一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電線電纜技術領域，尤其涉及的是一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝。
【背景技術】
[0002]目前的電線電聯僅包括導體層和包覆在導體層外的絕緣材料層，為了提高電線電纜的吸波屏蔽能力，通常是在絕緣材料層外用金屬編織網編織屏蔽層，或者是通過在絕緣材料層外進行繞包以提高吸波屏蔽率。但是通過編織的方式成本較高、工藝復雜、對導體層發出的高頻波屏蔽效果差，屏蔽率低于70% ;通過繞包的方式，屏蔽率低于90%。
[0003]因此，現有技術還有待于改進和發展。
【發明內容】
[0004]鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝，旨在解決現有技術中通過繞包屏蔽或編織屏蔽的方式導致生產成本高，且屏蔽率低的冋題。
[0005]本發明的技術方案如下:
一種吸波屏蔽線纜，其中，包括:
導體層；
包覆所述導體層的絕緣材料層；
包覆所述絕緣材料層的吸波材料層。
[0006]所述吸波屏蔽線纜，其中，所述吸波材料層包括3%_20%的鐵氧體，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的絕緣材料。
[0007]所述吸波屏蔽線纜，其中，所述鐵氧體為氧化鐵、碳酸鋇、碳酸鍶、氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇或氧化鍶中的一種或多種。
[0008]所述吸波屏蔽線纜，其中，所述絕緣材料為聚氯乙烯、交聯聚烯烴、硅橡膠或氟塑料中的一種。
[0009]所述吸波屏蔽線纜，其中，所述吸波材料層的厚度為0.1-0.4mm。
[0010]一種吸波屏蔽線纜的加工工藝，其中，包括以下步驟:
51、將絕緣材料層在150-165°C下由用于擠出絕緣材料的主機擠出，并包覆在導體層上;
52、將吸波材料層在絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后由用于擠出吸波材料的輔機在170-190°C的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。
[0011]所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其中，所述吸波材料層包括3%-20%的鐵氧體，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的絕緣材料。
[0012]所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其中，所述鐵氧體為氧化鐵、碳酸鋇、碳酸鍶、氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇或氧化鍶中的一種或多種。
[0013]所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其中，所述絕緣材料為聚氯乙烯、交聯聚烯烴、硅橡膠或氟塑料中的一種。
[0014]所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其中，所述吸波材料層的厚度為0.1-0.4mm。
[0015]本發明提供的一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝，加工工藝包括:將絕緣材料層在150-165?下由用于擠出絕緣材料的主機擠出，并包覆在導體層上；將吸波材料層在絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后由用于擠出吸波材料的輔機在170-190°C的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。本發明通過雙層共擠的方式擠出包覆在導體層上的絕緣材料層及包覆在絕緣材料層上的吸波材料層，提高了吸波屏蔽線纜的生產效率，降低了生產成本，并極大提高了吸波屏蔽率。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發明所述吸波屏蔽線纜較佳實施例的結構示意圖。
[0017]圖2為本發明所述吸波屏蔽線纜的加工工藝較佳實施例的流程圖。
【具體實施方式】
[0018]本發明提供一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0019]請參見圖1，其為本發明所述吸波屏蔽線纜較佳實施例的結構示意圖。如圖1所示，所述吸波屏蔽線纜包括:導體層100 ;包覆所述導體層100的絕緣材料層200 ;包覆所述絕緣材料層200的吸波材料層300。
[0020]本發明的實施例中，所述吸波屏蔽線纜與現有技術中的電線電纜不同之處在于，多了一層吸波屏蔽層。由于通過吸波材料層300包覆所述絕緣材料層200，故提高了對電磁波的屏蔽率。
[0021]優選的，所述吸波材料層300包括3%-20%的鐵氧體，2%-10%的二氧化硅，70%_95%的絕緣材料。具體實施時，所述吸波材料層300的厚度為0.1-0.4mm。通過設置上述吸波材料層300，使得所述吸波屏蔽線纜能屏蔽和吸收0.3-40GHZ的高頻波，使得屏蔽率達到
100% ο
[0022]優選的，所述鐵氧體為氧化鐵、碳酸鋇、碳酸鍶、氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇或氧化鍶中的一種或多種。
[0023]優選的，所述絕緣材料為聚氯乙烯、交聯聚烯烴、硅橡膠或氟塑料中的一種。
[0024]基于上述吸波屏蔽線纜，本發明還提供吸波屏蔽線纜的加工工藝。如圖2所示，所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，包括以下步驟:
步驟S100、將絕緣材料層在150-165°c下由用于擠出絕緣材料的主機擠出，并包覆在導體層上；
