況下，具有良好的散熱效果，保證了產品的可靠性、穩定性、以及安全性，同時延長了產品的使用壽命。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本發明的IGBT器件的散熱結構一【具體實施方式】的平面結構示意圖；
[0015]圖2為本發明的IGBT器件的散熱結構另一【具體實施方式】的平面結構示意圖；
[0016]圖3為本發明的IGBT器件的散熱結構再一【具體實施方式】的平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]本發明公開一種IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干凹槽，所述底板上設置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。
[0018]作為本發明的進一步改進，所述若干凹槽為錐形槽，所述若干凸起為形狀與所述錐形槽相配合的錐形凸起。
[0019]作為本發明的進一步改進，所述若干凹槽等間距且平行設置于所述散熱結構的表面。
[0020]作為本發明的進一步改進，所述基板為DBC板，所述IGBT芯片通過焊料焊接于所述DBC板上。
[0021]作為本發明的進一步改進，所述底板與所述散熱結構之間設置有導熱硅脂。
[0022]作為本發明的進一步改進，所述凹槽的底面為弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形結構。
[0023]本發明還公開另一種在相同發明構思下的IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干盲孔，所述底板上設置有與所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
[0024]為了使本技術領域的人員更好地理解本發明中的技術方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發明保護的范圍。
[0025]如圖1所示，本發明的IGBT器件的散熱結構40設置于IGBT器件中，該IGBT器件包括基板10、以及設置于基板10上的IGBT芯片20。具體地，上述IGBT芯片20通過焊料焊接于基板10上，本實施方式中，上述基板10為DBC板。上述IGBT器件還包括底板30，上述基板10通過底板30設置于散熱結構40上，從而IGBT芯片20產生的熱量依次通過基板10、底板30傳遞至散熱結構40上，并通過散熱結構40散發出去。
[0026]進一步地，上述散熱結構40與底板30相對的表面設置有若干凹槽401，底板30上設置有與上述若干凹槽401相配合的若干凸起301。從而，如此設置，底板30與散熱結構40之間具有較大的接觸面積，從而增大了散熱結構40的散熱面積，提高了散熱的效果。為了使底板30與散熱結構40能夠穩固連接，上述底板30與散熱結構40之間還設置有導熱娃脂。
[0027]配合參照圖2所示，具體地，上述若干凹槽401為錐形槽，優選地，上述若干錐形槽等間距平行排列于上述散熱結構40的表面。作為一種等效的替代實施方式，上述若干凹槽401的底面為弧形面，且上述若干具有弧形面的凹槽401形成波形結構。上述波形結構具體指上述若干凹槽401呈高低起伏形式排列，即上述兩相鄰凹槽401的連接處形成波峰，弧形面底部形成波谷。相應地，上述底板30上設置有與上述具有弧形面的凹槽401相配合的弧形凸起301。
[0028]如圖3所示，基于上述發明構思，本發明還提供一種IGBT器件的散熱結構204，其設置于IGBT器件中，該IGBT器件包括:基板201、設置于基板201上的IGBT芯片202，上述IGBT器件還包括底板203，其中，基板201通過底板203設置于散熱結構204上。進一步地，散熱結構204與底板203相對的表面設置有若干盲孔2041，且底板203上設置有與上述若干盲孔2041相配合的若干凸起2031，當上述底板203與散熱結構204相配合時，若干凸起2031相應地收容于盲孔2041中。如此，同樣可增大底板與散熱結構之間的接觸面積，進而增大散熱結構的散熱面積，提高散熱效果。
[0029]綜上所述，本發明的IGBT器件的散熱結構在IGBT器件尺寸固定的情況下，具有良好的散熱效果，保證了產品的可靠性、穩定性、以及安全性，同時延長了產品的使用壽命。
[0030]對于本領域技術人員而言，顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0031]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【主權項】
1.一種IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，其特征在于，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干凹槽，所述底板上設置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。2.根據權利要求1所述的IGBT器件的散熱結構，其特征在于，所述若干凹槽為錐形槽，所述若干凸起為形狀與所述錐形槽相配合的錐形凸起。3.根據權利要求1所述的IGBT器件的散熱結構，其特征在于，所述若干凹槽等間距且平行設置于所述散熱結構的表面。4.根據權利要求1所述的IGBT器件的散熱結構，其特征在于，所述基板為DBC板，所述IGBT芯片通過焊料焊接于所述DBC板上。5.根據權利要求1所述的IGBT器件的散熱結構，其特征在于，所述底板與所述散熱結構之間設置有導熱硅脂。6.根據權利要求1所述的IGBT器件的散熱結構，其特征在于，所述凹槽的底面為弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形結構。7.—種IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，其特征在于，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干盲孔，所述底板上設置有與所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
【專利摘要】本發明公開了一種IGBT器件的散熱結構，其設置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設置于所述散熱結構上，所述散熱結構與所述底板相對的表面設置有若干凹槽，所述底板上設置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結構相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。本發明的IGBT器件的散熱結構在IGBT器件尺寸固定的情況下，具有良好的散熱效果，保證了產品的可靠性、穩定性、以及安全性，同時延長了產品的使用壽命。
【IPC分類】H01L23/367
【公開號】CN104882421
【申請號】CN201410073570
【發明人】吳磊
【申請人】西安永電電氣有限責任公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2014年2月28日