一種基于鐵基板的led封裝工藝流程的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，屬于LED封裝流程技術領域。
【背景技術】
[0002]LED基板主要是作為LED芯片與系統電路板之間熱能導出的媒介，藉由打線、共晶或覆晶的制程與LED芯片結合，目前影響LED使用壽命的因素主要為LED芯片熱量的疏散，傳統LED為達到良好的散熱效果一般采用銅材質基板支架，銅在常見金屬中導熱系數僅次于銀，是熱的優良導體，但銅的價格偏高，導致LED封裝成本上升。
【發明內容】
[0003]本發明克服了現有技術存在的不足，提供了一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，對于0.5W以下功率的燈珠，使用鐵材質基板代替銅材質基板支架，即滿足散熱要求，又可降低材料成本，提高經濟效益，在鐵基板表面鍍鎳后鍍銀以保持產品的優良性能。
[0004]為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為:一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，包括以下步驟:
a、采用超聲波清洗LED支架，LED支架采用鐵材質為基本材料，表面鍍鎳后再鍍銀；
b、對LED支架進行烘干除濕，除濕溫度為150°C，除濕時間2小時；
C、對芯片進行檢驗，材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑，芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整；
d、對芯片進行擴晶操作，采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm ；
e、對膠水進行解凍和攪拌，采用針筒式銀膠和絕緣膠，針筒式銀膠和絕緣膠的解凍膠水量均為10g，解凍時間不小于I小時，解凍溫度為18°C到26°C，絕緣膠解凍次數不能多余3次，銀膠解凍次數不能多余2次；
f、固晶生產，在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠，將擴張后LED芯片安置在刺片臺的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片刺到相應的位置上；
g、對固晶膠進行烘烤燒結，銀膠燒結的溫度控制在150°C，燒結時間2小時；
h、對固定好的芯片進行推力測試；
1、焊線生產，用鋁絲或金絲焊機將電極連接到LED管芯上，其中:鍵合功率為70mw到IlOmw ;鍵合壓力為60 gms到90gms ;鍵合時間為1ms到20ms ;鍵合溫度為130°C到160°C;
j、焊接完成后對焊接好的金屬絲進行拉力測試； k、對焊接好的整個材料做除濕處理；
1、配膠后進行點膠；
m、對點膠后的材料進行烘烤；
η、對供烤后的材料進彳丁檢驗，檢驗后進彳丁剝料處理；
O、對剝料后的成品進行分光； P、對分光后的成品進行除濕，除濕溫度為120°c，除濕時間為6小時； q、將成品進行裝袋；
r、裝袋完成后，再次進行除濕，除濕溫度為70°C，除濕時間為10小時；
S、對除濕后的產品進行最后的檢驗，然后包裝入庫。
[0005]從固晶到進烤時間控制在2小時。
[0006]材料在每站的作業時間不超過24小時。
[0007]銀膠燒結烘箱必須隔2小時打開更換燒結的產品，中間不得隨意打開。
[0008]本發明與現有技術相比具有的有益效果是:
本發明適用于0.5W以下功率的燈珠，使用鐵材質基板代替銅材質基板支架，鐵材質基板可滿足LED芯片的散熱要求，節約材料成本，降低資金消耗，提高產品的收益；通過在鐵基板表面鍍鎳，提高本身的機械性能；通過在鐵基板表面鍍銀，提到其導電性、抗腐蝕性和反光性能，實現優良的廣品品質。
【附圖說明】
[0009]下面結合附圖對本發明做進一步的說明。
[0010]圖1為本發明的封裝流程圖。
【具體實施方式】
[0011]實施例一:
如圖1所示，本發明一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，包括以下步驟:
a、采用超聲波清洗LED支架，LED支架采用鐵為基本材料，表面鍍鎳后再鍍銀；
b、對LED支架進行烘干除濕，除濕溫度為150°C，除濕時間2小時；
C、對芯片進行檢驗，材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑，芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整；
d、對芯片進行擴晶操作，采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm ；
e、對膠水進行解凍和攪拌，采用針筒式銀膠和絕緣膠，針筒式銀膠和絕緣膠的解凍膠水量均為10g，解凍時間不小于I小時，解凍溫度為18°C到26°C，絕緣膠解凍次數不能多余3次，銀膠解凍次數不能多余2次；
f、固晶生產，在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠，將擴張后LED芯片安置在刺片臺的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片刺到相應的位置上；
g、對固晶膠進行烘烤燒結，銀膠燒結的溫度控制在150°C，燒結時間2小時；
h、對固定好的芯片進行推力測試；