步驟S200、將吸波材料層在絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后由用于擠出吸波材料的輔機在170-190°C的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。
[0025]下面分別針對上述步驟進行具體介紹:
首先，通過主機將絕緣材料層在150-165?的溫度下擠出，并包覆在導體層上。
[0026]然后，等待絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后，通過輔機將吸波材料層在170_190°C的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。上述過程中，需注意的是絕緣材料層將導體層后才能擠出吸波材料層，即要避免吸波材料層與導體層接觸。
[0027]可見，通過步驟SlOO和S200實現了雙層共擠，提高了線纜的加工效率。
[0028]最后，待吸波屏蔽線纜的三層均冷卻成型后，即完成了吸波屏蔽線纜的加工。通過上述加工工藝，使得吸波屏蔽率達到100%，優于編織和繞包的方式。
[0029]優選的，所述吸波材料層包括3%_20%的鐵氧體，2%-10%的二氧化硅，70%_95%的絕緣材料。
[0030]優選的，所述鐵氧體為氧化鐵、碳酸鋇、碳酸鍶、氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇或氧化鍶中的一種或多種。
[0031 ] 優選的，所述絕緣材料為聚氯乙烯、交聯聚烯烴、硅橡膠或氟塑料中的一種。
[0032]優選的，所述吸波材料層的厚度為0.1-0.4mm。
[0033]綜上所述，本發明提供的一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝，加工工藝包括:將絕緣材料層在150-165?下由用于擠出絕緣材料的主機擠出，并包覆在導體層上；將吸波材料層在絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后由用于擠出吸波材料的輔機在170-190°C的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。本發明通過雙層共擠的方式擠出包覆在導體層上的絕緣材料層及包覆在絕緣材料層上的吸波材料層，提高了吸波屏蔽線纜的生產效率，降低了生產成本，并極大提高了吸波屏蔽率。
[0034]應當理解的是，本發明的應用不限于上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬于本發明所附權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種吸波屏蔽線纜，其特征在于，包括: 導體層； 包覆所述導體層的絕緣材料層； 包覆所述絕緣材料層的吸波材料層。
2.根據權利要求1所述吸波屏蔽線纜，其特征在于，所述吸波材料層包括3%-20%的鐵氧體，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的絕緣材料。
3.根據權利要求2所述吸波屏蔽線纜，其特征在于，所述鐵氧體為氧化鐵、碳酸鋇、碳酸鍶、氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇或氧化鍶中的一種或多種。
4.根據權利要求2所述吸波屏蔽線纜，其特征在于，所述絕緣材料為聚氯乙烯、交聯聚烯烴、硅橡膠或氟塑料中的一種。
5.根據權利要求1所述吸波屏蔽線纜，其特征在于，所述吸波材料層的厚度為0.1-0.4mm。
6.一種吸波屏蔽線纜的加工工藝，其特征在于，包括以下步驟: 51、將絕緣材料層在150-165°C下由用于擠出絕緣材料的主機擠出，并包覆在導體層上; 52、將吸波材料層在絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后由用于擠出吸波材料的輔機在170-190°C的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。
7.根據權利要求6所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其特征在于，所述吸波材料層包括3%-20%的鐵氧體，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的絕緣材料。
8.根據權利要求7所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其特征在于，所述鐵氧體為氧化鐵、碳酸鋇、碳酸鍶、氧化鎳、氧化鋅、氧化錳、氧化鎂、氧化鋇或氧化鍶中的一種或多種。
9.根據權利要求7所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其特征在于，所述絕緣材料為聚氯乙烯、交聯聚烯烴、硅橡膠或氟塑料中的一種。
10.根據權利要求6所述吸波屏蔽線纜的加工工藝，其特征在于，所述吸波材料層的厚度為 0.1-0.4mm。
【專利摘要】本發明公開了一種吸波屏蔽線纜及其加工工藝，加工工藝包括：將絕緣材料層在150-165℃下由用于擠出絕緣材料的主機擠出，并包覆在導體層上；將吸波材料層在絕緣材料層擠出0.1-0.5秒后由用于擠出吸波材料的輔機在170-190℃的溫度下擠出，并包覆在絕緣材料層上。本發明通過雙層共擠的方式擠出包覆在導體層上的絕緣材料層及包覆在絕緣材料層上的吸波材料層，提高了吸波屏蔽線纜的生產效率，降低了生產成本，并極大提高了吸波屏蔽率。
【IPC分類】H01B13-24, H01B7-17, H01B13-14
【公開號】CN104779002
【申請號】CN201510210985
【發明人】張海斌
【申請人】深圳市金泰科環保線纜有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年4月29日