雙柵極器件以及雙柵極器件的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子元器件領域，尤其涉及一種雙柵極器件以及一種雙柵極器件的制造方法。
【背景技術】
[0002]TFT (Thin-film transistor，薄膜晶體管)是一種主要用于平板顯示器件中像素單元的開關元件。OTFT(Organic TFT，有機薄膜晶體管)是一種使用有機物作為半導體材料的薄膜晶體管，因其具有柔韌性好、可卷曲、制程成本低、攜帶方便等特點，成為當前最具潛力的下一代柔性顯示器的新型Array板技術。
[0003]OTFT的有機層材料主要有聚合物(polymer)和小分子(small molecule)兩種，但由于材料自身特性的限制，目前OTFT器件的迀移率大多較低，難以達到驅動0LED(0rganicLight-Emitting D1de，有機發光二極管)所需的水平。此外，有機層材料的閾值電壓(Vth)很難通過材料自身或制程去調控，如此會導致器件在操作時的功耗大大增加，進而限制了 OTFT在顯示器領域的應用。
【發明內容】
[0004]本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種雙柵極器件的制作方法及雙柵極器件，OTFT器件結構采用雙柵極結構改善器件特性，達到減小閾值電壓，增大開態電流，減小關態電流的目的，且頂柵電極與源漏電極的交疊，使得雙柵極結構的器件能減小器件接觸電阻，節約功耗。
[0005]為了解決上述技術問題，本發明實施例第一方面公開了一種雙柵極器件的制作方法，包括:
[0006]在一基板形成一第一金屬層；
[0007]通過第一光罩對所述第一金屬層進行圖案化處理以形成底柵電極；
[0008]在所述底柵電極和所述基板上涂覆一第一有機絕緣層；
[0009]在所述第一有機絕緣層上濺鍍形成第二金屬層；
[0010]通過第二光罩對所述第二金屬層進行圖案化處理以形成源漏電極；
[0011]在所述源漏電極和所述第一有機絕緣層上依次覆蓋一有機半導體層、一第二有機絕緣層和一第三金屬層；
[0012]通過第三光罩對所述有機半導體層、所述第二有機絕緣層和所述第三金屬層進行圖案化處理以形成頂柵電極。
[0013]其中，所述第一有機絕緣層包覆所述底柵電極，所述有機半導體層包覆所述源漏電極，所述頂柵電極與所述源漏電極之間交疊。
[0014]其中，所述源漏電極位于所述底柵電極的正投影區域內。
[0015]其中，所述制作方法還包括:在所述第一有機絕緣層、所述有機半導體層、所述第二有機絕緣層和所述頂柵電極之上涂覆一鈍化層，所述鈍化層涂覆于遠離所述基板的所述第一有機絕緣層的上表面，所述鈍化層包覆所述第一有機絕緣層、所述有機半導體層、所述第二有機絕緣層和所述頂柵電極。
[0016]其中，所述鈍化層的正投影區域與所述基板的正投影區域相同。
[0017]其中，所述基板由聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺制成，所述第一金屬層、所述第二金屬層及所述第三金屬層由金、銀、銅、鐵中的任意一種材料制成。
[0018]本發明實施例第二方面公開了一種雙柵極器件，包括:一基板、一底柵電極、一第一有機絕緣層、一源漏電極、一有機半導體層、一第二有機絕緣層和一頂柵電極，其中:
[0019]所述底柵電極位于所述基板的上表面；
[0020]所述第一有機絕緣層位于所述基板的上表面，且包覆所述底柵電極；
[0021]所述源漏電極位于遠離所述基板的所述第一有機絕緣層的上表面；
[0022]所述有機半導體層位于遠離所述基板的所述第一有機絕緣層的上表面，且所述有機半導體層包覆所述源漏電極；
[0023]所述第二有機絕緣層位于遠離所述基板的所述有機半導體層的上表面；
[0024]所述頂柵電極位于遠離所述基板的所述第二有機絕緣層的上表面。
[0025]其中，所述源漏電極位于所述底柵電極的正投影區域內，所述有機半導體層的上表面為一平整面，所述有機半導體層的正投影區域與所述底柵電極的正投影區域相同。
[0026]其中，所述第二有機絕緣層的上表面為一平整面，所述第二有機絕緣層的正投影區域與所述底柵電極的正投影區域相同，所述頂柵電極的上表面為一平整面，所述頂柵電極的正投影區域與所述底柵電極的正投影區域相同。
[0027]其中，所述頂柵電極與所述源漏電極之間交疊。
[0028]其中，所述雙柵極器件還包括:一鈍化層，所述鈍化層位于遠離所述基板的所述第一有機絕緣層的上表面，所述鈍化層包覆所述有機半導體層、所述第二有機絕緣層和所述頂柵電極，其中，所述鈍化層的正投影區域與所述基板的正投影區域相同。
[0029]實施本發明實施例，OTFT(Organic Thin Film Transistor，有機薄膜晶體管)器件結構采用雙柵極結構改善器件特性，本發明實施例具有如下有益效果:
[0030]1、雙柵極結構能夠減小閾值電壓，增大開態電流，減小關態電流；
[0031]2、頂柵電極與源漏電極的交疊，使得OTFT器件的接觸電阻減小，節約功耗。
【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1是本發明實施例提供的雙柵極器件的制作方法的第一實施例的流程示意圖；
[0034]圖2是根據圖1所示的制作方法得到的雙柵極器件的部分結構示意圖；
[0035]圖3是根據圖1所示的制作方法得到的雙柵極器件的部分結構示意圖；
[0036]圖4是根據圖1所示的制作方法得到的雙柵極器件的部分結構示意圖；
[0037]圖5是根據圖1所示的制作方法得到的雙柵極器件的部分結構示意圖；
[0038]圖6是本發明實施例提供的雙柵極器件的第一實施例的結構示意圖；
[0039]圖7是本發明實施例提供的雙柵極器件的制作方法的第二實施例的流程示意圖；及
[0040]圖8是本發明實施例提供的雙柵極器件的第二實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0041]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0042]需要說明的是，在本發明實施例中使用的術語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本發明。在本發明實施例和所附權利要求書中所使用的單數形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數形式，除非上下文清楚地表示其他含義。還應當理解，本文中使用的術語“和/或”是指并包含一個或多個相關聯的列出項目的任何或所有可能組合。此外，以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內”、“外”、“側面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
[0043]在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0044]此外，在本發明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。本說明書中“工序”的用語不