1、焊線生產，用鋁絲或金絲焊機將電極連接到LED管芯上，其中:鍵合功率為90mw;鍵合壓力為80gms ;鍵合時間為20ms ;鍵合溫度為140°C ；
j、焊接完成后對焊接好的金屬絲進行拉力測試； k、對焊接好的整個材料做除濕處理；
1、配膠后進行點膠；
m、對點膠后的材料進行烘烤； η、對供烤后的材料進彳丁檢驗，檢驗后進彳丁剝料處理；
O、對剝料后的成品進行分光；
P、對分光后的成品進行除濕，除濕溫度為120°C，除濕時間為6小時； q、將成品進行裝袋；
r、裝袋完成后，再次進行除濕，除濕溫度為70°C，除濕時間為10小時；
S、對除濕后的產品進行最后的檢驗，然后包裝入庫。
[0012]從固晶到進烤時間控制在2小時。
[0013]材料在每站的作業時間不超過24小時。
[0014]銀膠燒結烘箱必須隔2小時打開更換燒結的產品，中間不得隨意打開，燒結烘箱不得再其他用途，防止污染。
[0015]實施例二:
在步驟i中，鍵合功率為70mw ;鍵合壓力為60gms ;鍵合時間為20ms ;鍵合溫度為130°C，其他步驟均與實施例一相同。
[0016]實施例三:
在步驟i中，鍵合功率為IlOmw;鍵合壓力為90gms ;鍵合時間為1ms ;鍵合溫度為150°C，其他步驟均與實施例一相同。
[0017]上面結合附圖對本發明的實施例作了詳細說明，但是本發明并不限于上述實施例，在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本發明宗旨的前提下作出各種變化。
【主權項】
1.一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于，包括以下步驟: a、采用超聲波清洗LED支架，LED支架采用鐵為基本材料，表面鍍鎳后再鍍銀； b、對LED支架進行烘干除濕，除濕溫度為150°C，除濕時間2小時； C、對芯片進行檢驗，材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑，芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整； d、對芯片進行擴晶操作，采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm ； e、對膠水進行解凍和攪拌，采用針筒式銀膠和絕緣膠，針筒式銀膠和絕緣膠的解凍膠水量均為10g，解凍時間不小于I小時，解凍溫度為18°C到26°C，絕緣膠解凍次數不能多余3次，銀膠解凍次數不能多余2次； f、固晶生產，在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠，將擴張后LED芯片安置在刺片臺的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片刺到相應的位置上； g、對固晶膠進行烘烤燒結，銀膠燒結的溫度控制在150°C，燒結時間2小時； h、對固定好的芯片進行推力測試； 1、焊線生產，用鋁絲或金絲焊機將電極連接到LED管芯上，其中:鍵合功率為70mw到IlOmw ;鍵合壓力為60 gms到90gms ;鍵合時間為1ms到20ms ;鍵合溫度為130°C到160°C; j、焊接完成后對焊接好的金屬絲進行拉力測試； k、對焊接好的整個材料做除濕處理； 1.配膠后進行點膠； m、對點膠后的材料進行烘烤； η、對供烤后的材料進彳丁檢驗，檢驗后進彳丁剝料處理； O、對剝料后的成品進行分光； P、對分光后的成品進行除濕，除濕溫度為120°C，除濕時間為6小時； q、將成品進行裝袋； r、裝袋完成后，再次進行除濕，除濕溫度為70°C，除濕時間為10小時； S、對除濕后的產品進行最后的檢驗，然后包裝入庫。
2.根據權利要求1一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于:從固晶到進烤時間控制在2小時。
3.根據權利要求1一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于:材料在每站的作業時間不超過24小時。
4.根據權利要求1一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于:銀膠燒結烘箱必須隔2小時打開更換燒結的產品，中間不得隨意打開。
【專利摘要】本發明一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，屬于LED封裝流程技術領域；解決的技術問題是提供了一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，對于0.5W以下功率的燈珠，使用鐵材質基板代替銅材質基板支架，即滿足散熱要求，又可降低材料成本，提高經濟效益，在鐵基板表面鍍鎳后鍍銀以保持產品的優良性能；采用的技術方案為：一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，包括擴晶、固晶、烘烤、焊線、點膠、剝料、分光、除濕、裝袋、檢驗和包裝的步驟，基于鐵為原料制作的基板上進行上述步驟的LED封裝流程；本發明可廣泛應用于LED封裝流程技術領域。
【IPC分類】H01L33-64, H01L33-48
【公開號】CN104821362
【申請號】CN201510147541
【發明人】徐龍飛
【申請人】長治虹源光電科技有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年3月31日